Кудрин Алексей Владимирович

Место работы

Физический факультет

Кафедра физики полупроводников, электроники и наноэлектроники

доцент

Научно-исследовательский физико-технический институт

Отдел твердотельной электроники и оптоэлектроники

Лаборатория спиновой и оптической электроники

старший научный сотрудник

Ученая степень
Кандидат физико-математических наук
Ученое звание
нет
Дата начала работы в университете лобачевского: 2006
Общий стаж работы 13 лет, 1 мес.

Общие сведения

Преподавание

Научная Работа


Образование, учёные степени и учёные звания

Высшее образование
Бакалавр. Специальность: физика. Квалификация: бакалавр физики.

Высшее образование
Магистр. Специальность: физика. Квалификация: магистр физики.

Дополнительное образование, повышение квалификации, стажировки

15.01.2018 - 01.02.2018
Повышение квалификации: Современные нанотехнологии: физические основы и подготовка кадров, Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им.Н.И.Лобачевского, 72 час., документ № 522405002111; рег. № 33-982 от 01.02.2018

13.03.2017 - 13.05.2017
Повышение квалификации: Электронная информационно-образовательная среда вуза, ННГУ, 72 час., документ № 522404111631 рег номер 33-861 от 13.05.2017

23.05.2011 - 23.09.2011
Повышение квалификации: ФЦП " Научные и научно-педагогические кадры инновационной России" на 2009-2013 г., мероприятие 1.4., Санкт-Петербурбурского государственного электротехнического университета "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова, 110 час., документ № Удостоверение б/н, рег. № 4286 от 23.09.2011

Список преподаваемых дисциплин

Физический факультет
Мехатроника и микроэлектромеханика
Нанофотоника
Основы технологии материалов
Преддипломная практика. Прием защиты отчетов.
Программная среда LabView в научных исследованиях
Производственная практика (научно-исследовательская работа). Прием защиты отчетов по НИР.
Производственная практика. Прием защиты отчетов по производственной практике.
Схемотехника
Учебная практика. Прием защиты отчетов по учебной практике.
Физика низкоразмерных систем
Физика полупроводников
Физические основы микро- и наносистемной техники

Публикации

2019

Труды (тезисы) конференции

Крюков Р.Н., Николичев Д.Е., Зубков С.Ю., Дорохин М.В., Кудрин А.В., Демина П.Б., Звонков Б.Н. Физико-химические свойства структур спинового светоизлучающего диода со слоем GaMnAs // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXIII международного симпозиума. (Нижний Новгород, 11-14 марта 2019 г.) В 2 т.. Нижний Новгород: Издательство Нижегородского госуниверситета - т. 1, - 544 с.. 2019. С. 221-222.

Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Калентьева И.Л., Кудрин А.В., Здоровейщев А.В., Ларионова Е.А., Ковальский В.А. Диодные гетероструктуры с ферромагнитным слоем GaMnAs // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXIII Международного симпозиума. 11-14 марта 2019 г. Нижний Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского. Т.1. 2019. С. 201-202.

Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Дудин Ю.А., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Темирязева М.П., Темирязев А.Г., Никитов С.А., Садовников А.В. Модифицирование магнитных свойств сплава CoPt путем ионного облучения // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXIII Международного симпозиума. 11-14 марта 2019 г. Нижний Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского. Т.1. 2019. С. 205-206.

Кудрин А.В., Данилов Ю.А., Лесников В.П., Вихрова О.В., Соболев Н.А. Изменение концентрации носителей заряда в слоях магнитных полупроводников (In,Fe)Sb и (In,Fe)As // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXIII Международного симпозиума. 11-14 марта 2019 г. Нижний Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского. Т.1. 2019. С. 227-228.

Кудрин А.В., Лесников В.П., Данилов Ю.А., Вихрова О.В., Дорохин М.В., Павлов Д.А., Милин В.Е., Усов Ю.В., Ведь М.В., Кузнецов Ю.М., Крюков Р.Н. Создание эпитаксиальных гетероструктур на основе магнитных полупроводников (In,Fe)Sb и (Ga,Fe)Sb // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXIII Международного симпозиума. 11-14 марта 2019 г. Нижний Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского. Т.1. 2019. С. 229-230.

Алафердов А.В., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Демина П.Б., Дорохин М.В., Звонков Б.Н., Кудрин А.В., Мошкалев С.А. Использование многослойного графена для формирования контактного слоя к светоизлучающим GaAs структурам // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXIII Международного симпозиума. 11-14 марта 2019 г. Нижний Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского. Т.2. 2019. С. 579-580.

Ведь М.В., Дорохин М.В., Лесников В.П., Демина П.Б., Здоровейщев А.В., Данилов Ю.А., Кудрин А.В. Люминесцентные свойства и получение диодов (In,Fe)Sb/GaAs/InGaAs // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXIII Международного симпозиума. 11-14 марта 2019 г. Нижний Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского. Т.2. 2019. С. 618-619.

Демина П.Б., Дорохин М.В., Буданов А.В., Ведь М.В., Вихрова О.В., Власов Ю.Н., Здоровейщев А.В., Котов Г.И., Крюков Р.Н., Кудрин А.В. Селенид галлия как пассивирующий слой в спиновых светоизлучающих диодах на основе наногетероструктур GaAs/InGaAs // «Нанофизика и наноэлектроника» Труды XXIII Международного симпозиума, 11–14 марта 2019 г., Нижний Новгород. Нижний Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского. Т.1. 2019. С. 185-186.

Здоровейщев А.В., Вихрова О.В., Демина П.Б., Дорохин М.В., Кудрин А.В., Темирязев А.Г., Темирязева М.П. Магнитооптические и микромагнитные свойства плёночных структур вида ферромагнетик/тяжелый металл // Труды XXIII Международного симпозиума, 11–14 марта 2019 г., Нижний Новгород. Нижний Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского. Т.1. 2019. С. 203-204.

Кузнецов Ю.М., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Демина П.Б., Кудрин А.В. Аномальные эффекты Нернста-Эттингсгаузена и Холла в плёнках CoPt // «Нанофизика и наноэлектроника» Труды XXIII Международного симпозиума, 11–14 марта 2019 г., Нижний Новгород. Нижний Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского. Т.1. 2019. С. 231-232.

Demina P.B., Dorokhin M.V., Zdoroveishchev A.V., Vikhrova O.V., Kudrin A.V., Kalentyeva I.L., Temiryazeva M.P., Temiryazev A.G. Properties and spintronic applications of CoPt ferromagnetic films // Book of аbstracts «The 3rt International Baltic Conference on Magnetism: nanobiomedicine and smart materials. IBCM 2019», Kaliningrad, Russia 18-22 August, 2019.. Immanuel Kant Baltic Federal University. 189 с.. 2019. P. 94.

Vedy M.V., Dorokhin M.V., Lesnikov V.P., Zdoroveishchev A.V., Danilov Yu.A., Demina P.B., Kudrin A.V. Circularly polarized electroluminescence of spin lightemitting diodes based on (In,Fe)Sb ferromagnetic injector // Book of аbstracts «The 3rt International Baltic Conference on Magnetism: nanobiomedicine and smart materials. IBCM 2019», Kaliningrad, Russia 18-22 August, 2019.. Immanuel Kant Baltic Federal University. 189 с.. 2019. P. 171.

Zdoroveishchev A.V., Vikhrova O.V., Demina P.B., Dorokhin M.V., Kudrin A.V., Temiryazev A.G., Temiryazeva M.P., Khodos I. Micromagnetic and magneto-optical properties of CoPt (CoPd) films grown by electron-beam evaporation // Book of аbstracts «IV International Conference on Modern Problems in Physics of Surfaces and Nanostructures», Yaroslavl, Russia 26-29 August, 2019. 113 с.. 2019. P. 70.

Danilov Yu.A., Kryukov R.N., Kudrin A.V., Parafin A., Vikhrova O.V., Dorokhin M.V. Formation of ferromagnetic semiconductor GaAs:Mn by ion implantation with subsequent pulse laser annealing // Book of аbstracts «The 3rt International Baltic Conference on Magnetism: nanobiomedicine and smart materials. IBCM 2019», Kaliningrad, Russia 18-22 August, 2019. 189c.. 2019. P. 92.

Dorokhin M.V., Kuznetsov Yu.M., Kudrin A.V., Lesnikov V.P. Anomalous Nernst-Ettingshausen effect in thinferromagnetic films // Book of аbstracts «The 3rt International Baltic Conference on Magnetism: nanobiomedicine and smart materials. IBCM 2019», Kaliningrad, Russia 18-22 August, 2019. 189с.. 2019. P. 127.

Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Zvonkov B.N., Zdoroveishchev A.V., Kalentyeva I.L., Kudrin A.V., Larionova E.A. Effect of laser annealing on diode heterostructures with a ferromagnetic GaMnAs layer // Book of аbstracts «IV International Conference on Modern Problems in Physics of Surfaces and Nanostructures», Yaroslavl, Russia 26-29 August, 2019. 113с.. 2019. P. 69.

Демина П.Б., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Ведь М.В., Кудрин А.В., Буданов А.В., Власов Ю.Н., Котов Г.И., Крюков Р.Н., Вихрова О.В. Модифицирование границы раздела металл/полупроводник в спиновых светоизлучающих диодах СoPt/(In)GaAs // Тезисы докладов XIV Российской конференции по физике полупроводников, 9-13 сентября 2019 г., Новосибирск. М. Издательство Перо. Т.2. 272 с.. 2019. С. 288.

Zvonkov B.N., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Kudrin A.V., Vikhrova O.V., Demina P.B., Zdoroveishchev A.V., Kalentyeva I.L., Malysheva E.I. Structures of semiconductor spintronics, formed by the combined method of MOCVD epitaxy and pulsed laser deposition // Book of abstracts. VII Euro-Asian Symposium «Trends in MAGnetism» «EAST MAG 2019», September 08–13, 2019, Ekaterinburg, Russia.. M.N. Miheev Institute of Metal Physics UB RAS. V.1.. 2019. P. 59.

Dorokhin M.V., Kuznetsov Yu.M., Kudrin A.V., Lesnikov V.P. Anomalous nernst-ettingshausen effect in InFeSb and GaFeSb diluted magnetic semiconductors // Book of abstracts. VII Euro-Asian Symposium «Trends in MAGnetism» «EAST MAG 2019», September 08–13, 2019, Ekaterinburg, Russia.. M.N. Miheev Institute of Metal Physics UB RAS. V.1.. 2019. P. 129.

Kalentyeva I.L., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Dudin Yu.A., Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V., Temiryazeva M.P., Temiryazev A.G., Nikitov S.A., Sadovnikov A.V. Changing the magnetic properties of CoPt alloy by ion irradiation // Book of abstracts. VII Euro-Asian Symposium «Trends in MAGnetism» «EAST MAG 2019», September 08–13, 2019, Ekaterinburg, Russia.. M.N. Miheev Institute of Metal Physics UB RAS. V.1.. 2019. P. 387.

Kudrin A.V., Lesnikov V.P., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Vikhrova O.V., Antonov I.N., Kryukov R.N., Konakov A.A., Dudin Yu.A., Sobolev N.A. Control of carrier concentration and Fermi level position in (In,Fe)Sb magnetic semiconductor by ion irradiation // Book of abstracts. VII Euro-Asian Symposium «Trends in MAGnetism» «EAST MAG 2019», September 08–13, 2019, Ekaterinburg, Russia.. M.N. Miheev Institute of Metal Physics UB RAS. V.2.. 2019. P. 322.

Публикации в научных журналах

Kudrin A.V., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Kalentyeva I.L., Konakov A.A., Vasilyev V.K., Pavlov D.A., Usov Yu.V., Zvonkov B.N. The nature of transport and ferromagnetic properties of the GaAs structures with the Mn δ-doped layer // Journal of Magnetism and Magnetic Materials. V. 478. 2019. P. 84-90.

Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Trushin V.N., Zaitsev A.V., Prokhorov D., Filatov D.O., Zdoroveishchev A.V., Vedy M.V., Kudrin A.V., Dorokhin M.V., Buzynin Yu. Ultra-high phosphorus-doped epitaxial Ge layers grown by HWCVD method on Si substrates // Materials Science in Semiconductor Processing. V. 100. 2019. P. 175-178.

Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Кудрин А.В., Калентьева И.Л., Ларионова Е.А., Ковальский В.А., Солтанович О.А. Исследование магнитных диодов со слоем GaMnAs, изготовленным методом импульсного лазерного осаждения // Физика и техника полупроводников. № 3. Т. 53. 2019. С. 351-358.

Kudrin A.V., Lesnikov V.P., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Vikhrova O.V., Pavlov D.A., Usov Yu.V., Antonov I.N., Kryukov R.N., Nikolichev D.E., Konakov A.A., Dudin Yu.A., Kuznetsov Yu.M., Temiryazeva M.P., Sobolev N.A. Robustness of ferromagnetism in (In,Fe)Sb diluted magnetic semiconductor to variation of charge carrier concentration // Journal of Magnetism and Magnetic Materials. V. 485. 2019. P. 236–243.

Kudrin A.V., Lesnikov V.P., Pavlov D.A., Usov Yu.V., Danilov Yu.A., Vikhrova O.V., Kryukov R.N., Kuznetsov Yu.M., Trushin V.N., Sobolev N.A. Formation of epitaxial p-i-n structures on the basis of (In,Fe)Sb and (Ga,Fe)Sb diluted magnetic semiconductors layers // Journal of Magnetism and Magnetic Materials. V. 487. 2019. P. 16532.

Ведь М.В., Дорохин М.В., Лесников В.П., Павлов Д.А., Усов Ю.В., Кудрин А.В., Демина П.Б., Здоровейщев А.В., Данилов Ю.А. Диодные структуры на основе магнитных гетеропереходов (In, Fe)Sb/GaAs // Письма в Журнал технической физики. № 13. Т. 45. 2019. С. 33-36.

Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Дудин Ю.А., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Темирязева М.П., Темирязев А.Г., Никитов С.А., Садовников А.В. Модифицирование магнитных свойств сплава CoPt путем ионного облучения // Физика твердого тела (Physics of the Solid State). № 9. Т. 61. 2019. С. 1694-1699.

2018

Сборники статей

Демина П.Б., Ведь М.В., Вихрова О.В., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В. Модифицирование границы раздела металл/полупроводник в спиновых светоизлучающих диодах СoPt/(In)GaAs // «Нанофизика и наноэлектроника» Материалы XXII Международного симпозиума, 12–15 марта 2018 г., Нижний Новгород.. Н.Новгород: Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.1. 2018. С. 184-185.

Кудрин А.В., Здоровейщев А.В., Вихрова О.В., Дорохин М.В., Калентьева И.Л., Демина П.Б. Детекторы циркулярно-поляризованного излучения на основе полупроводниковых гетероструктур с CoPt барьером Шоттки // «Нанофизика и наноэлектроника» Материалы XXII Международного симпозиума, 12–15 марта 2018 г., Нижний Новгород.. Н.Новгород: Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.1. 2018. С. 214-215.

Труды (тезисы) конференции

Ведь М.В., Дорохин М.В., Лесников В.П., Демина П.Б., Здоровейщев А.В., Данилов Ю.А., Кудрин А.В. Спиновые светоизлучающие диоды на основе гетероструктур InFeSb/GaAs/InGaAs // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXII Международного симпозиума, 12-15 марта 2018. Н. Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2018. Т.1. 2018. С. 154-155.

Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Звонков Б.Н., Кудрин А.В., Антонов И.Н. Влияние состава газа-носителя в процессе роста дельта-слоя Mn на электрические и магнитные свойства GaAs структур // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXII Международного симпозиума. 12-15 марта 2018 г. Нижний Новгород.. Изд-во Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2, 2 стр.. 2018. С. 639-640.

Данилов Ю.А., Кудрин А.В., Лесников В.П., Вихрова О.В., Крюков Р.Н., Антонов И.Н., Толкачев Д.С. Исследование особенностей формирования и свойств полупроводников А3В5, сильно легированных железом // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXII Международного симпозиума, 12-15 марта 2018. Н.Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2018. - Т.1. 2018. С. 180-181.

Малышева Е.И., Дорохин М.В., Данилов Ю.А., Парафин А.Е., Ведь М.В., Кудрин А.В., Здоровейщев А.В. Повышение рабочей температуры спиновых светоизлучающих диодов (Ga,Mn)As/GaAs путем послеростовых воздействий // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXII Международного симпозиума, 12-15 марта 2018. Н. Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2018. - Т.1. 2018. С. 220-221.

Здоровейщев А.В., Чалков В.Ю., Денисов С.А., Ведь М.В., Кудрин А.В., Дорохин М.В., Трушин В.Н., Филатов Д.О., Шенгуров В.Г. Фотолюминесценция сильнолегированных фосфором эпитаксиальных слоёв Ge на Si (001) // «Нанофизика и наноэлектроника» Материалы XXII Международного симпозиума, 12–15 марта 2018 г., Нижний Новгород.. Н.Новгород: Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2. 2018. 2 С.. 2018. С. 627-628.

Здоровейщев А.В., Дорохин М.В., Кудрин А.В., Вихрова О.В., Демина П.Б., Рыков А.В., Ведь М.В., Белкин М.А., Темирязева М.П., Темирязев А.Г. Свойства и применение пленок типа «ферромагнетик/тяжелый металл» в приборах спинтроники // Труды Х Всероссийской школы-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «Диагностика наноматериалов и наноструктур». 01-06 октября 2018г., Рязань. Т.1. 2018. С. 64-84.

Ведь М.В., Дорохин М.В., Лесников В.П., Демина П.Б., Здоровейщев А.В., Данилов Ю.А., Кудрин А.В. Биполярная инжекция в спиновых светоизлучающих диодах, содержащих слои разбавленных магнитных полупроводников InFeSb // «НАНОЭЛЕКТРОНИКА, НАНОФОТОНИКА И НЕЛИНЕЙНАЯ ФИЗИКА».. Сборник трудов XIII Всероссийской конференции молодых ученых, 04-06 сентября 2018 г. Саратов.. 2018. С. 41.

Публикации в научных журналах

Кунькова З.Э., Ганьшина Е.А., Голик Л.Л., Данилов Ю.А., Кудрин А.В., Ковалев В.И., Зыков Г.С., Маркин Ю.В., Вихрова О.В., Звонков Б.Н. Фазовое разделение в слоях GaMnAs, сформированных импульсным лазерным осаждением // Физика твердого тела. № 5. Т. 60. 2018. С. 940-946.

Kunkova Z.E., Ganshina E.A., Golik L.L., Danilov Yu.A., Kudrin A.V., Kovalev V.I., Zykov G.S., Markin Yu.V., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N. Phase Separation in GaMnAs Layers Grown by Laser Pulsed Deposition // Physics of the Solid State. № 5. V. 60. 2018. P. 943-949.

Kuznetsov Yu.M., Dorokhin M.V., Kudrin A.V., Vikhrova O.V. Anomalous Nernst-Ettingshausen effect in δMnGaAs/InGaAs ferromagnetic semiconductor heterostructures // Journal of Physics: Conference Series. № 993. V. 1. 2018. P. 012015.

Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Кудрин А.В., Антонов И.Н. Влияние состава газа-носителя в процессе роста дельта-слоя Mn на электрические и магнитные свойства GaAs-структур // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 52. 2018. С. 1286-1290.

Yakovlev G.E., Dorokhin M.V., Zubkov V.I., Dudin A.L., Zdoroveishchev A.V., Malysheva E.I., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Kudrin A.V. Specific Features of the Electrochemical Capacitance-Voltage Profiling of GaAs LED and pHEMT Structures with Quantum-Confined Regions // Semiconductors. № 8. V. 52. 2018. P. 1004-1011.

Темирязев А.Г., Темирязева М.П., Здоровейщев А.В., Вихрова О.В., Дорохин М.В., Демина П.Б., Кудрин А.В. Формирование доменной структуры в многослойных пленках CoPt с помощью магнитного зонда атомно-силового микроскопа // Физика твердого тела. № 11. Т. 60. 2018. С. 2158-2165.

Кудрин А.В., Здоровейщев А.В., Вихрова О.В., Дорохин М.В., Калентьева И.Л., Демина П.Б. Детекторы циркулярно-поляризованного излучения на основе полупроводниковых гетероструктур с барьером Шоттки CoPt // Физика твердого тела. № 11. Т. 60. 2018. С. 2236-2239.

Малышева Е.И., Дорохин М.В., Данилов Ю.А., Парафин А.Е., Ведь М.В., Кудрин А.В., Здоровейщев А.В. Повышение рабочей температуры спиновых светоизлучающих диодов (Ga,Mn)As/GaAs путeм постростовых воздействий // Физика твердого тела. № 11. Т. 60. 2018. С. 2141-2146.

Dorokhin M.V., Yakovlev G.E., Zubkov V.I., Dudin A.L., Zdoroveishchev A.V., Malysheva E.I., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Kudrin A.V. Specific Features of the Electrochemical Capacitance-Voltage Profiling of GaAs LED and pHEMT Structures with Quantum-Confined Regions // Semiconductors. № 8. V. 52. 2018. P. 1004-1011.

Danilov Yu.A., Kudrin A.V., Lesnikov V.P., Vikhrova O.V., Kryukov R.N., Antonov I.N., Tolkachev D.S., Alaferdov A.V., Kunkova Z..E., Temiryazeva M.P., Temiryazev A.G. The Study of Features of Formation and Properties of A3B5 Semiconductors Highly Doped by Iron // Physics of the Solid State. № 11. V. 60. 2018. P. 2178-2181.

Kalentyeva I.L., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Kudrin A.V., Antonov I.N. The effect of the Composition of a Carrier Gas during the Growth of a Mn delta-Layer on the Electrical and Magnetic Properties of GaAs Structures // Semiconductors. № 11. V. 52. 2018. P. 1398-1402.

2017

Труды (тезисы) конференции

Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Демина П.Б., Дорохин М.В., Калентьева И.Л., Кудрин А.В. Излучающие гетероструктуры с двухслойной квантовой ямой InGaAs/GaAsSb/GaAs и ферромагнитным слоем GaMnAs // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXI Международного симпозиума. 13-16 марта 2017 г. Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, 2017. Т.1. 2017. С. 149-150.

Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Крюков Р.Н., Кудрин А.В., Лесников В.П., Нежданов А.В., Николичев Д.Е., Павлов С.А., Парафин А.Е., Пашенькин И.Ю., Планкина С.М. Модифицирование свойств ферромагнитных слоев на основе соединений А3В5 импульсным лазерным отжигом // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXI Международного симпозиума. 13-16 марта 2017 г. Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, 2017. Т.1. 2017. С. 151-152.

Дорохин М.В., Демина П.Б., Кудрин А.В., Здоровейщев А.В., Лесников В.П., Данилов Ю.А. Новые ферромагнитные материалы на основе соединений Mn. Проблемы интеграции в приборы спинтроники // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXI Международного симпозиума. 13-16 марта 2017 г. Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, 2017. Т.1. 2017. С. 179-180.

Кудрин А.В., Данилов Ю.А., Лесников В.П., Павлов Д.А., Усов Ю.В., Питиримова Е.А., Антонов И.Н., Вихрова О.В., Алафердов А.В., Крюков Р.Н. Однофазные эпитаксиальные слои InFeSb с температурой Кюри выше комнатной // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XXI международного симпозиума. Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т. 1. 2017. С. 195-196.

Демина П.Б., Ведь М.В., Вихрова О.В., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Хомицкий Д.В. Методы управление спиновой инжекцией в спиновых светоизлучающих диодах InGaAs/GaAs/Al2O3/CoPt // «Нанофизика и наноэлектроника» Материалы XXI Международного симпозиума, 13–16 марта 2017 г., Нижний Новгород.. Из-во ННГУ, Т.1. Электронный адрес публикации: http://nanosymp.ru/UserFiles/Symp/2017_v1.pdf. 2017. С. 175-176.

Kalentyeva I.L., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Kudrin A.V. Magnetic properties of epitaxial GaMnAs layers // Saint Petersburg OPEN 2017 «4th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures». Academic University Publishing St. Petersburg, 2017, 640. 2017. P. 503-504.

Кудрин А.В., Данилов Ю.А., Васильев В.К., Питиримова Е.А., Звонков Б.Н. Влияние облучения протонами на электрические свойства гетероструктур InxGa1-xAs/GaAs (x = 0.15 – 0.6) // Тезисы докладов XLVII международной Тулиновской конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (Москва 30 мая – 1 июня 2017). М.: Университетская книга. 2017. С. 123.

Kalentyeva I.L., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Demina P.B., Vikhrova O.V., Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V. Magneto-optical effects of CoPt and CoPd alloys // Moscow International Symposium on Magnetism. 1-5 July 2017. Book of Abstract. Moscow. 2017. P. 139.

Dorokhin M.V., Lesnikov V.P., Kudrin A.V., Demina P.B., Danilov Yu.A., Vedy M.V., Zdoroveishchev A.V. Electrical spin injection in InFeSb/GaAs ferromagnetic heterostructures // Moscow International Symposium on Magnetism. 1-5 July 2017. Book of Abstract. Moscow. 2017. P. 868.

Kudrin A.V., Danilov Yu.A., Lesnikov V.P., Vikhrova O.V., Pavlov D.A., Usov Yu.V., Pitirimova E.A., Antonov I.N., Kryukov R.N. Ferromagnetism of indium antomonide, highly doped by iron // Moscow International Symposium on Magnetism. 1-5 July 2017. Book of Abstract. Moscow. 2017. P. 873.

Kudrin A.V., Shvetsov A.V., Danilov Yu.A., Pavlov D.A. Ferromagnetic MnAs inclusions in InMnAs layers // NaNax8 - International Conference Nanoscience with Nanocrystals. Braga, Portugal, July 3-7. Http://nanax8.org/program.html#abstracts. 2017. P. Danilov.pdf.

Danilov Yu.A., Kalentyeva I.L., Kudrin A.V., Pavlov S.A., Parafin A.E., Pitirimova E.A., Tolkachev D.S., Vikhrova O.V., Zdoroveishchev A.V., Yakubov R.R. Formation of the ferromagnetic semiconductor (Ga,Mn)As by ion implantation and pulse laser annealing // III International Conference on Modern Problems in Physics of Surfaces and Nanostructures. Book of Abstracts. Yaroslavl, Russia, 9-11 October. 2017. P. 60.

Kudrin A.V., Danilov Yu.A., Lesnikov V.P., Vikhrova O.V., Pavlov D.A., Usov Yu.V., Pitirimova E.A., Antonov I.N., Kryukov R.N. High-temperature intrinsic ferromagnetism in the InFeSb semiconductor // III International Conference on Modern Problems in Physics of Surfaces and Nanostructures. Book of Abstracts. Yaroslavl, Russia, 9-11 October. 2017. P. 61.

Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V., Dorokhin M.V., Demina P.B., Vikhrova O.V., Kalentyeva I.L., Vedy M.V. Circularly polarized light detector based on MDP structure of CoPt/(Al2O3/SiO2/Al2O3)/InGaAs/GaAs // Book of abstracts III International conference on Modern problems in physics of surfaces and nanostructures, 9-11 october 2017, Yaroslavl, Russia.. Yaroslavl Demidov State University, 121p.. 2017. P. 59.

Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Дорохин М.В., Демина П.Б., Вихрова О.В., Калентьева И.Л., Ведь М.В. Детектор циркулярно-поляризованного излучения на основе МДП структуры CoPt/(Al2O3/SiO2)/InGaAs/GaAs // Тезисы докладов XIII Российской конференции по физике полупроводников, 2-6 октября 2017, Екатеринбург.. Екатеринбург: ИФМ УрО РАН, 2017.. 2017. С. 268.

Detochenko A.P., Ezhevskii A.A., Sukhorukov A.V., Guseinov D.V., Kudrin A.V., Konakov A.A., Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Novikov A.V., Abrosimov N. Spin transport in silicon doped with heavy donors // Technical Digest of 29th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-2017). Matsue, Japan, July 31 – Aug.4. 2017. P. 116.

Прохоров Д.С., Щурупова Д.Н., Кудрин А.В., Денисов С.А., Шенгуров В.Г., Зайцев А.В. Сильнолегированные фосфором эпитаксиальные слои Ge на Si(100) подложке при использовании GaP источника в методе «горячей проволоки» // ХIX Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур. Санкт-Петербург, Россия, 27 ноября - 1 декабря 2017 г.. 2017. С. 27.

Kryukov R.N., Kudrin A.V., Lesnikov V.P. The formation of the array of indium nanoislands by the laser deposition in vacuum // NaNaX 8 - nanoscience with Nanocrystals, г. Брага, Португалия, 3-7 июля. Электронный вариант. 2017. P. 1.

Деточенко А.П., Ежевский А.А., Кудрин А.В., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., Конаков А.А., Абросимов Н.В. Влияние спин-зависимого рассеяния на спиновый транспорт электронов проводимости в кремнии, легированном висмутом // Труды XXI Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». (Нижний Новгород, 13–16 марта 2017 г.). В 2 т. Том II. – Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета. 2017. С. 578–579.

Деточенко А.П., Ежевский А.А., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., Кудрин А.В., Конаков А.А., Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Абросимов Н.В. Спиновый транспорт в кремнии, легированном донорами с большой спин-орбитальной связью // Тезисы докладов XIII Российской конференции по физике полупроводников. Екатеринбург, Институт физики металлов имени М.Н. Михеева УрО РАН, 2017. – с. 480. 2017. С. 265.

Публикации в научных журналах

Kudrin A.V., Plankina S.M., Vikhrova O.V., Nezhdanov A.V., Mashin A.I., Drozdov Yu.N., Shvetsov A.V. Characterization of the cleaved edge cross section of the heterostructures with GaMnAs layer by the confocal micro-Raman spectroscopy // Micron. № 2. V. 93. 2017. P. 38-42.

Dorokhin M.V., Ved' M.V., Malysheva E.I., Demina P.B., Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V., Danilov Yu.A. Room temperature spin injection in a light-emitting diode based on a GaMnSb/n-GaAs/InGaAs tunnel junction // Journal of Physics: Conference Series. V. 816. 2017. P. 012035.

Dorokhin M.V., Zaitsev S.V., Rykov A.V., Zdoroveishchev A.V., Malysheva E.I., Danilov Yu.A., Zubkov V.I., Frolov D.S., Yakovlev G.E., Kudrin A.V. Heterostructures with InGaAs/GaAs quantum dots doped with transition elements: II. Study of the circularly polarized luminescence // Technical Physics. № 10. V. 62. 2017. P. 1545-1550.

Дорохин М.В., Зайцев С.В., Рыков А.В., Здоровейщев А.В., Малышева Е.И., Данилов Ю.А., Зубков В.И., Фролов Д.С., Яковлев Г.Е., Кудрин А.В. Гетероструктуры с квантовыми точками InGaAs/GaAs, легированными атомами переходных элементов. II. Исследование циркулярно-поляризованной люминесценции // Журнал технической физики. № 10. Т. 87. 2017. С. 1539-1544.

Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Лесников В.П., Нежданов А.В., Павлов С.А., Парафин А.Е., Пашенькин И.Ю., Планкина С.М. Модифицирование свойств ферромагнитных слоев на основе соединений А3В5 импульсным лазерным отжигом // Физика твердого тела. № 11. Т. 59. 2017. С. 2130-2134.

Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V., Lesnikov V.P., Nezhdanov A.V., Pavlov S.A., Parafin A.E., Pashenykin I.Yu., Plankina S.M. Modification of the Properties of Ferromagnetic Layers Based on A3B5 Compounds by Pulsed Laser Annealing // Physics of the Solid State. № 11. V. 59. 2017. P. 2150-2154.

Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Демина П.Б., Дорохин М.В., Калентьева И.Л., Кудрин А.В. Излучающие гетероструктуры с двухслойной квантовой ямой InGaAs/GaAsSb/GaAs и ферромагнитным слоем GaMnAs // Физика твердого тела. № 11. Т. 59. 2017. С. 2196-2199.

Кудрин А.В., Данилов Ю.А., Лесников В.П., Вихрова О.В., Павлов Д.А., Усов Ю.В., Питиримова Е.А., Антонов И.Н. Однофазные эпитаксиальные слои InFeSb с температурой Кюри выше комнатной // Физика твердого тела. № 11. Т. 59. 2017. С. 2200-2202.

Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Кудрин А.В., Дорохин М.В., Павлов Д.А., Антонов И.Н., Дроздов М.Н., Усов Ю.В. Особенности селективного легирования марганцем GaAs структур // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 51. 2017. С. 1468-1472.

Дорохин М.В., Ведь М.В., Демина П.Б., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Рыков А.В., Кузнецов Ю.М. Методы управления спиновой инжекцией в спиновых светоизлучающих диодах InGaAs/GaAs/Al2O3/CoPt // Физика твердого тела. № 11. Т. 59. 2017. С. 2135-2141.

Кудрин А.В., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Демина П.Б., Вихрова О.В., Калентьева И.Л., Ведь М.В. Фоторезистивный детектор циркулярно-поляризованного излучения на основе МДП-структуры со слоем CoPt // Физика твердого тела. № 11. Т. 59. 2017. С. 2203-2205.

Kudrin A.V., Danilov Yu.A., Lesnikov V.P., Dorokhin M.V., Vikhrova O.V., Pavlov D.A., Usov Yu.V., Antonov I.N., Kryukov R.N., Alaferdov A.V., Sobolev N.A. High-temperature intrinsic ferromagnetism in the (In,Fe)Sb semiconductor // Journal of Applied Physics. V. 122. 2017. P. 183901.

Kudrin A.V., Komkov O.S. Contactless characterization of manganese and carbon delta-layers in gallium arsenide // Semiconductors. № 11. V. 51. 2017. P. 1420–1426.

Ezhevskii A.A., Detochenko A.P., Sukhorukov A.V., Kudrin A.V., Guseinov D.V., Abrosimov N.V., Riemann H. The spin-flip scattering effect in the spin transport in silicon doped with bismuth // Journal of Physics: Conference Series. V. 816. 2017. P. 012001.

2016

Труды (тезисы) конференции

Данилов Ю.А., Вихрова О.В., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Лесников В.П., Нежданов А.В., Павлов С.А., Парафин А.Е., Питиримова Е.А., Планкина С.М., Якубов Р.Р. Формирование однофазных ферромагнитных полупроводников (III,Mn)V импульсным лазерным отжигом // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XX Международного симпозиума, 14-18 марта 2016 г. Нижний Новгород. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2016. Т.1. 2016. С. 179-180.

Темирязева М.П., Данилов Ю.А., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Темирязев А.Г. Структурирование магнитных пленок CoPt с помощью АСМ // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XX Международного симпозиума, 14-18 марта 2016 г. Нижний Новгород. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2016. Т.1. 2016. С. 328-329.

Калентьева И.Л., Кудрин А.В., Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Здоровейщев А.В. Изготовление образцов со спиновым латеральным переносом на основе GaAs структур с дельта-слоем Mn // 23-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика-2016». Зеленоград.: МИЭТ. 2016. С. 10.

Здоровейщев А.В., Дорохин М.В., Вихрова О.В., Демина П.Б., Кудрин А.В. Магнитонезависимый спиновый светодиод с инжектором CoPt // Тезисы докладов XXI Уральской междунородной зимней школы по физике полупроводников, 15-20 февраля 2016г., Екатеринбург-Алпатьевск.. Из-во ИПМ УрО РАН. 2016. С. 234-235.

Здоровейщев А.В., Дорохин М.В., Вихрова О.В., Демина П.Б., Кудрин А.В., Темирязев А.Г., Темирязева М.П. Магнитонезависимые спиновые светоизлучающие диоды на основе гетероструктур In(Ga)As/GaAs и ферромагнитного инжектора CoPt // «Нанофизика и наноэлектроника» Материалы XX Международного симпозиума, 14–18 марта 2016 г., Нижний Новгород. Из-во Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского, Т.1, 434с. 2016. С. 206-207.

Кудрин А.В., Дорохин М.В., Демина П.Б., Малышева Е.И., Родионова В.В., Беляев В.К. Особенности магнитных свойств слоев GaMnSb со второй ферромагнитной фазой // «Нанофизика и наноэлектроника» Материалы XX Международного симпозиума, 14–18 марта 2016 г., Нижний Новгород.. Из-во Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского, Т.1, 434с. 2016. С. 221-222.

Дорохин М.В., Бобров А.И., Ведь М.В., Павлов Д.А., Лесников В.П., Ерофеева И.В., Демина П.Б., Малышева Е.И., Кудрин А.В., Здоровейщев А.В. Эпитаксиальный слой MnGa – перспективный материал для практического применения в полупроводниковых приборах // «Нанофизика и наноэлектроника» Материалы XX Международного симпозиума, 14–18 марта 2016 г., Нижний Новгород. Из-во Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского, Т.2, 435с. 2016. С. 564-565.

Питиримова Е.А., Данилов Ю.А., Кудрин А.В., Павлов С.А., Парафин А.Е. Структура и свойства слоев GaAs и InAs, облученных ионами Mn+ и отожженных импульсом эксимерного лазера // Тезисы докладов XLVI международной Тулиновской конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, Москва, 31 мая – 2 июня 2016. М.: Университетская книга. 2016. С. 98.

Данилов Ю.А., Вихрова О.В., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Павлов С.А., Парафин А.Е., Питиримова Е.А., Толкачев Д.С., Якубов Р.Р. Экспериментальное исследование и моделирование процесса импульсного лазерного отжига GaAs, облученного большими дозами ионов Mn+ // IX Международная научная конференция «Кинетика и механизм кристаллизации. Кристаллизация и материалы будущего» 13-16 сентября 2016 г. Иваново. 2016. С. 133-134.

Kunkova Z.E., Ganshina E.A., Golik L.L., Danilov Yu.A., Kudrin A.V., Novikov A.I., Kovalev V.I., Bykov I.V., Zykov G.S., Markin Y.V., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N. Blue shift in magneto-optical spectra of ferromagnetic (Ga,Mn)As // Book of Abstracrs, VI Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism" (EASTMAG-2016), August 15 – 19, 2016. Krasnoyarsk, Kirensky Institute of Physics, Russian Academy of Sciences, Siberian Branch. 2016. P. 323.

Данилов Ю.А., Вихрова О.В., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Павлов С.А., Парафин А.Е., Питиримова Е.А. Имплантация ионов Mn в GaAs: сравнение быстрого термического и импульсного лазерного отжигов // VI Всероссийская конференция и школа молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации», 24 – 27 октября 2016 года. Нижний Новгород. 2016. С. 73-74.

Кудрин А.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Васильев В.К. Модифицирование электрических свойств структур InxGa1-xAs/GaAs (x = 0.15 – 0.6) облучением протонов // VI Всероссийская конференция и школа молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации», 24 – 27 октября 2016 года. Нижний Новгород. 2016. С. 88-89.

Данилов Ю.А., Кудрин А.В., Павлов С.А., Парафин А.Е., Питиримова Е.А. Исследование структуры GaAs и InAs после ионного облучения и лазерного отжига // VI Всероссийская конференция и школа молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации», 24 – 27 октября 2016 года. Нижний Новгород. 2016. С. 92-93.

Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Кудрин А.В., Звонков Б.Н., Дроздов М.Н. Влияние точечных дефектов на диффузию Mn и C в квантово-размерных гетероструктурах на основе GaAs // VI Всероссийская конференция и школа молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации», 24 – 27 октября 2016 года. Нижний Новгород. 2016. С. 123-124.

Ежевский А.А., Гусейнов Д.В., Сухоруков А.В., Деточенко А.П., Кудрин А.В., Конаков А.А., Абросимов Н.В., Riemann H. Спиновые эффекты на легких и тяжелых донорах в кремнии // Тезисы докладов XI конференции и X школы молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «Кремний 2016». Новосибирск 12-15 сентября 2016.. 2016. С. 29.

Ежевский А.А., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., Кудрин А.В., Деточенко А.П., Конаков А.А., Бурдов В.А., Абросимов Н.В. Спиновый транспорт с участием мелких доноров в кремнии // Тезисы докладов XI конференции и X школы молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, метериаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «Кремний 2016». Новосибирск 12-15 сентября 2016. 2016. С. 152.

Публикации в научных журналах

Sukhorukov A.V., Guseinov D.V., Kudrin A.V., Popkov S.A., Detochenko A.P., Koroleva A.V., Ezhevskii A.A., Konakov A.A., Abrosimov N.V., Riemann H. The impurity spin-dependent scattering effects in the transport and spin resonance of conduction electrons in bismuth doped silicon // Solid State Phenomena. № 242. 2016. P. 327-331.

Кудрин А.В., Данилов Ю.А., Лесников В.П., Питиримова Е.А. Нелинейный эффект Холла при комнатной температуре в слоях InFeAs электронного типа проводимости // Письма в журнал технической физики. № 2. Т. 42. 2016. С. 63-71.

Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Здоровейщев А.В., Данилов Ю.А., Кудрин А.В. Арсенид-галлиевые структуры с подзатворным диэлектриком на основе слоев оксида алюминия // Физика и техника полупроводников. № 2. Т. 50. 2016. С. 204-207.

Kalentyeva I.L., Vikhrova O.V., Zdoroveishchev A.V., Danilov Yu.A., Kudrin A.V. GaAs Structures with a Gate Dielectric Based on Aluminium-Oxide Layers // Semiconductors. № 2. V. 50. 2016. P. 204-207.

Kudrin A.V., Danilov Yu.A., Lesnikov V.P., Pitirimova E.A. Nonlinear Room-Temperature Hall Effect in n-InFeAs Layers // Technical Physics Letters. № 1. V. 42. 2016. P. 88-92.

Здоровейщев А.В., Дорохин М.В., Вихрова О.В., Демина П.Б., Кудрин А.В., Темирязев А.Г., Темирязева М.П. Свойства ферромагнитных слоев CoPt для применения в спиновых светоизлучающих диодах // Физика твердого тела. № 11. Т. 58. 2016. С. 2186-2189.

Дорохин М.В., Павлов Д.А., Бобров А.И., Данилов Ю.А., Лесников В.П., Звонков Б.Н., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Демина П.Б., Усов Ю.В., Николичев Д.Е., Крюков Р.Н., Зубков С.Ю. Формирование контактов MnGa/GaAs для применений в оптоэлектронике и спинтронике // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 50. 2016. С. 1463-1468.

Kalentyeva I.L., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Kudrin A.V., Drozdov M.N. Effect of Thermal Annealing on the Photoluminescence of Structures with InGaAs/GaAs Quantum Wells and a Low-temperature GaAs Layer delta-doped with Mn // Semiconductors. № 11. V. 50. 2016. P. 1469-1474.

Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Кудрин А.В., Дроздов М.Н. Влияние термического отжига на фотолюминесценцию структур с InGaAs/GaAs квантовыми ямами и низкотемпературным дельта-легированным Mn слоем GaAs // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 50. 2016. С. 1490-1496.

Данилов Ю.А., Boudinov H., Вихрова О.В., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Павлов С.А., Парафин А.Е., Питиримова Е.А., Якубов Р.Р. Формирование однофазного ферромагнитного полупроводника (Ga,Mn)As импульсным лазерным отжигом // Физика твердого тела. № 11. Т. 58. 2016. С. 2140-2144.

Danilov Yu.A., Boudinov H., Vikhrova O.V., Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V., Pavlov S.A., Parafin A.E., Pitirimova E.A., Yakubov R.R. Formation of the Single-Phase Ferromagnetic Semiconductor (Ga,Mn)As by Pulsed Laser Annealing // Physics of Solid State. № 11. V. 58. 2016. P. 2218-2222.

Zdoroveishchev A.V., Dorokhin M.V., Vikhrova O.V., Demina P.B., Kudrin A.V., Temiryazev A.G., Temiryazeva M.P. Properties of CoPt Ferromagnetic Layers for Application in Spin Light-Emitting Diodes // Physics of the Solid State. № 11. V. 58. 2016. P. 2267-2270.

Dorokhin M.V., Pavlov D.A., Bobrov A.I., Danilov Yu.A., Lesnikov V.P., Zvonkov B.N., Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V., Demina P.B., Usov Yu.V., Nikolichev D.E., Kryukov R.N., Zubkov S.Yu. Fabrication of MnGa/GaAs Contacts for Optoelectronics and Spintronics Applications // Semiconductors. № 11. V. 50. 2016. P. 1443-1448.

Ерофеева И.В., Дорохин М.В., Лесников В.П., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Павлов Д.А., Усов Ю.В. Кристаллическая структу-ра и термоэлектрические свойства тонких слоев MnSix // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 50. 2016. С. 1473-1478.

Erofeeva I.V., Dorokhin M.V., Lesnikov V.P., Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V., Pavlov D.A., Usov Yu.V. On the crystal structure and thermoelectric properties of thin Si1–xMnx films // Semiconductors. № 11. V. 50. 2016. P. 1453-1457.

2015

Труды (тезисы) конференции

Вихрова О.В., Ганьшина Е.А., Данилов Ю.А., Дроздов Ю.Н., Дудин Ю.А., Звонков Б.Н., Зыков Г.С., Кудрин А.В., Кунькова З.Э., Лесников В.П., Петрякова Е.В., Питиримова Е.А., Темирязева М.П., Юнин П.А., Якубов Р.Р. Ферромагнетизм в InFeAs-слоях, сформированных методом импульсного лазерного нанесения // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XIX Международного симпозиума. 10-14 марта 2015 г.. Нижний Новгород. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2015. Т.1. 2015. С. 160-161.

Здоровейщев А.В., Дорохин М.В., Демина П.Б., Кудрин А.В., Вихрова О.В., Ведь М.В., Данилов Ю.А., Ерофеева И.В., Крюков Р.Н., Николичев Д.Е. Ферромагнитный инжектор CoPt в светоизлучающих диодах Шоттки на основе наноразмерных структур InGaAs/GaAs // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XIX Международного симпозиума. 10-14 марта 2015 г.. Нижний Новгород. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2015. Т.1. 2015. С. 168-169.

Вихрова О.В., Звонков Б.Н., Кудрин А.В., Нежданов А.В., Планкина С.М., Дроздов Ю.Н. Использование спектроскопии комбинационного рассеяния для анализа влияния упругих напряжений на магнитные свойства слоев GaMnAs // Труды XIX Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". 10-14 марта 2015 г., Нижний Новгород. Изд-во Нижегородского университета. 2015. С. 615-617.

Данилов Ю.А., Дудин Ю.А., Кудрин А.В., Лесников В.П., Петрякова Е.В., Питиримова Е.А., Якубов Р.Р. Формирование слоев InFeAs и их модификация с помощью ионной имплантации // Тезисы докладов XLV международной Тулиновской конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (Москва 26 мая-28 мая 2015). М: Университетская книга. 2015. С. 100.

Данилов Ю.А., Кудрин А.В., Лесников В.П., Питиримова Е.А., Якубов Р.Р. Лазерное нанесение и легирование слоев германия и твердого раствора GeSn // Высокочистые вещества и материалы. Получение, анализ, применение. Тезисы докладов XV конференции, Нижний Новгород, 26-29 мая 2015 г.. Н.Новгород: Радонеж. 2015. С. 109.

Kudrin A.V., Danilov Yu.A., Lesnikov V.P., Pitirimova E.A. Anomalous Hall effect at room temperature in InFeAs layers obtained by laser deposition // International Conference “Spin physics, spin chemistry and spin technology”, June 1-5, 2015. St. Petersburg, Russia. Proceedings. St. Petersburg. 2015. P. 104.

Ведь М.В., Демина П.Б., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Крюков Р.Н., Кудрин А.В. Электронно-лучевое послойное осаждение CoPt на поверхность InGaAs/GaAs гетероструктуры // Тезисы докладов XV Всероссийской конференции и VIII школы молодых ученых «Высокочистые вещества и материалы: получение, анализ, применение», Нижний Новгород 26-29 мая 2015г.. Нижний Новгород. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2015. С.113.. 2015. С. С.113.

Dorokhin M.V., Malysheva E.I., Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V., Demina P.B., Vedy M.V. Room temperature spin injection in GaMnSb/GaAs/InGaAs spin light-emitting diodes // Proceedings International Conference «Spin physics, spin chemistry and spin technology» June 1-5, 2015, St. Petersburg, Russia.. 2015. P.70.. 2015. P. P.70.

Калентьева И.Л., Звонков Б.Н., Демина П.Б., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Кудрин А.В., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В. Диагностика структур с двухслойными квантовыми ямами InGaAs/GaAsSb/GaAs и ферромагнитным инжектором GaMnAs // Труды VIII Всероссийской школы-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «Диагностика наноматериалов и наноструктур», 14-18 cентября, Рязань. РГРТУ, т.3. 2015. С. 95-99.

Дорохин М.В., Павлов Д.А., Бобров А.И., Данилов Ю.А., Демина П.Б., Звонков Б.Н., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Малехонова Н.В., Малышева Е.И. Эпитаксия ферромагнитных квазикристаллов MnxGay на поверхности GaAs // Тезисы докладов XII Российской конференции по физике полупроводников, Ершово, 21-25 сентября 2015.. Москва, Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН.. 2015. С. 131.

Здоровейщев А.В., Дорохин М.В., Демина П.Б., Данилов Ю.А., Кудрин А.В., Питиримова Е.А., Темирязев А.Г., Темирязева М.П., Iikawa F. Спиновые светоизлучающие диоды на основе наноразмерных структур InGaAs/GaAs с ферромагнитным инжектором CoPt // Тезисы докладов XII Российской конференции по физике полупроводников, Ершово, 21-25 сентября 2015.. Москва, Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН.. 2015. С. 309.

Калентьева И.Л., Кудрин А.В., Здоровейщев А.В. Комбинированные слои Al2O3 и HfO2 в качестве подзатворного диэлектрика для GaAs-структур // Труды II Российско-Белорусской научно-технической конференции "Элементная база отечественной радиоэлектроники: импортозамещение и применение" им. О.В. Лосева. 511 с. 2015. С. 191-194.

Ezhevskii A.A., Sukhorukov A.V., Guseinov D.V., Kudrin A.V., Popkov S.A., Detochenko A.P., Konakov A.A., Koroleva A.V. The impurity spin-dependent scattering effects in the conduction electrons transport in bismuth doped silicon // Тезисы докладов международной конференции «Spin physics, spin chemistry, and spin technology»,. Санкт-Петербург, 1-5 июня 2015, С.165. 2015. P. 165.

Ezhevskii A.A., Sukhorukov A.V., Guseinov D.V., Kudrin A.V., Detochenko A.P., Konakov A.A., Koroleva A.V., Abrosimov N.V., Riemann H. The impurity spin-dependent scattering effect in the transport and spin resonance of conduction electrons in bismuth doped silicon // Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology XVI September 20-25, 2015, B. Ad Staffelstein, Germany.. 2015. P. 134-135.

Ezhevskii A.A., Koroleva A.V., Sukhorukov A.V., Guseinov D.V., Kudrin A.V., Detochenko A.P., Konakov A.A., Abrosimov N.V., Riemann H. Spin-Dependent Transport in Bismuth Doped Silicon // International Conference Modern Development of Magnetic Resonance. Kazan 22–26 September 2015. 2015. P. 110.

Ежевский А.А., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., Кудрин А.В., Деточенко А.П., Королева А.В., Конаков А.А., Бурдов В.А., Абросимов Н.В., Riemann H. Эффекты примесного спин-зависимого рассеяния в транспорте и спиновом резонансе электронов проводимости в кремнии, легированном висмутом // Труды ХIX международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника».. Нижний Новгород, 10-14 марта 2015 г. 2015, Т.2,. 2015. С. 661-662.

Ежевский А.А., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., Кудрин А.В., Деточенко А.П., Конаков А.А., Бурдов В.А. Спиновый транспорт и спиновый резонанс с участием мелких доноров в кремнии // XII российская конференция по физике полупроводников. Звенигород 21-25 сентября 2015,. 2015. С. 308.

Публикации в научных журналах

Ganshina E.A., Golik L.L., Kunkova Z.E., Kovalev V.I., Markin Y.V., Novikov A.I., Zykov G.S., Danilov Yu.A., Kudrin A.V., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N. Magneto-Optical Evidence for Intrinsic Ferromagnetism in (Ga,Mn)As Layers Grown by Pulsed Laser Deposition // Solid State Phenomena. V. 233-2. 2015. P. 101-104.

Dorokhin M.V., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Balanta M.A.G., Brasil M.J.S.P., Iikawa F., Mendes U., Brum J.A., Demina P.B., Malysheva E.I., Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V. The circular polarization inversion in deltaMn/InGaAs/GaAs light-emitting diodes // Applied Physics Letters. № 4. V. 107. 2015. P. 042406, 1-4.

Здоровейщев А.В., Дорохин М.В., Демина П.Б., Кудрин А.В., Вихрова О.В., Ведь М.В., Данилов Ю.А., Ерофеева И.В., Крюков Р.Н., Николичев Д.Е. Ферромагнитный инжектор CoPt в светоизлучающих диодах Шоттки на основе наноразмерных структур InGaAs/GaAs // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 49. 2015. С. 1649-1653.

Малышева Е.И., Дорохин М.В., Ведь М.В., Кудрин А.В., Здоровейщев А.В. Циркулярно-поляризованная электролюминесценция светоизлучающих диодов InGaAs/GaAs/(A III,Mn)BV на основе структур с туннельным барьером // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 49. 2015. С. 1497-1500.

Zdoroveishchev A.V., Dorokhin M.V., Demina P.B., Kudrin A.V., Vikhrova O.V., Vedy M.V., Danilov Yu.A., Erofeeva I.V., Kryukov R.N., Nikolichev D.E. CoPt Ferromagnetic Injector in Light-Emitting Schottky Diodes Based on InGaAs/GaAs Nanostructures // Semiconductors. № 12. V. 49. 2015. P. 1601-1604.

Malysheva E.I., Dorokhin M.V., Vedy M.V., Kudrin A.V., Zdoroveishchev A.V. Circularly Polarized Electroluminescence of Light-Emitting InGaAs/GaAs (III/Mn)V Diodes on the Basis of Structures with a Tunnelling Barrier // Semiconductors. № 11. V. 49. 2015. P. 1497-1500.

2014

Труды (тезисы) конференции

Дорохин М.В., Павлов Д.А., Бобров А.И., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Малехонова Н.В., Малышева Е.И. Эпитаксиальное выращивание слоёв MnGa/GaAs для диодов со спиновой инжекцией // Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского. Том 1. 2014. С. 135-136.

Демидов Е.С., Данилов Ю.А., Лесников В.П., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Карзанов В.В., Бударин Л.И., Скопин Е.В. Магнито-транспортные и магниторезонаторные свойства металлических структур спинового клапана // Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, 11-14 марта 2014 г.. Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госун-та. Т.1. 728 с. 2014. С. 131-132.

Якубов Р.Р., Лесников В.П., Кудрин А.В., Данилов Ю.А. Сравнение методов измерения намагниченности полупроводниковых наноструктур // Двадцатая всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых ученых. Материалы конференции, г. Ижевск, 27 марта-3 апреля 2014 г.. Ижевск. 2014. С. 261-262.

Данилов Ю.А., Кудрин А.В., Лесников В.П., Петрякова Е.В., Питиримова Е.А. Исследование структуры и свойств слоев InFeAs, нанесенных лазерным распылением // Третья школа молодых ученых по физике наноструктурированных и кристаллических материалов. 15-17 мая 2014 г. Конспекты лекций и тезисы докладов.. Нижний Новгород: изд-во ННГУ, 2014. 2014. С. 148.

Danilov Yu.A., Drozdov Yu.N., Kudrin A.V., Lesnikov V.P., Pitirimova E.A., Vikhrova O.V., Yunin P.A., Zvonkov B.N. Ferromagnetism in InFeAs layers, formed by laser deposition // Moscow International Symposium on Magnetism, 29 June – 3 July 2014. Book of Abstracts.. MSU. 2014. P. 203.

Kalentyeva I.L., Vikhrova O.V., Dorokhin M.V., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Kudrin A.V. Light-emitting GaAsSb/GaAs structures with GaMnAs ferromagnetic injector // Moscow International Symposium on Magnetism, 29 June – 3 July 2014. Book of Abstracts. MSU. 2014. P. 233.

Dorokhin M.V., Pavlov D.A., Bobrov A.I., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V., Malekhonova N.V., Malysheva E.I. Epitaxy of MnGa ferromagnetic films on GaAs (100) for spintronic applications // Moscow International Symposium on Magnetism, 29 June – 3 July 2014. Book of Abstracts. MSU. 2014. P. 253.

Ganshina E.A., Golik L.L., Kovalev V.I., Kunkova Z.E., Markin Yu.V., Novikov A.I., Zykov G.S., Danilov Yu.A., Kudrin A.V., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N. Magneto-optical evidence for intrinsic ferromagnetism in (Ga,Mn)As layers grown by pulsed-laser deposition // Moscow International Symposium on Magnetism, 29 June – 3 July 2014. Book of Abstracts. MSU. 2014. P. 367.

Калентьева И.Л., Звонков Б.Н., Здоровейщев А.В., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Кудрин А.В. Исследование возможности создания на основе слоев оксида алюминия подзатворного диэлектрика для арсенид-галлиевых структур // Труды VII Всероссийской школы-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «Диагностика наноматериалов и наноструктур». 15-19 сентября 2014 г., Рязань. Рязань: изд-во РГРТУ. Т.3. 2014. С. 93-97.

Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Кудрин А.В., Лесников В.П., Boudinov H., Canesqui M.A., Cichelero R. Эффекты ионной имплантации в ферромагнитных полупроводниках типа А3МВ5, где М=Mn, Fe // V Всероссийская конференция и щкола молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Тезисы докладов. 27-31 октября 2014 года, Нижний Новгород. ННГУ. 2014. С. 43-44.

Данилов Ю.А., Дудин Ю.А., Кудрин А.В., Лесников В.П., Петрякова Е.В., Питиримова Е.А., Якубов Р.Р. Исследование свойств и структуры слоев InFeAs, полученных импульсным лазерным нанесением // XXXIII Научные чтения имени академика Н.В. Белова. Тезисы докладов конференции. Нижний Новгород: ННГУ им. Н.И. Лобачевского. 2014. С. 123-125.

Nikolichev D.E., Boryakov A.V., Kryukov R.N., Dorokhin M.V., Kudrin A.V. Chemical and phase composition of GaMnAs/GaAs/InGaAs spin light emitting diode // Abstracts. IV International Scientific Conference, STRANN, г. Санкт-Петербург, 22-25 апреля. Г. Санкт-Петербург. 2014. P. 97-99.

Публикации в научных журналах

Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Дроздов Ю.Н., Звонков Б.Н., Кудрин А.В., Юнин П.А. Влияние особенностей дизайна гетероструктур InGaAs/GaAs с магнитной примесью на их гальваномагнитные и излучательные свойства // Известия РАН. Серия физическая. № 1. Т. 78. 2014. С. 26-31.

Kudrin A.V., Shvetsov A.V., Danilov Yu.A., Timopheev A.A., Pavlov D.A., Bobrov A.I., Malekhonova N.V., Sobolev N.A. Anomalous Hall effect in two-phase semiconductor structures: The role of ferromagnetic inclusions // Phys. Rev. B. № 02. V. 90. 2014. P. 024415, 1-7.

Николичев Д.Е., Зубков С.Ю., Боряков А.В., Крюков Р.Н., Дорохин М.В., Кудрин А.В. Химический и фазовый состав спиновых светоизлучающих диодов GaMnAs/GaAs/InGaAs // Физика и техника полупроводников. № 6. Т. 48. 2014. С. 839-844.

Дорохин М.В., Павлов Д.А., Бобров А.И., Данилов Ю.А., Демина П.Б., Звонков Б.Н., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Малехонова Н.В., Малышева Е.И. Эпитаксиальное выращивание слоев MnGa/GaAs для диодов со спиновой инжекцией // Физика твердого тела. № 10. Т. 56. 2014. С. 2062-2065.

Dorokhin M.V., Pavlov D.A., Bobrov A.I., Danilov Yu.A., Demina P.B., Zvonkov B.N., Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V., Malekhonova N.V., Malysheva E.I. Epitaxial Growth of MnGa/GaAs Layers for Diodes with Spin Injection // Physics of the Solid State. № 10. V. 56. 2014. P. 2131-2134.

Nikolichev D.E., Boryakov A.V., Zubkov S.Yu., Kryukov R.N., Dorokhin M.V., Kudrin A.V. Chemical and Phase Composition of GaMnAs/GaAs/InGaAs Spin Light-Emitting Diodes // Semiconductors. № 6. V. 48. 2014. P. 815-820.

2013

Труды (тезисы) конференции

Дорохин М.В., Малышева Е.И., Данилов Ю.А., Кудрин А.В., Здоровейщев А.В., Рыков А.В., Звонков Б.Н. Температурная зависимость циркулярной поляризации люминесценции спиновых светоизлучающих диодов // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XVII международного симпозиума 11-15 марта 2013 г.. Нижний Новгород. Т.1. 2013. С. 116-117.

Данилов Ю.А., Демидов Е.С., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Карзанов В.В., Демидова Н.Е., Бударин Л.И., Скопин Е.В. Магниторезонансные и магнито-транспортные свойства металлических структур спинового клапана // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XVII международного симпозиума 11-15 марта 2013 г.. Нижний Новгород. Т.1. 2013. С. 112-113.

Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Дроздов Ю.Н., Звонков Б.Н., Кудрин А.В. Влияние особенностей дизайна гетеронаноструктур InGaAs/GaAs с магнитной примесью на их гальваномагнитные и излучательные свойства // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XVII международного симпозиума 11-15 марта 2013 г.. Нижний Новгород. Т.1. 2013. С. 122-123.

Швецов А.В., Кудрин А.В., Бобров А.И., Малехонова Н.В. Аномальный эффект Холла в двухфазных полупроводниковых структурах: определяющая роль ферромагнитых включений // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XVII международного симпозиума 11-15 марта 2013 г.. Нижний Новгород, Т.1, 2013, С. 132. 2013. С. 2.

Бобров А.И., Павлова Е.Д., Кудрин А.В., Малехонова Н.В. Исследование структуры ферромагнитного слоя GaMnSb // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XVII международного симпозиума 11-15 марта 2013 г. Нижний Новгород. Т.1, 2013, С. 490. 2013. С. 2.

Dorokhin M.V., Zvonkov B.N., Zdoroveishchev A.V., Danilov Yu.A., Malysheva E.I., Vikhrova O.V., Kudrin A.V. Combination of MOVPE and laser sputtering for epitaxial growth of GaAs-based ferromagnetic semiconductor heterostructures // 15th European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy (EWMOVPE XV), June 2-5, 2013, Aachen, Germany. Extended Abstracts. Julich: Forschungszentrum. 2013. P. 219-222.

Kudrin A.V., Dorokhin M.V., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Kalentyeva I.L. Peculiarities of manifestation of spin-dependent effects in the ferromagnetic quantum confined GaAs structures // Proceedings of International Conference. Nanomeeting-2013. Physics, Chemistry and Application of Nanostructures. Reviews and Short Notes. Minsk, Belarus, 28-31 May2013. World Scientific. 2013. P. 40-42.

Kudrin A.V., Shvetsov A.V., Danilov Yu.A., Bobrov A.I., Malekhonova N.V. Anomalous Hall effect in two-phase semiconductor structures: the crucial role of ferromagnetic inclusions // Abstracts Book Donostia International Conference on Nanoscaled Magnetism and Applications, Donostia-San Sebastian, 9 to 13 September, 2013. Donostia-San Sebastian. 2013. P. 322.

Дорохин М.В., Малышева Е.И., Данилов Ю.А., Вихрова О.В., Калентьева И.Л., Кудрин А.В., Здоровейщев А.В., Рыков А.В., Звонков Б.Н. Ферромагнитные свойства наноструктур на основе гетеросистемы InGaAs/GaAs-дельта Mn // Всероссийская конференция по физике полупроводников. Тезисы докладов. С. Петербург. 16-20 сентября 2013.. Изд-во ФТИ им. А.Ф. Иоффе. 2013. С. 312.

Kudrin A.V., Shvetsov A.V., Danilov Yu.A., Bobrov A.I., Malekhonova N.V. Anomalous Hall effect in two-phase semiconductor structures: the determinative role of ferromagnetic inclusions // Book of Abstracts V Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism": Nanomagnetism.. 15th-21st September 2013 Russky Island, Vladivostok, Russia. 2013. P. 281.

Кудрин А.В., Лесников В.П., Якубов Р.Р., Данилов Ю.А. Измерение намагниченности полупроводниковых ферромагнитных наноструктур // Труды всероссийской молодежной школы-семинара «Диагностика наноматериалов и наноструктур», 21-25 октября 2013 г.. Рязань. 2013. С. 54-57.

Публикации в научных журналах

Николичев Д.Е., Боряков А.В., Зубков С.Ю., Дорохин М.В., Кудрин А.В., Здоровейщев А.В., Суродин С.И., Дроздов М.Н Диагностика методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии состава наносистем спинтроники на основе полупроводников GaAs со спин-инжектирующим слоем GaAs // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. № 1. 2013. С. 48-52.

Комков О.С., Докичев Р.В., Кудрин А.В., Данилов Ю.А. Фотоотражение структур с дельта Mn-легированным слоем // Письма в журнал технической физики. № 22. Т. 39. 2013. С. 56-63.

Бобров А.И., Павлова Е.Д., Кудрин А.В., Малехонова Н.В. Исследования структуры ферромагнитного слоя GaMnSb // Физика и техника полупроводников. Т. 47. 2013. С. 1613-1616.

Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Дроздов Ю.Н., Звонков Б.Н., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Калентьева И.Л. Свойства гетероструктур MnSb/GaAs // Известия РАН. Сер. Физическая. № 1. Т. 77. 2013. С. 79-81.

Bobrov A.I., Pavlova E.D., Kudrin A.V., Malekhonova N.V. Structural studies of a ferromagnetic GaMnSb layer // Semiconductors. № 47. V. 12. 2013. P. 1587-1590.

Komkov O.S., Dokichev R.V., Kudrin A.V., Danilov Yu.A. Photoreflectance of GaAs structures with a Mn delta-doped layer // Technical Physics Letters. № 11. V. 39. 2013. P. 1008-1011.

Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Drozdov Yu.N., Zvonkov B.N., Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V., Kalentyeva I.L. Properties of MnSb/GaAs Heterostructures // Bulletin of Russian Academy of Sciences. Physics. № 1. V. 77. 2013. P. 69-71.

2012

Труды (тезисы) конференции

Dorokhin M.V., Danilov Yu.A., Kudrin A.V., Malysheva E.I., Prokofyeva M.M., Zvonkov B.N. Fabrication of InGaAs/GaAs light-emitting diodes with GaMnSb and GaMnAs ferromagnetic injector layer // II International Conference on Modern Problems in Physics of Surfaces and Nanostructures. Book of Abstracts. Yaroslavl, Russia, 2012. Yaroslavl Branch of the Institute of Physics and Technology, Russian Academy of Sciences, Yaroslavl, Russia, 160 p. 2012. P. 37-38.

Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Kudrin A.V., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N., Bobrov A.I., Dunaev V.S., Pavlova E.D., Pitirimova E.A., Plankina S.M., Yakubov R.R., Drozdov M.N., Drozdov Yu.N., Suchkov A.I. Structure, composition distribution and properties of the (Ga,Mn)Sb/GaAs and MnSb/GaAs heterosystems // II International Conference on Modern Problems in Physics of Surfaces and Nanostructures. Book of Abstracts. Yaroslavl, Russia, 2012. Yaroslavl Branch of the Institute of Physics and Technology, Russian Academy of Sciences, Yaroslavl, Russia, 160 p. 2012. P. 66-67.

Kudrin A.V., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Kalentyeva I.L., Zvonkov B.N. The carrier transport in the ferromagnetic quantum confined structures // II International Conference on Modern Problems in Physics of Surfaces and Nanostructures. Yaroslavl Branch of the Institute of Physics and Technology, Russian Academy of Sciences, Yaroslavl, Russia, 160 p. 2012. P. 116-117.

Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Дроздов Ю.Н., Звонков Б.Н., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Калентьева И.Л. Необычные свойства гетероструктур MnSb/GaAs // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XVI международного симпозиума. 12-16 марта 2012 г. Нижний Новгород. Т.1, 640 С. 2012. С. 111-112.

Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дроздов Ю.Н., Дроздов М.Н., Калентьева И.Л., Кудрин А.В. Получение и свойства гетеронаноструктур GaAsSb/GaAs, легированных магнитной примесью // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XVI международного симпозиума. 12-16 марта 2012 г. Нижний Новгород. Т.1. 2012. С. 259-260.

Kudrin A.V., Dorokhin M.V., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N. Magnetic field controlled LED with S-shaped current-voltage characteristics // 20th Int.Symp. “Nanostructures: Physics and Technology”, Nizhny Novgorod, Russia, June 24-30, 2012.. St. Petersburg Academic University, 2012. 2012. P. 82-83.

Dorokhin M.V., Danilov Yu.A., Kudrin A.V., Kalentyeva I.L., Prokofyeva M.M., Vikhrova O.V. Ferromagnetic effect of delta-Mn doping in GaAs/InGaAs heterostructures: galvanomagnetic and luminescence studies // 20th Int.Symp. “Nanostructures: Physics and Technology”, Nizhny Novgorod, Russia, June 24-30, 2012. St. Petersburg Academic University, 2012. 2012. P. 170-171.

Dorokhin M.V., Danilov Yu.A., Kudrin A.V., Prokofeva M.M., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N. Ferromagnetic effect of deltaMn doping in GaAs/InGaAs heterostructures // 31st International Conference on the Physics of Semiconductors. Zurich, Switzerland, July 29th to August 3rd, 2012. 2012. P. 228.

Публикации в научных журналах

Прокофьева М.М., Дорохин М.В., Данилов Ю.А., Малышева Е.И., Кудрин А.В., Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Звонков Б.Н. Формирование спиновых светоизлучающих диодов на основе гетероструктур InGaAs/GaAs, содержащих ферромагнитные включения // Известия РАН. Серия физическая. № 2. Т. 76. 2012. С. 255-258.

Dorokhin M.V., Danilov Yu.A., Kudrin A.V., Malysheva E.I., Prokofyeva M.M., Zvonkov B.N. Fabrication of InGaAs/GaAs Light-Emitting Diodes with GaMnSb Ferromagnetic Injector Layer // Solid State Phenomena. V. 190. 2012. P. 89-92.

Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Kudrin A.V., Vikhrova O.V., Plankina S.M., Dunaev V.S., Nezhdanov A.V., Drozdov Yu.N. Room-Temperature Ferromagnetism in (III,Mn)Sb Semiconductors // Solid State Phenomena. V. 190. 2012. P. 109-112.

Kudrin A.V. Ferromagnetic GaAs Structures with Single Mn Delta-Layer Fabricated Using Laser Deposition // Journal of nanoscience and nanotechnology. 2012. [принято к печати]

Danilov Yu.A., Vikhrova O.V., Kudrin A.V., Zvonkov B.N. Ferromagnetic GaAs Structures with Single Mn Delta-Layer Fabricated Using Laser Deposition // Journal of nanoscience and nanotechnology. № 6. V. 12. 2012. P. 5122-5124.

Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Кудрин А.В., Вихрова О.В., Планкина С.М., Дунаев В.С., Нежданов А.В., Дроздов Ю.Н., Сапожников М.В. Магнитный полупроводник (Ga,Mn)Sb как перспективный материал для приборов спинтроники // Известия РАН. Серия физическая. № 2. Т. 76. 2012. С. 199-201.

Danilov Yu.A., Drozdov M.N., Drozdov Yu.N., Kudrin A.V., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N., Kalentyeva I.L., Dunaev V.S. Manganese Distribution and Galvanomagnetic Properties of DeltaMn-Doped GaAs Structures // Journal of Spintronics and Magnetic Nanomaterials. № 1. V. 1. 2012. P. 82-84.

Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дроздов Ю.Н., Дроздов М.Н., Калентьева И.Л., Кудрин А.В. Получение и свойства гетероструктур GaAsSb/GaAs, легированных магнитной примесью // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 46. 2012. С. 1527-1531.

Дорохин М.В., Малышева Е.И., Здоровейщев А.В., Данилов Ю.А., Кудрин А.В. Светоизлучающие диоды с ферромагнитным инжектирующим слоем на основе гетероструктур GaMnSb/InGaAs/GaAs // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 46. 2012. С. 1554-1560.

Кудрин А.В., Дорохин М.В., Данилов Ю.А. Магнитоуправляемый светодиод с S-образной вольт-амперной характеристикой // Письма в журнал технической физики. № 22. Т. 38. 2012. С. 87-94.

Николичев Д.Е., Боряков А.В., Зубков С.Ю., Дорохин М.В., Кудрин А.В., Здоровейщев А.В., Суродин С.И., Дроздов М.Н. Диагностика методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии состава наносистем спинтроники на основе полупроводников GaAs со спин-инжектирующим слоем GaMnAs // Вестник ННГУ им. Н.И. Лобачевского. 2012. [принято к печати]

2011

Труды (тезисы) конференции

Дунаев В.С., Звонков Б.Н., Кудрин А.В., Дорохин М.В., Данилов Ю.А. Магниточувствительные эффекты переключения в диодных структурах с ферромагнитным слоем и квантовой ямой // Тринадцатая Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике. Тезисы докладов. 21-25 ноября 2011.. Санкт-Петербург: Изд-во Политехнического ун-та. 2011. С. 82.

Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Кудрин А.В., Вихрова О.В., Планкина С.М., Дунаев В.С., Нежданов А.В., Дроздов Ю.Н., Сапожников М.В. Магнитный полупроводник (Ga,Mn)Sb как перспективный материал для приборов спинтроники // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XV международного симпозиума. 14-18 марта 2011 г. Нижний Новгород. T.1. 670 C. 2011. С. 129-130.

Дунаев В.С., Данилов Ю.А., Кудрин А.В., Вихрова О.В., Звонков Б.Н., Дроздов М.Н., Дроздов Ю.Н. Определение элементного состава нанослоев ферромагнитных полупроводников (III,Mn)V // Вторая школа молодых ученых по физике наноструктурированных и кристаллических материалов. 19-21 мая 2011 г. Конспекты лекций и тезисы докладов. Нижний Новгород. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского. 2011. С. 94-95.

Суровегина Д.А., Данилов Ю.А., Кудрин А.В., Вихрова О.В. Исследование кристаллической структуры, магнитных, гальваномагнитных свойств слоев антимонидов галлия и индия, легированных марганцем // Вторая школа молодых ученых по физике наноструктурированных и кристаллических материалов. 19-21 мая 2011 г. Конспекты лекций и тезисы докладов. Нижний Новгород. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского. 2011. С. 123-124.

Звонков Б.Н., Данилов Ю.А., Кудрин А.В., Лесников В.П., Дудин Ю.А., Суровегина Д.А. Электрические и гальваномагнитные свойства слоев полупроводника GaSb, сильнолегированного марганцем // Высокочистые вещества и материалы. Получение, анализ и применение. XIV конференция и VI школа молодых ученых. Нижний Новгород, 30 мая – 2 июня 2011 года. Тезисы докладов. Нижний Новгород. 2011. С. 224-225.

Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Kudrin A.V., Vikhrova O.V., Plankina S.M., Dunaev V.S., Nezhdanov A.V., Drozdov Yu.N. Room-temperature ferromagnetism in (III,Mn)Sb semiconductors // Moscow International Symposium on Magnetism. August 21-25, 2011. Book of Abstracts. Moscow. 944 P. 2011. P. 688.

Danilov Yu.A., Drozdov M.N., Drozdov Yu.N., Dunaev V.S., Kudrin A.V., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N. Distribution of Mn and galvanomagnetic properties for deltaMn-doped GaAs structures // Moscow International Symposium on Magnetism. August 21-25, 2011. Book of Abstracts. Moscow. 944 P. 2011. P. 726.

Зубков В.И., Кудрин А.В., Кучерова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н. Взаимодействие квантовых ям InGaAs/GaAs с дельта-легированными слоями // X Российская конференция по физике полупроводников. Тезисы конференции. Нижний Новгород, 19 -23 сентября 2011. 296 С. 2011. С. 57.

Суровегина Д.А., Кудрин А.В., Звонков Б.Н., Данилов Ю.А. Исследование свойств нанослоев GaMnSb, полученных методом лазерного нанесения // Тринадцатая Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике. Тезисы докладов. 21-25 ноября 2011 года. Санкт-Петербург. Изд-во Политехнического ун-та. 2011. С. 21.

Байдусь Н.В., Бирюков А.А., Белевский П.А., Вайнберг В.В., Здоровейщев А.В., Иконников А.В., Кудрин А.В., Ластовкин А.В., Смотрин Д.С., Порошин В.Н. Использование короткопериодной сверхрешетки GaAs–AlGaAs для улучшения эффективности пространственного переноса электронов при латеральном сильнополевом транспорте // Труды XV международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Институт физики микроструктур РАН, Том 2, 655 с.. 2011. С. 374-375. [принято к печати]

Публикации в научных журналах

Кудрин А.В., Дорохин М.В., Данилов Ю.А., Малышева Е.И. Светодиоды на основе гетероструктур InGaAs/GaAs с магнитоуправляемой электролюминесценцией // Письма в журнал технической физики. № 24. Т. 37. 2011. С. 57-65.

Danilov Yu.A., Kudrin A.V., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N. Ferromagnetic Semiconductors and Half-Metal Compounds Obtained by Laser Deposition // Solid State Phenomena. V. 168-1. 2011. P. 245-248.

Samantilleke A.P., Rebouta L., Garim V., Rubio-Pena L., Lanseros-Mendez S., Alpuim P., Karvalho S., Kudrin A.V., Danilov Yu.A. Cohesive strength of nanocrystalline ZnO:Ga thin films deposited at room temperature // Nanoscale Research Letters. V. 6. 2011. P. 309, 1-5.

Alaferdov A.V., Danilov Yu.A., Kudrin A.V., Zvonkov B.N., Vikhrova O.V., Drozdov Yu.N., Nicolodi S. Structure, magnetic and electrical properties of InMnAs layers with MnAs inclusions // Smart Nanomaterials. № 1. V. 2. 2011. P. 19-27.

Патенты, авторские свидетельства

2018

Кудрин А.В., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Вихрова О.В., Калентьева И.Л. Способ определения знака циркулярной поляризации света и детектор для его осуществления (Патент).

©  Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского