Белов Алексей Иванович

Место работы

Научно-исследовательский физико-технический институт

Отдел твердотельной электроники и оптоэлектроники

Лаборатория физики и технологии тонких пленок

научный сотрудник

Ученая степень
Кандидат физико-математических наук
Ученое звание
нет
Дата начала работы в университете лобачевского: 2004
Общий стаж работы 14 лет, 10 мес.

Общие сведения

Научная Работа


Образование, учёные степени и учёные звания

Высшее образование
Магистр. Специальность: физика. Квалификация: магистр физики.

Дополнительное образование, повышение квалификации, стажировки

23.04.2018 - 11.05.2018
Повышение квалификации: Электронная информационно-образовательная среда вуза, ННГУ, 72 час., документ № удостоверение 522406998383, рег.№ 33-3147 от 11.05.2018

14.11.2017 - 14.11.2017
Повышение квалификации: специальная подготовка по кача\еству, АНО ЦРМ "СПК", документ № № 8376/СПК от 14.11.2017

Список преподаваемых дисциплин

Публикации

2018

Монографии

Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Okulich E.V., Okulich V.I., Shuisky R.A., Guseinov D.V., Gryaznov E.G., Gorshkov O.N. Ion implantation in the technology of metal-oxide memristive devices. New York:: Nova Science Publishers, Inc. - Ion Implantation: Synthesis, Applications and Technology / A.D. Pogrebnyak (Ed.), ISBN: 978-1-53613-962-4.. 2018.

Публикации в научных журналах

Koryazhkina M.N., Tikhov S.V., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Antonov I.N., Karzanov V.V., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I., Karakolis P., Dimitrakis P. Bipolar resistive switching in metal-insulator-semiconductor nanostructures based on silicon nitride and silicon oxide // Journal of Physics: Conference Series. V. 993. 2018. P. 012028.

Gerasimova S.A., Mikhailov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Guseinov D.V., Lebedeva A.V., Gorshkov O.N., Kazantsev V.B. Design of memristive interface between electronic neurons // AIP Conference Proceedings. № 1959. V. 1. 2018. P. 090005.

Antonov I.N., Belov A.I., Mikhaylov A.N., Morozov O.A., Ovchinnikov P.E. Formation of Weighting Coefficients in an Artificial Neural Network Based on the Memristive Effect in Metal–Oxide–Metal Nanostructures // Journal of Communications Technology and Electronics. № 8. V. 63. 2018. P. 950–957.

Nikolskaya A.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Sushkov A.A., Krivulin N.O., Mukhamatchin K.R., Elizarova A.A., Tetelbaum D.I., Pavlov D.A. Light-emitting 9R-Si phase formed by Kr+ ion implantation into SiO2/Si substrate // Applied Physics Letters. № 18. V. 113. 2018. P. 182103.

Rajamani S., Arora K., Konakov A.A., Belov A.I., Korolev D.S., Nikolskaya A.A., Mikhaylov A.N., Surodin S., Kryukov R.N., Nikolichev D.E., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I., Kumar Mukesh, Kumar Mahesh Deep UV Narrow-Band Photodetector Based on Ion Beam Synthesized Indium Oxide Quantum Dots in Al2O3 Matrix // Nanotechnology. V. 29. 2018. P. 305603.

Rajamani S., Arora K., Belov A.I., Korolev D.S., Nikolskaya A.A., Usov Yu.V., Pavlov D.A., Mikhaylov A.N., Tetelbaum D.I., Kumar Mukesh, Kumar Mahesh Enhanced Solar-blind Photodetection Performance of Encapsulated Ga2O3 Nanocrystals in Al2O3 Matrix // IEEE Sensors Journal. № 10. V. 18. 2018. P. 4046-4052.

Tikhov S.V., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Antonov I.N., Karzanov V.V., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I., Karakolis P., Dimitrakis P. Role of highly doped Si substrate in bipolar resistive switching of silicon nitride MIS-capacitors // Microelectronic Engineering. V. 187-1. 2018. P. 134-138.

Korolev D.S., Belov A.I., Okulich E.V., Okulich V.I., Antonov I.N., Gryaznov E.G., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N. Manipulation of resistive state of silicon oxide memristor by means of current limitation during electroforming // Superlattices and Microstructures. V. 122. 2018. P. 371-376.

Koryazhkina M.N., Tikhov S.V., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Antonov I.N., Karzanov V.V., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I., Karakolis P., Dimitrakis P. Bipolar resistive switching in metal-insulator-semiconductor nanostructures based on silicon nitride and oxide // Journal of Physics: Conference Series. V. 993. 2018. P. 012028.

Tereshchenko A.N., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Nikolskaya A.A., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I., Shteinman E.A. Effect of Boron Impurity on the Light-Emitting Properties of Dislocation Structures Formed in Silicon by Si+ Ion Implantation // Semiconductors. № 7. V. 52. 2018. P. 843-848.

Tikhov S.V., Gorshkov O.N., Antonov I.N., Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Morozov A.N., Karakolis P., Dimitrakis P. Behavioral Features of MIS Memristors with a Si3N4 Nanolayer Fabricated on a Conductive Si Substrate // Semiconductors. № 12. V. 52. 2018. P. 1540-1546.

Nikolskaya A.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I. Formation of hexagonal silicon regions in silicon // Journal of Physics: Conference Series. V. 1124. 2018. P. 022007.

Nikolskaya A.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Sushkov A.A., Krivulin N.O., Muhamatchin K.R., Elizarova A.A., Marychev M.O., Konakov A.A., Tetelbaum D.I., Pavlov D.A. Light-emitting 9R-Si phase formed by Kr+ ion implantation into SiO2/Si substrate // Applied Physics Letters. № 18. V. 113. 2018. P. 182103.

Korolev D.S., Belov A.I., Okulich E.V., Okulich V.I., Guseinov D.V., Sidorenko K.V., Shuisky R.A., Antonov I.N., Gryaznov E.G., Gorshkov O.N., Tetelybaum D.I., Mikhailov A.N. Manipulation of resistive state of silicon oxide memristor by means of current limitation during electroforming // Superlattices and Microstructures. V. 122. 2018. P. 371-376.

2017

Труды (тезисы) конференции

Королев Д.С., Никольская А.А., Белов А.И., Суродин С.И., Николичев Д.Е., Нежданов А.В., Маркелов А.С., Шушунов А.Н., Усов Ю.В., Павлов Д.А., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. Формирование нановключений нитрида галлия при имплантации ионов галлия и азота в кремний и кремний-совместимые диэлектрические пленки // Тезисы докладов, 11 Всероссийская конференция «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы. Москва, 1-3 февраля. 2017. С. 146-147.

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Никольская А.А., Терещенко А.Н., Штейнман Э.А., Тетельбаум Д.И. Влияние легирования бором на температурную зависимость дислокационной люминесценции в кремнии // Труды XXI Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Т.2. Нижний Новгород, 13-16 марта. 2017. С. 625-626.

Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Okulich E.V., Antonov I.N., Tetelbaum D.I. Influence of current limitation on the adaptive behavior of the memristive nanostructures // Book of abstracts, International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures. Saint Petersburg, April 3-6. 2017. P. 554-555.

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Никольская А.А., Терещенко А.Н., Штейнман Э.А., Тетельбаум Д.И. Дислокационная люминесценция в имплантированном ионами Si+ кремнии с разными типами проводимости и концентрациями легирующей примеси // Тезисы докладов, XLVII Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (ФВЗЧК-2017). Москва, 30 мая-1 июня. 2017. С. 124.

Окулич Е.В., Королев Д.С., Белов А.И., Окулич В.И., Шуйский Р.А., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. Влияние ионной имплантации на параметры мемристивных структур на основе оксида кремния // Тезисы докладов, XLVII Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (ФВЗЧК-2017). Москва, 30 мая-1 июня. 2017. С. 145.

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Никольская А.А., Нагорных С.Н., Терещенко А.Н., Штейнман Э.А., Тетельбаум Д.И. Механизм влияния температуры на дислокационную фотолюминесценцию ионно-имплантированного кремния // Труды, XXIII Международная конференция «Взаимодействие ионов с поверхностью» (ВИП 2017). Москва, 21-25 августа. 2017. С. 93-96.

Tetelbaum D.I., Korolev D.S., Nikolskaya A.A., Belov A.I., Mikhaylov A.N., Krivulin N.O., Pavlov D.A. Formation of nanocrystalline 9R silicon hexagonal phase under multi-ion implantation into Si and SiO2/Si substrates // Abstracts, Nineteenth Annual Conference YUCOMAT 2017. Herceg Novi, Montenegro, September 4-8. 2017. P. 95.

Никольская А.А., Тетельбаум Д.И., Королев Д.С., Белов А.И., Михайлов А.Н., Кривулин Н.О., Павлов Д.А. Синтез гексагональной модификации кремния с помощью ионной имплантации // Тезисы докладов, III Всероссийский научный форум «Наука будущего – наука молодых». Нижний Новгород, 12-14 сентября. 2017. С. 374-375.

Никольская А.А., Тетельбаум Д.И., Королев Д.С., Белов А.И., Михайлов А.Н., Кривулин Н.О., Павлов Д.А., Соболев Н.А., Kumar M. Ионно-лучевой синтез кремния с гексагональной структурой // Материалы докладов, 16-ая Международная научная конференция -школа «Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение». Саранск, 19-22 сентября. 2017. С. 24.

Королев Д.С., Никольская А.А., Михайлов А.Н., Белов А.И., Кривулин Н.О., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Формирование гексагональной фазы кремния при ионном облучении // Материалы докладов, 12-я Международная конференция «Взаимодействие излучений с твердым телом». Минск, Беларусь, 19-22 сентября. 2017. С. 150-151.

Королев Д.С., Окулич Е.В., Шуйский Р.А., Окулич В.И., Белов А.И., Антонов И.Н., Васильев В.К., Горшков О.Н., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н. Влияние ионно-лучевой обработки на параметры электроформовки и резистивного переключения мемристивных наноструктур // Материалы докладов, 12-я Международная конференция «Взаимодействие излучений с твердым телом». Минск, Беларусь, 19-22 сентября. 2017. С. 152-153.

Rajamani S., Korolev D.S., Belov A.I., Mikhaylov A.N., Tetelbaum D.I., Kumar M. Ultraviolet Photodetectors Based on Ion-Beam Synthesized GaN Nanocrystals // Book of abstracts,International Conference on Nano Structuring by Ion beam (ICNIB 2017). Indore, India, October 11-13. 2017. P. O-07.

Nikolskaya A.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Tetelbaum D.I. Influence of ambient and temperature of annealing on dislocation-related luminescence in silicon // Book of abstracts, III Международная конференция «Актуальные проблемы физики поверхности и наноструктур». Ярославль, 9-11 октября. 2017. P. 46.

Публикации в научных журналах

Guseinov D.V., Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Shenina M.E., Korolev D.S., Antonov I.N., Kasatkin A.P., Gorshkov O.N., Okulich E.V., Okulich V.I., Bobrov A.I., Malekhonova N.V., Pavlov D.A., Gryaznov E.G. Filamentary model of bipolar resistive switching in capacitor-like memristive nanostructures on the basis of yttria-stabilised zirconia // International Journal of Nanotechnology. № 7/8. V. 14. 2017. P. 604-617.

Королев Д.С., Никольская А.А., Кривулин Н.О., Белов А.И., Михайлов А.Н., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И., Соболев Н.А., Kumar M. Формирование гексагональной фазы кремния 9R при ионной имплантации // Письма в Журнал технической физики. № 16. Т. 43. 2017. С. 87-92.

Korolev D.S., Nikolskaya A.A., Krivulin N.O., Belov A.I., Mikhaylov A.N., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I., Sobolev N.A., Kumar M. Formation of Hexagonal 9R Silicon Polytype by Ion Implantation // Technical Physics Letters. № 8. V. 43. 2017. P. 767-769.

Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Konakov A.A., Vasiliev V.K., Nikolichev D.E., Surodin S.I., Tetelbaum D.I. Composition and luminescence of Si and SiO2 layers co-implanted with Ga and N ions // International Journal of Nanotechnology. № 7-8. V. 14. 2017. P. 637-645.

Герасимова С.А., Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Горшков О.Н., Казанцев В.Б. Имитация синаптической связи нейроноподобных генераторов с помощью мемристивного устройства // Журнал технической физики. № 87. Т. 8. 2017. С. 1248-1254.

2016

Труды (тезисы) конференции

Gorshkov O.N., Mikhailov A.N., Belov A.I., Koryazhkina M.N., Malekhonova N.V., Antonov I.N., Shenina M.E. Resistive Switching in the Au/Zr/ZrO2–Y2O3/TiN Nanostacks // “Saint Petersburg OPEN 2016” 3rd International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures. St Petersburg, Russia, March 28 – 30, 2016. BOOK of ABSTRACTS. Academic University Publishing St. Petersburg, 2016, 600 p.. 2016. P. 332-333.

Mikhaylov A.N., Gorshkov O.N., Kasatkin A.P., Tikhov S.V., Belov A.I., Shenina M.E., Koryazhkina M.N., Guseinov D.V., Okulich V.I., Korolev D.S., Antonov I.N., Antonov D.A., Bobrov A.I., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I., Gryaznov E.G., Yatmanov A.P. Bipolar resistive switching in capacitor-like structures based on ionic and covalent oxide dielectrics // Abstracts 20th International Symposium On Non-Oxide and New Optical Glasses. Nizhny Novgorod, Russia, August 21-26, 2016. 2016. P. 103-104.

Королев Д.С., Белов А.И., Окулич Е.В., Никольская А.А., Суродин С.И., Николичев Д.Е., Нежданов А.В., Усов Ю.В., Павлов Д.А., Маркелов А.С., Трушин В.Н., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И., Kumar M. Королев Д.С., Белов А.И., Окулич Е.В., Никольская А.А., Суродин С.И., Николичев Д.Е., Нежданов А.В., Усов Ю.В., Павлов Д.А., Маркелов А.С., Трушин В.Н., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И., Kumar M. Формирование нанокластеров в кремнии и оксидных пленках на кремнии, имплантированных Ga и N // Физические и физико-химические основы ионной имплантации: Тез. докл. VI Всерос. конф. и шк. молодых ученых и специалистов, Нижний Новгород, 24–27 окт. 2016 г. Н. Новгород. : Изд-во Нижегорд. госун-та. 2016. 141 с. 2016. С. 62-63.

Публикации в научных журналах

Тихов С.В., Горшков О.Н., Антонов И.Н., Касаткин А.П., Королев Д.С., Белов А.И., Тетельбаум Д.И. Изменение иммитанса при электроформовке и резистивном переключении в мемристивных структурах металл-диэлектрик –металл на основе SiOx // Жтф. Т. 5. 2016. С. 107-114.

Konakov A.A., Filatov D.O., Korolev D.S., Belov A.I., Mikhaylov A.N., Tetelbaum D.I., Kumar M. Electronic states in spherical GaN nanocrystals embedded in various dielectric matrices: The k⋅p-calculations // AIP Advances. V. 6. 2016. P. 015007.

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Васильев В.К., Гусейнов Д.В., Окулич Е.В., Шемухин А.А., Суродин С.И., Николичев Д.Е., Нежданов А.В., Пирогов А.В., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Послойный состав и структура кремния, подвергнутого совместной ионной имплантации галлия и азота для ионного синтеза GaN // Физика и техника полупроводников. № 2. Т. 50. 2016. С. 274-278.

Белов А.И., Михайлов А.Н., Королев Д.С., Сергеев В.А., Антонов И.Н., Горшков О.Н., Тетельбаум Д.И. Резистивное переключение в мемристивных структурах Au/SiOx/TiN/Ti с различными геометрическими параметрами и стехиометрией диэлектрической пленки // Письма в журнал технической физики. № 10. Т. 42. 2016. С. 17-24.

Belov A.I., Mikhaylov A.N., Korolev D.S., Guseinov D.V., Gryaznov E.G., Okulich E.V., Sergeev V.A., Antonov I.N., Kasatkin A.P., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I., Kozlovski V.V. Medium-energy ion-beam simulation of the effect of ionizing radiation and displacement damage on SiO2-based memristive nanostructures // Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B. V. 379. 2016. P. 13-17.

Тихов С.В., Горшков О.Н., Антонов И.Н., Касаткин А.П., Королев Д.С., Белов А.И., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. Изменение иммитанса при электроформовке и резистивном переключении в мемристивных структурах «металл-диэлектрик-металл» на основе SiOx // Журнал технической физики. № 5. Т. 86. 2016. С. 107-111.

Rajamani S., Korolev D.S., Belov A.I., Surodin S.I., Nikolitchev D.E., Okulich E.V., Mikhaylov A.N., Tetelbaum D.I., Kumar M. Effect of annealing on carrier transport properties of GaN-incorporated silicon // RSC Advances. V. 6. 2016. P. 74691.

Surodin S.I., Nikolitchev D.E., Kryukov R.N., Belov A.I., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Tetelbaum D.I. Distribution of species and Ga–N bonds in silicon co-implanted with gallium and nitrogen ions // AIP Conference Proceedings. V. 1748. 2016. P. 050005.

Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Sergeev V.A., Antonov I.N., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I. Adaptive behaviour of silicon oxide memristive nanostructures // Journal of Physics: Conference Series. V. 741. 2016. P. 012161.

Gorshkov O.N., Mikhaylov A.N., Kasatkin A.P., Tikhov S.V., Filatov D.O., Pavlov D.A., Belov A.I., Koryazhkina M.N., Bobrov A.I., Malekhonova N.V., Gryaznov E.G., Antonov I.N., Shenina M.E. Resistive switching in the Au/Zr/ZrO2–Y2O3/TiN/Ti memristive devices deposited by magnetron sputtering // Journal of Physics: Conference Series. № 1. V. 741. 2016. P. 012174.

Mikhaylov A.N., Gryaznov D.V., Belov A.I., Korolev D.S., Sharapov A.N., Guseinov D.V., Tetelbaum D.I., Malekhonova N.V., Bobrov A.I., Pavlov D.A., Tikhov S.V., Gerasimova S.A., Kazantsev V.B., Agudov N.V., Dubkov A.A., C. M. M. Rosário, N. A. Sobolev, B. Spagnolo Field- and irradiation-induced phenomena in memristive nanomaterials // Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics. № 10-12. V. 13. 2016. P. 870-881.

Korolev D.S., Mikhailov A.N., Belov A.I., Vasilyev V.K., Guseinov D.V., Okulich E.V., Shemmukhin A.A., Surodin S.I., Nikolichev D.E., Nezhdanov A.V., Pirogov A.V., Pavlov D.A., Tetelybaum D.I. Layer-by-Layer Composition and Structure of Silicon Subjected to Combined Gallium and Nitrogen Ion Implantation for the Ion Synthesis of Gallium Nitride // Semiconductors. № 2. V. 50. 2016. P. 271-275.

2015

Труды (тезисы) конференции

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Смирнов А.Е., Тетельбаум Д.И. Исследование влияния отжига в окислительной атмосфере на дислокационную люминесценцию в кремнии, имплантированном Si+ // XIX Международный Симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника». Труды. Нижний Новгород, 10–14 марта, 2015. 2 стр. 2015. С. 539-540.

Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Смирнов А.Е., Васильев В.К., Гусейнов Д.В., Николичев Д.Е., Крюков Р.Н., Трушин В.Н., Маркелов А.С., Нежданов А.В. Ионно-лучевой синтез GaN в кремнии // XIX Международный Симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника». Труды. Нижний Новгород, 10–14 марта, 2015. 2 стр. 2015. С. 663-664.

Суродин С.И., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Николичев Д.Е., Крюков Р.Н., Королев Д.С., Белов А.И. Исследование химического состава кремния, имплантированного ионами галлия и азота // XX Нижегородская сессия молодых ученых. Естественные, математические науки. Княгинино : НГИЭУ. – 2015. – 218 с.. 2015. С. 60-63.

Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Sergeev V.A., Efimovykh D.V., Antonov I.N., Okulich E.V., Gorshkov O.N., Kasatkin A.P., Tetelbaum D.I. Influence of ion irradiation on the resistive switching parameters of SiOx-based thin-film structures // 2nd International school and conference “Saint Petersburg OPEN 2015”. Book of abstracts. St. Petersburg, Russia, April 6-8, 2015. 2015. P. 271-272.

Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Sergeev V.A., Vasilyev V.K., Smirnov A.E., Nikolichev D.E., Kryukov R.N., Guseinov D.V., Markelov A.S., Trushin V.N., Tetelbaum D.I. Ion synthesis of GaN nanocrystals in silicon // 2nd International school and conference “Saint Petersburg OPEN 2015”. Book of abstracts, St. Petersburg, Russia, April 6-8, 2015. 2015. P. 237-238.

Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Antonov I.N., Gorshkov O.N., Kasatkin A.P., Tetelbaum D.I. Effect of ion irradiation on resistive switching in silicon-oxide-based MIM structures // Proceedings of the International conference “Nanomeeting-2015”. Belarus, Minsk, 26-29 May, 2015. 2015. P. 88-90.

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Сергеев В.А., Антонов И.Н., Горшков О.Н., Касаткин А.П., Тетельбаум Д.И. Влияние ионного облучения на параметры резистивного переключения в МДМ-структурах на основе оксида кремния // XXII Международная конференция «Взаимодействие ионов с поверхностью (ВИП 2015)». Труды. Москва, 20-24 августа, 2015. – Т.3. 2015. С. 101-104.

Публикации в научных журналах

Mikhaylov A.N., Belov A.I., Guseinov D.V., Korolev D.S., Antonov I.N., Efimovykh D.V., Tikhov S.V., Kasatkin A.P., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I., Gryaznov E.G., Yatmanov A.P. Bipolar resistive switching and charge transport in silicon oxide memristor // Materials Science and Engineering B. V. 195. 2015. P. 48-54.

Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Shushunov A.N., Bobrov A.I., Pavlov D.A., Shek E.I., Sobolev N.A. Localization of dislocation-related luminescence centers in self-ion implanted silicon and effect of additional boron ion doping // Physica Status Solidi C. № 1-2. V. 12. 2015. P. 84-88.

Mikhaylov A.N., Belov A.I., Guseinov D.V., Korolev D.S., Antonov I.N., Efimovykh D.V., Tikhov S.V., Kasatkin A.P., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I., Bobrov A.I., Malekhonova N.V., Pavlov D.A., Gryaznov E.G., Yatmanov A.P. Bipolar resistive switching and charge transport in silicon oxide memristor // Materials Science and Engineering B. № 4. V. 194. 2015. P. 48-54.

Белов А.И., Михайлов А.Н., Королев Д.С., Сергеев В.А., Окулич Е.В., Антонов И.Н., Касаткин А.П., Грязнов Е.Г., Ятманов А.П., Горшков О.Н., Тетельбаум Д.И. Влияние облучения ионами H+ и Ne+ на резистивное переключение в мемристивных структурах «металл-диэлектрик-металл» на основе SiOx // Письма в журнал технической физики. № 19. Т. 41. 2015. С. 81-89.

Nagornykh S.N., Pavlenkov V.I., Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Shushunov A.N., Bobrov A.I., Pavlov D.A., Shek E.I. Distribution of D1 Dislocation Luminescence Centers in Si+-Implanted Silicon and the Photoluminescence Model // Modern Electronic Materials. № 2. V. 1. 2015. P. 33-37.

Sergeev V.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Vasilyev V.K., Smirnov A.E., Nikolichev D.E., Surodin S.I., Guseinov D.V., Nezhdanov A.V., Markelov A.S., Trushin V.N., Pirogov A.V., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I. Ion-beam synthesis of GaN in silicon // Journal of Physics: Conference Series. № 643. V. 1. 2015. P. 012082.

Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Sergeev V.A., Antonov I.N., Kasatkin A.P., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I. Influence of ion irradiation on the resistive switching parameters of SiOx-based thin-film structures // Journal of Physics: Conference Series. V. 643. 2015. P. 012094.

Нагорных С.Н., Павленков В.И., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Шушунов А.Н., Бобров А.И., Павлов Д.А. Распределение центров дислокационной люминесценции D1 в кремнии, подвергнутом имплантации ионов Si+, и модель фотолюминесценции // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2015. [принято к печати]

2014

Труды (тезисы) конференции

Горшков О.Н., Антонов И.Н., Белов А.И., Касаткин А.П., Коряжкина М.Н., Михайлов А.Н., Тихов С.В. Свойства структур Au/Zr/GeOx/ZrO2(Y)/TiN, проявляющих эффекты резистивного переключения и памяти // Труды ХVIII Международного симпозиума "Нанофизика и Наноэлектроника" (Н. Новгород, 10 -14 марта 2014). Н. Новгород, изд. ННГУ, Т. 2, 353 с.. 2014. С. 434-435.

Тихов С.В., Михайлов А.Н., Белов А.И., Гусейнов Д.В., Королев Д.С., Антонов И.Н., Касаткин А.П., Горшков О.Н., Тетельбаум Д.И. Электрофизические свойства структур металл-диэлектрик-полупроводник на основе оксида кремния, проявляющий эффект резистивного переключения // Труды ХY111 Международного симпозиума по Нанофизике и Наноэлектронике 10 -14 марта 2014. Нижний Новгород, том 2, 557-558. 2014. С. 557-558.

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Смирнов А.Е., Шушунов А.Н., Шек Е.И., Тетельбаум Д.И. Влияние дозы ионного легирования бором и условий отжига на дислокационную фотолюминесценцию в кремнии // Труды XVIII Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Н. Новгород, 10–14 марта, 2014. – С.638-639. 2014. С. 638-639.

Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Shushunov A.N., Bobrov A.I., Pavlov D.A. Effect of boron ion doping on dislocation-related luminescence in silicon // Abstracts of E-MRS 2014 Spring Meeting. Lille, France, 26-30 May, 2014.. 2014. P. 1-35.

Спирин Д.Е., Терехов В.А., Минаков Д.Н., Степанова Н.А., Агапов Б.Л., Солдатенко С.А., Тетельбаум Д.И., Белов А.И., Михайлов А.Н., Ершов А.В. Возможность формирования нанокристаллов кремния и карбида кремния в матрице SiOx после ионной имплантации углерода и импульсно-фотонного отжига // Аморфные и микрокристаллические полупроводники: сборник трудов IX Международной конференции. 7–10 июля 2014 года. - Санкт-Петербург. СПб.: Издательство Политехнического университета, 431 с. 2014. С. 118–119.

Спирин Д.Е., Терехов В.А., Минаков Д.Н., Степанова Н.А., Агапов Б.Л., Солдатенко С.А., Тетельбаум Д.И., Белов А.И., Михайлов А.Н., Ершов А.В., Дудин Ю.А. Влияние имплантации углерода на формирование нанокристаллов кремния и карбида кремния в пленках SiOx // Физические и физико-химические основы ионной имплантации: тезисы докладов V Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов (Нижний Новгород, 27–31 октября 2014 г.). Нижний Новгород: ННГУ. 142 с. 2014. С. 40-41.

Нагорных С.Н., Павленков В.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Бобров А.И., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И., Шек Е.И. Распределение структурных нарушений и центров дислокационной фотолюминесценции в кремнии, подвергнутом имплантации ионов Si+ // Кремний – 2014 /Тезисы докладов X Конференции по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе (Иркутск, 7–12 июля 2014 г.). Иркутск: Изд-во Института географии им. В.Б. Сочавы СО РАН, 229 с. 2014. С. 156.

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Антонов И.Н., Ефимовых Д.В., Тихов С.В., Горшков О.Н., Тетельбаум Д.И. Резистивное переключение в структурах «металл-диэлектрик-металл» на основе оксида кремния // Материалы ІV Международной научной конференции "Наноструктурные материалы-2014: Беларусь-Россия-Украина". Минск, 7-10 октября,. 2014. С. 355.

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Шушунов А.Н., Смирнов А.Е., Тетельбаум Д.И., Шек Е.И., Соболев Н.А. Эволюция дислокационной люминесценции в кремнии при дополнительном ионном легировании и отжиге в различных атмосферах // Тезисы докладов V-ой Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов «Физические и физико–химические основы ионной имплантации». Нижний Новгород, Россия, 27- 31 октября 2014. : ННГУ им. Н.И.Лобачевского. 2014. С. 61.

Королев Д.С., Смирнов А.Е., Михайлов А.Н., Белов А.И., Шушунов А.Н., Тетельбаум Д.И. Дислокационная фотолюминесценция в кремнии: влияние дозы ионного легирования бором и атмосферы отжига // Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение: сборник трудов 13-й Международной научной конференции-школы. Саранск, 7–10 октября 2014 г.. 2014. С. 43.

Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Ефимовых Д.В., Антонов И.Н., Тихов С.В., Касаткин А.П., Горшков О.Н., Тетельбаум Д.И., Грязнов Е.Г. Влияние ионного облучения на параметры резистивного переключения в структурах «металл – оксид кремния – металл» // V Всероссийская конференция и школа молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Тезисы докладов. Нижний Новгород, 27-31 октября, 2014.. 2014. С. 36.

Тетельбаум Д.И., Гусейнов Д.В., Васильев В.К., Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Оболенский С.В., Качемцев А.Н. Ионно-лучевая имитация радиационных повреждений в гетероструктурах при облучении быстрыми нейтронами // V Всероссийская конференция и школа молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Тезисы докладов. Нижний Новгород, 27-31 октября, 2014.. 2014. С. 81.

Нагорных С.Н., Павленков В.И., Белов А.И., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И., Бобров А.И., Павлов Д.А. Теоретическое исследование пространственного распределения центров дислокационной люминесценции с учетом кинетики их формирования и влияния упругих напряжений в атмосферах дислокаций // V Всероссийская конференция и школа молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Тезисы докладов. Нижний Новгород, 27-31 октября, 2014. 2014. С. 60.

Публикации в научных журналах

Obolenskii S.V., Tetelybaum D.I., Guseinov D.V., Vasilyev V.K., Mikhailov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Kachemtsev A.N. Ion-beam simulation of radiation damage produced by fast neutrons in heterophase structures // Nuclear Instruments and methods. V. B236. 2014. P. 41-44.

Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Тимофеева А.О., Васильев В.К., Шушунов А.Н., Бобров А.И., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И., Шек Е.И. Влияние ионного легирования на фотолюминесценцию в кремнии, связанную с дислокациями, сформированными путем имплантации ионов Si+ // Физика и техника полупроводников. № 2. Т. 48. 2014. С. 212-216.

Mikhailov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Timofeeva A.O., Vasilyev V.K., Shushunov A.N., Bobrov A.I., Pavlov D.A., Tetelybaum D.I., Shek E.I. Effect of Ion Doping on the Dislocation Related Photoluminescence in Si+ Implanted Silicon // Semiconductors. № 2. V. 48. 2014. P. 199-203.

Демидов Е.С., Карзанова М.В., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И., Белов А.И., Королев Д.С., Павлов Д.А., Бобров А.И., Горшков О.Н., Демидова Н.Е., Чигиринский Ю.И. Влияние ионного облучения на структуру и люминесцентные свойства пористого кремния, пропитанного вольфрам-теллуритным стеклом с примесями Er и Yb // Физика твердого тела. № 3. Т. 56. 2014. С. 607-610.

Demidov E.S., Karzanova M.V., Mikhailov A.N., Tetelybaum D.I., Belov A.I., Korolev D.S., Pavlov D.A., Bobrov A.I., Gorshkov O.N., Demidova N.E., Chigirinskii Yu.I. Effect of Ion Irradiation on the Structure and Luminescence Characteristics of Porous Silicon Im-pregnated with Tungsten–Telluride Glass Doped by Er and Yb Impurities // Physics of the Solid State. № 3. V. 56. 2014. P. 631-634.

Terekhov V., Tetelbaum D., Spirin D., Pankov K., Mikhailov A.N., Belov A.I., Ershov A.V., Turishchev S. X-ray absorption near edge structure anomalous behavior in structures with buried layers containing silicon nanocrystals // Journal of Synchrotron Radiation. № 1. V. 21. 2014. P. 209-214.

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Костюк А.Б., Карзанова М.В., Ершов А.В., Демидов Е.С., Тетельбаум Д.И. Закономерности влияния ионного облучения на фотолюминесценцию нанокристаллов кремния в матрице SiO2 // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. № 1 (2). 2014. С. 71-75.

Gorshkov O.N., Antonov I.N., Belov A.I., Kasatkin A.P., Mikhailov A.N. Resistive Switching in Metal–Insulator–Metal Structures Based on Germanium Oxide and Stabilized Zirconia. // Technical Physics Letters. № 2. V. 40. 2014. P. 101-103.

Горшков О.Н., Антонов И.Н., Белов А.И., Касаткин А.П., Михайлов А.Н. Резистивное переключение в структурах”металл−диэлектрик−металл“ на основе оксида германия и стабилизированного диоксида циркония. // Письма в журнал технической физики. № 3. Т. 40. 2014. С. 12-19.

Nagornykh S.N., Pavlenkov V.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Burdov V.A., Krasilnikova L.V., Kryzhkov D.I., Tetelbaum D.I. On the temperature dependence of photoluminescence of silicon quantum dots // Russian Microelectronics. № 8. V. 43. 2014. P. 575-580.

Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Shushunov A.N., Bobrov A.I., Pavlov D.A., Shek E.I., Sobolev N.A. Localization of dislocation-related luminescence centers in self-ion im-planted silicon and effect of additional boron ion doping // Phys. Stat. Sol. (c). № 11-12. V. 11. 2014. P. 1-5.

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Костюк А.Б., Карзанова М.В., Ершов А.В., Демидов Е.С., Тетельбаум Д.И. Закономерности влияния ионного облучения на фотолюминесценцию нанокристаллов кремния в матрице SiO2 // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. № 1 (2). 2014. С. 74–79.

2013

Сборники статей

Shelepin N., Matyushkin I., Orlov S., Ermakov A., Svechkarev K., Bobovnikov P., Mikhaylov A., Belov A.I. The ways of silicon carbide usage in field-emission devices: the technological aspect // 2013 IEEE 33rd International Scientific Conference Electronics and Nanotechnology, ELNANO 2013 – Conference Proceedings. IEEE: ISBN: 978-1-4673-4669-6. DOI: 10.1109/ELNANO.2013.6552068. 2013. P. 177-180.

Труды (тезисы) конференции

Горшков О.Н., Антонов И.Н., Белов А.И., Касаткин А.П., Шарапов А.Н. Резистивное переключение в МДМ-структурах на основе наноразмерных плёнок диоксида циркония и стабилизированного диоксида циркония // Труды научно-технической конференции "Пассивные электронные компоненты - 2013". Н. Новгород "КБ "ИКАР", 322. 2013. С. 309-313.

Горшков О.Н., Антонов И.Н., Белов А.И., Касаткин А.П., Тихов С.В., Шенина М.Е., Коряжкина М.Н. Влияние диффузии ионов кислорода в наноразмерных плёнках стабилизированного диоксида циркония на резистивное переключение МДМ – структур на основе этих плёнок // Пассивные электронные компоненты - 2013: труды научно-технической конференции. Н.Новгород: КБ «ИКАР», 2013. – 322С.. 2013. С. 303-308.

Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Тимофеева А.О., Васильев В.К., Тетельбаум Д.И., Сахаров В.И., Серенков И.Т., Шек Е.И., Соболев Н.А. Влияние ионной имплантации примесей на дислокационную фотолюминесценцию в кремнии // Труды XVII Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Н. Новгород, 11–15 марта. 2013. С. 608-609.

Королев Д.С., Костюк А.Б., Белов А.И., Михайлов А.Н., Дудин Ю.А., Тетельбаум Д.И. Влияние ионного облучения на эффект сенсибилизации излучения эрбиевых центров нанокластерами кремния // Труды XVII Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Н. Новгород, 11–15 марта. 2013. С. 606-607.

Демидов Е.С., Карзанова М.В., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И., Белов А.И., Королев Д.С., Павлов Д.А., Бобров А.И. Влияние облучения ионами Ar+, Ne+ и P+ пористого кремния, пропитанного вольфрам-теллуритным стеклом с примесями Er и Yb, на его люминесцентные свойства // Труды XVII Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». 11–15 марта 2013, Нижний Новгород: Изд-во ННГУ,- Т.2. 2013. С. 427-428.

Горшков О.Н., Касаткин А.П., Антонов Д.А., Антонов И.Н., Белов А.И. Резистивное переключение в МДМ-структурах на основе плёнок GeO2 и ZrO2 // Труды XVII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника» (11-15 марта 2013 г.). Институт физики микроструктур РАН, Т. 2. 2 С.. 2013. С. 412-413.

Tetelbaum D.I., Guseinov D.V., Vasiliev V.K., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Shengurov V.G., Denisov S.A. Ion-beam simulation of radiation damage produced by fast neutrons in heterophase structures // Book of abstracts of the 17th International Conference on Radiation Effects in Insulators (REI-2013). Helsinki, Finland, June 30- July 5, 2013. 2013. P. 68.

Mikhaylov A.N., Guseinov D.V., Belov A.I., Kostyuk A.B., Karzanova M.V., Korolev D.S., Timofeeva A.O., Bobrov A.I., Chugrov I.A., Ershov A.V., Kasatkin A.P., Gorshkov O.N., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I., Demidov E.S. Ion-beam engineering of silicon-based nanomaterials // Труды XXI Международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью (ВИП 2013)». Ярославль, 22-26 августа, 2013, Т.2. 2013. P. 31-36.

Костюк А.Б., Королев Д.С., Белов А.И., Гусейнов Д.В., Бобров А.И., Павлов Д.А., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И., Степанов А.Л. Влияние ионного облучения на структуру и оптические свойства нанокластеров Au в диэлектрических матрице // Труды XXI Международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью (ВИП-2013)». Ярославль, 22-26 августа. 2013. С. 300-303.

Белов А.И., Королев Д.С., Костюк А.Б., Чугров И.А., Грачев Д.А., Михайлов А.Н., Ершов А.В., Демидов Е.С., Тетельбаум Д.И. Электронный транспорт и электролюминесценция в диэлектрических слоях с нанокластерами кремния, сформированных с применением ионной имплантации // Труды XXI Международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью (ВИП-2013)». Ярославль, 22-26 августа, 2013. – Т. 2. 2013. С. 286-289.

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Костюк А.Б., Карзанова М.В., Бобров А.И., Ершов А.В., Павлов Д.А., Демидов Е.С., Тетельбаум Д.И. Закономерности ионно-лучевой обработки наноматериалов на основе кремния // Форум молодых учёных: Тезисы докладов. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, T. 1.. 2013. С. 166-168.

Костюк А.Б., Королев Д.С., Белов А.И., Гусейнов Д.В., Бобров А.И., Павлов Д.А., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. Влияние ионного облучения и последующего отжига на оптические и структурные свойства массива нанокристаллов Au в SiO2 // Форум молодых учёных: Тезисы докладов. Изд-во ННГУ им. Н. И. Лобачевского, T. 1.. 2013. С. 170-172.

Королев Д.С., Белов А.И., Михайлов А.Н., Бобров А.И., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Влияние ионного легирования на дислокационную фотолюминесценцию в кремнии // «Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение»: сборник трудов 12-й Международной конференции-школы. Саранск, 1-4 октября 2013 г.. 2013. С. 28.

Нагорных С.Н., Павленков В.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Тетельбаум Д.И. О температурной зависимости дислокационной фотолюминесценции в кремнии // Тезисы докладов XI Российской конференции по физике полупроводников «Полупроводники-2013». Санкт-Петербург, 16-20 сентября, 2013. 2013. С. 364.

Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Ershov A.V., Bobrov A.I., Pavlov D.A. Ion Beam Modification of Silicon-Based Nanomaterials Demonstrating Dislocation-Related Luminescence or Resistive Switching Phenomenon // Abstracts of 11th European Conference on Accelerators in Applied Research and Technology (ECAART-11). Namur, BELGIUM, September 8-13, 2013. 2013. P. 128.

Публикации в научных журналах

Королев Д.С., Костюк А.Б., Белов А.И., Михайлов А.Н., Дудин Ю.А., Бобров А.И., Малехонова Н.В., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Влияние режимов ионного синтеза и ионного легирования на эффект сенсибилизации излучения эрбиевых центров нанокластерами кремния в пленках диоксида кремния // Физика твердого тела. № 11. Т. 55. 2013. С. 2243-2249.

Терехов В.А., Тетельбаум Д.И., Турищев С.Ю., Спирин Д.Н., Панков К.Н., Нестеров Д.Н., Михайлов А.Н., Белов А.И., Ершов А.В. Влияние имплантации углерода на фазовый состав пленок SiO2:nc-Si/Si по данным ближней тонкой структуры рентгеновского поглощения // Конденсированные среды и межфазные границы. № 1. Т. 15. 2013. С. 48-53.

Бобовников П.Г., Ермаков А.С., Матюшкин И.В., Орлов С.Н., Свечкарев К.П., Шелепин Н.А., Михайлов А.Н., Белов А.И. Автоэмиссия из наноструктур на основе карбида кремния и влияние на неё образующихся субоксидных SiOx-покрытий. I. Конструктивно-технологические особенности SiC-микрокатодов. Обзор // Известия высших учебных заведений. Электроника. № 4. 2013. С. 3-12.

Демидов Е.С., Карзанова М.В., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И., Белов А.И., Королев Д.С., Павлов Д.А., Бобров А.И., Горшков О.Н., Демидова Н.Е., Чигиринский Ю.И. Влияние ионного облучения на структуру и люминесцентные свойства пористого кремния, пропитанного вольфрам-теллуритным стеклом с примесями Er и Yb // Физика твердого тела. № 3. Т. 56. 2013. С. 607-610.

Горшков О.Н., Антонов И.Н., Белов А.И., Касаткин А.П., Тихов С.В., Шенина М.Е., Коряжкина М.Н. Изучение диффузии ионов кислорода в МДМ-структурах на основе стабилизированного диоксида циркония, проявляющих резистивное переключение // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. № 5. Т. 1. 2013. С. 51-54.

Нагорных С.Н., Павленков В.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Бурдов В.А., Красильникова Л.В., Крыжков Д.И., Тетельбаум Д.И. О температурной зависимости фотолюминесценции квантовых точек кремния // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. № 2. 2013. С. 68-73.

Tetelbaum D.I., Guseinov D.V., Mikhaylov A.N., Vasiliev V.K., Belov A.I., Korolev D.S., Obolensky S.V., Kachemtsev A.N. Ion-beam simulation of radiation damage produced by fast neutrons in heterophase structures // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. 2013. [принято к печати]

Спирин Д.Е., Терехов В.А., Анисимов А.В., Нестеров Д.Н., Агапов Б.А., Степанова Н.А., Занин И.Е., Сербин О.В., Солдатенко С.А., Тетельбаум Д.И., Белов А.И., Михайлов А.Н. Влияние импульсного фотонного отжига на фазовый состав и электронное строение пленок SiOx, имплантированных углеродом // Вестник Воронежского государственного университета. Серия: Физика. Математика. № 2. 2013. С. 83-90.

Боряков А.В., Николичев Д.Е., Суродин С.И., Чугров И.А., Семерухин М.А., Белов А.И., Михайлов А.Н., Ершов А.В., Теруков Е.И., Тетельбаум Д.И. Диагностика химического и фазового состава тонкопленочных структур с нанокристаллами кремния в матрице ZrO2 методами электронной спектроскопии // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. № 2 (2). 2013. С. 52-57.

Korolev D.S., Kostyuk A.B., Belov A.I., Mikhaylov A.N., Dudin Yu.A., Bobrov A.I., Malekhonova N.V., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I. Influence of the Ion Synthesis and Ion Doping Regimes on the Effect of Sensitization of Erbium Emission by Silicon Nanoclusters in Silicon Dioxide Films // Physics of the Solid State. № 11. V. 55. 2013. P. 2361-2367.

Бобовников П.Г., Ермаков А.С., Матюшкин И.В., Орлов С.Н., Свечкарев К.П., Шелепин Н.А., Михайлов А.Н., Белов А.И. Автоэмиссия из наноструктур на основе карбида кремния и влияние на неё образующихся субоксидных SiOx-покрытий. II. Эмиссионные свойства SiC-нанопротрузий // Известия высших учебных заведений. Электроника. № 5. 2013. С. 3-13.

Terekhov V., Tetelbaum D.I., Spirin D., Pankov K., Mikhailov A.N., Belov A.I., Ershov A.V., Turishchev S. X-ray absorption near edge structure anomalous behavior in structures with buried layers containing silicon nanocrystals // Journal of Synchrotron Radiation. 2013. [принято к печати]

2012

Труды (тезисы) конференции

Демидов Е.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Карзанова М.В., Карзанов В.В., Рассолова И.С., Горшков О.Н., Чигиринский Ю.И., Тетельбаум Д.И. Влияние облучения ионами инертных и электрически активных элементов на люминесцентные свойства пористого кремния, пропитанного вольфрам-теллуритным стеклом с примесями Er и Yb // Труды ХVI международного симпозиума “ Нанофизика и наноэлектроника”, Н. Новгород, 12–16 марта, 2012. T.2, 2 стр. 2012. С. 225-226.

Чугров И.А., Нагорных С.Н., Павленков В.И., Ершов А.В., Михайлов А.Н., Белов А.И., Крыжков Д.И., Красильникова Л.В., Тетельбаум Д.И. Температурная зависимость фотолюминесценции нанопериодических структур с упорядоченными массивами нанокристаллов кремния в оксидной матрице // Труды ХVI международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», Н. Новгород, 12–16 марта, 2012. Т.1. 2 стр. 2012. С. 426-427.

Тетельбаум Д.И., Костюк А.Б., Федонин М.П., Гусейнов Д.В., Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Павлов Д.А., Бобров А.И., Трушин В.Н., Маркелов А.С. Структурные аспекты ионно-лучевой модификации ансамбля наночастиц золота в оксидных матрицах // Труды XVI Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». 12–16 марта 2012, Нижний Новгород: Изд-во ННГУ, Т. 2. 2012. С. 402-403.

Николичев Д.Е., Боряков А.В., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Костюк А.Б., Дудин Ю.А., Павлов Д.А., Бобров А.И. Особенности формирования нанокластеров золота в матрице SiO2 // Тезисы докладов XXIV Российской конференции по электронной микроскопии. Черноголовка, 29 мая – 1 июня, 2012. 2012. С. 42-43.

Tetelbaum D., Mikhaylov A., Timofeeva A., Belov A., Korolev D., Zhavoronkov I., Barsukov A., Sakharov V., Serenkov I., Shek E., Sobolev N. Ion modification of silicon-based nanostructures with light-emitting erbium and dislocation-related centers // Book of abstracts of E-MRS 2012 Fall Meeting. Poland, Warsaw. September 17-21, 2012. 2012. P. 27.

Королев Д.С., Костюк А.Б., Белов А.И., Чугров И.А., Ершов А.В., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. Особенности радиационного повреждения нанокристаллов кремния в оксидных матрицах при имплантации ионов металлов // Тезисы докладов 11-й Всероссийской (с международным участием) конференции c элементами научной школы для молодежи «Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение» (ВНКШ-2012). Саранск, 2-5 октября, 2012. 2012. С. 106.

Тимофеева А.О., Белов А.И., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. Эволюция дефектов в кремнии, ионно-индуцированных при наличии электрического поля // Тезисы докладов 11-й Всероссийской (с международным участием) конференции c элементами научной школы для молодежи «Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение» (ВНКШ-2012). Саранск, 2-5 октября, 2012. 2012. С. 113.

Тимофеева А.О., Белов А.И., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. Влияние встроенного электрического поля при ионном облучении кремния на систему вторичных радиационных дефектов // Тезисы докладов IV Всероссийской конференции «Физические и физико–химические основы ионной имплантации» (с участием иностранных учёных) и Международной молодежной конференции «Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах». Новосибирск, 23-26 октября, 2012. 2012. С. 41.

Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Гусейнов Д.В., Белов А.И., Костюк А.Б., Королев Д.С., Федонин М.П., Павлов Д.А., Бобров А.И., Трушин В.Н., Маркелов А.С. Особенности ионно-лучевого воздействия на структуру слоев оксидов кремния и алюминия, содержащих нанокластеры Au // Тезисы докладов IV Всероссийской конференции «Физические и физико–химические основы ионной имплантации» (с участием иностранных учёных) и Международной молодежной конференции «Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах». Новосибирск, 23-26 октября, 2012. 2012. С. 39.

Нагорных С.Н., Павленков В.И., Чугров И.А., Ершов А.В., Михайлов А.Н., Белов А.И., Тетельбаум Д.И., Крыжков Д.И., Красильникова Л.В. О влиянии размеров нанокристаллов кремния на температурную зависимость спектра фотолюминесценции // Тезисы докладов IV Всероссийской конференции «Физические и физико–химические основы ионной имплантации» (с участием иностранных учёных) и Международной молодежной конференции «Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах». Новосибирск, 23-26 октября, 2012.. 2012. С. 40.

Михайлов А.Н., Белов А.И., Тимофеева А.О., Васильев В.К., Жаворонков И.Ю., Барсуков А.В., Королев Д.С., Тетельбаум Д.И., Сахаров В.И., Серенков И.Т., Шек Е.И., Соболев Н.А. Ионно-лучевая модификация наноструктур на основе кремния, излучающих свет на длине волны 1,54 мкм // Тезисы докладов IV Всероссийской конференции «Физические и физико–химические основы ионной имплантации» (с участием иностранных учёных) и Международной молодежной конференции «Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах». Новосибирск, 23-26 октября, 2012. 2012. С. 94.

Михайлов А.Н., Королев Д.С., Костюк А.Б., Белов А.И., Тетельбаум Д.И., Грачев Д.А., Чугров И.А., Ершов А.В. Влияние облучения ионами Au, Er и Zr на оптические свойства оксидных структур с нанокристаллами Si // Тезисы докладов IV Всероссийской конференции «Физические и физико–химические основы ионной имплантации» (с участием иностранных учёных) и Международной молодежной конференции «Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах». Новосибирск, 23-26 октября, 2012. 2012. С. 42.

Монографии

Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I. Peculiarities of ion-beam synthesis of carbon-based phases. In: Diamond-Like Carbon Films / Yuto S. Tanaka (Ed.). New York:: Nova Science Publishers, Inc., P.39-62. 2012.

Публикации в научных журналах

Михайлов А.Н., Белов А.И., Костюк А.Б., Жаворонков И.Ю., Королев Д.С., Нежданов А.В., Ершов А.В., Гусейнов Д.В., Грачева Т.А., Малыгин Н.Д., Демидов Е.С., Тетельбаум Д.И. Особенности формирования и свойства светоизлучающих структур на основе ионно-синтезированных нанокристаллов кремния в матрицах SiO2 и Al2O3 // Физика твердого тела. № 2. Т. 54. 2012. С. 347-359.

Михайлов А.Н., Костюк А.Б., Королев Д.С., Жаворонков И.Ю., Чугров И.А., Белов А.И., Бурдов В.А., Ершов А.В., Тетельбаум Д.И. Формирование методом ионной имплантации наночастиц золота в однослойных и многослойных массивах светоизлучающих нанокристаллов кремния // Известия РАН. Серия физическая. № 2. Т. 76. 2012. С. 244-248.

Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Гусейнов Д.В., Белов А.И., Костюк А.Б., Королев Д.С., Федонин М.П., Павлов Д.А., Бобров А.И., Николичев Д.Е., Боряков А.В. Влияние ионного облучения на морфологию, структуру и оптические свойства наночастиц золота, синтезированных в диэлектрических матрицах SiO2 и Al2O3 // Поверхность. Рентгеновские, синхронные и нейтронные исследования. № 8. 2012. С. 58-64.

Нагорных С.Н., Павленков В.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Бурдов В.А., Красильникова Л.В., Крыжков Д.И., Тетельбаум Д.И. О температурной зависимости фотолюминесценции квантовых точек кремния // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. № 2. 2012. С. 68-73.

Нагорных С.Н., Павленков В.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Красильникова Л.В., Крыжков Д.И., Тетельбаум Д.И. Модель фотолюминесценции ионно-синтезированных массивов нанокристаллов кремния в матрице диоксида кремния // Журнал технической физики. № 12. Т. 82. 2012. С. 63-66.

Николичев Д.Е., Тетельбаум Д.И., Ершов А.В., Михайлов А.Н., Боряков А.В., Белов А.И. Химический и фазовый состав пленок оксида кремния с нанокластерами, полученными путем ионной имплантации углерода // Физика твердого тела. № 2. Т. 52. 2012. С. 370-377.

Нагорных С.Н., Чугров И.А., Павленков В.И., Ершов А.В., Михайлов А.Н., Белов А.И., Крыжков Д.И., Красильникова Л.В. Температурная зависимость фотолюминисценции нанопериодических структур с упорядоченными массивами нанокристаллов кремния в оксидной матрице // Труды XVI международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 12-16 марта 2012 г.. № 1. Т. 1. 2012. С. 3-21.

Mikhaylov A.N., Belov A.I., Kostyuk A.B., Zhavoronkov I.Yu., Korolev D.S., Nezhdanov A.V., Ershov A.V., Guseinov D.V., Gracheva T.A., Malygin N.D., Demidov E.S., Tetelbaum D.I. Peculiarities of the Formation and Properties of Light-Emitting Structures Based on Ion-Synthesized Silicon Nanocrystals in SiO2 and Al2O3 Matrices // Physics of the Solid State. № 2. V. 54. 2012. P. 368-382.

Boryakov A.V., Nikolitchev D.E., Tetelbaum D.I., Belov A.I., Ershov A.V., Mikhaylov A.N. Chemical and Phase Compositions of Silicon Oxide Films with Nanocrystals Prepared by Carbon Ion Implantation // Physics of the Solid State. № 2. V. 54. 2012. P. 347-359.

Zatsepin A.F., Buntov E.A., Kortov V.S., Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I. Mechanism of quantum dots luminescence excitation within implanted SiO2:Si:C films // J. Phys.: Condens. Matter. V. 24. 2012. P. 045301.

Mikhaylov A.N., Kostyuk A.B., Korolev D.S., Zhavoronkov I.Yu., Chugrov I.A., Belov A.I., Burdov V.A., Ershov A.V., Tetelbaum D.I. Formation of Gold Nanoparticles in Single-Layer and Multi-Layer Ensembles of Light-Emitting Silicon Nanocrystals Using Ion Implantation // Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. № 2. V. 76. 2012. P. 214-217.

Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Guseinov D.V., Belov A.I., Kostyuk A.B., Korolev D.S., Fedonin M.P., Pavlov D.A., Bobrov A.I., Nikolitchev D.E., Boryakov A.V. Influence of Ion Irradiation on the Morphology, Structure, and Optical Properties of Gold Nanoparticles Synthesized in SiO2 and Al2O3 Dielectric Matrices // Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. № 4. V. 6. 2012. P. 681-687.

Терехов В.А., Тетельбаум Д.И., Занин И.Е., Панков К.Н., Спирин Д.Е., Николичев Д.Е., Белов А.И., Зубков С.Ю. Дифракционные исследования формирования нанокристаллов кремния в структурах SiOx/Si с ионной имплантацией углерода // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2012. [принято к печати]

2011

Труды (тезисы) конференции

Демидов Е.С., Михайлов А.Н., Карзанова М.В., Белов А.И., Карзанов В.В., Демидова Н.Е., Рассолова И.С., Горшков О.Н., Тетельбаум Д.И., Чигиринский Ю.И., Европейцев Е. А. Свойства пористого кремния с примесями редкоземельных элементов на имплантированном ионами фосфора кремнии // Труды XV Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», Н. Новгород, 14–18 марта, 2011. Т.2. 2011. С. 405-406.

Костюк А.Б., Федонин М.П., Белов А.И., Шенина М.Е., Касаткин А.П., Дудин Ю.А., Гусейнов Д.В., Михайлов А.Н., Рассолова И.С., Карзанов В.В., Демидов Е.С., Тетельбаум Д.И. Влияние ионного облучения на свойства нанокластеров золота и кремния в диэлектрических матрицах // Труды XV Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», Н. Новгород, 14–18 марта, 2011. Т.1. 2011. С. 188-189.

Михайлов А.Н., Костюк А.Б., Королев Д.С., Жаворонков И.Ю., Чугров И.А., Белов А.И., Шенина М.Е., Касаткин А.П., Бурдов В.А., Ершов А.В., Дудин Ю.А., Тетельбаум Д.И. Формирование методом ионной имплантации наночастиц золота в однослойных и многослойных массивах светоизлучающих нанокристаллов кремния // Труды XV Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», Н. Новгород, 14–18 марта, 2011. Т.2. 2011. С. 438-439.

Нагорных С.Н., Павленков В.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Красильникова Л.В., Бурдов В.А., Тетельбаум Д.И. Модель температурной зависимости фотолюминесценции нанокристаллов кремния в матрице диоксида кремния // Труды XV Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», Н. Новгород, 14–18 марта, 2011. Т.2. 2011. С. 510-511.

Михайлов А.Н., Костюк А.Б., Королев Д.С., Жаворонков И.Ю., Чугров И.А., Белов А.И., Ершов А.В., Тетельбаум Д.И. Ионное внедрение золота в однослойные и многослойные оксидные структуры с нанокристаллами кремния // Труды XXI Международной конференции «Радиационная физика твердого тела», Севастополь, 22–27 августа, 2011. М.: ФГБНУ «НИИ ПМТ», Т.1. 2011. С. 230-237.

Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Костюк А.Б., Белов А.И., Гусейнов Д.В., Лаптев Д.А., Королев Д.С., Федонин М.П., Ершов А.В., Чугров И.А. Особенности радиационного повреждения нанокристаллических материалов при ионном облучении // Труды XX Международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью ВИП-2011», Звенигород, 25–29 августа, 2011. Т.2. 2011. С. 41-44.

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Костюк А.Б., Жаворонков И.Ю., Чугров И.А., Ершов А.В., Белов А.И., Тетельбаум Д.И. Влияние ионной имплантации золота на люминесцентные свойства однослойных и многослойных массивов нанокристаллов кремния // Сборник тезисов, материалы Семнадцатой Всероссийской научной конференции студентов физиков и молодых ученых (ВНКСФ-17), Екатеринбург, 25 марта – 1 апреля, 2011. 3 стр. 2011. С. 189-191.

Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Guseinov D.V., Belov A.I., Kostyuk A.B., Fedonin M.P., Korolev D.S., Shenina M.E., Kasatkin A.P., Gorshkov O.N. Modification of Au nanoclusters embedded into oxide matrices by ion irradiation: computer simulation and experiment // Abstracts of 20th International Conference on Ion Beam Analysis (IBA 2011), Itapema, Brazil, 10-15 April, 2011. 1 p. 2011. P. 34.

Nagornykh S.N., Pavlenkov V.I., Tetelybaum D.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Burdov V.A., Krasilynikova L.V. Temperature dependence of photoluminescence of Si nanocrystals in silicon dioxide matrix // Abstracts of E-MRS Spring 2011 & Bilateral Energy Conference, Nice, France, 10-12 May, 2011. 1 p. 2011. P. -42.

Tetelbaum D., Mikhaylov A., Belov A., Kostyuk A., Zhavoronkov I., Korolev D., Ershov A. Luminescent Properties of Si Nanocrystals Embedded Into Alumina Films and Sapphire: the Role of Silicon Oxide Shells // Abstracts of International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT 2011), Suntec, Singapore, 26 June – 1 July, 2011. 1 p. 2011. P. 2374.

Нагорных С.Н., Павленков В.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Красильникова Л.В., Бурдов В.А., Тетельбаум Д.И. О температурной зависимости фотолюминесценции системы квантовых точек кремния в матрице SiO2 // Тезисы докладов VIII Международной конференции и VII Школы ученых и молодых специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, наноразмерных структур и приборов на его основе («Кремний 2011»), Москва, 5-8 июля, 2011. 1 стр. 2011. С. 172.

Терехов В.А., Панков К.Н., Занин И.Е., Домашевская Э.П., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Зубков С.Ю. Влияние ориентации подложки и имплантации углерода на рост нанокристаллов Si в пленках SiOx на подложке кремния (111) и (100) // Тезисы докладов VIII Международной конференции и VII Школы ученых и молодых специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, наноразмерных структур и приборов на его основе («Кремний 2011»), Москва, 5-8 июля, 2011. 1 стр. 2011. С. 189.

Тетельбаум Д.И., Костюк А.Б., Федонин М.П., Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Трушин В.Н., Маркелов А.С. Эволюция структуры тонких слоев SiO2 с нанокристаллами золота при облучении ионами Ne+, F+ и Si+ // ХХХ Научные чтения имени академика Н.В. Белова. Тезисы докладов конференции, Нижний Новгород, 20-21 декабря, 2011. 2 стр. 2011. С. 129-130.

Королев Д.С., Костюк А.Б., Белов А.И., Чугров И.А., Ершов А.В., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. Оптические и светоизлучающие свойства смешанных массивов нанокластеров золота и кремния, полученных с применением ионной имплантации // Сборник трудов 10-й Всероссийской конференции с элементами научной школы для молодежи «Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение», Саранск, 4 – 7 октября, 2011. 1 стр. 2011. С. 108.

Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Kostyuk A.B., Korolev D.S., Zhavoronkov I.Yu., Chugrov I.A., Belov A.I., Ershov A.V., Gorshkov O.N., Nagornykh S.N. Ion-beam formation of gold nanoclusters in single- and multi-layer ensembles of light-emitting silicon quantum dots // Abstracts of E-MRS Spring 2011 & Bilateral Energy Conference, Nice, France, 10-12 May, 2011. 1 p. 2011. P. 2-47.

Публикации в научных журналах

Демидов Е.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Карзанова М.В., Демидова Н.Е., Чигиринский Ю.И., Шушунов А.Н., Тетельбаум Д.И., Горшков О.Н., Европейцев Е.А. Фотолюминесценция пористого кремния, пропитанного вольфрам-теллуритным стеклом с примесями редкоземельных металлов // Физика твердого тела. № 12. Т. 53. 2011. С. 2294-2298.

Demidov E.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Karzanova M.V., Demidova N.E., Chigirinskii Yu.I., Shushunov A.N., Tetelbaum D.I., Gorshkov O.N., Evropeitsev E.A. Photoluminescence of Porous Silicon Saturated with Tungsten-Tellurite Glass with Rare-Earth Metal Impurities // Physics of the Solid State. № 12. V. 53. 2011. P. 2415-2420.

Терехов В.А., Турищев С.Ю., Панков К.Н., Занин И.Е., Домашевская Э.П., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Николичев Д.Е. Синхротронные исследования особенностей электронной и атомной структуры поверхностных слоев пленок оксида кремния, содержащих нанокристаллы кремния // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. № 10. 2011. С. 46-55.

Terekhov V.A., Turishchev S.Yu., Pankov K.N., Zanin I.E., Domashevskaya E.P., Tetelbaum D.I., Mikhailov A.N., Belov A.I., Nikolichev D.E. Synchrotron investigations of electronic and atomic-structure peculiarities for silicon-oxide films' surface layers containing silicon nanocrystals // Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. № 5. V. 5. 2011. P. 958-967.

Патенты, авторские свидетельства

2017

Тетельбаум Д.И., Гусейнов Д.В., Васильев В.К., Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Оболенский С.В., Качемцев А.Н., Данилов Ю.А., Вихрова О.В., Шарапов А.Н. Способ имитационного тестирования стойкости приборной структуры к облучению быстрыми нейтронами (варианты) (Патент).

2016

Грязнов Е.Г., Антонов И.Н., Белов А.И., Котина А.Ю., Котомина В.Е., Макарычев Ю.К., Михайлов А.Н., Филатов Д.О., Шарапов А.Н., Горшков О.Н. "Топология тестового кристалла с элементами энергонезависимой многократно программируемой резистивной памяти", заявка №2016630152 от 30.11.2016 (Авторское свидетельство).

©  Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского