Балясников Денис Максимович
Научно-исследовательский физико-технический институт
Отдел твердотельной электроники и оптоэлектроники
Лаборатория спиновой и оптической электроники
младший научный сотрудник
Общие сведения
Научная Работа
Образование, учёные степени и учёные звания
Высшее образование - специалитет, магистратура
магистр. Специальность: электроника и наноэлектроника. Квалификация: магистр.
Высшее образование - бакалавриат
бакалавр. Специальность: Электроника и наноэлектроника.
Список преподаваемых дисциплин
Публикации
2025
Труды (тезисы) конференцииДемина П.Б., Вихрова О.В., Дорохин М.В., Лесников В.П., Кузнецов Ю.М., Байдусь Н.В., Балясников Д.М., Здоровейщев А.В., Подогов А.А. Оптические и термоэлектрические свойства структур с квантовыми точками InAs/GaAs // Сборник тезисов X Всероссийской научно-практической конференции «Современные проблемы физико-математических наук». Изд-во Орловского государственного университета им. И. С. Тургенева. 2025. С. 276.
2024
Труды (тезисы) конференцииЕрофеева И.В., Байдусь Н.В., Демина П.Б., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Зубков С.Ю., Кузнецов Ю.М., Балясников Д.М. Термоэлектрическая эффективность пленок InAs/InGaAs с квантовыми точками // Сборник тезисов XXVIII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород : Изд-во Нижегородского госуниверситета. - Т.2. - 509 c. 2024. С. 642-643.
Байдусь Н.В., Балясников Д.М., Демина П.Б., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Зубков С.Ю., Ерофеева И.В., Кузнецов Ю.М. Термоэлектрическая эффективность пленок GaAs/InGaAs с квантовыми точками и яма-точками // Сборник тезисов XVI Российской конференции по физике полупроводников (XVI РКФП). Санкт-Петербург : Изд-во Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе. 7-11 октября. 2024. С. 192.
Публикации в научных журналахAleshina O.A., Goryacheva T.P., Davydova S.I., Kapitanova A.I., Balyasnikov D.M. Analysis of the incidence of congenital malformations of the maxillofacial region in the Nizhny Novgorod region of Russia // Opera Medica et Physiologica. № 1. V. 11. 2024. P. 86-93.
2022
Труды (тезисы) конференцииАндрианов А.И., Сушков А.А., Воронцов В.А., Павлов Д.А., Балясников Д.М., Таран Д.А., Нежданов А.В. Рост и исследование буферных слоев Ge/Si (001) для лазерных структур на основе полупроводников AIIIBV // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXVI Международного симпозиума (Нижний Новгород, 14–17 марта 2022 г.) В 2 т.. Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2022. - Т.2.– 501 с. 2022. С. 682-683.
