Горшков Алексей Павлович

Место работы

Физический факультет

Кафедра физики полупроводников, электроники и наноэлектроники

доцент

Ученая степень
Кандидат физико-математических наук
Ученое звание
Доцент
Дата начала работы в Университете Лобачевского: 2003
Общий стаж работы 22 года, 4 мес.

Общие сведения

Преподавание

Научная Работа


Образование, учёные степени и учёные звания

Высшее образование
Бакалавр. Специальность: физика. Квалификация: бакалавр физики.

Высшее образование
Магистр. Специальность: физика. Квалификация: магистр физики.

Дополнительное образование, повышение квалификации, стажировки

28.08.2019 - 28.11.2019
Переподготовка: Современное состояние и актуальные проблемы исследований в области физико-математических наук, ННГУ, 250 час., документ № 522409110375, рег. № 33-650 от 28.11.2019

15.01.2018 - 01.02.2018
Повышение квалификации: Современные нанотехнологии: физические основы и подготовка кадров, Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им.Н.И.Лобачевского, 72 час., документ № 522405002106; рег. № 33-977 от 01.02.2018

17.01.2018 - 17.01.2018
Повышение квалификации: Оказание первой помощи, Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им.Н.И.Лобачевского, 8 час., документ № рег. № 898 от 17.01.2018

13.03.2017 - 13.03.2017
Повышение квалификации: Электронная информационно-образовательная среда вуза, ННГУ, 72 час., документ № 522404111544 рег номер 33-778 от 13.03.2017

08.10.2014 - 27.12.2014
Повышение квалификации: Английский язык для преподавателя исследовательского университета (уровня Elementary), ННГУ, 72 час., документ № 522401468710 рег номер 1402 от 27.12.2014

Список преподаваемых дисциплин

Физический факультет
Выпускная квалификационная работа. Предзащита
Инженерная и компьютерная графика
Моделирование и проектирование микро- и наносистем (в т.ч. САПР)
Нанофотоника
Наноэлектроника
Научно-исследовательская работа. Прием защиты отчетов НИР
Основы проектирования электронной компонентной базы
Практика (научно-исследовательская работа). Прием защиты отчетов по НИР
Практика по получению первичных профессиональных умений и навыков, в том числе в научно-исследовательской деятельности (учебная практика). Прием защиты отчетов по учебной практике.
Практика по получению первичных профессиональных умений и навыков. Прием защиты отчетов по практике
Практика по получению профессиональных умений и опыта профессиональной деятельности. Прием защиты отчетов по практике
Преддипломная практика. Прием защиты отчетов по практике
Схемотехника
Физика поверхности полупроводников и систем пониженной размерности
Физический практикум

Публикации

2019

Труды (тезисы) конференции

Горшков А.П., Волкова Н.С., Байдусь Н.В., Истомин Л.А., Абрамкин Д.С., Лебединский Н.В., Левичев С.Б. Исследование дефектообразования в структурах с квантовыми точками InAs/GaAs методами фотоэлектрической и фотолюминесцентной спектроскопии // Нанофизика и Наноэлектроника. Труды XXIII Международного симпозиума. XXIII международный симпозиум 11 – 14 марта 2019 г., Нижний Новгород. Изд-во Нижегородского госуниверситета. Том 2. 411 с.. 2019. С. 626-627.

Gorshkov A.P., Volkova N.S., Trufanov A.N., Levichev S.B., Istomin L.A. Influence of neutron irradiation on optoelectronic properties of structures with the InAs/GaAs quantum dots // 6th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures. April 22-25, 2019, Saint Petersburg, Russia. Published by St. Petersburg Academic University, Khlopina 8(3), 194021 St Petersburg, Russia Printed in Russian Federation, 597 p.. 2019. P. 455-456.

Публикации в научных журналах

Gorshkov A.P., Volkova N.S., Istomin L.A., Levichev S.B., Trufanov A.N. Influence of neutron irradiation on optoelectronic properties of structures with the InAs/GaAs quantum dots // Journal of Physics: Conference Series. № 1410. 2019. P. 012137.

2018

Труды (тезисы) конференции

Горшков А.П., Волкова Н.С., Павлов Д.А., Усов Ю.В., Истомин Л.А., Левичев С.Б. Связь электронных свойств квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией, с их структурой // Сборник тезисов XXII международного симпозиума "Нанофизика и Наноэлектроника". Типография ННГУ, Н. Новгород, 12-15 марта, Т. 2, 390 стр.. 2018. С. 574-575.

Роженцов И.А., Горшков О.Н., Шенина М.Е., Антонов И.Н., Филатов Д.О., Горшков А.П. Влияние наночастиц золота на резистивные переключения в мдп-структурах, сформированных методом магнетронного осаждения // Физические и физико-химические основы ионной имплантации: Тезисы докладов VII Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов (Нижний Новгород, 7–9 ноября 2018 г.). Н. Новгород, 2018.. 2018. С. 155-156.

Публикации в научных журналах

Ivanova M.M., Kachemtsev A.N., Mikhaylov A.N., Filatov D.O., Gorshkov A.P., Volkova N.S., Chalkov V.Yu., Shengurov V.G. Effect of Pulsed Gamma-Neutron Irradiation on the Photosensitivity of Si-Based Photodiodes with GeSi Nanoislands and Ge Epitaxial Layers // Semiconductors. № 6. V. 52. 2018. P. 797-801.

Gorshkov A.P., Volkova N.S., Pavlov D.A., Usov Yu.V., Istomin L.A., Levichev S.B. Relation between the Electronic Properties and Structure of InAs/GaAs Quantum Dots Grown by Vapor-Phase Epitaxy // Semiconductors. № 12. V. 52. 2018. P. 1525–1528.

Filatov D.O., Antonov I.N., Sinutkin D.Yu., Liskin D.A., Gorshkov A.P., Gorshkov O.N., Kotomina V.E., Shenina M.E., Tikhov S.V., Korotaeva I.S. Plasmon Resonance Induced Photoconductivity in the Yttria Stabilized Zirconia Films with Embedded Au Nanoclusters // Semiconductors. № 4. V. 52. 2018. P. 465–467.

2017

Труды (тезисы) конференции

Филатов Д.О., Лискин Л.А., Горшков О.Н., Горшков А.П., Антонов И.Н., Котомина В.Е., Тихов С.В., Коротаев И.С., Синуткин Д.Ю. Фотопроводимость пленок ZrO2(Y) c встроенными наночастицами Au, индуцированная плазменным резонансом. // Материалы ХХI Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника".. HHГУ, Нижний Новгород, т. 2. 2017. С. 738-739.

Горшков А.П., Волкова Н.С., Воронин П.Г., Здоровейщев А.В., Истомин Л.А., Павлов Д.А., Усов Ю.В., Левичев С.Б. Влияние состава покровного слоя на электронные характеристики квантовых точек InAs/GaAs // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XXI международного симпозиума. Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т. 2. 2017. С. 559-560.

Filatov D.O., Kazantseva I.A., Baidusy N.V., Gorshkov A.P., Mishkin V.P. Investigation of photoconductivity of individual InAs/GaAs(001) quantum dots by Scanning Near=field Optical Microscopy // Scanning Probe Microscopy 2017 (SPM-2017) IOP Conference Series: Materials Science and Engineering. Mater. Sci. Eng. 256 012005, 6 c.. 2017. P. 1-6.

Монографии

Filatov D.O., Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Matveev S.A., Guseinov D.V., Trushin V.N., Nezhdanov A.V., Gorshkov A.P., Volkova N.S., Kruglov A.V., Bobrov A.I., Pavlov D.A. Photodiodes based on Thick Ge/Si(001) Epilayers Grown by Hot Wire Chemical Vapor Deposition. New York: Horizons in World Physics. Volume 288. Ed. Albert Reimer. / New York: Nova Science, 2017. Chapter 9. P.171-200. ISBN: 978-1-63485-882-3(eBook). 2017.

Публикации в научных журналах

Филатов Д.О., Казанцева И.А., Шенгуров В.Г., Чалков В.Ю., Денисов С.А., Горшков А.П., Мишкин В.П. Исследование пространственного распределения фототока в плоскости Si-p−n-фотодиода с наноостровками GeSi методом сканирующей ближнепольной оптической микроскопии // Физика и техника полупроводников. № 4. Т. 51. 2017. С. 563-568.

Filatov D.O., Kazantseva I.A., Shengurov V.G., Chalkov V.Yu., Denisov S.A., Mishkin V.P., Gorshkov A.P. Investigation of Spatial Distribution of Photocurrent in the Plane of a Si p–n Photodiode with GeSi Nanoislands by Scanning Near-Field Optical Microscopy // Semiconductors. № 4. V. 51. 2017. P. 536-541.

Горшков А.П., Волкова Н.С., Воронин П.Г., Здоровейщев А.В., Истомин Л.А., Павлов Д.А., Усов Ю.В., Левичев С.Б. Влияние состава покровного слоя на электронные характеристики квантовых точек InAs/GaAs // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 51. 2017. С. 1447-1450.

Liskin D. A., Filatov D.O., Gorshkov O.N., Gorshkov A.P., Antonov I.N., Shenina M.E., Zubkov S.Yu., Sinutkin D.S. Plasmon resonance induced photoconductivity of ZrO2(Y) films with embedded Au nanoparticles // Journal of Physics: Conference Series. № 816. V. 1. 2017. P. 012010.

Gorshkov A.P., Volkova N.S., Istomin L.A., Levichev S.B. Temperature-dependent efficiency of the carrier emission from InAs/GaAs quantum dots // Materials Research Express. № 4. V. 4. 2017. P. 045002.

2016

Публикации в научных журналах

Gorshkov A.P., Volkova N.S., Zdoroveishchev A.V., Istomin L.A., Levichev S.B. Investigation of the energy spectra and the electron-hole alignment of the InAs/GaAs quantum dots with an ultrathin cap layer // Solid State Communications. № 240. 2016. P. 20-23.

Gorshkov A.P., Volkova N.S., Zdoroveishchev A.V., Istomin L.A., Levichev S.B. Diagnostic of the Bimodal Distribution of InAs/GaAs Quantum Dots by Means of a Simple Nondestructive Method Based on the Photoelectrical Spectroscopy // Nano. № 11. V. 10. 2016. P. 1650109.

2015

Публикации в научных журналах

Волкова Н.С., Тихов С.В., Горшков А.П., Байдусь Н.В., Хазанова С.В., Дегтярев В.Е., Филатов Д.О. Влияние пространственного расположения delta -слоя Si на оптоэлектронные свойства гетеронаноструктур с квантовой ямой InGaAs/GaAs // ФТП, 2015, том 49, выпуск 2 .С.145-148. № 2. Т. 49. 2015. С. 145-148.

Филатов Д.О., Горшков А.П., Волкова Н.С., Гусейнов Д.В., Алябина Н.А., Иванова М.М., Чалков В.Ю., Денисов С.А., Шенгуров В.Г. Фотодиоды на базе массивов самоформирующихся наноостровков GeSi/Si(001), выращенных методом комбинированной сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии Si и газофазной эпитаксии Ge // ФТП. № 3. Т. 49. 2015. С. 399-405.

Filatov D.O., Gorshkov A.P., Volkova N.S., Guseinov D.V., Alyabina N.A., Ivanova M.M., Chalkov V.Yu., Denisov S.A., Shengurov V.G. Photodiodes Based on Self-Assembled GeSi/Si(001) Nanoisland Arrays Grown by the Combined Sublimation Molecular-Beam Epitaxy of Silicon and Vapor-Phase Epitaxy of Germanium // Semiconductors. № 3. V. 49. 2015. P. 387-393.

Шенгуров В.Г., Чалков В.Ю., Денисов С.А., Алябина Н.А., Гусейнов Д.В., Трушин В.Н., Горшков А.П., Волкова Н.С., Иванова М.М., Круглов А.В., Филатов Д.О. Фотодетекторы на базе гетероструктур Ge/Si(001), выращенных методом горячей проволоки // Физика и техника полупроводников. № 10. Т. 49. 2015. С. 1411-1414.

Shengurov V.G., Chalkov V.Yu., Denisov S.A., Alyabina N.A., Guseinov D.V., Trushin V.N., Gorshkov A.P., Volkova N.S., Ivanova M.M., Kruglov A.V., Filatov D.O. Photodetectors on the Basis of Ge/Si(001) Heterostructures Grown by the HotWire CVD Technique // Semiconductors. № 10. V. 49. 2015. P. 1365-1368.

2014

Труды (тезисы) конференции

Тихов С.В., Волкова Н.С., Горшков А.П., Байдусь Н.В., Дегтярев В.Е. Влияние пространственного расположения дельта-слоя Si на оптоэлектронные свойства гетероструктур с квантовой ямой InGaAs/GaAs. // Труды ХY111 Международного симпозиума по Нанофизике и Наноэлектронике 10 -14 марта 2014.. Нижний Новгород, том 2, стр. 421-422.. 2014. С. 421-422.

Гусейнов Д.В., Горшков А.П., Денисов С.А., Иванова М.М., Волкова Н.С., Матвеев С.А., Чалков В.Ю., Алябина Н.А., Трушин В.Н., Бобров А.И., Павлов Д.А., Филатов Д.О., Шенгуров В.Г. Фотодетекторы на базе гетероэпитаксиальных слоёв Ge/Si(001), выращенных методом горячей проволоки // Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г. Издательство ННГУ им.Н.И.Лобачевского, Том 2, 353 с. 2014. С. 684-685.

Guseinov D.V., Denisov S.A., Shengurov V.G., Shengurov D.V., Alyabina N.A., Ivanova M.M., Stepikhova M.V., Gorshkov A.P., Volkova N.S., Mikhailov A.N., Filatov D.O., Chalkov V.Yu. Silicon-based nano-optoelectronic components for optical interconnections // E-MRS 2014 Fall Meeting, Symposium Q : Terahertz and infrared optoelectronics: from materials to devices, September 15-19, 2014, Warsaw, Poland. Warsaw University of Technology (Poland). 2014. P. Q7.

Публикации в научных журналах

Gorshkov A.P., Volkova N.S., Zdoroveishchev A.V., Vikhrova O.V., Istomin L.A., Utsyna E.V., Levichev S.B., Zvonkov B.N. Comparison of optoelectronic properties of InAs/GaAs quantum dots grown under different conditions by metalorganic vapor phase epitaxy // Journal of Luminescence. № 147. 2014. P. 59-62.

Филатов Д.О., Горшков А.П., Волкова Н.С., Гусейнов Д.В., Алябина Н.А., Иванова М.М., Чалков В.Ю., Денисов С.А., Шенгуров В.Г. Фотодиоды на базе массивов самоформирующихся наноостровков GeSi/Si(001), выращенных методом комбинированной сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии Si и газофазной эпитаксии Ge // Физика и техника полупроводников. Т. 49. 2014. [принято к печати]

Горшков А.П., Волкова Н.С., Филатов Д.О., Абрамкин Д.С. Эмиссия фотовозбужденных носителей из квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией // Письма в ЖЭТФ. № 3. Т. 100. 2014. С. 175-180.

2013

Публикации в научных журналах

Pavlova E.D., Bobrov A.I., Gorshkov A.P., Malekhonova N.V., Zvonkov B.N. Study of heterostructures with a combined In(Ga)As/GaAs quantum dot/quantum well layer and a Mn δ layer // Semiconductors. № 47. V. 12. 2013. P. 1591-1594.

Горшков А.П., Волкова Н.С., Вихрова О.В., Здоровейщев А.В., Истомин Л.А., Левичев С.Б. Влияние режима выращивания слоев квантовых точек InAs/GaAs в методе газофазной эпитаксии на их оптоэлектронные свойства // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. Серия физическая.. № 4. 2013. С. 33-37.

Горшков А.П., Волкова Н.С., Здоровейщев А.В., Вихрова О.В., Звонков Б.Н. Оптоэлектронные свойства гетеронаноструктур с комбинированными слоями квантовых ям и точек In(Ga)As/GaAs // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 47. 2013. С. 1609-1612.

Gorshkov A.P., Volkova N.S., Karpovich I.A., Zdoroveishchev A.V., Polova I.A. Photoelectric properties of bimodal arrays of InAs/GaAs quantum dots grown by means of gas phase epitaxy // Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. № 1. V. 77. 2013. P. 53-55.

Горшков А.П., Волкова Н.С., Карпович И.А., Здоровейщев А.В., Полова И.А. Фотоэлектрические свойства бимодальных массивов квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией // Известия РАН. Серия физическая. № 77. 2013. С. 61-63.

Volkova N.S., Gorshkov A.P., Zdoroveishchev A.V., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N. Optoelectronic properties of heteronanostructures with combined layers of In(Ga)As/GaAs quantum wells and dots // Semiconductors. № 12. V. 47. 2013. P. 1583-1586.

Сулейманов Е.В., Истомин Л.А., Корытцева А.К., Голубев А.В., Веридусова В.В., Горшков А.П., Ильюшенков В.А., Титаев Д.Н. Результаты мониторинга хранилища РАО Нижегородской области // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. № 2. 2013. С. 66-68.

2012

Публикации в научных журналах

Горшков А.П., Карпович И.А., Павлова Е.Д., Калентьева И.Л. Влияние дефектообразования при встраивании // Физика и техника полупроводников. № 2. Т. 46. 2012. С. 194-197.

Горшков А.П., Карпович И.А., Волкова Н.С. Влияние электрического поля, температуры, дефектообразования на процессы эмиссии неравновесных носителей из квантовых точек InAs/GaAs // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования.. № 6. 2012. С. 59-61.

Горшков А.П., Волкова Н.С., Карпович И.А. Влияние поверхностного дефектообразования на фотоэлектрические спектры квантово-размерных гетеронаноструктур In(Ga)As/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. Серия физическая.. № 2(1). 2012. С. 34-38.

Горшков А.П., Карпович И.А., Павлова Е.Д., Волкова Н.С. Влияние облучения ионами He+ на спектры фоточувствительности структур с квантовыми ямами и точками In(Ga)As/GaAs // ФТП. № 12. Т. 46. 2012. С. 1542–1545.

Горшков А.П., Волкова Н.С. Исследование эмиссии фотовозбужденных носителей из квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. Серия физическая.. № 4(1). 2012. С. 88-90.

2011

Публикации в научных журналах

Горшков А.П., Карпович И.А., Филатов Д.О., Павлова Е.Д., Дорохин М.В. Влияние дельта-слоя Mn на спектры фоточувствительности структур с квантовыми ямами InxGa1 – xAs/GaAs // Поверхность. Рентгеновские, синхронные и нейтронные исследования. Т. 6. 2011. С. 63-66.

Gorshkov A.P., Karpovich I.A., Filatov D.O., Pavlova E.D., Dorokhin M.V. The effect of the Mn delta layer on the photosensitivity spectra of structures with InxGa1 // Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. № 3. V. 5. 2011. P. 563-565.

Патенты, авторские свидетельства

2017

Горшков А.П., Волкова Н.С. Способ определения степени влияния дефектообразования на рекомбинационное время жизни носителей в полупроводниковых квантовых точках на основе гетероперехода первого рода (Патент).

Истомин Л.А., Тихов С.В., Горшков А.П., Волкова Н.С. Способ контроля наличия глубоких дефектов матрицы GaAs, связанных свстраиванием в нее слоя квантовых точек InAs (Патент).

Денисов С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г., Филатов Д.О., Гусейнов Д.В., Шенгуров Д.В., Горшков А.П., Волкова Н.С., Алябина Н.А. Применение вакуумного осаждения германия из газовой среды германа в качестве способа удаления диоксида кремния с рабочей поверхности кремниевой подложки и способ изготовления монокристаллической плёнки германия на кремниевой подложке, включающий указанное применение (Патент).

2016

Горшков А.П., Волкова Н.С., Филатов Д.О. Способ определения времени межуровневой релаксации электрона в полупроводниковых квантовых точках на основе гетероперехода первого рода (Патент).

©  Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского