Андрианов Артем Ильич
Общие сведения
Научная Работа
Образование, учёные степени и учёные звания
Высшее образование - бакалавриат
магистр. Специальность: нанотехнологии и микросистемная техника. Квалификация: бакалавр.
Высшее образование - специалитет, магистратура
магистр. Специальность: электроника и наноэлектроника. Квалификация: магистр.
Список преподаваемых дисциплин
Публикации
2023
Труды (тезисы) конференцииШестаков Д.В., Нежданов А.В., Виноградова Л.М., Скрылев А.А., Ершов А.В., Павлов Д.А., Андрианов А.И., Маркелов А.С., Машин А.И., De Filpo G., Baratta M. Влияние условий получения и последующего отжига на формирование нанокристаллической фазы в пленках TiO2 // Труды XXVII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" 13-16 марта 2023 г. , Нижний Новгород.- в 2-х томах.. - Нижний Новгород: ИПФ РАН Том 2.. 2023. С. 806-807.
Сушков А.А., Андрианов А.И., Павлов Д.А., Байдусь Н.В., Юрасов Д.В., Крюков Р.Н. ЭЛЕКТРОННО-МИКРОСКОПИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ГЕТЕРОСТРУКТУР GAAS/GE, ВЫРАЩЕННЫХ НА РАДИАЦИОННО СТОЙКИХ ПОДЛОЖКАХ «КРЕМНИЙ-НА-ИЗОЛЯТОРЕ» // НОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ: ПЕРСПЕКТИВНЫЕ ТЕХНОЛОГИИ ПОЛУЧЕНИЯ МАТЕРИАЛОВ И МЕТОДЫ ИХ ИССЛЕДОВАНИЯ Сборник тезисов докладов 21-й Международной школы-конференции имени Б.А. Калина для молодых ученых и специалистов. Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (Москва), 200 с.. 2023. С. 181-182.
Публикации в научных журналахНежданов А.В., Жуков А.О., Шестаков Д.В., Виноградова Л.М., Скрылев А.А., Ершов А.В., Павлов Д.А., Андрианов А.И., Маркелов А.С., Машин А.И., De Filpo G., Baratta M. Влияние условий отжига на формирование нанокристаллической фазы в пленках TiOx // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. Т. 10. 2023. С. 41-46.
Nikolyskaya A.A., Korolev D.S., Mikhailov A.N., Konakov A.A., Okhapkin A.I., Kraev S.A., Andrianov A.I., Moiseev A.D., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tetelybaum D.I. Formation of Hexagonal Phase 9R-Si in SiO2/Si System upon Kr+ Ion Implantation // Moscow University Physics Bulletin (English Translation of Vestnik Moskovskogo Universiteta, Fizika). № 78. V. 3. 2023. P. 361–367.
Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Конаков А.А., Охапкин А.И., Краев С.А., Андрианов А.И., Моисеев А.Д., Сушков А.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Образование гексагональной фазы кремния 9R-Si при имплантации системы SiO2/Si ионами Kr+ // Вестник Московского университета. Серия 3: Физика. Астрономия. № 78. Т. 3. 2023. С. 2330501.
2022
Труды (тезисы) конференцииАндрианов А.И., Сушков А.А., Воронцов В.А., Павлов Д.А., Балясников Д.М., Таран Д.А., Нежданов А.В. Рост и исследование буферных слоев Ge/Si (001) для лазерных структур на основе полупроводников AIIIBV // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXVI Международного симпозиума (Нижний Новгород, 14–17 марта 2022 г.) В 2 т.. Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2022. - Т.2.– 501 с. 2022. С. 682-683.
Публикации в научных журналахSushkov A.A., Pavlov D.A., Andrianov A.I., Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Kryukov R.N., Baidusy N.V., Yurasov D.V., Novikov A.V. Comparison of III–V Heterostructures Grown on Ge/Si, Ge/SOI, and GaAs // Semiconductors. № 2. V. 56. 2022. P. 122-133.
2021
Труды (тезисы) конференцииСушков А.А., Павлов Д.А., Андрианов А.И., Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Крюков Р.Н., Байдусь Н.В., Рыков А.В., Юрасов Д.В., Новиков А.В. Диагностика А3В5 гетероструктур на Ge/Si, Ge/SOI // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXV Международного симпозиума (Нижний Новгород, 9–12 марта 2021 г.) В 2 т.. Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2021. - Т.2.– 467с.. 2021. С. 864-865.
