Панфилов Андрей Сергеевич
Общие сведения
Научная Работа
Образование, учёные степени и учёные звания
Высшее образование - бакалавриат
бакалавр. Специальность: нанотехнологии и микросистемная техника. Квалификация: Бакалавр.
Высшее образование - специалитет, магистратура
магистр. Специальность: электроника и наноэлектроника. Квалификация: магистр.
Список преподаваемых дисциплин
Публикации
2024
Труды (тезисы) конференцииХазанова С.В., Панфилов А.С., Бобров А.И., Горшков А.П., Сидоренко К.В., Нежданов А.В., Малехонова Н.В. Расчет коэффициента поглощения в напряженных Ge/SiGe квантовых ямах для проектирования модуляторов Маха – Цендера // Материалы XXVIII Междунар. симпоз. «Нанофизика и наноэлектроника» 11–14 марта 2024 г., Нижний Новгород.– Нижний Новгород, изд-во ИПФ РАН, 2024.– В 2-х томах.–Т.2.. Труды XXVIII Международного симпозиума (Нижний Новгород, 11–15 марта 2024 г.). Н-25 В 2 томах. Том 2-й. — Нижний Новгород : ИПФ РАН, 2024. — 492 с.. 2024. С. 851.
Хазанова С.В., Бобров А.И., Горшков А.П., Сидоренко К.В., Малехонова Н.В., Байдусь Н.В., Панфилов А.С. Штарковский сдвиг поглощения в InGaAs/GaAs напряженных туннельно-связанных квантовых ямах // Сборник трудов 15-й Международной научно-практической конференции по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники 22–23 мая 2024 г. 15-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники, 22–23 мая 2024 года.: сборник трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2024. - 192 с. 2024. С. 27-28.
Хазанова С.В., Бобров А.И., Горшков А.П., Сидоренко К.В., Нежданов А.В., Панфилов А.С. Расчет показателя преломления в GE/SIGE квантовых ямах для проектирования модулятора Маха-Цендера . // Сборник трудов 15-й Международной научно-практической конференции по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники 22–23 мая 2024 г. 15-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники, 22–23 мая 2024 года.: сборник трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2024. - 192 с. 2024. С. 29-30.
Хазанова С.В., Панфилов А.С., Бобров А.И., Горшков А.П., Нежданов А.В. Расчет вариации показателя преломления в GE/SIGE гетероструктурах для создания оптических модуляторов // Материалы VI международной конференции МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ в материаловедении электронных компонентов ММMЭK–2024 21–23 октября 2024 г., Москва. Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов. ММMЭК–2024. 21–23 октября 2024 г., Москва : Материалы VI Международной конференции. – Москва : МАКС Пресс, 2024. – 190 с. : ил. 2024. С. 176-178.
Хазанова С.В., Панфилов А.С. РАЗРАБОТКА ДИЗАЙНОВ Ge/SiGe ГЕТЕРОСТУКТУР ДЛЯ ОПТИЧЕСКИХ МОДУЛЯТОРОВ МАХА–ЦЕНДЕРА // Тезисы докладов Всероссийской научной молодежной конференции 25–29 ноября 2024 года Санкт-Петербург "Физика полупроводников и наноструктур, полупроводниковая опто и наноэлектроника". Тезисы докладов Всероссийской научной молодежной конференции, 25–29 ноября 2024 г., Санкт-Петербург. – СПб. : ПОЛИТЕХ-ПРЕСС, 2024. – 103 с. 2024. С. 47.
Публикации в научных журналахBobrov A.I., Khazanova S.V., Nezhdanov A.V., Sidorenko K.V., Baidusy N.V., Gorshkov A.P., Shushunov A.N., Malekhonova N.V., Panfilov A.S. Effects of strain and composition distribution on the optical characteristics of GaAs/InGaAlAs/GaAs double asymmetric tunnel-coupled quantum wells // Optical Materials. № 155. 2024. P. 115825.
2022
Труды (тезисы) конференцииХазанова С.В., Сидоренко К.В., Бобров А.И., Байдусь Н.В., Горшков А.П., Нежданов А.В., Панфилов А.С., Юртова Е.И., Шушунов А.Н., Малехонова Н.В. Изменение показателя преломления двойных туннельно-связанных InGaAs/AlGaAs/GaAs квантовых ям под действием электрического поля // Материалы XXVI Междунар. симпоз. «Нанофизика и наноэлектроника» 14–17 марта 2022 г., Нижний Новгород.– Нижний Новгород, изд-во ННГУ, 2022.– В 2-х томах.. В кн.: Материалы XXVI Междунар. симпоз. «Нанофизика и наноэлектроника» 14–17 марта 2022 г., Нижний Новгород.– Нижний Новгород, изд-во ННГУ, 2022.– В 2-х томах.–Т.2.. 2022. С. 1049-1050.
