Панфилов Андрей Сергеевич
Общие сведения
Научная Работа
Образование, учёные степени и учёные звания
Высшее образование - бакалавриат
бакалавр. Специальность: нанотехнологии и микросистемная техника. Квалификация: Бакалавр.
Высшее образование - специалитет, магистратура
магистр. Специальность: электроника и наноэлектроника. Квалификация: магистр.
Список преподаваемых дисциплин
Публикации
2025
Труды (тезисы) конференцииХазанова С.В., Панфилов А.С., Бобров А.И., Горшков А.П., Денисов С.А., Трушин В.Н., Нежданов А.В., Малехонова Н.В. Разработка электроооптически активной среды на основе Ge/SiGe-гетероструктур для модуляторов Маха – Цендера // Тезисы докладов XXIX Междунар. симпоз. «Нанофизика и наноэлектроника» 10–14 марта 2025 г., Нижний Новгород.– Нижний Новгород, 2025.. Тезисы докладов XXIX Междунар. симпоз. «Нанофизика и наноэлектроника» 10–14 марта 2025 г., Нижний Новгород.– Нижний Новгород, 2025.. 2025. С. С. 413.
Хазанова С.В., Бобров А.И., Горшков А.П., Нежданов А.В., Денисов С.А., Панфилов А.С., Трушин В.Н. ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРООПТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК GE/SIGE ГЕТЕРОСТРУКТР ДЛЯ СОЗДАНИЯ ОПТИЧЕСКИХ МОДУЛЯТОРОВ // Труды IV Международной Конференции «Физики конденсированных состояний» ФКС-2025, (2 июня – 6 июня 2025 г., Черноголовка). Физика конденсированных состояний: сб. тезисов IV Международной конференции (2 июня – 6 июня 2025 г., Черноголовка) / под ред. Б.Б. Страумала. – Черноголовка, 322 с.. 2025. С. 293.
Хазанова С.В., Бобров А.И., Панфилов А.С., Горшков А.П., Нежданов А.В. Численный расчет электрооптических характеристик квантово-размерных гетероструктур для создания оптических модуляторов // Труды международной конференции (6–10 октября, 2025 г., Ярославль РФ) : Микро- и наноэлектроника – 2025. Микро- и наноэлектроника – 2025 : Труды междунар. конф. (6–10 октября, 2025 г., Ярославль РФ) : Сборник тезисов / Под ред. В.Ф. Лукичева, К.В. Руденко; сост. В.П. Кудря. – Москва : МАКС Пресс, 2025. – 390 с. : ил.. 2025. С. 141-142.
Панфилов А.С., Хазанова С.В., Бобров А.И., Горшков А.П. Численный расчет электрооптических свойств AIIIBV гетероструктур для создания фотонных интегральных схем // Материалы VII Международной конференции Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов (ММMЭK–2025) 20–22 октября 2025 г., Москва. Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов. ММMЭК–2025. 20–22 октября 2025 г., Москва : Материалы VII Международной конференции. – Москва : МАКС Пресс, 2025. – 182 с. : ил.. 2025. С. 175-177.
Панфилов А.С., Хазанова С.В. ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРООПТИЧЕСКИХ СВОЙСТВ InGaAs/GaAs ГЕТЕРОСТРУКТУР ДЛЯ СОЗДАНИЯ ОПТИЧЕСКИХ МОДУЛЯТОРОВ // Тезисы докладов 27-й Всероссийской молодежной конференции "Физика полупроводников и наноструктур, полупроводниковая опто- и наноэлектроника" 24–28 ноября 2025 г. Санкт-Петербург. Физика полупроводников и наноструктур, полупроводниковая опто и наноэлектроника : тезисы докладов Всероссийской научной молодежной конференции, 24–28 ноября 2025 г., Санкт-Петербург. – СПб. : ПОЛИТЕХ-ПРЕСС, 2025. – 105 с. 2025. С. 35.
2024
Труды (тезисы) конференцииХазанова С.В., Панфилов А.С., Бобров А.И., Горшков А.П., Сидоренко К.В., Нежданов А.В., Малехонова Н.В. Расчет коэффициента поглощения в напряженных Ge/SiGe квантовых ямах для проектирования модуляторов Маха – Цендера // Материалы XXVIII Междунар. симпоз. «Нанофизика и наноэлектроника» 11–14 марта 2024 г., Нижний Новгород.– Нижний Новгород, изд-во ИПФ РАН, 2024.– В 2-х томах.–Т.2.. Труды XXVIII Международного симпозиума (Нижний Новгород, 11–15 марта 2024 г.). Н-25 В 2 томах. Том 2-й. — Нижний Новгород : ИПФ РАН, 2024. — 492 с.. 2024. С. 851.
Хазанова С.В., Бобров А.И., Горшков А.П., Сидоренко К.В., Малехонова Н.В., Байдусь Н.В., Панфилов А.С. Штарковский сдвиг поглощения в InGaAs/GaAs напряженных туннельно-связанных квантовых ямах // Сборник трудов 15-й Международной научно-практической конференции по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники 22–23 мая 2024 г. 15-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники, 22–23 мая 2024 года.: сборник трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2024. - 192 с. 2024. С. 27-28.
Хазанова С.В., Бобров А.И., Горшков А.П., Сидоренко К.В., Нежданов А.В., Панфилов А.С. Расчет показателя преломления в GE/SIGE квантовых ямах для проектирования модулятора Маха-Цендера . // Сборник трудов 15-й Международной научно-практической конференции по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники 22–23 мая 2024 г. 15-я Международная научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники, 22–23 мая 2024 года.: сборник трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2024. - 192 с. 2024. С. 29-30.
Хазанова С.В., Панфилов А.С., Бобров А.И., Горшков А.П., Нежданов А.В. Расчет вариации показателя преломления в GE/SIGE гетероструктурах для создания оптических модуляторов // Материалы VI международной конференции МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ в материаловедении электронных компонентов ММMЭK–2024 21–23 октября 2024 г., Москва. Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов. ММMЭК–2024. 21–23 октября 2024 г., Москва : Материалы VI Международной конференции. – Москва : МАКС Пресс, 2024. – 190 с. : ил. 2024. С. 176-178.
Хазанова С.В., Панфилов А.С. РАЗРАБОТКА ДИЗАЙНОВ Ge/SiGe ГЕТЕРОСТУКТУР ДЛЯ ОПТИЧЕСКИХ МОДУЛЯТОРОВ МАХА–ЦЕНДЕРА // Тезисы докладов Всероссийской научной молодежной конференции 25–29 ноября 2024 года Санкт-Петербург "Физика полупроводников и наноструктур, полупроводниковая опто и наноэлектроника". Тезисы докладов Всероссийской научной молодежной конференции, 25–29 ноября 2024 г., Санкт-Петербург. – СПб. : ПОЛИТЕХ-ПРЕСС, 2024. – 103 с. 2024. С. 47.
Публикации в научных журналахBobrov A.I., Khazanova S.V., Nezhdanov A.V., Sidorenko K.V., Baidusy N.V., Gorshkov A.P., Shushunov A.N., Malekhonova N.V., Panfilov A.S. Effects of strain and composition distribution on the optical characteristics of GaAs/InGaAlAs/GaAs double asymmetric tunnel-coupled quantum wells // Optical Materials. № 155. 2024. P. 115825.
2022
Труды (тезисы) конференцииХазанова С.В., Сидоренко К.В., Бобров А.И., Байдусь Н.В., Горшков А.П., Нежданов А.В., Панфилов А.С., Юртова Е.И., Шушунов А.Н., Малехонова Н.В. Изменение показателя преломления двойных туннельно-связанных InGaAs/AlGaAs/GaAs квантовых ям под действием электрического поля // Материалы XXVI Междунар. симпоз. «Нанофизика и наноэлектроника» 14–17 марта 2022 г., Нижний Новгород.– Нижний Новгород, изд-во ННГУ, 2022.– В 2-х томах.. В кн.: Материалы XXVI Междунар. симпоз. «Нанофизика и наноэлектроника» 14–17 марта 2022 г., Нижний Новгород.– Нижний Новгород, изд-во ННГУ, 2022.– В 2-х томах.–Т.2.. 2022. С. 1049-1050.