Байдусь Николай Владимирович

Место работы

Научно-исследовательский физико-технический институт

Отдел твердотельной электроники и оптоэлектроники

Лаборатория эпитаксиальной технологии

старший научный сотрудник

Ученая степень
Кандидат физико-математических наук
Ученое звание
нет
Дата начала работы в университете лобачевского: 1989
Общий стаж работы 37 лет, 7 мес.

Общие сведения

Научная Работа


Образование, учёные степени и учёные звания

Высшее образование
Специальность: Физика. Квалификация: физик.

Дополнительное образование, повышение квалификации, стажировки

14.11.2017 - 14.11.2017
Повышение квалификации: специальная подготовка по качеству, АНО ЦРМ "СПК", документ № № 8385/СПК от 14.11.2017

Список преподаваемых дисциплин

Публикации

2019

Публикации в научных журналах

Байдусь Н.В., Кукушкин В.А., Некоркин С.М., Круглов А.В., Реунов Д.Г. Выращивание методом МОС-гидридной эпитаксии субмонослойных квантовых точек InGaAs/GaAs для возбуждения поверхностных плазмон-поляритонов // Semiconductors. № 3. Т. 53. 2019. С. 345-350.

2018

Труды (тезисы) конференции

Кукушкин В.А., Байдусь Н.В., Некоркин С.М., Курицын Д.И., Здоровейщев А.В. Ускорение релаксации фотолюминесценции на межзонных переходах в квантовых ямах InGaAs в GaAs за счёт возбуждения поверхностных плазмон-поляритонов на границе GaAs с Au // Труды XXII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (12-15 марта 2018 г., Нижний Новгород). Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т. 2, 898 с.. 2018. С. 683-684.

Самарцев И.В., Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Дикарева Н.В., Чигинева А.Б., Пашенькин И.Ю., Байдусь Н.В. Разработка и исследование фотоприемников на длину волны 1,06 мкм с метаморфными буферными слоями на подложках GaAs // Труды XXII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2, 898с. 2018. С. 757-758.

Звонков Б.Н., Байдусь Н.В., Вихрова О.В., Ершов А.В., Здоровейщев А.В., Котомина В.Е., Некоркин С.М., Самарцев И.В., Чигинева А.Б. Комбинированная структура – оптический тиристор и светодиод с гетеропереходами GaAs/InGaP // Труды XXII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2, 898 с. 2018. С. 625-626.

Сушков А.А., Павлов Д.А., Байдусь Н.В., Рыков А.В., Новиков А.В., Юрасов Д.В. Формирование гексагональной фазы AlAs на Ge/SI(112) // Микроэлектроника и информатика - 2018. 25-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов. Москва, 18-19 апр. 2018 г. – Москва. Изд-во МИЭТ, 316 с. 2018. С. 42.

Рыков А.В., Дорохин М.В., Вергелес П.С., Ковальский В.А., Якимов Е.Б., Байдусь Н.В., Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Чалков В.Ю. Структурное исследование излучающих структур А3В5 на Ge/Si(100) подложке // «Нанофизика и наноэлектроника» Материалы XXII Международного симпозиума, 12–15 марта 2018 г., Нижний Новгород.. Н.Новгород: Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2. 2018. 2 С.. 2018. С. 751-752.

Rykov A.V., Dorokhin M.V., Vergeles P.S., Baidus N.V., Shengurov V.G. Structural investigation of light-emitting A3B5 structures grown on Ge/Si(100) substrate // 5th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures, Book of Abstracts. Academic University Publishing, St. Petersburg, 2018, 623 p.. 2018. P. 103-104.

Ершов А.В., Кузякин Я.Д., Карабанова И.А., Нежданов А.В., Байдусь Н.В. Сравнительное исследование влияния отжига на оптические свойства многослойных нанопериодических структур a-Si/CeO2 и a-Si/SiO2 // Физические и физико-химические основы ионной имплантации. Тез. докл. VII Всерос. конф. и шк. молодых ученых и специалистов (Нижний Новгород, 7–9 нояб. 2018 г.). – Н. Новгород, 174 с. 2018. С. 112–113.

Ершов А.В., Кузякин Я.Д., Карабанова И.А., Нежданов А.В., Байдусь Н.В. Получение и свойства структур с массивами нанокристаллов кремния в матрицах CeO2 и SiO2 // Аморфные и микрокристаллические полупроводники. : Сб. тр. Междунар. конф. 19–21 ноября 2018 г., Санкт-Петербург. – СПб.: ПОЛИТЕХ-ПРЕСС, 304 с. 2018. С. 55.

Хазанова С.В., Дегтярев В.Е., Байдусь Н.В., Григорьева Н.Н. Моделирование спектра фотолюминесценции глубоких InGaAs/GaAs квантовых ям с учетом деформации в эпитаксиальных слоях // Материалы XXII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника".. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Том 2. 2018. С. 799-800.

Публикации в научных журналах

Rykov A.V., Dorokhin M.V., Vergeles P.S., Baidus N.V., Kovalyskii V.A., Yakimov E.B., Soltanovich O.A. Structural and optical characteristics of GaAs films grown on Si/Ge substrates // Journal of Physics: Conference Series. № 993. V. 1. 2018. P. 012014.

Baidus N.V., Aleshkin V.Ya., Dubinov A.A., Kudryavtsev K.E., Nekorkin S.M., Novikov A.V., Pavlov D.A., Rykov A.V., Sushkov A.A., Shaleev M., Yunin P.A., Yurasov D, Krasilnik Z.F. MOCVD Growth of InGaAs/GaAs/AlGaAs Laser Structures with Quantum Wells on Ge/Si Substrates // Crystals. № 8. V. 8. 2018. P. 311.

Алешкин В.Я., Байдусь Н.В., Вихрова О.В., Дубинов А.А., Звонков Б.Н., Красильник З.Ф., Кудрявцев К.Е., Некоркин С.М., Новиков А.В., Рыков А.В., Самарцев И.В., Юрасов Д.В. Стимулированное излучение на длине волны 1.3 μm в метаморфной структуре InGaAs/InGaAsP с квантовыми ямами, выращенной на подложке Ge/Si (001) // Письма в Журнал технической физики. № 44. Т. 16. 2018. С. 67-74.

Aleshkin V.Ya., Baidus N.V., Vikhrova O.V., Dubinov A.A., Krasilnik Z.F., Zvonkov B.N., Kudryavtsev K.E., Nekorkin S.M., Novikov A.V., Rykov A.V., Samartsev I.V., Yurasov D.V. Stimulated Emission at 1.3-μm Wavelength in Metamorphic InGaAs/InGaAsP Structure with Quantum Wells Grown on Ge/Si(001) Substrate // Technical Physics Letters. № 44. V. 8. 2018. P. 735-738.

Rykov A.V., Dorokhin M.V., Vergeles P.S., Kovalskiy V.A., Yakimov E.B., Ved' M.V., Baidus N.V., Zdoroveyshchev A.V., Shengurov V.G., Denisov S.A. Structural investigation of light-emitting A3B5 structures grown on Ge/Si(100) substrate // Journal of Physics: Conference Series. № 1124. 2018. P. 022037.

2017

Сборники статей

Крыжановская Н.В., Полубавкина Ю.С., Моисеев Э.И., Зубов Ф.И., Максимов М.В., Липовский А.А., Жуков А.Е., Кулагина М.М., Трошков С.И., Задиранов Ю.М., Байдусь Н.В., Рыков А.В., Юрасов Д.В., Новиков А.В., Дубинов А.А., Красильник З.Ф. Микролазеры на основе дисковых резонаторов и квантоворазмерных гетероструктур для перспективных устройств нанофотоники // Электроника и микроэлектроника СВЧ. СПб.: Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина). Т. 1.. 2017. С. 115-116.

Труды (тезисы) конференции

Шенгуров В.Г., Бузынин Ю.Н., Бузынин А.Н., Байдусь Н.В., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Сушков А.А., Павлов Д.А., Дроздов М.Н., Нежданов А.В., Юнин П.А., Трушин В.Н. Эпитаксиальные подложки GaAs/Ge/Si // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XXI международного симпозиума. Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т. 2. 2017. С. 770-771.

Алешкин В.Я., Байдусь Н.В., Дубинов А.А., Фефелов А.Г., Красильник З.Ф., Кудрявцев К.Е., Некоркин С.М., Новиков А.В., Павлов Д.А., Самарцев И.В., Скороходов Е.В., Шалеев М.В., Сушков А.А., Яблонский А.Н., Юнин П.А., Юрасов Д.В. Лазерные диоды InGaAs/GaAs/AlGaAs, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии на Ge/Si(001) подложках // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XXI международного симпозиума. Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т. 2. 2017. С. 491-492.

Байдусь Н.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Красильник З.Ф., Некоркин С.М., Новиков А.В., Павлов Д.А., Рыков А.В., Сушков А.А., Шалеев М.В., Юнин П.А., Юрасов Д.В., Яблонский А.Н. Особенности выращивания лазерных структур InGaAs/GaAs/AlGaAs на подложках Ge/Si методом МОС-гидридной эпитаксии // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XXI международного симпозиума. Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т. 2. 2017. С. 523-524.

Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Nezhdanov A.V., Trushin V.N., Filatov D.O., Prokhorov D.S., Buzynin Yu.N., Buzynin A.N., Baidusy N.V. Growth of high quality Ge epitaxial layer on Si(001) substrate using hot-wire chemical vapor deposition // Book of abstracts the III International Conference «Modern problems in the physics of surfaces and nanostructures» (ICMPSN-2017). Yaroslavl, Russia, October 9-11, 2017, 123 p.. 2017. P. 65.

Сушков А.А., Байдусь Н.В., Алешкин В.Я., Новиков А.В., Юрасов Д.В., Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Павлов Д.А. Эффективное подавление ростовых дефектов и взаимной диффузии атомов Ge, As, Ga на гетерогранице GaAs/Ge // Тезисы докладов 24-й Всероссийской межвузовской научно-технической конференции студентов и аспирантов "Микроэлектроника и информатика - 2017". Зеленоград, Россия, 19 - 20 апреля 2017. 2017. С. 49.

Чунин И.И., Звонков Б.Н., Дикарева Н.В., Некоркин С.М., Байдусь Н.В., Самарцев И.В. Лазер-тиристор на системе материалов InGaAs/GaAs(InGaAsP)/InGaP // Труды XXI Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". ННГУ, т.2, 832с.. 2017. С. 762-763.

Filatov D.O., Kazantseva I.A., Baidusy N.V., Gorshkov A.P., Mishkin V.P. Investigation of photoconductivity of individual InAs/GaAs(001) quantum dots by Scanning Near=field Optical Microscopy // Scanning Probe Microscopy 2017 (SPM-2017) IOP Conference Series: Materials Science and Engineering. Mater. Sci. Eng. 256 012005, 6 c.. 2017. P. 1-6.

Сушков А.А., Байдусь Н.В., Алешкин В.Я., Новиков А.В., Юрасов Д.В., Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Павлов Д.А. Эффективное подавление ростовых дефектов и взаимной диффузии атомов Ge, As, Ga на гетерогранице GaAs/Ge // Сборник докладов конференции научной молодежи физического факультета ННГУ. Нижний Новгород, 11 мая 2017. С. 121. 2017. С. 101.

Публикации в научных журналах

Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Байдусь Н.В., Дикарева Н.В., Вихрова О.В., Афоненко А.А., Ушаков Д.В. Влияние «объема» активной среды на излучательные свойства лазерных гетероструктур с выходом излучения через подложку // Физика и техника полупроводников. № 1. Т. 51. 2017. С. 75-78.

Buzynin Yu.N., Shengurov V.G., Zvonkov B.N., Buzynin A.N., Denisov S.A., Baidusy N.V., Drozdov M.N., Pavlov D.A., Yunin P.A. GaAs/Ge/Si epitaxial substrates: development and characteristics // AIP Advances. V. 7. 2017. P. 015304.

Kryzhanovskaya N.V., Moiseev E.I., Polubavkina Yu.S., Maximov M.V., Kulagina M.M., Troshkov S.I., Zadiranov Yu.M., Lipovskii A.A., Baidusy N.V., Dubinov A.A., Krasilynik Z.F., Novikov A.V., Pavlov D.A., Rykov A.V., Sushkov A.A., Yurasov D.V., Zhukov A.E. Electrically pumped InGaAs/GaAs quantum well microdisk lasers directly grown on Si(100) with Ge/GaAs buffer // Optics Express. № 14. V. 25. 2017. P. 16754-16760.

Алешкин В.Я., Байдусь Н.В., Дубинов А.А., Красильник З.Ф., Некоркин С.М., Новиков А.В., Рыков А.В., Юрасов Д.В., Яблонский А.Н. Стимулированное излучение лазерных структур InGaAs/GaAs/AlGaAs, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на неотклоненной и отклоненной подложках Ge/Si(001) // Физика и техника полупроводников. № 5. Т. 51. 2017. С. 695-698.

Aleshkin V.Ya., Baidus N.V., Dubinov A.A., Krasilnik Z.F., Nekorkin S.M., Novikov A.V., Rykov A.V., Yurasov D.V., Yablonskiy A.N. On the stimulated emission of InGaAs/GaAs/AlGaAs laser structures grown by MOCVD on exact and inclined Ge/Si(001) substrates // Semiconductors. № 5. V. 51. 2017. P. 663-666.

Алешкин В.Я., Байдусь Н.В., Дубинов А.А., Кудрявцев К.Е., Некоркин С.М., Новиков А.В., Рыков А.В., Самарцев И.В., Фефелов А.Г., Юрасов Д.В., Красильник З.Ф. Технология изготовления лазерных диодов из структур GaAs/InGaAs/AlGaAs, выращенных на Ge/Si подложке // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 51. 2017. С. 1530-1533.

Байдусь Н.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Кудрявцев К.Е., Некоркин С.М., Новиков А.В., Павлов Д.А., Рыков А.В., Сушков А.А., Шалеев М.В., Юнин П.А., Юрасов Д.В., Яблонский А.Н., Красильник З.Ф. Особенности выращивания лазерных структур InGaAs/GaAs/AlGaAs методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках Ge/Si // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 51. 2017. С. 1579-1582.

Aleshkin V.Ya., Baidus N.V., Dubinov A.A., Kudryavtsev K.E., Nekorkin S.M., Novikov A.V., Rykov A.V., Samartsev I.V., Fefelov A.G., Yurasov D.V., Krasilnik Z.F. Technology of the production of laser diodes based on GaAs/InGaAs/AlGaAs structures grown on a Ge/Si substrate // Semiconductors. № 11. V. 51. 2017. P. 1477-1480.

Baidus N.V., Aleshkin V.Ya., Dubinov A.A., Kudryavtsev K.E., Nekorkin S.M., Novikov A.V., Pavlov D.A., Rykov A.V., Sushkov A.A., Shaleev M.V., Yunin P.A., Yurasov D.V., Yablonskiy A.N., Krasilnik Z.F. Peculiarities of Growing InGaAs/GaAs/AlGaAs Laser Structures by MOCVD on Ge/Si Substrates / N.V. Baidus, V.Ya. Aleshkin, A.A. Dubinov, K.E. Kudryavtsev, S.M. Nekorkin, A.V. Novikov, D.A. Pavlov, A.V. Rykov, A.A. Sushkov, M.V. Shaleev, P.A. Yunin, D.V. Yurasov, A.N. Yablonskiy, Z.F. Krasilnik // Semiconductors. № 11. V. 51. 2017. P. 1527-1530.

Кукушкин В.А., Байдусь Н.В., Некоркин С.М., Курицын Д.И., Здоровейщев А.В. ЗАВИСИМОСТЬ КИНЕТИКИ РЕЛАКСАЦИИ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ НА МЕЖЗОННЫХ ПЕРЕХОДАХ В КВАНТОВЫХ ЯМАХ InGaAs В GaAs ОТ ИХ БЛИЗОСТИ К ГРАНИЦЕ С Au (The Dependence of Relaxation Kinetics of Photoluminescence from Interband Transitions in InGaAs/GaAs Quantum Wells on Their Distance from an Interface with Au) // OPTICS AND SPECTROSCOPY. № 5. Т. 123. 2017. С. 754-759.

Buzynin A.N., Buzynin Yu.N., Shengurov V.G., Voronkov V., Menke A., Lukyyanov A., Panov V., Baidusy N.V. Silicon and III-V Solar Cells: From Modus Vivendi to Modus Operandi // Green and Sustainable Chemistry. V. 2017. 2017. P. 217-233.

2016

Труды (тезисы) конференции

Байдусь Н.В., Некоркин С.М., Колпаков Д.А., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Ершов А.В., Рыков А.В., Самарцев И.В. Импульсный InGaAs/GaAs/AlGaAs гетеролазер с увеличенной активной областью и узкой диаграммой направленности // Материалы XX Междунар. симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 14–18 марта 2016, Нижний Новгород. Изд-во Нижегород. ун-та им. Н.И. Лобачевского, Т. 2: Секция 3, 840 с. 2016. С. 486–487.

Байдусь Н.В., Звонков Б.Н., Кукушкин В.А., Абрамкин Д.С. Влияние поляризации излучения квантовых точек InAs/GaAs на свойства поверхностных плазмон-поляритонов // Труды XX Междунар. симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 14–18 марта 2016, Нижний Новгород. Издательство ННГУ им. Н.И.Лобачевского,, Том.2, 840 с.. 2016. С. 484-485.

Белёвский П.А., Винославский М.Н., Порошин В.Н., Байдусь Н.В., Звонков Б.Н. Неустойчивости тока в селективно-легированных n-InGaAs/GaAs-гетероструктурах с квантовыми ямами при латеральном электрическом транспорте // Материалы XX Междунар. симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 14–18 марта 2016 г., Нижний Новгород. : ИФМ РАН, Том.2. 2016.. Издательство ННГУ им. Н.И.Лобачевского, Том 2, 840 с.. 2016. С. 492-493.

Сушков А.А., Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Байдусь Н.В., Павлов Д.А. Исследование поперечного среза структуры GaAs/AlAs/GaAs/AlAs/ГКНС(Ge/Si/Al2O3) // VI Всероссийский фестиваль науки. Сборник докладов. Нижний Новгород, 6 окт. 2016 г. - Н.Новгород. Изд-во ННГАСУ. Т. 1, 485 с. 2016. С. 73-75.

Публикации в научных журналах

Байдусь Н.В., Некоркин С.М., Колпаков Д.А., Ершов А.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Афоненко А.А. Импульсный многоямный InGaAs/GaAs/AlGaAs гетеролазер с узкой диаграммой направленности // Физика и техника полупроводников. 2016. [принято к печати]

Байдусь Н.В., Кукушкин В.А., Звонков Б.Н., Некоркин С.М. Наногетероструктуры с улучшенными параметрами для быстродействующих и высокоэффективных плазмон-поляритонных светодиодов Шоттки (Nanoheterostructures with improved parameters for high-speed and efficient plasmon-polariton light emitting Schottky diodes) // Semiconductors. № 11. Т. 50. 2016. С. 1554–1560.

Байдусь Н.В., Некоркин С.М., Колпаков Д.А., Ершов А.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Афоненко А.А. Метод уменьшения ширины диаграммы направленности InGaAs/GaAs/AlGaAs многоямного гетеролазера // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 50. 2016. С. 1509-1512.

Яблонский А.Н., Морозов С.В., Гапонова Д.М., Алешкин В.Я., Шенгуров В.Г., Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Байдусь Н.В., Красильник З.Ф. Cтимулированное излучение в гетероструктурах с двойными квантовыми ямами InGaAs/GaAsSb/GaAs, выращенных на подложках GaAs и Ge/Si(001) // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 50. 2016. С. 1455-1458.

Yablonskii A.N., Morozov S.V., Gaponova D.M., Aleshkin V.Ya., Zvonkov B.N., Shengurov V.G., Vikhrova O.V., Baidusy N.V., Krasilynik Z.F. Stimulated emission in heterostructures with double InGaAs/GaAsSb/GaAs quantum wells, grown on GaAs and Ge/Si(001) substrates // Semiconductors. № 11. V. 50. 2016. P. 1435-1438.

Aleshkin V.Ya., Baidusy N.V., Dubinov A.A., Krasilynik Z.F., Kudryavtsev K.E., Nekorkin S.M., Novikov A.V., Pavlov D.A., Samartsev I.V., Skorokhodov E.V., Shaleev M.V., Sushkov A.A., Yablonskii A.N., Yunin P.A., Yurasov D.V. Monolithically integrated InGaAs/GaAs/AlGaAs quantum well laser grownby MOCVD on exact Ge/Si(001) substrate // Appl. Phys. Lett.. № 061111. V. 109. 2016. P. 1-5.

2015

Труды (тезисы) конференции

Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Байдусь Н.В., Вихрова О.В., Дикарева Н.В. Влияние числа квантовых ям на излучательные свойства лазерных гетероструктур с вытеканием излучения через подложку // Труды XIX международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Том 2. 2015. [принято к печати]

Кукушкин В.А., Байдусь Н.В. Использование поляризационных измерений для определения эффективности возбуждения поверхностных плазмон-поляритонов квантовыми точками // Труды XIX Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника» (10–14 марта 2015 г., г. Нижний Новгород). Издательство Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, т. 2, 764 с.. 2015. С. 557–558.

Дикарева Н.В., Звонков Б.Н., Некоркин С.М., Байдусь Н.В., Вихрова О.В., Юнин П.А. Конструктивные особенности активной среды полупроводниковых лазеров с вытеканием излучения через подложку. // Труды XIX научной конференции по радиофизике, Н. Новгород. ННГУ, 2015, 300с.. 2015. С. 31.

Рыков А.В., Байдусь Н.В., Логунов А.А., Самарцев И.В. Разработка преобразователей солнечной энергии на основе гетероструктур InGaP/GaAs // Труды XIX научной конференции по радиофизике, Нижний Новгород, 11-15 мая 2015. Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского, 312 с. 2015. С. 55-57.

Самарцев И.В., Байдусь Н.В., Некоркин С.М., Рыков А.В. Разработка оптоэлектронных компонентов для накачки волоконных лазеров и волоконно-оптических систем передачи энергии // Труды XIX научной конференции по радиофизике, Нижний Новгород, 11-15 мая 2015. Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского, 312 с. 2015. С. 33-34.

Звонков Б.Н., Байдусь Н.В., Некоркин С.М., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Рыков А.В., Колпаков Д.А. Мощный импульсный гетеролазер с увеличенной активной областью и узкой диаграммой направленности // Труды II российско-белорусской научно-технической конференции «Элементная база отечественной радиоэлектроники: импортозамещение и применение» им. О.В. Лосева. Изд-во Нижегородского ун-та им. Н.И. Лобачевского, 508 с. 2015. С. 161-162.

Хазанова С.В., Дегтярев В.Е., Байдусь Н.В. Исследование электрофизических и транспортных свойств гетероструктур InGaAs/GaAs с δ-легированием // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XIX Международного симпозиума, 10-14 марта 2015 г. Нижний Новгород.. Изд-во ННГУ им. Н.И.Лобачевского, 2015, Т.2, 2. 2015. С. 691-692.

Самарцев И.В., Рыков А.В., Байдусь Н.В., Некоркин С.М. Разработка оптоэлектронных компонентов для накачки волоконных лазеров и волоконно-оптических систем передачи энергии // Девятнадцатая научная конференция по радиофизике, посвященная 70-летию радиофизического факультета. С. 33-34.. 2015. С. 33-34.

Публикации в научных журналах

Хазанова С.В., Дегтярев В.Е., Тихов С.В., Байдусь Н.В. Моделирование эффективного профиля концентрации в гетероструктурах InGaAs/GaAs с delta-легированными слоями // ФТП, 2015, том 49, выпуск 1. С. 53-57.. № 1. Т. 49. 2015. С. 53-57.

Волкова Н.С., Тихов С.В., Горшков А.П., Байдусь Н.В., Хазанова С.В., Дегтярев В.Е., Филатов Д.О. Влияние пространственного расположения delta -слоя Si на оптоэлектронные свойства гетеронаноструктур с квантовой ямой InGaAs/GaAs // ФТП, 2015, том 49, выпуск 2 .С.145-148. № 2. Т. 49. 2015. С. 145-148.

Павлов Д.А., Байдусь Н.В., Бобров А.И., Вихрова О.В., Волкова Е.И., Малехонова Н.В., Сорокин Д.С. Исследование деформационных полей, возникающих при изовалентном легировании GaAs фосфором и индием // Физика и техника полупроводников. № 1. Т. 49. 2015. С. 3-5.

Pavlov D.A., Baidus N.V., Bobrov A.I., Vikhrova O.V., Volkova E.I., Zvonkov B.N., Malekhonova N.V., Sorokin D.S. Distribution of Elastic Strains Appearing in Gallium Arsenide as a Result of Doping with Isovalent Impurities of Phosphorus and Indium // Semiconductors. № 1. V. 49. 2015. P. 1-3.

Хазанова С.В., Дегтярев В.Е., Малехонова Н.В., Павлов Д.А., Байдусь Н.В. Влияние технологических параметров роста на характеристики двойных туннельно-связанных ям InGaAs/GaAs // Физика и техника полупроводников. № 1. Т. 49. 2015. С. 58-62.

Khazanova S.V., Degtyarev V.E., Malekhonova N.V., Pavlov D.A., Baidus N.V. Khazanova S.V., Degtyarev V.E., Malekhonova N.V., Pavlov D.A., Baidus N.V. Influence of the technological parameters of growth on the characteristics of double tunnel-coupled InGaAs/GaAs quantum wells // Semiconductors. № 1. V. 49. 2015. P. 55-59.

Романова Ю.Ю., Додин Е.П., Ноздрин Ю.Н., Бирюков А.А., Байдусь Н.В., Павлов Д.А., Малехонова Н.В. Структурные, оптические и токовые исследования сверхрешеток со сложной элементарной ячейкой на основе AlGaAs // Физика и техника полупроводников. № 1. Т. 49. 2015. С. 122-127.

Romanova Yu.Yu., Dodin E.P., Nozdrin Yu.N., Biryukov A.A., Baidusy N.V., Pavlov D.A., Malekhonova N.V. Structural, optical, and current investigations of superlattices with a complex AlGaAs-based unit cell // Semiconductors. № 1. V. 49. 2015. P. 118-123.

Кукушкин В.А., Байдусь Н.В., Здоровейщев А.В. Диагностика эффективности возбуждения поверхностных плазмон-поляритонов квантовыми точками с помощью поляризационных измерений выходного излучения // Физика и техника полупроводников. № 6. Т. 49. 2015. С. 804-809.

Вихрова О.В., Звонков Б.Н., Байдусь Н.В., Малышева Е.И., Труфанов А.Н. Особенности излучательных характеристик гетероструктур InGaAs/GaAs с квантовыми ямами и точками, облученных нейтронами // Физика и техника полупроводников. № 49. Т. 3. 2015. С. 370-375.

Vikhrova O.V., Zvonkov B.N., Baidus N.V., Malysheva E.I., Trufanov A.N. Emission Properties of InGaAs/GaAs Heterostructures with Quantum Wells and Dots after Irradiation with Neutrons // Semiconductors. № 49. V. 3. 2015. P. 358–363.

Pavlov D.A., Baidus N.V., Bobrov A.I., Vikhrova O.V., Volkova E.I., Zvonkov B.N., Malekhonova N.V., Sorokin D.S. Distribution of Elas-tic Strains Appearing in Gallium Arsenide as a Result of Doping with Isovalent Impurities of Phosphorus and Indium // Semiconductors. № 1. V. 49. 2015. P. 1-3.

2014

Труды (тезисы) конференции

Тихов С.В., Волкова Н.С., Горшков А.П., Байдусь Н.В., Дегтярев В.Е. Влияние пространственного расположения дельта-слоя Si на оптоэлектронные свойства гетероструктур с квантовой ямой InGaAs/GaAs. // Труды ХY111 Международного симпозиума по Нанофизике и Наноэлектронике 10 -14 марта 2014.. Нижний Новгород, том 2, стр. 421-422.. 2014. С. 421-422.

Тихов С.В., Хазанова С.В., Дегтярев В.Е., Байдусь Н.В. Mоделирование эффективного профиля концентрации в гетероструктурах InGaAs/GaAs c дельта-легированным слоем. // Труды ХY111 Международного симпозиума по Нанофизике и Наноэлектронике 10 -14 марта 2014. Нижний Новгород, том 2, стр.658-659.. 2014. С. 658-659.

Павлов Д.А., Байдусь Н.В., Бобров А.И., Вихрова О.В., Волкова Е.И., Звонков Б.Н., Малехонова Н.В., Сорокин Д.С. Исследование поперечного среза гетероструктур с квантовыми точками InGaAs/GaAs и фосфидными слоями GaAsP // Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Том 2, 353 с. 2014. С. 419-420.

Романова Ю.Ю., Додин Е.П., Ноздрин Ю.Н., Бирюков А.А., Байдусь Н.В., Павлов Д.А., Бобров А.И., Малехонова Н.В. Структурные, оптические и токовые исследования сверхрешеток со сложной элементарной ячейкой на основе AlGaAs // Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Том 2, 353 с.. 2014. С. 607-608.

Хазанова С.В., Байдусь Н.В., Дегтярев В.Е., Павлов Д.А., Малехонова Н.В. Влияние технологических параметров роста на характеристики двойных туннельно-связанных ям InGaAs/GaAs // Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Том 2, 353 с. 2014. С. 660-661.

Павлов Д.А., Волкова Е.И., Малехонова Н.В., Сорокин Д.С., Байдусь Н.В. ВРПЭМ исследования гетероструктур с квантовыми точками InGaAs/GaAs и фосфидными слоями GaAsP // XXV Российская конференция по электронной микроскопии РКЭМ-2014.- Тез. докл.- Черноголовка, Россия, 2 - 6 июня 2014 г. ИПТМ РАН, Т. 1. 2014. С. 34-35.

Волкова Е.И., Павлов Д.А., Малехонова Н.В., Бобров А.И., Сорокин Д.С., Байдусь Н.В. Исследование гетероструктур на основе арсенида галлия, легированного изовалентными примесями индия и фосфора, методом ВРПЭМ // Материалы нано-, микро-, опто-электроники и волоконной оптики: физические свойства и приме-нение: сб. тр. 13-й Меж-дунар. науч. конф.-шк., Саранск, 7–10 окт. 2014 г.. Саранск: Изд-во Мордов. ун-та, 180 с. 2014. С. 93.

Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Байдусь Н.В., Вихрова О.В., Дикарева Н.В. Влияние числа квантовых ям на излучательные свойства лазерных гетероструктур с вытеканием излучения через подложку // Труды XIX международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2014,. 2014. [принято к печати]

Хазанова С.В., Байдусь Н.В., Дегтярев В.Е. Влияние геометрии наногетероструктур InGaAs/GaAs на оптические и транспортные свойства. // Сборник тезисов V всероссийской конференции и школы молодых учёных и специалистов "Физические и физико-химические основы ионной имплантации", 27-31 октября 2014, Нижний Новгород,. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Н.Новгород,1. 2014. С. 113.

Публикации в научных журналах

V.V. Vainberg, A.S.Pylypchuk, V.N. Poroshin, O.G.Sarbey, N.V. Baidus, A.A. Biryukov Influence of conduction via a channel of an impurity δ-layer on the magneto-quantum effects in AlGaAs/GaAs/AlGaAs heterostructures // Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. V. 60. 2014. P. 31-36.

В.В. Вайнберг, А.С. Пилипчук, Байдусь Н.В., А.А. Бирюков Влияние узких внутренних барьеров на низкотемпературную латеральную проводимость в квантовых ямах // Low Temperature Physics / Физика низких температур. № 6. Т. 40. 2014. С. 685-691.

П.А. Белёвский, М.Н. Винославский, В.Н. Порошин, Байдусь Н.В., Звонков Б.Н. Дальнее инфракрасное излучение из гетероструктур n-InGaAs/GaAs c квантовыми ямами в сильных латеральных электрических полях в условиях инжекции // Физика и техника полупроводников. № 5. Т. 40. 2014. С. 643-647.

Kukushkin V.A., Baidusy N.V. Enhancement of the surface plasmon-polariton excitation in nanometer metal films // Advances in Nano Research. № 3. V. 2. 2014. P. 173-177.

2013

Труды (тезисы) конференции

Малехонова Н.В., Павлов Д.А., Байдусь Н.В., Бирюков А.А., Бобров А.И., Волкова Е.И. Структурный анализ сверхрешетки GaAs/AlxGa1-xAs методом высоко разрешающей просвечивающей электронной микроскопии // Труды XVII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». 11–15 марта 2013, Нижний Новгород: Изд-во ННГУ,- Т.2. 2013. С. 519-520.

Романова Ю.Ю., Додин Е.П., Ноздрин Ю.Н., Бирюков А.А., Байдусь Н.В., Павлов Д.А., Бобров А.И., Малехонова Н.В. Исследование полупроводниковых сверхрешеток со сложной элементарной ячейкой // Труды XVII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». 11–15 марта 2013, Нижний Новгород: Изд-во ННГУ,- Т.2. 2013. С. 567-568.

Малехонова Н.В., Павлов Д.А., Бобров А.И., Дегтярев В.Е., Байдусь Н.В. Исследование распределения примеси в поперечном срезе гетеронаноструктур типа АIIIВV // Форум молодых учёных: Тезисы докладов. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, T. 1. 2013. С. 184-186.

Планкина С.М., Ковалев А.А., Байдусь Н.В., Бирюков А.А., Вихрова О.В. ИК-спектроскопия внутризонного поглощения в гетероструктурах Al-GaAs/GaAs с квантовыми ямами // Труды XVII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 11 – 15 марта 2013 г.. Изд-во ННГУ, том 2, с.2. 2013. С. 556-557.

Байдусь Н.В., Вихрова О.В., Звонков Б.Н., Здоровейщев А.В. Влияние фосфидирования на формирование и оптические свойства гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs // XI Российская конференция по физике полупроводников (XI РКФП). Санкт-Петербург, 16-20 сентября, 2013. Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе, 2013.-с.504. 2013. С. 276.

Публикации в научных журналах

Vainberg V.V., Pylypchuk A.S., Baidus N.V., Zvonkov B.N. Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells Semiconductor // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. № 2. V. 16. 2013. P. 152-161.

Калинин К.П., Криштопенко С.С., Маремьянин К.В., Спирин К.Е., Гавриленко В.И., Бирюков А.А., Байдусь Н.В., Звонков Б.Н. Спиновое расщепление Рашбы и циклотронный резонанс в напряженных гетероструктурах InGaAs/InP с двумерным электронным газом // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 47. 2013. С. 1497-1503.

Baidus N.V., Biryukov A.A., Dodin E.P., Drozdov Y.N., Drozdov M.N., Nozdrin Y.N., Andronov A.A. MOCVD-grown heterostructures with GaAs/AlGaAs Superlattices: Growth features and optical and transport characteristics // Semiconductors. № 1. V. 47. 2013. P. 158-161.

Vainberg V.V., Vasetskii V.M., Gudenko Y.N., Poroshin V.N., Baidus N.V., Zvonkov B.N. Long-term photoconductivity decay in n-InGaAs/GaAs heterostructures with coupled quantum wells under band-to-band excitation // Semiconductors. № 1. V. 47. 2013. P. 174-177.

2012

Труды (тезисы) конференции

Байдусь Н.В., Бирюков А.А., Додин Е.П., Дроздов Ю.Н., Ноздрин Ю.Н., Андронов А.А. Вольт-амперные характеристики и колебания тока в сверхрешетках GaAs/AlGaAs выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии // Труды XVI Международного симпозиума, 12-16 марта 2012г. Нижний Новгород. Институт физики микроструктур РАН, Том 1, 328 с.. 2012. С. 193-194.

Смотрин Д.С., Байдусь Н.В., Бирюков А.А., Комков О.С. Спектроскопия нелегированных сверхрешеток GaAs/AlGaAs // Труды XVI Международного симпозиума, 12-16 марта 2012г. Нижний Новгород. Том 2. Институт физики микроструктур РАН, 634 с.. 2012. С. 388-389.

Тихов С.В., Байдусь Н.В., Бирюков А.А., Дегтярев В.Е. Адмиттанс кольцевых диодных структур с квантовыми ямамиInGaAs/InAlAs на подложке i-InP. // Труды XVI Международного симпозиумa “ Нанофизика и наноэлетроника”.. Нижний Новгород, Институт микроструктур академии наук, т. 2. стр. 600. 2012. С. 406-407.

Тихов С.В., Байдусь Н.В., Бирюков А.А., Хазанова С.В. Определение концентрации и подвижности электронов в гетероструктурах InGaAs/GaAs с // Труды XVI Международного симпозиумa “ Нанофизика и наноэлетроника”. Институт микроструктур академии наук, т. 2. стр. 600. 2012. С. 408-409.

Павлов Д.А., Малехонова Н.В., Бобров А.И., Байдусь Н.В., Смотрин Д.С. Исследование поперечного среза периодических структур GaAs/InGaAs с туннельносвязанными квантовыми ямами // XXIV Российская конференция по электронной микроско-пии РКЭМ-2012: Тез. докл.. 29 мая – 1 июня 2012 г., Черноголовка, Россия. 2012. С. 48.

Хазанова С.В., Байдусь Н.В., Звонков Б.Н., Павлов Д.А., Малехонова Н.В., Дегтярев В.Е., Смотрин Д.С. Исследование реального энергетического спектра туннельно-связанных квантовых ям InGaAs/GaAs структурными и фотоэлектрическими методами // Труды XVI международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». 12–16 марта 2012, Нижний Новгород: Изд-во ННГУ,- Т.2. 2012. С. 415-416.

Публикации в научных журналах

N.V. Baidus, M.I. Vasilevskiy, S.V. Khazanova, B.N. Zvonkov, H.P. van der Meulen, J.M. Calleja, L. Vina Light emission and spin-polarised hole injection in InAs/GaAs quantum dot heterostructures with Schottky contact // EPL. V. 90. 2012. P. 27012-1-6.

Байдусь Н.В., Вайнберг В.В., Звонков Б.Н., Пилипчук А.С., Порошин В.Н., Сарбей О.Г. Транспортные свойства гетероструктур InGaAs/GaAs с дельта-легированными квантовыми ямами // Физика и техника полупроводников. № 5. Т. 46. 2012. С. 649-654.

Тихов С.В., Байдусь Н.В., Бирюков А.А., Звонков Б.Н., Дроздов Ю.Н., Смотрин Д.С., Тестов В.Г. Эффект поля как метод контроля качества гетеронаноструктур на основе i-InP c двумерным электронным газом // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. № 5. 2012. С. 55.

Хазанова С.В., Байдусь Н.В., Звонков Б.Н., Павлов Д.А., Малехонова Н.В., Дегтярев В.Е., Смотрин Д.С., Бобров А.И. Туннельно-связанные квантовые ямы InGaAs/GaAs: структура, состав и энергетический спектр // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 46. 2012. С. 1510-1514.

Тихов С.В., Байдусь Н.В., Бирюков А.А., Дегтярев В.Е. Адмиттанс кольцевых диодных структур с квантовыми ямами InGaAs/InAlAs на подложке ш-InP // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 46. 2012. С. 1561-1565.

Тихов С.В., Байдусь Н.В., Бирюков А.А., Хазанова С.В. Определение концентрации и подвижности электронов в гетерструктурах InGaAs/GaAs // Физика и техника полупроводников. 12. 2012. № 12. Т. 46. 2012. С. 1532-1536.

Андронов А.А., Байдусь Н.В., Бирюков А.А., Додин Е.П., Дроздов М.Н., Дроздов Ю.Н., Ноздрин Ю.Н. Гетероструктуры со сверхрешетками GaAs/AlGaAs, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии: особенности роста, оптические и транспортные характеристики // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 46. 2012. С. 1593-1596.

Khazanova S.V., Baidusy N.V., Zvonkov B.N., Pavlov D.A., Malekhonova N.V., Smotrin D.S., Bobrov A.I. Khazanova S. V., Baidus N. V., Zvonkov B. N., Pavlov D.A., Malekhonova N.V., Smotrin D.S., Bobrov A.I. Tunnel-coupled In-GaAs/GaAs quantum wells: Structure, composition, and energy spectrum // Semiconductors. № 12. V. 46. 2012. P. 1476-1480.

2011

Труды (тезисы) конференции

Байдусь Н.В., Бирюков А.А., Белевский П.А., Вайнберг В.В., Здоровейщев А.В., Иконников А.В., Кудрин А.В., Ластовкин А.В., Смотрин Д.С., Порошин В.Н. Использование короткопериодной сверхрешетки GaAs–AlGaAs для улучшения эффективности пространственного переноса электронов при латеральном сильнополевом транспорте // Труды XV международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Институт физики микроструктур РАН, Том 2, 655 с.. 2011. С. 374-375. [принято к печати]

Тихов С.В., Байдусь Н.В., Бирюков А.А., Звонков Б.Н., Дроздов Ю.Н., Смотрин Д.С. Эффект поля по проводимости – эффективный метод контроля качества гетеронаноструктур на основе i-InP c двумерным электронным газом. // Труды XV Международного симпозиумa “ Нанофизика и наноэлетроника”. Издательство института микроструктур академии наук. т.2., стр.600. 2011. С. 399-400.

Малехонова Н.В., Павлов Д.А., Бобров А.И., Байдусь Н.В., Смотрин Д.С. Исследование поперечного среза периодических структур GaAs/InGaAs с тунельносвязанными квантовыми ямами // XXX научные чтения имени академика Н.В.Белова. Нижний Новгород: Изд-во ННГУ. 2011. С. 137.

Хазанова С.В., Байдусь Н.В., Дегтярев В.Е. Влияние флуктуаций состава и эффекта сегрегации на оптические свойства туннельно-связаанных квантовых ям InGaAs/GaAs // Нанофизика и наноэлектроника, Труды XV Международного симпозиума 14-18 марта. Институт физики микроструктур, т.2. 2011. С. 531.

Публикации в научных журналах

Здоровейщев А.В., Байдусь Н.В., Звонков Б.Н., Демина П.Б. Управление самоорганизацией массива квантовых точек InAs при росте методом газофазной эпитаксии на // Известия РАН. Серия физическая. № 1. Т. 75. 2011. С. 31-33.

Zdoroveishchev A.V., Baidus N.V., Zvonkov B.N., Demina P.B. Controlling the Self_Organization of InAs Quantum Dots upon Growth by Means of Vapor_Phase Epitaxy on an Antimony // Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. № 1. V. 75. 2011. P. 25-27.

Патенты, авторские свидетельства

2017

Некоркин С.М., Байдусь Н.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Рыков А.В. Способ получения лазерного излучения с малой расходимостью и диодный лазер для его осуществления (Патент).

Контакты

©  Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского