Андрианов Артем Ильич
Общие сведения
Научная Работа
Образование, учёные степени и учёные звания
Высшее образование - бакалавриат
магистр. Специальность: нанотехнологии и микросистемная техника. Квалификация: бакалавр.
Высшее образование - специалитет, магистратура
магистр. Специальность: электроника и наноэлектроника. Квалификация: магистр.
Список преподаваемых дисциплин
Публикации
2023
Труды (тезисы) конференцииШестаков Д.В., Нежданов А.В., Виноградова Л.М., Скрылев А.А., Ершов А.В., Павлов Д.А., Андрианов А.И., Маркелов А.С., Машин А.И., De Filpo G., Baratta M. Влияние условий получения и последующего отжига на формирование нанокристаллической фазы в пленках TiO2 // Труды XXVII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" 13-16 марта 2023 г. , Нижний Новгород.- в 2-х томах.. - Нижний Новгород: ИПФ РАН Том 2.. 2023. С. 806-807.
2022
Труды (тезисы) конференцииАндрианов А.И., Сушков А.А., Воронцов В.А., Павлов Д.А., Балясников Д.М., Таран Д.А., Нежданов А.В. Рост и исследование буферных слоев Ge/Si (001) для лазерных структур на основе полупроводников AIIIBV // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXVI Международного симпозиума (Нижний Новгород, 14–17 марта 2022 г.) В 2 т.. Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2022. - Т.2.– 501 с. 2022. С. 682-683.
Публикации в научных журналахSushkov A.A., Pavlov D.A., Andrianov A.I., Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Kryukov R.N., Baidusy N.V., Yurasov D.V., Novikov A.V. Comparison of III–V Heterostructures Grown on Ge/Si, Ge/SOI, and GaAs // Semiconductors. № 2. V. 56. 2022. P. 122-133.
2021
Труды (тезисы) конференцииСушков А.А., Павлов Д.А., Андрианов А.И., Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Крюков Р.Н., Байдусь Н.В., Рыков А.В., Юрасов Д.В., Новиков А.В. Диагностика А3В5 гетероструктур на Ge/Si, Ge/SOI // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXV Международного симпозиума (Нижний Новгород, 9–12 марта 2021 г.) В 2 т.. Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2021. - Т.2.– 467с.. 2021. С. 864-865.
