Белов Алексей Иванович

Список преподаваемых дисциплин

Публикации

2023

Koryazhkina M.N., Filatov D.O., Tikhov S.V., Belov A.I., Korolev D.S., Kruglov A.V., Kryukov R.N., Zubkov S.Yu., Vorontsov V.A., Pavlov D.A., Tetelybaum D.I., Mikhailov A.N., Shchanikov S.A., Kim S., Spagnolo B. Silicon-Compatible Memristive Devices Tailored by Laser and Thermal Treatments // Low Power Memory/Memristor Devices and Systems. Basel: MDPI, Т.1, 240 с.. 2023. P. 33-54.

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Трушин В.Н., Юнин П.А., Дроздов М.Н., Кудрин А.В. Проблемы ионно-лучевого легирования сложных полупроводников на примере β-Ga2O3 // Материалы XXVII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 13-16 марта 2023 г., Нижний Новгород. Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXVII Международного симпозиума (Нижний Новгород, 13–16 марта 2023 г.). В 2 томах. Том 2-й. — Нижний Новгород : ИПФ РАН, 2023. — 468 с. ISBN 978-5-8048-0120-6. 2023. С. 764-765.

Королев Д.С., Крюков Р.Н., Матюнина К.С., Никольская А.А., Михайлов А.Н., Белов А.И., Юнин П.А., Сушков А.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. ЗАКОНОМЕРНОСТИ ИОННО-ЛУЧЕВОГО СИНТЕЗА НАНОВКЛЮЧЕНИЙ GA2O3 В ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАТРИЦАХ // ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ИОНОВ С ПОВЕРХНОСТЬЮ «ВИП-2023» Труды XXVI Международной конференции.. Издательство: Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (Москва), 267с.. 2023. С. 39-41.

Королев Д.С., Никольская А.А., Матюнина К.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Крюков Р.Н., Сушков А.А., Павлов Д.А., Юнин П.А., Тетельбаум Д.И. Формирование нанокристаллов Ga2O3 в оксидных матрицах при имплантации ионов и последующем отжиге // 52-ая Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (ФВЗЧК-2023). Тезисы докладов. Москва, 30 мая – 1 июня, 2023.. 2023. С. 114.

Королев Д.С., Матюнина К.С., Никольская А.А., Крюков Р.Н., Белов А.И., Михайлов А.Н., Сушков А.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Исследование свойств ионно-синтезированных нановключений оксида галлия // Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы 15-й Междунар. конф.. Минск, Беларусь, 26-29 сентября 2023 г.. 2023. С. 398-400.

Королев Д.С., Матюнина К.С., Никольская А.А., Белов А.И., Михайлов А.Н., Нежданов А.В., Крюков Р.Н., Сушков А.А., Павлов Д.А., Юнин П.А., Дроздов М.Н., Тетельбаум Д.И. Ионный синтез наноразмерных включений Ga2O3 в диэлектрических матрицах // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXVII Международного симпозиума. Нижний Новгород: ИПФ РАН, Том 2-й, 486 с.. 2023. С. 633-634.

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Конаков А.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Влияние состава диэлектрической пленки на кремнии и способа ее нанесения на фотолюминесценцию системы диэлектрик / кремний, подвергнутой ионному облучению // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXVII Международного симпозиума. Нижний Новгород: ИПФ РАН, Том 2-й, 486 с.. 2023. С. 701-702.

Bolshakov D.I., Belov A.I., Mishchenko M.A., Kazantsev V.B., Mikhailov A.N. Switching dynamics of memristive device under periodic pulse stimulation // 2023 7th Scientific School Dynamics of Complex Networks and their Applications (DCNA). IEEE. 2023. P. 36-38.

Тетельбаум Д.И., Никольская А.А., Королев Д.С., Кудрин А.В., Михайлов А.Н., Белов А.И., Дроздов М.Н., Ревин А.А., Чекушева С.С., Конаков А.А. Электрофизические свойства монокристаллов β-Ga2O3:Fe, ионно-легированных кремнием // ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ИОНОВ С ПОВЕРХНОСТЬЮ "ВИП-2023". Труды XXVI Международной конференции. Издательство: Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (Москва). Том 1. Москва, 2023, 350 с.. 2023. С. 222-225.

Большаков Д.И., Мищенко М.А., Белов А.И., Матросов В.В., Михайлов А.Н. Динамика двух нейроноподобных генераторов с мемристивной связью // Материалы международной конференции Volga Neuroscience Meeting 2023. Гены и клетки. Т. 18, №4, 2023. 2023. С. 790-793.

Korolev D.S., Kryukov R.N., Matyunina K.S., Nikolyskaya A.A., Belov A.I., Mikhailov A.N., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tetelybaum D.I. Structure and chemical composition of ion-synthesized gallium oxide nanocrystals in dielectric matrices // Nanomaterials. V. 13. 2023. P. 1658.

Koryazhkina M.N., Filatov D.O., Tikhov S.V., Belov A.I., Serov D.A., Kryukov R.N., Zubkov S.Yu., Vorontsov V.A., Pavlov D.A., Gryaznov E.G., Orlova E.S., Shchanikov S.A., Mikhailov A.N., Kim S. Electrical characteristics of CMOS-compatible SiOx-based resistive-switching devices // Nanomaterials. № 14. V. 13. 2023. P. 2082.

Nikolyskaya A.A., Korolev D.S., Trushin V.N., Yunin P.A., Mikhailov A.N., Belov A.I., Konakov A.A., Okulich E.V., Pavlov D.A., Tetelybaum D.I. Photoluminescent properties of the SiO2/Si system with ion-synthesized hexagonal silicon of the 9R-Si phase: Effect of post-implantation annealing // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. № 537. 2023. P. 60-64.

Korolev D.S., Tereshchenko A.N., Nikolyskaya A.A., Mikhailov A.N., Belov A.I., Tetelybaum D.I. Dislocation-related photoluminescence in self-implanted silicon with different surface orientation // St. Petersburg State Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics. № 1.1. V. 16. 2023. P. 162-166.

2022

Lebedeva A.V., Belytyukova A.V., Fedulina A.A., Gerasimova S.A., Mishchenko M.A., Matveeva M.V., Malytseva K.E., Belov A.I., Mikhailov A.N., Pisarchik A.N., Kazantsev V.B. Development a cross-loop during adaptive stimulation of hippocampal neural networks by an artificial neural network // Proceedings of Fourth International Conference Neurotechnologies and Neurointerfaces (CNN). IEEE, 2022 Fourth International Conference Neurotechnologies and Neurointerfaces (CNN), PP 86-90. 2022. P. 86-90.

Nikolyskaya A.A., Korolev D.S., Mikhailov A.N., Belov A.I., Konakov A.A., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tetelybaum D.I. Light-emitting 9R hexagonal silicon phase synthesized by ion implantation // 22th INTERNATIONAL CONFERENCE ON ION BEAM MODIFICATION OF MATERIALS (IBMM-2022). Book of abstracts, Lisbon, Portugal, July 10-15, 2022.- 220 pp. 2022. P. 155.

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Конаков А.А., Павлов Д.А., Galeckas A., Азаров А.Ю., Кузнецов А.Ю., Тетельбаум Д.И. Влияние химической природы имплантированных в систему SiO2/Si атомов на фотолюминесценцию ионно-синтезированного гексагонального кремния фазы 9R-Si // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXVI Международного симпозиума (Нижний Новгород, 14–17 марта 2022 г.) В 2 т.. Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2022. - Т.2.– 501 с. 2022. С. 958-959.

Тетельбаум Д.И., Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Кудрин А.В., Нежданов А.В., Трушин В.Н., Питиримова Е.А., Павлов Д.А., Николичев Д.Е., Крюков Р.Н., Kumar M., Giulian R. Влияние имплантации ионов Si+ на структуру и свойства бета-Ga2O3 // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXVI Международного симпозиума (Нижний Новгород, 14–17 марта 2022 г.) В 2 т.. Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2022. - Т.2.– 501 с. 2022. С. 1031-1032.

Королев Д.С., Матюнина К.С., Никольская А.А., Крюков Р.Н., Белов А.И., Михайлов А.Н., Нежданов А.В., Сушков А.А., Павлов Д.А., Юнин П.А., Тетельбаум Д.И. Исследование фотолюминесцентных свойств ионно-синтезированных нановключений оксида галлия // Х Международная школа-конференция молодых учёных и специа-листов «Современные проблемы физики», 27-29 апреля 2022 г. Сборник научных трудов, Минск: Институт физики НАН Беларуси, 2022.- 167 с. 2022. С. 79-80.

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Конаков А.А., Павлов Д.А., Galeckas A., Азаров А.Ю., Кузнецов А.Ю., Тетельбаум Д.И. Влияние химической природы имплантированных в систему SiO2/Si атомов на формирование и свойства фазы 9R-Si // 51-ая Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (ФВЗЧК-2022), 24 - 26 мая 2022 г. Тезисы докладов, Москва: МГУ имени М.В. Ломоносова, 2022.- 200 с. 2022. С. 117.

Тетельбаум Д.И., Павлов Д.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Конаков А.А., Сушков А.А., Трушин В.Н., Никольская А.А. Формирование гексагональной фазы 9R-Si и светоизлучающие свойства кремния при ионном облучении системы SiO2/Si // XIV Международная конференция и XIII Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе КРЕМНИЙ-2022 (Новосибирск, 26-30 сентября, 2022). Сборник тезисов, М.: Издательство «Перо», 2022.- 160 с. 2022. С. 68.

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Конаков А.А., Сушков А.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Ионно-лучевой синтез гексагонального кремния фазы 9R-Si на подложках Si с разной ориентацией // XV Российская конференция по физике полупроводников (Нижний Новгород, 03-07 октября, 2022). Тезисы докладов, Нижний Новгород: ИПФ РАН, 2022.- 464 с. 2022. С. 32.

Никольская А.А., Королев Д.С., Белов А.И., Михайлов А.Н., Трушин В.Н., Павлов Д.А., Питиримова Е.А., Кудрин А.В., Дроздов М.Н., Николичев Д.Е., Крюков Р.Н., Тетельбаум Д.И. Свойства слоев монокристаллов β-Ga2O3, подвергнутых имплантации ионов кремния // XV Российская конференция по физике полупроводников (Нижний Новгород, 03-07 октября, 2022). Тезисы докладов, Нижний Новгород: ИПФ РАН, 2022.- 464 с. 2022. С. 38.

Королев Д.С., Никольская А.А., Матюнина К.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Нежданов А.В., Крюков Р.Н., Сушков А.А., Павлов Д.А., Юнин П.А., Тетельбаум Д.И. Исследование процессов ионно-лучевого формирования нановключений оксида галлия в диэлектрических матрицах // XV Российская конференция по физике полупроводников (Нижний Новгород, 03-07 октября, 2022). Тезисы докладов, Нижний Новгород: ИПФ РАН, 2022.- 464 с. 2022. С. 71.

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Конаков А.А., Трушин В.Н., Сушков А.А., Павлов Д.А., Galeckas A., Азаров А.Ю., Кузнецов А.Ю., Тетельбаум Д.И. Формирование фазы 9R-Si и фотолюминесценция в образцах SiO2/Si, облученных различными ионами // Физические и физико-химические основы ионной имплантации. Тезисы докладов VIII Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов (Казань, 11–14 ноября 2022 г.).- Н. Новгород, 2022.- 92 с. 2022. С. 17.

Королев Д.С., Матюнина К.С., Никольская А.А., Нежданов А.В., Михайлов А.Н., Белов А.И., Крюков Р.Н., Юнин П.А., Дроздов М.Н., Сушков А.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Ионный синтез нанокристаллических включений Ga2O3 в оксидных матрицах // Физические и физико-химические основы ионной имплантации. Тезисы докладов VIII Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов (Казань, 11–14 ноября 2022 г.).- Н. Новгород, 2022.- 92 с. 2022. С. 25.

Никольская А.А., Королев Д.С., Трушин В.Н., Дроздов М.Н., Белов А.И., Михайлов А.Н., Нежданов А.В., Питиримова Е.А., Павлов Д.А., Конаков А.А., Ревин А.А., Kumar M., Giulian R., Тетельбаум Д.И. Изменение свойств слоев β-Ga2O3 под действием имплантации ионов Si+ и последующего отжига // Физические и физико-химические основы ионной имплантации. Тезисы докладов VIII Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов (Казань, 11–14 ноября 2022 г.).- Н. Новгород, 2022.- 92 с. 2022. С. 33.

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Конаков А.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Изменение свойств ионно-синтезированного гексагонального кремния фазы 9R-Si при вариации режимов постимплантационного отжига // ФизикА.СПб. Тезисы докладов международной конференции (Санкт-Петербург, 17-21 октября, 2022 г.).- СПб.: ПОЛИТЕХ-ПРЕСС, 2022.- 562 с. 2022. С. 305-306.

Мищенко М.А., Лебедева А.В., Бельтюкова А.В., Большаков Д.И., Лукоянов В.И., Королев Д.С., Белов А.И., Гусейнов Д.В., Матросов В.В., Казанцев В.Б., Михайлов А.Н. Частотная зависимость переключений мемристивного устройства и его использование в задачах нейроморфной электроники // Динамические системы. Теория и приложения. Тезисы докладов международной конференции (Н. Новгород, 26-29 июня 2022 г.). Издательство Нижегородского госуниверситета. 2022. С. 63-65.

Федулина А.А., Бельтюкова А.В., Мищенко М.А., Герасимова С.А., Белов А.И., Мальцева К.Е., Матвеева М.В., Михайлов А.Н., Казанцев В.Б., Лебедева А.В. ИССЛЕДОВАНИЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ ИСКУССТВЕННЫХ НЕЙРОННЫХ СЕТЕЙ С АДАПТИВНЫМИ СВЯЗЯМИ С НЕЙРОННЫМИ СЕТЯМИ ГИППОКАМПА МЫШЕЙ // НЕЙРОКАМПУС 2022: СТАРТ! НЕЙРОТЕХНОЛОГИИ БУДУЩЕГО. Тезисы участников конференции.. М.: Общество с ограниченной ответственностью "Квант Медиа", 154 с.. 2022. С. 119-122.

Бельтюкова А.В., Лебедева А.В., Мищенко М.А., Герасимова С.А., Федулина А.А., Белов А.И., Михайлов А.Н., Казанцев В.Б. Исследование интеграции искусственных адаптивных нейронных сетей с нейрональными сетями гиппокампа мышей // Обработка и интеграция информации в сенсорных сиcтемах: от внешнего сигнала к сложному образу: тезисы докладов научной конференции, посвященной 90-летию со дня рождения академика И.А. Шевелева (29–30 сентября 2022 г.). Москва: Квант Медиа, 2022. – 130 с. 2022. С. 19-26.

Бельтюкова А.В., Федулина А.А., Лебедева А.В., Мищенко М.А., Герасимова С.А., Белов А.И., Мальцева К.Е., Михайлов А.Н., Казанцев В.Б. Исследование интеграции искусственных адаптивных нейронных сетей с нейрональными сетями гиппокампа мышей // Труды XXVI научной конференции по радиофизике, посвященной 120-летию М.Т. Греховой. Труды XXVI научной конференции по радиофизике, посвященной 120-летию М.Т. Греховой, (Нижний Новгород, 12—27 мая 2022 г.). Нижний Новгород: ННГУ, 2022. – 592 с.. 2022. С. 467-470.

Mikhailov A.N., Koryazhkina M.N., Korolev D.S., Belov A.I., Okulich E.V., Okulich V.I., Antonov I.N., Shuiskii R.A., Guseinov D.V., Sidorenko K.V., Shenina M.E., Gryaznov E.G., Tikhov S.V., Filatov D.O., Pavlov D.A., Tetelybaum D.I., Gorshkov O.N., Spanyolo B Resistive switching in metal-oxide memristive materials and devices. Amsterdam: Elsevier, chapter 2, pp. 33-78. 2022.

Mikhailov A.N., Koryazhkina M.N., Korolev D.S., Belov A.I., Okulich E.V., Okulich V.I., Antonov I.N., Shuiskii R.A., Guseinov D.V., Sidorenko K.V., Shenina M.E., Gryaznov E.G., Tikhov S.V., Filatov D.O., Pavlov D.A., Tetelybaum D.I., Gorshkov O.N., Emelyyanov A.V., Nikirui K.E., Rylykov V.V., Demin V.A., Spanyolo B Technology and neuromorphic functionality of magnetron-sputtered memristive devices. Amsterdam: Elsevier, chapter 4, pp. 109-131. 2022.

Mishchenko M.A., Bolshakov D.I., Lukoyanov V.I., Korolev D.S., Belov A.I., Guseinov D.V., Matrosov V.V., Kazantsev V.B., Mikhailov A.N. Inverted spike-rate-dependent plasticity due to charge traps in a metal-oxide memristive device // Journal of Physics D: Applied Physics. № 39. V. 55. 2022. P. 394002.

Nikolyskaya A.A., Korolev D.S., Belov A.I., Konakov A.A., Pavlov D.A., Mikhailov A.N., Tetelbaum D.I. Influence of chemical nature of implanted atoms on photoluminescence of ion-synthesized 9R-Si hexagonal silicon // Materials Letters. V. 308. 2022. P. 131103(1-3).

Koryazhkina M.N., Filatov D.O., Tikhov S.V., Belov A.I., Korolev D.S., Kruglov A.V., Kryukov R.N., Zubkov S.Yu., Vorontsov V.A., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I., Mikhailov A.N., Shchanikov S.A., Kim S., Spagnolo B. Silicon-Compatible Memristive Devices Tailored by Laser and Thermal Treatments // Journal of Low Power Electronics and Applications. № 1. V. 12. 2022. P. 1-22.

Korolev D.S., Matyunina K.S., Nikolyskaya A.A., Kryukov R.N., Nezhdanov A.V., Belov A.I., Mikhailov A.N., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Yunin P.A., Drozdov M.N., Tetelbaum D.I. Ion-Beam Synthesis of Gallium Oxide Nanocrystals in a SiO2/Si Dielec-tric Matrix // Nanomaterials. № 11. V. 12. 2022. P. 1840(1-9).

Trushin V.N., Nikolyskaya A.A., Korolev D.S., Mikhailov A.N., Belov A.I., Pitirimova E.A., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I. Disordering of β-Ga2O3 upon irradiation with Si+ ions: Effect of sur-face orientation // Materials Letters. V. 319. 2022. P. 132248(1-3).

Коряжкина М.Н., Филатов Д.О., Тихов С.В., Белов А.И., Королев Д.С., Круглов А.В., Крюков Р.Н., Зубков С.Ю., Воронцов В.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Ким С. Электрофизические свойства мемристоров на основе нитрида кремния на подложках "кремний-на-изоляторе" // Российские нанотехнологии. № 1. Т. 17. 2022. С. 98-105.

2021

Ершов А.В., Дуров К.В., Мартынов Л.Н., Нежданов А.В., Белов А.И., Крюков Р.Н., Зубков С.Ю., Николичев Д.Е., Сидоренко К.В., Байдусь Н.В. Оптические и структурные свойства пленок субоксидов кремния и германия, полученных реактивным ВЧ-магнетронным распылением // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXV Международного симпозиума (Нижний Новгород, 9–12 марта 2021 г.). Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2021. В 2-х томах, том2, 1 страница. 2021. С. 668.

Тетельбаум Д.И., Никольская А.А., Королев Д.С., Алмаев А.В., Чигиринский Ю.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Нежданов А.В., Трушин В.Н., Николичев Д.Е., Giulian R., Kumar M. Синтез и модификация наноструктур на основе оксида галлия методами ионной имплантации и магнетронного осаждения // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXV Международного симпозиума (Нижний Новгород, 9–12 марта 2021 г.) В 2 т. Том 2. — Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2021. – C.467. Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXV Международного симпозиума (Нижний Новгород, 9–12 марта 2021 г.) В 2 т. Том 2. — Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2021. – C.467. 2021. С. 360.

Большаков Д.И., Васин А.С., Белов А.И., Матросов В.В., Мищенко М.А., Михайлов А.Н. ИССЛЕДОВАНИЕ ДИНАМИКИ ДВУХ ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНО СОЕДИНЕННЫХ НЕЙРОНОПОДОБНЫХ ГЕНЕРАТОРОВ С ОДНОНАПРАВЛЕННОЙ МЕМРИСТИВНОЙ СВЯЗЬЮ // ТРУДЫ XXV НАУЧНОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО РАДИОФИЗИКЕ. 2021, с. 445-446. 2021. С. 445-446.

Koryazhkina M.N., Novikov A.S., Belov A.I., Antonov I.N., Shchanikov S.A., Mikhailov A.N., Filatov D.O., Gorshkov O.N., Agudov N.V., Dubkov A.A., Valenti D., Spagnolo B. Noise-induced resistance switching of the SiO2-based memristor // MEMRISYS 2021 4th International Conference on Memristive Materials, Devices & Systems. 49 p.. 2021. P. 37.

Koryazhkina M.N., Filatov D.O., Novikov A.S., Shishmakova V.A., Shenina M.E., Belov A.I., Antonov I.N., Mikhailov A.N., Gorshkov O.N., Agudov N.V., Spanyolo B. Relaxation times to the stationary state of ZrO2(Y)-based memristor // MEMRISYS 2021 4th International Conference on Memristive Materials, Devices & Systems. 49 p.. 2021. P. 38.

Коряжкина М.Н., Филатов Д.О., Новиков А.С., Шишмакова В.А., Шенина М.Е., Белов А.И., Антонов И.Н., Михайлов А.Н., Горшков О.Н., Агудов Н.В., Спаньоло Б. РЕЛАКСАЦИЯ РЕЗИСТИВНОГО СОСТОЯНИЯ МЕМРИСТОРОВ НА ОСНОВЕ СТАБИЛИЗИРОВАННОГО ДИОКСИДА ЦИРКОНИЯ В ЗАВИСИМОСТИ ОТ ПАРАМЕТРОВ ШУМОВОГО ВОЗДЕЙСТВИЯ // Материалы 24-й Всероссийской молодежной научной конференции "Актуальные проблемы физической и функциональной электроники". 240 c.. 2021. С. 174-175.

Koryazhkina M.N., Belov A.I., Shenina M.E., Antonov I.N., Mikhailov A.N., Filatov D.O., Gorshkov O.N., Agudov N.V., Dubkov A.A., Spagnolo B. EFFECT OF EXTERNAL NOISE ON THE RESISTIVE STATE OF THE MEMRISTIVE STRUCTURES BASED ON ZRO2(Y) // Труды XXV научной конференции по радиофизике. Нижний Новгород, ННГУ, 562 с.. 2021. P. 464-466.

Королев Д.С., Никольская А.А., Белов А.И., Михайлов А.Н., Конаков А.А., Тетельбаум Д.И. Люминесцентные свойства ионно-синтезированных нановключений 9R-Si в структурах SiO2/Si // Взаимодействие излучений с твердым телом, Материалы 14-й Международной конференции. Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 14-й Междунар. конф., по-свящ. 100-летию Белорус. гос. ун-та, Минск, Беларусь, 21–24 сент. 2021 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2021.. 2021. С. 472-475.

Gerasimova S.A., Korolev D.S., Pavlov D.A., Kazantsev V.B., Belov A.I., Mikhailov A.N. Memristive Spike- Timing-Dependent Plasticity // Нейротехнологии и нейроинтерфейсы. Третья международная конференция (Калининград, 13-15 сентября 2021). Изд-во IEEE, 135 с. 2021. P. 19-22.

Gerasimova S.A., Lebedeva A.V., Fedulina A.A., Koryazhkina M.N., Belov A.I., Mishchenko M.A., Matveeva M.V., Guseinov D.V., Mikhailov A.N., Pisarchik A., Kazantsev V.B. A neurohybrid memristive system for adaptive stimulation of hippocampus // Chaos, Solitons and Fractals. V. 146. 2021. P. 110804.

D. Zhevnenko, F.Meshchaninov, V.Kozhevnikov, E.Shamin, Gerasimova S.A., Belov A.I., Guseinov D.V., Mikhailov A.N., E.Gornev Simulation of memristor switching time series in response to spike-like signal // Chaos, Solitons and Fractals. № 142. 2021. P. 110382.

Surazhevsky I.A., Demin V.A., Ilyasov A.I., Emelyanov A.V., Nikiruy K.E., Rylkov V.V., Shchanikov S.A., Bordanov I.A., Gerasimova S.A., Guseinov D.V., Malekhonova N.V., Pavlov D.A., Belov A.I., Mikhaylov A.N., Kazantsev V.B., Valenti D., Spagnolo B., Kovalchuk M.V. Noise-assisted persistence and recovery of memory state in a memris-tive spiking neuromorphic network // Chaos, Solitons and Fractals. V. 146. 2021. P. 110890(1-14).

Mikhailov A.N., Guseinov D.V., Belov A.I., Korolev D.S., Shishmakova V.A., Koryazhkina M.N., Filatov D.O., Gorshkov O.N., Maldonado D., Alonso F.J., Roldan J.B., Krichigin A.V., Agudov N.V., Dubkov A.A., Karollo A., Spagnolo B. Stochastic resonance in a metal-oxide memristive device // Chaos, Solitons and Fractals. V. 144. 2021. P. 110723 (1-12).

Tetelybaum D.I., Nikolyskaya A.A., Korolev D.S., Mullagaliev T.D., Belov A.I., Trushin V.N., Dudin Yu.A., Nezhdanov A.V., Mashin A.I., Mikhailov A.N., Plechnikov A., Shcheglov M., Nikolaev V., Gogova D. Ion-beam modification of metastable gallium oxide polymorphs // Materials Letters. V. 302. 2021. P. 130346.

Shchanikov S.A., Zuev A., Bordanov I., Danilin S., Lukoyanov V.I., Korolev D.S., Belov A.I., Pigareva Ya.I., Gladkov A.A., Pimashkin A.S., Kazantsev V.B., Serb A. Designing a bidirectional, adaptive neural interface incorporating machine learning capabilities and memristor-enhanced hardware // Chaos, Solitons and Fractals. V. 142. 2021. P. 110504.

Gerasimova S.A., Belov A.I., Korolev D.S., Guseinov D.V., Lebedeva A.V., Koryazhkina M.N., Mikhailov A.N., Kazantsev V.B., Pisarchik A.N. Stochastic Memristive Interface for Neural Signal Processing // Sensors. № 21. V. 16. 2021. P. 5587.

Nikolyskaya A.A., Korolev D.S., Mikhailov A.N., Mullagaliev T.D., Chigirinskii Yu.I., Belov A.I., Nezhdanov A.V., Trushin V.N., Nikolichev D.E., Almaev A.V., Giulian R., Kumar M., Tetelybaum D.I. Non-equilibrium methods for synthesis and modification of gallium oxide // Journal of Physics: Conference Series. V. 2103. 2021. P. 012062.

Koryazhkina M.N., Filatov D.O., Tikhov S.V., Belov A.I., Korolev D.S., Kruglov A.V., Kryukov R.N., Zubkov S.Yu., Vorontsov V.A., Pavlov D.A., Tetelybaum D.I., Mikhailov A.N., Kim S. Electrical Properties of Silicon-Oxide-Based Memristors on Silicon-on-Insulator Substrates // NANOBIOTECHNOLOGY REPORTS. № 6. V. 16. 2021. P. 745-754.

Nikolyskaya A.A., Belov A.I., Mikhailov A.N., Konakov A.A., Tetelybaum D.I., Korolev D.S. Photoluminescence of ion-synthesized 9R-Si inclusions in SiO2/Si structure: Effect of irradiation dose and oxide film thickness // Applied Physics Letters. № 21. V. 118. 2021. P. 212101.

2020

Никольская А.А., Королев Д.С., Конаков А.А., Михайлов А.Н., Белов А.И., Муртазин Р.И., Павлов Д.А., Мухаматчин К.Р., Марычев М.О., Тетельбаум Д.И. Изучение природы фотолюминесценции при 1235 нм в кремнии при облучении кремния и системы SiO2/Si тяжелыми ионами // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXIV Международного симпозиума (Нижний Новгород, 10–13 марта 2020 г.). Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2, 505 с. 2020. С. 683–684.

Шишмакова В.А., Филатов Д.О., Белов А.И., Королев Д.С., Антонов И.Н., Гусейнов Д.В., Михайлов А.Н., Агудов Н.В., Дубков А.А., Спаньоло Б. Экспериментальное обнаружение стохастического резонанса в мемристорах // Труды XXIV научной конференции по радиофизике, посвященной 75-летию радиофизического факультета (Нижний Новгород, 13—31 мая 2020 г.). Нижний Новгород: ННГУ, 2020. – 530 с.. 2020. С. 444-445.

Nikolyskaya A.A., Korolev D.S., Konakov A.A., Mikhailov A.N., Belov A.I., Murtazin R.I., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I. Light-emitting hexagonal 9R-Si phase obtained by Kr+ ion into implan-tation Si and SiO2/Si // 7th International School and Conference "Saint-Petersburg OPEN 2020" on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures. Saint Petersburg, Russia, April 26 – 30, 2020. Book of Abstracts. St. Petersburg Academic University, 2020.- 543 pp. 2020. P. 96-97.

Белов А.И., Конаков А.А., Королев Д.С., Марычев М.О., Михайлов А.Н., Муртазин Р.И., Никольская А.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Светоизлучающая гексагональная фаза 9R-Si // Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение: прогр. и материалы 18-й Междунар. науч. конф.-шк. (Саранск, 15-18 сент. 2020 г.). Саранск: Изд-во Мордов. ун-та, 2020.- 228 с. 2020. С. 155.

Королев Д.С., Никольская А.А., Михайлов А.Н., Белов А.И., Конаков А.А., Муртазин Р.И., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Люминесцентные свойства ионно-синтезированных структур, содержащих фазу 9R-Si // XIII Международная конференция «Кремний - 2020». (Республика Крым, г. Ялта, 21-25 сент. 2020 г.). Москва: МАКС Пресс, 2020.- 402 с. 2020. С. 199-202.

Филатов Д.О., Табаков О.В., Новиков А.С., Кассин Г.Л., Белов А.И., Антонов И.Н., Шарков В.В., Окулич Е.В., Коряжкина М.Н., Михайлов А.Н., Горшков О.Н., Дубков А.А., Спаньоло Б. Реакция мемристоров на основе плёнок SiO2 на внешний белый гауссовский шум // Труды XXIV Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (10-13 марта, 2020, Нижний Новгород). Т. 2, 505 с.. 2020. С. 768-769.

Agudov N.V., Safonov A.V., Krichigin A.V., Kharcheva A.A., Dubkov A.A., Valenti D., Guseinov D.V., Belov A.I., Mikhailov A.N., Carollo A., Spagnolo B. Nonstationary distributions and relaxation times in a stochastic model of memristor // Journal of Statistical Mechanics: Theory and Experiment. № 2. V. 2020. 2020. P. 024003 (1-23).

Guseinov D.V., Korolev D.S., Belov A.I., Okulich E.V., Okulich V.I., Tetelybaum D.I., Mikhailov A.N. Flexible Monte-Carlo approach to simulate electroforming and resistive switching in filamentary metal-oxide memristive devices // Modelling and Simulation in Materials Science and Engineering. № 28. V. 1. 2020. P. 015007.

Tikhov S.V., Belov A.I., Korolev D.S., Antonov I.N., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I., Gorshkov O.N., Mikhailov A.N. Electrophysical Characteristics of Multilayer Memristive Nanostruc-tures Based on Yttria-Stabilized Zirconia and Tantalum Oxide // Technical Physics. № 2. V. 65. 2020. P. 284–290.

Nikolskaya A.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Konakov A.A., Belov A.I., Marychev M.O., Murtazin R.I., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I. Photoluminescence of silicon at 1235 nm produced by irradiation of SiO2/Si with Kr+ ions and subsequent high-temperature annealing // Surface and Coatings Technology. V. 386. 2020. P. 125496(1-4).

Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Antonov I.N., Kotomina V.E., Kotina A.Yu., Gryaznov E.G., Sharapov A.N., Koryazhkina M.N., Kryukov R.N., Zubkov S.Yu., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tikhov S.V., Morozov O.A., Tetelbaum D.I. Multilayer Metal-Oxide Memristive Device with Stabilized Resistive Switching // Advanced Materials Technologies. № 5. V. 5. 2020. P. 1900607(1-9).

Nikolyskaya A.A., Korolev D.S., Tereshchenko A.N., Pavlenkov V.I., Nagornyh S.N., Belov A.I., Vasiliev V.K., Mikhaylov A.N., Tetelbaum D.I. Temperature dependence of dislocation-related photoluminescence (D1) of self-implanted silicon subjected to additional boron implantation // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. V. 472. 2020. P. 32-35.

Danilin S., Shchanikov S.A., Zuev A., Bordanov I., Korolev D.S., Belov A.I., Pimashkin A.S., Mikhailov A.N., Kazantsev V.B. Design of Multilayer Perceptron Network Based on Metal-Oxide Memristive Devices // 12th International Conference on Developments in eSystems Engineering (DeSE). 2020. P. 533-538.

Rajbhar M.K., Raiamani S., Singh G.H., Surodin S.I., Nikolichev D.E., Kryukov R.N., Korolev D.S., Nikolyskaya A.A., Belov A.I., Mikhaylov A.N., Tetelybaum D.I., Kumar M. Gallium nitride nanocrystal formation in Si3N4 matrix by ion synthesis // Bulletin of Materials Science. V. 43. 2020. P. 234.

Михайлов А.Н., Королев Д.С., Белов А.И., Герасимова С.А., Мищенко М.А., Гусейнов Д.В., Коряжкина М.Н., Тетельбаум Д.И., Филатов Д.О., Горшков О.Н., Агудов Н.В., Дубков А.А., Казанцев В.Б., Спаньоло Б. Мемристивные устройства под действием нейроноподобной активности и шума // Наноиндустрия. № S4 (99). Т. 13. 2020. С. 561-562.

Nikolyskaya A.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Konakov A.A., Belov A.I., Marychev M.O., Murtazin R. I., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I. Photoluminescence of silicon at 1235 nm produced by irradiation of SiO2/Si with Kr+ ions and subsequent high-temperature annealing // Surface and Coatings Technology. V. 386. 2020. P. 125496.

Nikolyskaya A.A., Korolev D.S., Konakov A.A., Mikhailov A.N., Belov A.I., Marychev M.O., Murtazin R.I., Pavlov D.A., Tetelybaum D.I. Light-emitting hexagonal 9R-Si phase obtained by implantation of Kr+ions in Si and SiO2/Si // Journal of Physics: Conference Series. № Issue 1. V. 1695. 2020. P. Статья № 012031.

Rajbhar M.K., Rajamani S., Singh S.K., Surodin S., Nikolichev D.E., Kryukov R.N., Korolev D.S., Nikolyskaya A.A., Belov A.I., Nezhdanov A.V., Mikhailov A.N., Tetelybaum D.I., Kumar M. Gallium nitride nanocrystal formation in Si3N4 matrix by ion synthesis // Bulletin of Materials Science. № 43. V. 234. 2020. P. 1-9.

Antonov D.A., Antonov I.N., Belov A.I., Baranova V.N., Shenina M.E., Gorshkov O.N. Resistive Switching of Memristors Based on Stabilized Zirconia by Complex Signals // Physics of the Solid State. № 62. V. 4. 2020. P. 642-647.

2019

Тихов С.В., Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Антонов И.Н., Шенина М.Е., Сушков А.А., Милин В.Е., Зубков С.Ю., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И., Горшков О.Н. Повышение воспроизводимости резистивного переключения в многослойных мемристивных наноструктурах на основе стабилизированного иттрием оксида циркония // Материалы ХХIII Международного симпозиума "Нанофизика и Наноэлектроника". ННГУ им. Н.И.Лобачевского, т.2, 2 страницы. 2019. С. 758-759.

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Сушков А.А., Кривулин Н.О., Марычев М.О., Мухаматчин К.Р., Елизарова А.А., Конаков А.А., Тетельбаум Д.И., Павлов Д.А. Светоизлучающая 9R фаза кремния, сформированная методом ионной имплантации инертного газа в подложки SiO2/Si // XXIII Международный Симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника». Труды симпозиума. Нижний Новгород, 11-14 марта. 2019. С. 780-781.

Королев Д.С., Терещенко А.Н., Никольская А.А., Михайлов А.Н., Белов А.И., Тетельбаум Д.И. Исследование дислокационной фотолюминесценции в кремнии при вариации параметров ионного синтеза // XLIX Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (ФВЗЧК-2019). Тезисы докладов. Москва, 29 - 31 мая. 2019. С. 143.

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Сушков А.А., Муртазин Р.И., Павлов Д.А., Конаков А.А., Мухаматчин К.Р., Тетельбаум Д.И. Формирование гексагональной фазы кремния при ионной имплантации в плёнку SiO2 на Si // XLIX Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (ФВЗЧК-2019). Тезисы докладов. Москва, 29 - 31 мая. 2019. С. 9.

Korolev D.S., Nikolskaya A.A., Tereshchenko A.N., Mikhailov A.N., Belov A.I., Tetelybaum D.I. Towards an efficient light-emitting source based on self-implanted silicon with dislocationrelated luminescence // 6th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures. Book of abstracts. Saint Petersburg, April 22-25. 2019. P. 374-375.

Koryazhkina M.N., Filatov D.O., Vrzheshch D.V., Tabakov O.V., Novikov A.S., Belov A.I., Antonov I.N., Zdoroveishchev A.V., Mikhaylov A.N., Gorshkov O.N., Dubkov A.A., Spagnolo B. ZrO2(Y)/Ta2O5-based memristor response to white Gaussian noise // Труды XXIII научной конференции по радиофизике, посвященной 100-летию со дня рождения Н.А. Железцова. ННГУ, 581 с. 2019. P. 497-500.

Табаков О.В., Филатов Д.О., Вржещ Д.В., Новиков А.С., Белов А.И., Антонов И.Н., Здоровейщев А.В., Коряжкина М.Н., Михайлов А.Н., Горшков О.Н., Дубков А.А., Спаньоло Б. Резистивное переключение мемристора на базе тонкоплёночной структуры ZrO2(Y)/Ta2O5 шумовым сигналом // Труды XXIII научной конференции по радиофизике, посвященной 100-летию со дня рождения Н.А. Железцова. ННГУ, 581 с. 2019. С. 508-511.

Вржещ Д.В., Филатов Д.О., Табаков О.В., Новиков А.С., Белов А.И., Антонов И.Н., Здоровейщев А.В., Коряжкина М.Н., Михайлов А.Н., Горшков О.Н., Дубков А.А., Спаньоло Б. Временные характеристики резистивного переключения мемристора на основе ZrO2(Y)/Ta2O5 под действием шумового сигнала // Труды XXIII научной конференции по радиофизике, посвященной 100-летию со дня рождения Н.А. Железцова. ННГУ, 581 с. 2019. С. 512-515.

Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Антонов И.Н., Зубков С.Ю., Шенина М.Е., Милин В.Е., Сушков А.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И., Горшков О.Н., Тихов С.В. Повышение воспроизводимости резистивного переключения в многослойных мемристивных наноструктурах на основе стабилизированного иттрием оксида циркония // XXIII Международный Симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника». Труды симпозиума. Нижний Новгород, 11-14 марта, Т.2. 2019. С. 758-759.

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Конаков А.А., Чигиринский Ю.И., Сушков А.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Изучение механизмов формирования светоизлучающей гексагональной фазы 9R-Si // Международная научная конференция студентов, аспирантов и молодых учёных «Ломоносов-2019». Материалы докладов. Москва, 8-12 апреля. 2019. С. 918-919.

Nikolskaya A.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Antonov A.E., Konakov A.A., Chigirinskii Yu.I., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I. Mechanism of formation of light-emitting hexagonal phase 9R-Si // 6th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures. Book of abstracts. Saint Petersburg, April 22-25. 2019. P. 109-110.

Mikhaylov A.N., Korolev D.S., Belov A.I., Gerasimova S.A., Guseinov D.V., Tikhov S.V., Tetelbaum D.I., Gorshkov O.N., Koryazhkina M.N., Agudov N.V., Dubkov A.A., Emelyyanov A.V., Nikiruy K.E., Demin A.V., Spanyolo B. From device engineering and adaptive programming to stochastic multistable models of metal-oxide memristors // International Conference on Memristive Materials, Devices & Systems (MEMRISYS). Conference Proceedings. Dresden, Germany, 8-11 July. 2019. P. 98.

Королев Д.С., Никольская А.А., Терещенко А.Н., Михайлов А.Н., Белов А.И., Павлов Д.А., Сушков А.А., Тетельбаум Д.И. Новые ионно-лучевые подходы к формированию кремниевых светоизлучающих наноматериалов // XXIX Международная конференция «Радиационная физика твердого тела». Тезисы докладов. Севастополь, 08 - 13 июля. 2019. С. 140-147.

Nikolskaya A.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Pavlov D.A., Sushkov A.A., Konakov A.A., Tetelbaum D.I. Properties of Hexagonal Silicon (9R Phase) Synthesized by Ion Implantation Into SiO2/Si // German-Russian Travelling Seminar “Nanomaterials and Large-Scale Research Centers”. Book of abstracts. Irkutsk – Lake Baikal – Novosibirsk – Moscow, July 30 – August 10. 2019. P. 12.

Korolev D.S., Tereshchenko A.N., Nikolskaya A.A., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Tetelbaum D.I. Influence of ion implantation and heat treatment regimes on dislocation-related photoluminescence in self-implanted silicon // The 24th International Conference on Ion-Surface Interactions (ISI-2019). Proceedings of the XXIV International Conference. Moscow, August 19-23. 2019. P. 198-201.

Tetelbaum D.I., Nikolskaya A.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Marychev M.O., Konakov A.A., Chigirinskii Yu.I., Sushkov A.A., Pavlov D.A. Formation of light-emitting layers in Si at ion implantation in SiO2 on Si // 20th International conference on Radiation Effects in Insulators. Book of abstracts. Nur-Sultan (Astana), Kazakhstan, August 19-23. 2019. P. 178.

Tetelbaum D.I., Korolev D.S., Nikolskaya A.A., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Marychev M.O., Konakov A.A., Chigirinskii Yu.I., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tereshchenko A.N., Pavlenkov V., Nagornykh S. Ion-beam modification of Si and SiO2/Si structures for the development of light-emitting silicon-based devices // The 21st International Conference on Surface Modification of Materials by Ion Beams. Abstract Book. Tomsk, August 25-30. 2019. P. 21.

Королев Д.С., Никольская А.А., Белов А.И., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. Эволюция дефектной структуры при ионном синтезе гексагональной фазы кремния // 13-я Международная конференция «Взаимодействие излучений с твердым телом». Материалы докладов. Минск, Беларусь, 30 сентября – 3 октября. 2019. С. -.

Guseinov D.V., Korolev D.S., Belov A.I., Okulich E.V., Okulich V.I., Gerasimova S.A., Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Kazantsev V.B. Atomistic and dynamical stochastic models of metal-oxide memristive devices // International Conference “New Trends in Nonequilibrium Stochastic Multistable Systems and Memristors (NES2019)”. Book of abstracts. Erice, Italy, October 18-21. 2019. P. 23.

Korolev D.S., Okulich E.V., Koryazhkina M.N., Shuiski R.A., Belov A.I., Shenina M.E., Mikhaylov A.N., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I., Okulich V.I., Antonov I.N., Dudin Yu.A., Spagnolo B. Effect of irradiation with Si+ ions on resistive switching in memristive structures based on yttria-stabilized zirconia and silicon dioxide // International Conference “New Trends in Nonequilibrium Stochastic Multistable Systems and Memristors (NES2019)”. Book of abstracts. Erice, Italy, October 18-21. 2019. P. 27.

Mikhailov A.N., Korolev D.S., Belov A.I., Mishchenko M.A., Lebedeva A.V., Gerasimova S.A., Kazantsev V.B. Towards implementation of collective dynamics of stochastic memristor-coupled artificial neurons // New Trends in Nonequilibrium Stochastic Multistable Systems and Memristors. Book of abstracts. Erice, Italy: University of Palermo, 2019. - 52 p.. 2019. P. 30.

Koryazhkina M.N., Filatov D.O., Vrzheshch D., Tabakov O., Novikov A.S., Kharcheva A.A., Belov A.I., Antonov I.N., Sharkov V.V., Mikhailov A.N., Gorshkov O.N., Dubkov A.A., Valenti D., Spanyolo B. Statistical analysis of ZrO2(Y)/Ta2O5-based memristor response to white Gaussian noise // Book of abstracts of “New Trends in Nonequilibrium Stochastic Multistable Systems and Memristors (NES2019)” (October 18-21, 2019, Erice, Italy). 1. 2019. P. 25.

Тихов С.В., Горшков О.Н., Белов А.И., Антонов И.Н., Коряжкина М.Н., Михайлов А.Н. Механизм токопереноса и резистивного переключения в конденсаторах стабилизированного иттрием диоксида гафния // Журнал технической физики. № 6. Т. 89. 2019. С. 933-940.

Emelyanov A.V., Nikiruy K.E., Demin V.A., Rylkov V.V., Belov A.I., Korolev D.S., Gryaznov E.G., Pavlov D.A., Gorshkov O.N., Mikhaylov A.N., Dimitrakis P. Yttria-stabilized zirconia cross-point memristive devices for neuromorphic computing // Microelectronic Engineering. V. 215. 2019. P. 110988.

Tereshchenko A.N., Korolev D.S., Khorosheva M., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Nikolskaya A.A., Tetelbaum D.I. The Effects of Aluminum Gettering and Thermal Treatments on the Light-Emitting Properties of Dislocation Structures in Self-Implanted Silicon Subjected to Boron Ion Doping // PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE. V. 216. 2019. P. 1900323.

Okulich E.V., Koryazhkina M.N., Korolev D.S., Belov A.I., Shenina M.E., Mikhaylov A.N., Tetelbaum D.I., Antonov I.N., Dudin Yu.A. The Effect of Irradiation with Si+ Ions on Resistive Switching in Memristive Structures Based on Yttria-Stabilized Zirconia // Technical Physics Letters. № 7. V. 45. 2019. P. 690–693.

Nikolskaya A.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Konakov A.A., Chigirinskii Yu.I., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I. Mechanism of formation of light-emitting silicon hexagonal phase 9R-Si // Journal of Physics: Conference Series. V. 1410. 2019. P. 012037.

Korolev D.S., Nikolskaya A.A., Tereshchenko A.N., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Tetelbaum D.I. Towards an efficient light-emitting source based on self-implanted silicon with dislocation-related luminescence // Journal of Physics: Conference Series. V. 1410. 2019. P. 012152.

Filatov D.O., Vrzheshch D.V., Tabakov O.V., Novikov A.S., Belov A.I., Antonov I.N., Sharkov V.V., Koryazhkina M.N., Mikhaylov A.N., Gorshkov O.N., Dubkov A.A., Carollo A., Spagnolo B. Noise-induced resistive switching in a memristor based on ZrO2(Y)/Ta2O5 stack // Journal of Statistical Mechanics: Theory and Experiment. V. 2019. 2019. P. 124026 (1-14).

Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Antonov I.N., Kotomina V.E., Kotina A.Yu., Gryaznov E.G., Sharapov A.N., Koryazhkina M.N., Kryukov R.N., Zubkov S.Yu., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tikhov S.V., Morozov O.A., Tetelbaum D.I. Multilayer Metal-Oxide Memristive Device with Stabilized Resistive Switching // Advanced Materials Technologies. V. 5. 2019. P. 1900607.

Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Gerasimova S.A., Antonov I.N., Okulich E.V., Shuiskiy R.A., Tetelbaum D.I. Effect of ion irradiation on resistive switching in metal-oxide memristive nanostructures // Journal of Physics: Conference Series. V. 1410. 2019. P. 012245.

Tikhov S.V., Gorshkov O.N., Belov A.I., Antonov I.N., Morozov A.I., Koryazhkina M.N., Mikhailov A.N. Mechanisms of Current Transport and Resistive Switching in Capacitors with Yttria-Stabilized Hafnia Layers // Technical Physics. № 6. V. 64. 2019. P. 873–880.

2018

Koryazhkina M., Antonov I., Gorshkov O., Mikhailov A., Belov A., Shenina M., Pigareva Ya., Pimashkin A., Filatov D., Agudov N., Dubkov A., Kharcheva A., Valenti D., Spagnolo B. Statistical analysis of memristor response to complex electric activity // 15th Course of the INTERNATIONAL SCHOOL OF STATISTICAL PHYSICS New Trends in Nonequilibrium Statistical Mechanics: Classical and Quantum Systems. Ettore Majorana Foundation and Centre for Scientific Culture, 59pp. 2018. P. 25.

Тихов С.В., Горшков О.Н., Антонов И.Н., Михайлов А.Н., Белов А.И., P. Karakolis2, P. Dimitrakis Особенности поведения МДП-мемристоров с нанослоем Si3N4, изготовленных на основе проводящей подложки из кремния // Материалы XXII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний новгород издательство ННГУ, т.2, с.775-776. 2018. С. 775-776.

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Кривулин Н.О., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Формирование включений кремния гексагональной фазы при ионной имплантации в структуру SiO2/Si // Сборник тезисов XXII международного симпозиума "Нанофизика и Наноэлектроника". Типография ННГУ, Н. Новгород, 12-15 марта, Т.2, 390 стр. 2018. С. 717-718.

Nikolskaya A.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I. Formation of hexagonal silicon inclusions in Si-based systems // Book of abstracts. 5th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures. Published by St. Petersburg Academic University, Saint Petersburg, April 2-5, 621 стр. 2018. P. 94-95.

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Никольская А.А., Терещенко А.Н., Штейнман Э.А., Тетельбаум Д.И., Нагорных С.Н., Павленков В.И. Температурная зависимость дислокационной фотолюминесценции в ионно-имплантированном кремнии, дополнительно легированном акцепторными примесями // Тезисы докладов XLVIII Международной Тулиновской конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. М.: "КДУ", "Университетская книга", Москва, 29-31 мая, 206 стр. 2018. С. 131.

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Сушков А.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Свойства гексагонального кремния, синтезируемого с помощью ионной имплантации // Тезисы докладов XLVIII Международной Тулиновской конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. М.: "КДУ", "Университетская книга", Москва, 29-31 мая, 206 стр. 2018. С. 155.

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Сушков А.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Формирование гексагональных включений кремния в системе SiO2/Si с помощью ионной имплантации // XXIII Нижегородская сессия молодых ученых. Княгинино : НГИЭУ, Нижний Новгород, 22-23 мая, Т.2, 226 стр. 2018. С. 36-37.

Korolev D.S., Tereshchenko A.N., Nikolskaya A.A., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Shteinman E.A., Tetelbaum D.I. Influence of boron implantation and gettering on light-emitting properties of dislocation structures in ion-implanted silicon // E-MRS Spring Meeting 2018. Abstracts, France, Strasbourg. 2018. P. K.P1.31.

Никольская А.А., Королев Д.С., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Сушков А.А., Павлов Д.А. Синтез и свойства гексагональной модификации 9R-Si, полученной с помощью ионной имплантации // Сборник трудов XIII Всероссийской Научной конференция молодых ученых «Наноэлектроника, Нанофотоника и Нелинейная физика». Издательство "Техно-Декор", Саратов, 4-6 сентября, 404 стр. 2018. С. 209-210.

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Сушков А.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Исследование свойств гексагонального кремния, полученного с помощью ионной имплантации // Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение. Издательство Мордовского университета, Саранск, 18-21 сентября, 224 стр. 2018. С. 182.

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Мухаматчин К.Р., Елизарова А.А., Конаков А.А., Сушков А.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Диагностика образования и свойств включений гексагонального кремния, полученных методом ионной имплантации // Труды X Всероссийской школы-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «Диагностика наноматериалов и наноструктур». Типография РГРУ, Рязань, 01-06 октября, Т.2, 176 стр. 2018. С. 147.

Никольская А.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Тетельбаум Д.И. Фотолюминесцентная спектроскопия кремния с центрами дислокационной люминесценции, сформированных имплантацией ионов Si+ // Труды X Всероссийской школы-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «Диагностика наноматериалов и наноструктур». Типография РГРУ, Рязань, 01-06 октября, Т.2, 176 стр. 2018. С. 152.

Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Antonov I.N., Zubkov S.Yu., Shenina M.E., Milin V.E., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I., Gorshkov O.N. Improvement of resistive switching reproducibility by stabilized oxygen exchange in Au/Ta/ZrO2(Y)/Ta2O5/TiN/Ti devices // INTERNATIONAL WORKSHOP From ReRAM and Memristors to new Computing Paradigms. Book of Abstracts, Rethymno, Crete, Greece, October 28-31, 35 стр. 2018. P. 18.

Korolev D.S., Belov A.I., Antonov I.N., Gerasimova S.A., Pigareva Ya.I., Pimashkin A.S., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N. Dynamic response of metal-oxide memristive devices to complex electric signals // INTERNATIONAL WORKSHOP From ReRAM and Memristors to new Computing Paradigms. Book of Abstracts, Rethymno, Crete, Greece, October 28-31, 35 стр. 2018. P. 15.

Королев Д.С., Белов А.И., Антонов И.Н., Герасимова С.А., Пигарева Я.И., Пимашкин А.С., Горшков О.Н., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н. Мемристивные структуры на основе оксидных диэлектриков для применения в нейроморфных системах нового поколения // Сборник докладов VIII Международной научной конференции «Актуальные проблемы физики твердого тела». Минск: Ковчег, Минск, Беларусь, 24-28 сентября, Т.2, 286 стр. 2018. С. 249-250.

Терещенко А.Н., Королев Д.С., Никольская А.А., Михайлов А.Н., Белов А.И., Тетельбаум Д.И., Хорошева М.А., Штейнман Э.А. Влияние геттерирования на температурную зависимость дислокационной люминесценции в ионно-имплантированном кремнии // Сборник тезисов XII Международной конференции КРЕМНИЙ-2018. Российская Академия наук, Черноголовка, 22-26 ноября, 130 стр. 2018. С. 31.

Королев Д.С., Никольская А.А., Михайлов А.Н., Белов А.И., Сушков А.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Исследование особенностей формирования и люминесцентных свойств гексагональных фаз кремния, синтезированных с применением ионной имплантации // Сборник тезисов XII Международной конференции КРЕМНИЙ-2018. Российская Академия наук, Черноголовка, 22-26 ноября, 130 стр. 2018. С. 87.

Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Okulich E.V., Okulich V.I., Shuisky R.A., Guseinov D.V., Gryaznov E.G., Stepanov A.V., Gorshkov O.N. Ion Implantation in the Technology of Metal-Oxide Memristive Devices // XII International Conference on Ion implantation and other applications of ions and electrons. Book of Abstracts, Kazimierz Dolny, Poland, June 18-21, 137 стр. 2018. P. 122.

Tetelbaum D.I., Nikolskaya A.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Sushkov A.A., Pavlov D.A. Synthesis of hexagonal silicon by ion implantation // XII International Conference on Ion implantation and other applications of ions and electrons. Book of Abstracts, Kazimierz Dolny, Poland, June 18-21, 137 стр. 2018. P. 123.

Никольская А.А., Королев Д.С., Тетельбаум Д.И., Мухаматчин К.Р., Михайлов А.Н., Белов А.И., Сушков А.А., Павлов Д.А., Кривулин Н.О., Елизарова А.А., Конаков А.А. Структура и оптические свойства гексагональной модификации кремния, полученной методом ионной имплантации // «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Тезисы докладов VII Всероссийской конференции (Нижний Новгород, 7-9 ноября 2018 г.). Отпечатано в РИУ Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Н. Новгород, 174 стр.. 2018. С. 28.

Королев Д.С., Терещенко А.Н., Никольская А.А., Белов А.И., Михайлов А.Н., Штейнман Э.А., Тетельбаум Д.И. Температурная зависимость дислокационной люминесценции в ионно-имплантированном кремнии, дополнительно облученном ионами бора и подвергнутом внешнему геттерированию // Тезисы докладов VII Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Типография ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, 7-9 ноября, 174 стр. 2018. С. 32.

Терещенко А.Н., Королев Д.С., Никольская А.А., Михайлов А.Н., Белов А.И., Тетельбаум Д.И. Дефектная люминесценция в кремнии, имплантированном ионами кислорода // Тезисы докладов VII Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Типография ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, 7-9 ноября, 174 стр. 2018. С. 33.

Васильев В.К., Данилов Ю.А., Здоровейщев А.В., Белов А.И., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И., Шаймерденова Л.К. Формирование арсенидгаллиевых p-i-n структур ионной имплантацией с последующим быстрым термическим отжигом // Тезисы докладов VII Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Типография ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, 7-9 ноября, 174 стр. 2018. С. 145.

Коряжкина М.Н., Окулич Е.В., Горшков О.Н., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Шуйский Р.А., Антонов И.Н., Васильев В.К. Влияние облучения ионами Si и постимплантационного отжига на параметры резистивного переключения в мемристивных структурах на основе // Тезисы докладов VII Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Типография ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, 7-9 ноября, 174 стр. 2018. С. 150.

Шуйский Р.А., Окулич Е.В., Окулич В.И., Белов А.И., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Чигиринский Ю.И., Тетельбаум Д.И. Влияние ионной имплантации на параметры формовки и переключения мемристивных структур на основе диоксида кремния // Тезисы докладов VII Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Типография ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, 7-9 ноября, 174 стр. 2018. С. 153.

Pimashkin A.S., Pigareva Ya.I., Gerasimova S.A., Belov A.I., Gorshkov O.N., Kazantsev V.B., Mikhailov A.N. Decoding spiking activity of neuronal cultures using memristive devices // 11th FENS forum of neuroscience. Decoding spiking activity of neuronal cultures using memristive devices. A. Pimashkin, Y. Pigareva, S. Gerasimova, A. Belov, D. Koralev, O. Gorshkov, V. Kazantsev, A. Mikhailov // 11th FENS forum of neuroscience. 2018. Berlin, Germany, July 7-11, 2018. 2018. P. -.

Gerasimova S.A., Pimashkin A.S., Mikhailov A.N., Belov A.I., Pigareva Ya.I., Gorshkov O.N., Kazantsev V.B. Adaptive Behavior of Memristive Device Stimulated by Neuron-Like Signal // Opera Medica et Physiologica. Adaptive Behavior of Memristive Device Stimulated by Neuron-Like Signal / S.A. Gerasimova*, A.N. Mikhaylov, D.S. Korolev, A.I. Belov, I.N. Antonov, D.V. Guseinov, Ya.I. Pigareva, A.S. Pimashkin, O.N. Gorshkov, V.B. Kazantsev // Opera Medica et Physiologica. S1, Vol. 4. 2018. Proceedings of Volga Neuroscience Meeting 2018. N. Novgorod-Samara, July 22-27, 2018. P. 90.. 2018. P. 90.

Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Okulich E.V., Okulich V.I., Shuisky R.A., Guseinov D.V., Gryaznov E.G., Gorshkov O.N. Ion implantation in the technology of metal-oxide memristive devices. New York:: Nova Science Publishers, Inc. - Ion Implantation: Synthesis, Applications and Technology / A.D. Pogrebnyak (Ed.), ISBN: 978-1-53613-962-4.. 2018.

Koryazhkina M.N., Tikhov S.V., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Antonov I.N., Karzanov V.V., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I., Karakolis P., Dimitrakis P. Bipolar resistive switching in metal-insulator-semiconductor nanostructures based on silicon nitride and silicon oxide // Journal of Physics: Conference Series. V. 993. 2018. P. 012028.

Gerasimova S.A., Mikhailov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Guseinov D.V., Lebedeva A.V., Gorshkov O.N., Kazantsev V.B. Design of memristive interface between electronic neurons // AIP Conference Proceedings. № 1959. V. 1. 2018. P. 090005.

Antonov I.N., Belov A.I., Mikhaylov A.N., Morozov O.A., Ovchinnikov P.E. Formation of Weighting Coefficients in an Artificial Neural Network Based on the Memristive Effect in Metal–Oxide–Metal Nanostructures // Journal of Communications Technology and Electronics. № 8. V. 63. 2018. P. 950–957.

Mikhaylov A.N., Morozov O.A., Ovchinnikov P.E., Antonov I.N., Belov A.I., Korolev D.S., Sharapov A.N., Gryaznov E.G., Gorshkov O.N., Pigareva Ya.I., Pimashkin A.S., Lobov S.A., Kazantsev V.B. One-Board Design and Simulation of Double-Layer Perceptron Based on Metal-Oxide Memristive Nanostructures // IEEE Transactions on Emerging Topics in Computational Intelligence. № 5. V. 2. 2018. P. 371-379.

Тихов С.В., Горшков О.Н., Антонов И.Н., Михайлов А.Н., Белов А.И., P. Karakolis Особенности поведения МДП-мемристоров с нанослоем Si3N4, изготовленных на основе проводящей подложки из кремния // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 52. 2018. С. 1436–1442.

Tikhov S.V., Gorshkov O.N., Antonov I.N., Mikhaylov A.N., Belov A.I., P. Karakolis, P. Dimitrakis Behavioral Features of MIS Memristors with a Si3N4 Nanolayer Fabricated on a Conductive Si Substrate // Semiconductors. № 12. V. 52. 2018. P. 1540–1546.

Nikolskaya A.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Sushkov A.A., Krivulin N.O., Mukhamatchin K.R., Elizarova A.A., Tetelbaum D.I., Pavlov D.A. Light-emitting 9R-Si phase formed by Kr+ ion implantation into SiO2/Si substrate // Applied Physics Letters. № 18. V. 113. 2018. P. 182103.

Rajamani S., Arora K., Konakov A.A., Belov A.I., Korolev D.S., Nikolskaya A.A., Mikhaylov A.N., Surodin S., Kryukov R.N., Nikolichev D.E., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I., Kumar Mukesh, Kumar Mahesh Deep UV Narrow-Band Photodetector Based on Ion Beam Synthesized Indium Oxide Quantum Dots in Al2O3 Matrix // Nanotechnology. V. 29. 2018. P. 305603.

Rajamani S., Arora K., Belov A.I., Korolev D.S., Nikolskaya A.A., Usov Yu.V., Pavlov D.A., Mikhaylov A.N., Tetelbaum D.I., Kumar Mukesh, Kumar Mahesh Enhanced Solar-blind Photodetection Performance of Encapsulated Ga2O3 Nanocrystals in Al2O3 Matrix // IEEE Sensors Journal. № 10. V. 18. 2018. P. 4046-4052.

Tikhov S.V., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Antonov I.N., Karzanov V.V., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I., Karakolis P., Dimitrakis P. Role of highly doped Si substrate in bipolar resistive switching of silicon nitride MIS-capacitors // Microelectronic Engineering. V. 187-1. 2018. P. 134-138.

Korolev D.S., Belov A.I., Okulich E.V., Okulich V.I., Antonov I.N., Gryaznov E.G., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N. Manipulation of resistive state of silicon oxide memristor by means of current limitation during electroforming // Superlattices and Microstructures. V. 122. 2018. P. 371-376.

Koryazhkina M.N., Tikhov S.V., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Antonov I.N., Karzanov V.V., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I., Karakolis P., Dimitrakis P. Bipolar resistive switching in metal-insulator-semiconductor nanostructures based on silicon nitride and oxide // Journal of Physics: Conference Series. V. 993. 2018. P. 012028.

Tereshchenko A.N., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Nikolskaya A.A., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I., Shteinman E.A. Effect of Boron Impurity on the Light-Emitting Properties of Dislocation Structures Formed in Silicon by Si+ Ion Implantation // Semiconductors. № 7. V. 52. 2018. P. 843-848.

Tikhov S.V., Gorshkov O.N., Antonov I.N., Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Morozov A.N., Karakolis P., Dimitrakis P. Behavioral Features of MIS Memristors with a Si3N4 Nanolayer Fabricated on a Conductive Si Substrate // Semiconductors. № 12. V. 52. 2018. P. 1540-1546.

Nikolskaya A.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I. Formation of hexagonal silicon regions in silicon // Journal of Physics: Conference Series. V. 1124. 2018. P. 022007.

Nikolskaya A.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Sushkov A.A., Krivulin N.O., Muhamatchin K.R., Elizarova A.A., Marychev M.O., Konakov A.A., Tetelbaum D.I., Pavlov D.A. Light-emitting 9R-Si phase formed by Kr+ ion implantation into SiO2/Si substrate // Applied Physics Letters. № 18. V. 113. 2018. P. 182103.

Степанов А.В., Белов А.И., Окулич Е.В., Шуйский Р.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н. Улучшение параметров мемристоров на основе оксида кремния методом ионного облучения // Вестник Чувашской государственной сельскохозяйственной академии. № 1(4). 2018. С. 87-91.

Тихов С.В., Горшков О.Н., Антонов И.Н., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Морозов А.И., Белов А.И., Karacolis P., Dimitrakis P. Особенности биполярного переключения в МДП-стркутурах на основе проводящего кремния // Физика и техника полупроводников. № 2018. Т. 12. 2018. С. 1436.

Korolev D.S., Belov A.I., Okulich E.V., Okulich V.I., Guseinov D.V., Sidorenko K.V., Shuisky R.A., Antonov I.N., Gryaznov E.G., Gorshkov O.N., Tetelybaum D.I., Mikhailov A.N. Manipulation of resistive state of silicon oxide memristor by means of current limitation during electroforming // Superlattices and Microstructures. V. 122. 2018. P. 371-376.

2017

Королев Д.С., Никольская А.А., Белов А.И., Суродин С.И., Николичев Д.Е., Нежданов А.В., Маркелов А.С., Шушунов А.Н., Усов Ю.В., Павлов Д.А., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. Формирование нановключений нитрида галлия при имплантации ионов галлия и азота в кремний и кремний-совместимые диэлектрические пленки // Тезисы докладов, 11 Всероссийская конференция «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы. Москва, 1-3 февраля. 2017. С. 146-147.

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Никольская А.А., Терещенко А.Н., Штейнман Э.А., Тетельбаум Д.И. Влияние легирования бором на температурную зависимость дислокационной люминесценции в кремнии // Труды XXI Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Т.2. Нижний Новгород, 13-16 марта. 2017. С. 625-626.

Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Okulich E.V., Antonov I.N., Tetelbaum D.I. Influence of current limitation on the adaptive behavior of the memristive nanostructures // Book of abstracts, International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures. Saint Petersburg, April 3-6. 2017. P. 554-555.

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Никольская А.А., Терещенко А.Н., Штейнман Э.А., Тетельбаум Д.И. Дислокационная люминесценция в имплантированном ионами Si+ кремнии с разными типами проводимости и концентрациями легирующей примеси // Тезисы докладов, XLVII Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (ФВЗЧК-2017). Москва, 30 мая-1 июня. 2017. С. 124.

Окулич Е.В., Королев Д.С., Белов А.И., Окулич В.И., Шуйский Р.А., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. Влияние ионной имплантации на параметры мемристивных структур на основе оксида кремния // Тезисы докладов, XLVII Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (ФВЗЧК-2017). Москва, 30 мая-1 июня. 2017. С. 145.

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Никольская А.А., Нагорных С.Н., Терещенко А.Н., Штейнман Э.А., Тетельбаум Д.И. Механизм влияния температуры на дислокационную фотолюминесценцию ионно-имплантированного кремния // Труды, XXIII Международная конференция «Взаимодействие ионов с поверхностью» (ВИП 2017). Москва, 21-25 августа. 2017. С. 93-96.

Tetelbaum D.I., Korolev D.S., Nikolskaya A.A., Belov A.I., Mikhaylov A.N., Krivulin N.O., Pavlov D.A. Formation of nanocrystalline 9R silicon hexagonal phase under multi-ion implantation into Si and SiO2/Si substrates // Abstracts, Nineteenth Annual Conference YUCOMAT 2017. Herceg Novi, Montenegro, September 4-8. 2017. P. 95.

Никольская А.А., Тетельбаум Д.И., Королев Д.С., Белов А.И., Михайлов А.Н., Кривулин Н.О., Павлов Д.А. Синтез гексагональной модификации кремния с помощью ионной имплантации // Тезисы докладов, III Всероссийский научный форум «Наука будущего – наука молодых». Нижний Новгород, 12-14 сентября. 2017. С. 374-375.

Никольская А.А., Тетельбаум Д.И., Королев Д.С., Белов А.И., Михайлов А.Н., Кривулин Н.О., Павлов Д.А., Соболев Н.А., Kumar M. Ионно-лучевой синтез кремния с гексагональной структурой // Материалы докладов, 16-ая Международная научная конференция -школа «Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение». Саранск, 19-22 сентября. 2017. С. 24.

Королев Д.С., Никольская А.А., Михайлов А.Н., Белов А.И., Кривулин Н.О., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Формирование гексагональной фазы кремния при ионном облучении // Материалы докладов, 12-я Международная конференция «Взаимодействие излучений с твердым телом». Минск, Беларусь, 19-22 сентября. 2017. С. 150-151.

Королев Д.С., Окулич Е.В., Шуйский Р.А., Окулич В.И., Белов А.И., Антонов И.Н., Васильев В.К., Горшков О.Н., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н. Влияние ионно-лучевой обработки на параметры электроформовки и резистивного переключения мемристивных наноструктур // Материалы докладов, 12-я Международная конференция «Взаимодействие излучений с твердым телом». Минск, Беларусь, 19-22 сентября. 2017. С. 152-153.

Rajamani S., Korolev D.S., Belov A.I., Mikhaylov A.N., Tetelbaum D.I., Kumar M. Ultraviolet Photodetectors Based on Ion-Beam Synthesized GaN Nanocrystals // Book of abstracts,International Conference on Nano Structuring by Ion beam (ICNIB 2017). Indore, India, October 11-13. 2017. P. O-07.

Nikolskaya A.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Tetelbaum D.I. Influence of ambient and temperature of annealing on dislocation-related luminescence in silicon // Book of abstracts, III Международная конференция «Актуальные проблемы физики поверхности и наноструктур». Ярославль, 9-11 октября. 2017. P. 46.

Guseinov D.V., Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Shenina M.E., Korolev D.S., Antonov I.N., Kasatkin A.P., Gorshkov O.N., Okulich E.V., Okulich V.I., Bobrov A.I., Malekhonova N.V., Pavlov D.A., Gryaznov E.G. Filamentary model of bipolar resistive switching in capacitor-like memristive nanostructures on the basis of yttria-stabilised zirconia // International Journal of Nanotechnology. № 7/8. V. 14. 2017. P. 604-617.

Королев Д.С., Никольская А.А., Кривулин Н.О., Белов А.И., Михайлов А.Н., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И., Соболев Н.А., Kumar M. Формирование гексагональной фазы кремния 9R при ионной имплантации // Письма в Журнал технической физики. № 16. Т. 43. 2017. С. 87-92.

Korolev D.S., Nikolskaya A.A., Krivulin N.O., Belov A.I., Mikhaylov A.N., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I., Sobolev N.A., Kumar M. Formation of Hexagonal 9R Silicon Polytype by Ion Implantation // Technical Physics Letters. № 8. V. 43. 2017. P. 767-769.

Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Konakov A.A., Vasiliev V.K., Nikolichev D.E., Surodin S.I., Tetelbaum D.I. Composition and luminescence of Si and SiO2 layers co-implanted with Ga and N ions // International Journal of Nanotechnology. № 7-8. V. 14. 2017. P. 637-645.

Герасимова С.А., Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Горшков О.Н., Казанцев В.Б. Имитация синаптической связи нейроноподобных генераторов с помощью мемристивного устройства // Журнал технической физики. № 87. Т. 8. 2017. С. 1248-1254.

Tikhov S.V., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Antonov I.N., Karzanov V.V., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I., P. Karakolis, P. Dimitrakis Role of highly doped Si substrate in bipolar resistive switching of silicon nitride MIS-capacitors // Microelectronic Engineering. № 187. V. 188. 2017. P. 134-138.

2016

Gorshkov O.N., Mikhailov A.N., Belov A.I., Koryazhkina M.N., Malekhonova N.V., Antonov I.N., Shenina M.E. Resistive Switching in the Au/Zr/ZrO2–Y2O3/TiN Nanostacks // “Saint Petersburg OPEN 2016” 3rd International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures. St Petersburg, Russia, March 28 – 30, 2016. BOOK of ABSTRACTS. Academic University Publishing St. Petersburg, 2016, 600 p.. 2016. P. 332-333.

Mikhaylov A.N., Gorshkov O.N., Kasatkin A.P., Tikhov S.V., Belov A.I., Shenina M.E., Koryazhkina M.N., Guseinov D.V., Okulich V.I., Korolev D.S., Antonov I.N., Antonov D.A., Bobrov A.I., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I., Gryaznov E.G., Yatmanov A.P. Bipolar resistive switching in capacitor-like structures based on ionic and covalent oxide dielectrics // Abstracts 20th International Symposium On Non-Oxide and New Optical Glasses. Nizhny Novgorod, Russia, August 21-26, 2016. 2016. P. 103-104.

Королев Д.С., Белов А.И., Окулич Е.В., Никольская А.А., Суродин С.И., Николичев Д.Е., Нежданов А.В., Усов Ю.В., Павлов Д.А., Маркелов А.С., Трушин В.Н., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И., Kumar M. Королев Д.С., Белов А.И., Окулич Е.В., Никольская А.А., Суродин С.И., Николичев Д.Е., Нежданов А.В., Усов Ю.В., Павлов Д.А., Маркелов А.С., Трушин В.Н., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И., Kumar M. Формирование нанокластеров в кремнии и оксидных пленках на кремнии, имплантированных Ga и N // Физические и физико-химические основы ионной имплантации: Тез. докл. VI Всерос. конф. и шк. молодых ученых и специалистов, Нижний Новгород, 24–27 окт. 2016 г. Н. Новгород. : Изд-во Нижегорд. госун-та. 2016. 141 с. 2016. С. 62-63.

Суродин С.И., Николичев Д.Е., Крюков Р.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. Распределение химического состава по глубине в кремнии,имплантированном ионами галлия и азота // XX научный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", г. Нижний Новгород, 14-18 марта. Т.2, Изд-во ННГУ. 2016. С. 741-742.

Тихов С.В., Горшков О.Н., Антонов И.Н., Касаткин А.П., Королев Д.С., Белов А.И., Тетельбаум Д.И. Изменение иммитанса при электроформовке и резистивном переключении в мемристивных структурах металл-диэлектрик –металл на основе SiOx // Жтф. Т. 5. 2016. С. 107-114.

Konakov A.A., Filatov D.O., Korolev D.S., Belov A.I., Mikhaylov A.N., Tetelbaum D.I., Kumar M. Electronic states in spherical GaN nanocrystals embedded in various dielectric matrices: The k⋅p-calculations // AIP Advances. V. 6. 2016. P. 015007.

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Васильев В.К., Гусейнов Д.В., Окулич Е.В., Шемухин А.А., Суродин С.И., Николичев Д.Е., Нежданов А.В., Пирогов А.В., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Послойный состав и структура кремния, подвергнутого совместной ионной имплантации галлия и азота для ионного синтеза GaN // Физика и техника полупроводников. № 2. Т. 50. 2016. С. 274-278.

Белов А.И., Михайлов А.Н., Королев Д.С., Сергеев В.А., Антонов И.Н., Горшков О.Н., Тетельбаум Д.И. Резистивное переключение в мемристивных структурах Au/SiOx/TiN/Ti с различными геометрическими параметрами и стехиометрией диэлектрической пленки // Письма в журнал технической физики. № 10. Т. 42. 2016. С. 17-24.

Belov A.I., Mikhaylov A.N., Korolev D.S., Guseinov D.V., Gryaznov E.G., Okulich E.V., Sergeev V.A., Antonov I.N., Kasatkin A.P., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I., Kozlovski V.V. Medium-energy ion-beam simulation of the effect of ionizing radiation and displacement damage on SiO2-based memristive nanostructures // Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B. V. 379. 2016. P. 13-17.

Тихов С.В., Горшков О.Н., Антонов И.Н., Касаткин А.П., Королев Д.С., Белов А.И., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. Изменение иммитанса при электроформовке и резистивном переключении в мемристивных структурах «металл-диэлектрик-металл» на основе SiOx // Журнал технической физики. № 5. Т. 86. 2016. С. 107-111.

Rajamani S., Korolev D.S., Belov A.I., Surodin S.I., Nikolitchev D.E., Okulich E.V., Mikhaylov A.N., Tetelbaum D.I., Kumar M. Effect of annealing on carrier transport properties of GaN-incorporated silicon // RSC Advances. V. 6. 2016. P. 74691.

Surodin S.I., Nikolitchev D.E., Kryukov R.N., Belov A.I., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Tetelbaum D.I. Distribution of species and Ga–N bonds in silicon co-implanted with gallium and nitrogen ions // AIP Conference Proceedings. V. 1748. 2016. P. 050005.

Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Sergeev V.A., Antonov I.N., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I. Adaptive behaviour of silicon oxide memristive nanostructures // Journal of Physics: Conference Series. V. 741. 2016. P. 012161.

Gorshkov O.N., Mikhaylov A.N., Kasatkin A.P., Tikhov S.V., Filatov D.O., Pavlov D.A., Belov A.I., Koryazhkina M.N., Bobrov A.I., Malekhonova N.V., Gryaznov E.G., Antonov I.N., Shenina M.E. Resistive switching in the Au/Zr/ZrO2–Y2O3/TiN/Ti memristive devices deposited by magnetron sputtering // Journal of Physics: Conference Series. № 1. V. 741. 2016. P. 012174.

Mikhaylov A.N., Gryaznov D.V., Belov A.I., Korolev D.S., Sharapov A.N., Guseinov D.V., Tetelbaum D.I., Malekhonova N.V., Bobrov A.I., Pavlov D.A., Tikhov S.V., Gerasimova S.A., Kazantsev V.B., Agudov N.V., Dubkov A.A., C. M. M. Rosário, N. A. Sobolev, B. Spagnolo Field- and irradiation-induced phenomena in memristive nanomaterials // Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics. № 10-12. V. 13. 2016. P. 870-881.

Korolev D.S., Mikhailov A.N., Belov A.I., Vasilyev V.K., Guseinov D.V., Okulich E.V., Shemmukhin A.A., Surodin S.I., Nikolichev D.E., Nezhdanov A.V., Pirogov A.V., Pavlov D.A., Tetelybaum D.I. Layer-by-Layer Composition and Structure of Silicon Subjected to Combined Gallium and Nitrogen Ion Implantation for the Ion Synthesis of Gallium Nitride // Semiconductors. № 2. V. 50. 2016. P. 271-275.

2015

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Смирнов А.Е., Тетельбаум Д.И. Исследование влияния отжига в окислительной атмосфере на дислокационную люминесценцию в кремнии, имплантированном Si+ // XIX Международный Симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника». Труды. Нижний Новгород, 10–14 марта, 2015. 2 стр. 2015. С. 539-540.

Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Смирнов А.Е., Васильев В.К., Гусейнов Д.В., Николичев Д.Е., Крюков Р.Н., Трушин В.Н., Маркелов А.С., Нежданов А.В. Ионно-лучевой синтез GaN в кремнии // XIX Международный Симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника». Труды. Нижний Новгород, 10–14 марта, 2015. 2 стр. 2015. С. 663-664.

Суродин С.И., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Николичев Д.Е., Крюков Р.Н., Королев Д.С., Белов А.И. Исследование химического состава кремния, имплантированного ионами галлия и азота // XX Нижегородская сессия молодых ученых. Естественные, математические науки. Княгинино : НГИЭУ. – 2015. – 218 с.. 2015. С. 60-63.

Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Sergeev V.A., Efimovykh D.V., Antonov I.N., Okulich E.V., Gorshkov O.N., Kasatkin A.P., Tetelbaum D.I. Influence of ion irradiation on the resistive switching parameters of SiOx-based thin-film structures // 2nd International school and conference “Saint Petersburg OPEN 2015”. Book of abstracts. St. Petersburg, Russia, April 6-8, 2015. 2015. P. 271-272.

Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Sergeev V.A., Vasilyev V.K., Smirnov A.E., Nikolichev D.E., Kryukov R.N., Guseinov D.V., Markelov A.S., Trushin V.N., Tetelbaum D.I. Ion synthesis of GaN nanocrystals in silicon // 2nd International school and conference “Saint Petersburg OPEN 2015”. Book of abstracts, St. Petersburg, Russia, April 6-8, 2015. 2015. P. 237-238.

Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Antonov I.N., Gorshkov O.N., Kasatkin A.P., Tetelbaum D.I. Effect of ion irradiation on resistive switching in silicon-oxide-based MIM structures // Proceedings of the International conference “Nanomeeting-2015”. Belarus, Minsk, 26-29 May, 2015. 2015. P. 88-90.

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Сергеев В.А., Антонов И.Н., Горшков О.Н., Касаткин А.П., Тетельбаум Д.И. Влияние ионного облучения на параметры резистивного переключения в МДМ-структурах на основе оксида кремния // XXII Международная конференция «Взаимодействие ионов с поверхностью (ВИП 2015)». Труды. Москва, 20-24 августа, 2015. – Т.3. 2015. С. 101-104.

Tetelbaum D.I., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Vasilyev V.K., Guseinov D.V., Okulich E.V., Surodin S.I., Nikolichev D.E., Nezhdanov A.V., Pirogov A.V., Pavlov D.A., Konakov A.A., Shemukhin A., Ranwa S., Kumar M. Si and Si-compatible dielectric films subjected to Ga+N co-implantation: towards the Si-based technology of nc-GaN fabrication // 18th International Conference on Radiation Effects in Insulators (REI-18), Dates: 26th to 31st October, 2015. Book of Abstracts. Jaipur, Rajasthan, India. 2015. P. 238.

Mikhaylov A.N., Belov A.I., Guseinov D.V., Korolev D.S., Antonov I.N., Efimovykh D.V., Tikhov S.V., Kasatkin A.P., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I., Gryaznov E.G., Yatmanov A.P. Bipolar resistive switching and charge transport in silicon oxide memristor // Materials Science and Engineering B. V. 195. 2015. P. 48-54.

Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Shushunov A.N., Bobrov A.I., Pavlov D.A., Shek E.I., Sobolev N.A. Localization of dislocation-related luminescence centers in self-ion implanted silicon and effect of additional boron ion doping // Physica Status Solidi C. № 1-2. V. 12. 2015. P. 84-88.

Mikhaylov A.N., Belov A.I., Guseinov D.V., Korolev D.S., Antonov I.N., Efimovykh D.V., Tikhov S.V., Kasatkin A.P., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I., Bobrov A.I., Malekhonova N.V., Pavlov D.A., Gryaznov E.G., Yatmanov A.P. Bipolar resistive switching and charge transport in silicon oxide memristor // Materials Science and Engineering B. № 4. V. 194. 2015. P. 48-54.

Белов А.И., Михайлов А.Н., Королев Д.С., Сергеев В.А., Окулич Е.В., Антонов И.Н., Касаткин А.П., Грязнов Е.Г., Ятманов А.П., Горшков О.Н., Тетельбаум Д.И. Влияние облучения ионами H+ и Ne+ на резистивное переключение в мемристивных структурах «металл-диэлектрик-металл» на основе SiOx // Письма в журнал технической физики. № 19. Т. 41. 2015. С. 81-89.

Nagornykh S.N., Pavlenkov V.I., Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Shushunov A.N., Bobrov A.I., Pavlov D.A., Shek E.I. Distribution of D1 Dislocation Luminescence Centers in Si+-Implanted Silicon and the Photoluminescence Model // Modern Electronic Materials. № 2. V. 1. 2015. P. 33-37.

Sergeev V.A., Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Vasilyev V.K., Smirnov A.E., Nikolichev D.E., Surodin S.I., Guseinov D.V., Nezhdanov A.V., Markelov A.S., Trushin V.N., Pirogov A.V., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I. Ion-beam synthesis of GaN in silicon // Journal of Physics: Conference Series. № 643. V. 1. 2015. P. 012082.

Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Sergeev V.A., Antonov I.N., Kasatkin A.P., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I. Influence of ion irradiation on the resistive switching parameters of SiOx-based thin-film structures // Journal of Physics: Conference Series. V. 643. 2015. P. 012094.

Нагорных С.Н., Павленков В.И., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Шушунов А.Н., Бобров А.И., Павлов Д.А. Распределение центров дислокационной люминесценции D1 в кремнии, подвергнутом имплантации ионов Si+, и модель фотолюминесценции // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2015. [принято к печати]

2014

Горшков О.Н., Антонов И.Н., Белов А.И., Касаткин А.П., Коряжкина М.Н., Михайлов А.Н., Тихов С.В. Свойства структур Au/Zr/GeOx/ZrO2(Y)/TiN, проявляющих эффекты резистивного переключения и памяти // Труды ХVIII Международного симпозиума "Нанофизика и Наноэлектроника" (Н. Новгород, 10 -14 марта 2014). Н. Новгород, изд. ННГУ, Т. 2, 353 с.. 2014. С. 434-435.

Тихов С.В., Михайлов А.Н., Белов А.И., Гусейнов Д.В., Королев Д.С., Антонов И.Н., Касаткин А.П., Горшков О.Н., Тетельбаум Д.И. Электрофизические свойства структур металл-диэлектрик-полупроводник на основе оксида кремния, проявляющий эффект резистивного переключения // Труды ХY111 Международного симпозиума по Нанофизике и Наноэлектронике 10 -14 марта 2014. Нижний Новгород, том 2, 557-558. 2014. С. 557-558.

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Смирнов А.Е., Шушунов А.Н., Шек Е.И., Тетельбаум Д.И. Влияние дозы ионного легирования бором и условий отжига на дислокационную фотолюминесценцию в кремнии // Труды XVIII Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Н. Новгород, 10–14 марта, 2014. – С.638-639. 2014. С. 638-639.

Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Shushunov A.N., Bobrov A.I., Pavlov D.A. Effect of boron ion doping on dislocation-related luminescence in silicon // Abstracts of E-MRS 2014 Spring Meeting. Lille, France, 26-30 May, 2014.. 2014. P. 1-35.

Спирин Д.Е., Терехов В.А., Минаков Д.Н., Степанова Н.А., Агапов Б.Л., Солдатенко С.А., Тетельбаум Д.И., Белов А.И., Михайлов А.Н., Ершов А.В. Возможность формирования нанокристаллов кремния и карбида кремния в матрице SiOx после ионной имплантации углерода и импульсно-фотонного отжига // Аморфные и микрокристаллические полупроводники: сборник трудов IX Международной конференции. 7–10 июля 2014 года. - Санкт-Петербург. СПб.: Издательство Политехнического университета, 431 с. 2014. С. 118–119.

Спирин Д.Е., Терехов В.А., Минаков Д.Н., Степанова Н.А., Агапов Б.Л., Солдатенко С.А., Тетельбаум Д.И., Белов А.И., Михайлов А.Н., Ершов А.В., Дудин Ю.А. Влияние имплантации углерода на формирование нанокристаллов кремния и карбида кремния в пленках SiOx // Физические и физико-химические основы ионной имплантации: тезисы докладов V Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов (Нижний Новгород, 27–31 октября 2014 г.). Нижний Новгород: ННГУ. 142 с. 2014. С. 40-41.

Нагорных С.Н., Павленков В.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Бобров А.И., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И., Шек Е.И. Распределение структурных нарушений и центров дислокационной фотолюминесценции в кремнии, подвергнутом имплантации ионов Si+ // Кремний – 2014 /Тезисы докладов X Конференции по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе (Иркутск, 7–12 июля 2014 г.). Иркутск: Изд-во Института географии им. В.Б. Сочавы СО РАН, 229 с. 2014. С. 156.

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Антонов И.Н., Ефимовых Д.В., Тихов С.В., Горшков О.Н., Тетельбаум Д.И. Резистивное переключение в структурах «металл-диэлектрик-металл» на основе оксида кремния // Материалы ІV Международной научной конференции "Наноструктурные материалы-2014: Беларусь-Россия-Украина". Минск, 7-10 октября,. 2014. С. 355.

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Шушунов А.Н., Смирнов А.Е., Тетельбаум Д.И., Шек Е.И., Соболев Н.А. Эволюция дислокационной люминесценции в кремнии при дополнительном ионном легировании и отжиге в различных атмосферах // Тезисы докладов V-ой Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов «Физические и физико–химические основы ионной имплантации». Нижний Новгород, Россия, 27- 31 октября 2014. : ННГУ им. Н.И.Лобачевского. 2014. С. 61.

Королев Д.С., Смирнов А.Е., Михайлов А.Н., Белов А.И., Шушунов А.Н., Тетельбаум Д.И. Дислокационная фотолюминесценция в кремнии: влияние дозы ионного легирования бором и атмосферы отжига // Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение: сборник трудов 13-й Международной научной конференции-школы. Саранск, 7–10 октября 2014 г.. 2014. С. 43.

Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Ефимовых Д.В., Антонов И.Н., Тихов С.В., Касаткин А.П., Горшков О.Н., Тетельбаум Д.И., Грязнов Е.Г. Влияние ионного облучения на параметры резистивного переключения в структурах «металл – оксид кремния – металл» // V Всероссийская конференция и школа молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Тезисы докладов. Нижний Новгород, 27-31 октября, 2014.. 2014. С. 36.

Тетельбаум Д.И., Гусейнов Д.В., Васильев В.К., Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Оболенский С.В., Качемцев А.Н. Ионно-лучевая имитация радиационных повреждений в гетероструктурах при облучении быстрыми нейтронами // V Всероссийская конференция и школа молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Тезисы докладов. Нижний Новгород, 27-31 октября, 2014.. 2014. С. 81.

Нагорных С.Н., Павленков В.И., Белов А.И., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И., Бобров А.И., Павлов Д.А. Теоретическое исследование пространственного распределения центров дислокационной люминесценции с учетом кинетики их формирования и влияния упругих напряжений в атмосферах дислокаций // V Всероссийская конференция и школа молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Тезисы докладов. Нижний Новгород, 27-31 октября, 2014. 2014. С. 60.

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Филатов Д.О., Белов А.И., Николичев Д.Е., Крюков Р.Н., Маркелов А.С., Гусейнов Д.В., Васильев В.К., Тетельбаум Д.И. Структура и состав ионно-синтезированных нанокристаллов GaN в кремнии // XXXIII научные чтения имени академика Николая Васильевича Белова, г. Нижний Новгород. Изд-во ННГу. 2014. С. 108.

Obolenskii S.V., Tetelybaum D.I., Guseinov D.V., Vasilyev V.K., Mikhailov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Kachemtsev A.N. Ion-beam simulation of radiation damage produced by fast neutrons in heterophase structures // Nuclear Instruments and methods. V. B236. 2014. P. 41-44.

Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Тимофеева А.О., Васильев В.К., Шушунов А.Н., Бобров А.И., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И., Шек Е.И. Влияние ионного легирования на фотолюминесценцию в кремнии, связанную с дислокациями, сформированными путем имплантации ионов Si+ // Физика и техника полупроводников. № 2. Т. 48. 2014. С. 212-216.

Mikhailov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Timofeeva A.O., Vasilyev V.K., Shushunov A.N., Bobrov A.I., Pavlov D.A., Tetelybaum D.I., Shek E.I. Effect of Ion Doping on the Dislocation Related Photoluminescence in Si+ Implanted Silicon // Semiconductors. № 2. V. 48. 2014. P. 199-203.

Демидов Е.С., Карзанова М.В., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И., Белов А.И., Королев Д.С., Павлов Д.А., Бобров А.И., Горшков О.Н., Демидова Н.Е., Чигиринский Ю.И. Влияние ионного облучения на структуру и люминесцентные свойства пористого кремния, пропитанного вольфрам-теллуритным стеклом с примесями Er и Yb // Физика твердого тела. № 3. Т. 56. 2014. С. 607-610.

Demidov E.S., Karzanova M.V., Mikhailov A.N., Tetelybaum D.I., Belov A.I., Korolev D.S., Pavlov D.A., Bobrov A.I., Gorshkov O.N., Demidova N.E., Chigirinskii Yu.I. Effect of Ion Irradiation on the Structure and Luminescence Characteristics of Porous Silicon Im-pregnated with Tungsten–Telluride Glass Doped by Er and Yb Impurities // Physics of the Solid State. № 3. V. 56. 2014. P. 631-634.

Terekhov V., Tetelbaum D., Spirin D., Pankov K., Mikhailov A.N., Belov A.I., Ershov A.V., Turishchev S. X-ray absorption near edge structure anomalous behavior in structures with buried layers containing silicon nanocrystals // Journal of Synchrotron Radiation. № 1. V. 21. 2014. P. 209-214.

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Костюк А.Б., Карзанова М.В., Ершов А.В., Демидов Е.С., Тетельбаум Д.И. Закономерности влияния ионного облучения на фотолюминесценцию нанокристаллов кремния в матрице SiO2 // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. № 1 (2). 2014. С. 71-75.

Gorshkov O.N., Antonov I.N., Belov A.I., Kasatkin A.P., Mikhailov A.N. Resistive Switching in Metal–Insulator–Metal Structures Based on Germanium Oxide and Stabilized Zirconia. // Technical Physics Letters. № 2. V. 40. 2014. P. 101-103.

Горшков О.Н., Антонов И.Н., Белов А.И., Касаткин А.П., Михайлов А.Н. Резистивное переключение в структурах”металл−диэлектрик−металл“ на основе оксида германия и стабилизированного диоксида циркония. // Письма в журнал технической физики. № 3. Т. 40. 2014. С. 12-19.

Nagornykh S.N., Pavlenkov V.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Burdov V.A., Krasilnikova L.V., Kryzhkov D.I., Tetelbaum D.I. On the temperature dependence of photoluminescence of silicon quantum dots // Russian Microelectronics. № 8. V. 43. 2014. P. 575-580.

Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Shushunov A.N., Bobrov A.I., Pavlov D.A., Shek E.I., Sobolev N.A. Localization of dislocation-related luminescence centers in self-ion im-planted silicon and effect of additional boron ion doping // Phys. Stat. Sol. (c). № 11-12. V. 11. 2014. P. 1-5.

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Костюк А.Б., Карзанова М.В., Ершов А.В., Демидов Е.С., Тетельбаум Д.И. Закономерности влияния ионного облучения на фотолюминесценцию нанокристаллов кремния в матрице SiO2 // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. № 1 (2). 2014. С. 74–79.

2013

Shelepin N., Matyushkin I., Orlov S., Ermakov A., Svechkarev K., Bobovnikov P., Mikhaylov A., Belov A.I. The ways of silicon carbide usage in field-emission devices: the technological aspect // 2013 IEEE 33rd International Scientific Conference Electronics and Nanotechnology, ELNANO 2013 – Conference Proceedings. IEEE: ISBN: 978-1-4673-4669-6. DOI: 10.1109/ELNANO.2013.6552068. 2013. P. 177-180.

Горшков О.Н., Антонов И.Н., Белов А.И., Касаткин А.П., Шарапов А.Н. Резистивное переключение в МДМ-структурах на основе наноразмерных плёнок диоксида циркония и стабилизированного диоксида циркония // Труды научно-технической конференции "Пассивные электронные компоненты - 2013". Н. Новгород "КБ "ИКАР", 322. 2013. С. 309-313.

Горшков О.Н., Антонов И.Н., Белов А.И., Касаткин А.П., Тихов С.В., Шенина М.Е., Коряжкина М.Н. Влияние диффузии ионов кислорода в наноразмерных плёнках стабилизированного диоксида циркония на резистивное переключение МДМ – структур на основе этих плёнок // Пассивные электронные компоненты - 2013: труды научно-технической конференции. Н.Новгород: КБ «ИКАР», 2013. – 322С.. 2013. С. 303-308.

Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Тимофеева А.О., Васильев В.К., Тетельбаум Д.И., Сахаров В.И., Серенков И.Т., Шек Е.И., Соболев Н.А. Влияние ионной имплантации примесей на дислокационную фотолюминесценцию в кремнии // Труды XVII Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Н. Новгород, 11–15 марта. 2013. С. 608-609.

Королев Д.С., Костюк А.Б., Белов А.И., Михайлов А.Н., Дудин Ю.А., Тетельбаум Д.И. Влияние ионного облучения на эффект сенсибилизации излучения эрбиевых центров нанокластерами кремния // Труды XVII Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Н. Новгород, 11–15 марта. 2013. С. 606-607.

Демидов Е.С., Карзанова М.В., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И., Белов А.И., Королев Д.С., Павлов Д.А., Бобров А.И. Влияние облучения ионами Ar+, Ne+ и P+ пористого кремния, пропитанного вольфрам-теллуритным стеклом с примесями Er и Yb, на его люминесцентные свойства // Труды XVII Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». 11–15 марта 2013, Нижний Новгород: Изд-во ННГУ,- Т.2. 2013. С. 427-428.

Горшков О.Н., Касаткин А.П., Антонов Д.А., Антонов И.Н., Белов А.И. Резистивное переключение в МДМ-структурах на основе плёнок GeO2 и ZrO2 // Труды XVII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника» (11-15 марта 2013 г.). Институт физики микроструктур РАН, Т. 2. 2 С.. 2013. С. 412-413.

Tetelbaum D.I., Guseinov D.V., Vasiliev V.K., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Shengurov V.G., Denisov S.A. Ion-beam simulation of radiation damage produced by fast neutrons in heterophase structures // Book of abstracts of the 17th International Conference on Radiation Effects in Insulators (REI-2013). Helsinki, Finland, June 30- July 5, 2013. 2013. P. 68.

Mikhaylov A.N., Guseinov D.V., Belov A.I., Kostyuk A.B., Karzanova M.V., Korolev D.S., Timofeeva A.O., Bobrov A.I., Chugrov I.A., Ershov A.V., Kasatkin A.P., Gorshkov O.N., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I., Demidov E.S. Ion-beam engineering of silicon-based nanomaterials // Труды XXI Международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью (ВИП 2013)». Ярославль, 22-26 августа, 2013, Т.2. 2013. P. 31-36.

Костюк А.Б., Королев Д.С., Белов А.И., Гусейнов Д.В., Бобров А.И., Павлов Д.А., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И., Степанов А.Л. Влияние ионного облучения на структуру и оптические свойства нанокластеров Au в диэлектрических матрице // Труды XXI Международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью (ВИП-2013)». Ярославль, 22-26 августа. 2013. С. 300-303.

Белов А.И., Королев Д.С., Костюк А.Б., Чугров И.А., Грачев Д.А., Михайлов А.Н., Ершов А.В., Демидов Е.С., Тетельбаум Д.И. Электронный транспорт и электролюминесценция в диэлектрических слоях с нанокластерами кремния, сформированных с применением ионной имплантации // Труды XXI Международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью (ВИП-2013)». Ярославль, 22-26 августа, 2013. – Т. 2. 2013. С. 286-289.

Шенина М.Е., Горшков О.Н., Коряжкина М.Н., Антонов И.Н., Белов А.И., Касаткин А.П., Тихов С.В. Особенности формирования элементов резистивной памяти на основе оксидов с наночастицами металлов // Труды VIII отраслевой научно-технической конференции молодых специалистов Госкорпорации "Росатом" "Высокие технологии атомной отрасли. Молодежь в инновационном процессе" в рамках 18-го Международного научно-промышленного Форума "Будущее России". ФГУП «ФНПЦ НИИИС им.Ю.Е. Седакова». 2013. [принято к печати]

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Костюк А.Б., Карзанова М.В., Бобров А.И., Ершов А.В., Павлов Д.А., Демидов Е.С., Тетельбаум Д.И. Закономерности ионно-лучевой обработки наноматериалов на основе кремния // Форум молодых учёных: Тезисы докладов. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, T. 1.. 2013. С. 166-168.

Костюк А.Б., Королев Д.С., Белов А.И., Гусейнов Д.В., Бобров А.И., Павлов Д.А., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. Влияние ионного облучения и последующего отжига на оптические и структурные свойства массива нанокристаллов Au в SiO2 // Форум молодых учёных: Тезисы докладов. Изд-во ННГУ им. Н. И. Лобачевского, T. 1.. 2013. С. 170-172.

Королев Д.С., Белов А.И., Михайлов А.Н., Бобров А.И., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Влияние ионного легирования на дислокационную фотолюминесценцию в кремнии // «Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение»: сборник трудов 12-й Международной конференции-школы. Саранск, 1-4 октября 2013 г.. 2013. С. 28.

Нагорных С.Н., Павленков В.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Тетельбаум Д.И. О температурной зависимости дислокационной фотолюминесценции в кремнии // Тезисы докладов XI Российской конференции по физике полупроводников «Полупроводники-2013». Санкт-Петербург, 16-20 сентября, 2013. 2013. С. 364.

Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Ershov A.V., Bobrov A.I., Pavlov D.A. Ion Beam Modification of Silicon-Based Nanomaterials Demonstrating Dislocation-Related Luminescence or Resistive Switching Phenomenon // Abstracts of 11th European Conference on Accelerators in Applied Research and Technology (ECAART-11). Namur, BELGIUM, September 8-13, 2013. 2013. P. 128.

Королев Д.С., Костюк А.Б., Белов А.И., Михайлов А.Н., Дудин Ю.А., Бобров А.И., Малехонова Н.В., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Влияние режимов ионного синтеза и ионного легирования на эффект сенсибилизации излучения эрбиевых центров нанокластерами кремния в пленках диоксида кремния // Физика твердого тела. № 11. Т. 55. 2013. С. 2243-2249.

Терехов В.А., Тетельбаум Д.И., Турищев С.Ю., Спирин Д.Н., Панков К.Н., Нестеров Д.Н., Михайлов А.Н., Белов А.И., Ершов А.В. Влияние имплантации углерода на фазовый состав пленок SiO2:nc-Si/Si по данным ближней тонкой структуры рентгеновского поглощения // Конденсированные среды и межфазные границы. № 1. Т. 15. 2013. С. 48-53.

Бобовников П.Г., Ермаков А.С., Матюшкин И.В., Орлов С.Н., Свечкарев К.П., Шелепин Н.А., Михайлов А.Н., Белов А.И. Автоэмиссия из наноструктур на основе карбида кремния и влияние на неё образующихся субоксидных SiOx-покрытий. I. Конструктивно-технологические особенности SiC-микрокатодов. Обзор // Известия высших учебных заведений. Электроника. № 4. 2013. С. 3-12.

Демидов Е.С., Карзанова М.В., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И., Белов А.И., Королев Д.С., Павлов Д.А., Бобров А.И., Горшков О.Н., Демидова Н.Е., Чигиринский Ю.И. Влияние ионного облучения на структуру и люминесцентные свойства пористого кремния, пропитанного вольфрам-теллуритным стеклом с примесями Er и Yb // Физика твердого тела. № 3. Т. 56. 2013. С. 607-610.

Горшков О.Н., Антонов И.Н., Белов А.И., Касаткин А.П., Тихов С.В., Шенина М.Е., Коряжкина М.Н. Изучение диффузии ионов кислорода в МДМ-структурах на основе стабилизированного диоксида циркония, проявляющих резистивное переключение // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. № 5. Т. 1. 2013. С. 51-54.

Нагорных С.Н., Павленков В.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Бурдов В.А., Красильникова Л.В., Крыжков Д.И., Тетельбаум Д.И. О температурной зависимости фотолюминесценции квантовых точек кремния // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. № 2. 2013. С. 68-73.

Tetelbaum D.I., Guseinov D.V., Mikhaylov A.N., Vasiliev V.K., Belov A.I., Korolev D.S., Obolensky S.V., Kachemtsev A.N. Ion-beam simulation of radiation damage produced by fast neutrons in heterophase structures // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. 2013. [принято к печати]

Спирин Д.Е., Терехов В.А., Анисимов А.В., Нестеров Д.Н., Агапов Б.А., Степанова Н.А., Занин И.Е., Сербин О.В., Солдатенко С.А., Тетельбаум Д.И., Белов А.И., Михайлов А.Н. Влияние импульсного фотонного отжига на фазовый состав и электронное строение пленок SiOx, имплантированных углеродом // Вестник Воронежского государственного университета. Серия: Физика. Математика. № 2. 2013. С. 83-90.

Боряков А.В., Николичев Д.Е., Суродин С.И., Чугров И.А., Семерухин М.А., Белов А.И., Михайлов А.Н., Ершов А.В., Теруков Е.И., Тетельбаум Д.И. Диагностика химического и фазового состава тонкопленочных структур с нанокристаллами кремния в матрице ZrO2 методами электронной спектроскопии // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. № 2 (2). 2013. С. 52-57.

Korolev D.S., Kostyuk A.B., Belov A.I., Mikhaylov A.N., Dudin Yu.A., Bobrov A.I., Malekhonova N.V., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I. Influence of the Ion Synthesis and Ion Doping Regimes on the Effect of Sensitization of Erbium Emission by Silicon Nanoclusters in Silicon Dioxide Films // Physics of the Solid State. № 11. V. 55. 2013. P. 2361-2367.

Бобовников П.Г., Ермаков А.С., Матюшкин И.В., Орлов С.Н., Свечкарев К.П., Шелепин Н.А., Михайлов А.Н., Белов А.И. Автоэмиссия из наноструктур на основе карбида кремния и влияние на неё образующихся субоксидных SiOx-покрытий. II. Эмиссионные свойства SiC-нанопротрузий // Известия высших учебных заведений. Электроника. № 5. 2013. С. 3-13.

Terekhov V., Tetelbaum D.I., Spirin D., Pankov K., Mikhailov A.N., Belov A.I., Ershov A.V., Turishchev S. X-ray absorption near edge structure anomalous behavior in structures with buried layers containing silicon nanocrystals // Journal of Synchrotron Radiation. 2013. [принято к печати]

2012

Демидов Е.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Карзанова М.В., Карзанов В.В., Рассолова И.С., Горшков О.Н., Чигиринский Ю.И., Тетельбаум Д.И. Влияние облучения ионами инертных и электрически активных элементов на люминесцентные свойства пористого кремния, пропитанного вольфрам-теллуритным стеклом с примесями Er и Yb // Труды ХVI международного симпозиума “ Нанофизика и наноэлектроника”, Н. Новгород, 12–16 марта, 2012. T.2, 2 стр. 2012. С. 225-226.

Чугров И.А., Нагорных С.Н., Павленков В.И., Ершов А.В., Михайлов А.Н., Белов А.И., Крыжков Д.И., Красильникова Л.В., Тетельбаум Д.И. Температурная зависимость фотолюминесценции нанопериодических структур с упорядоченными массивами нанокристаллов кремния в оксидной матрице // Труды ХVI международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», Н. Новгород, 12–16 марта, 2012. Т.1. 2 стр. 2012. С. 426-427.

Тетельбаум Д.И., Костюк А.Б., Федонин М.П., Гусейнов Д.В., Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Павлов Д.А., Бобров А.И., Трушин В.Н., Маркелов А.С. Структурные аспекты ионно-лучевой модификации ансамбля наночастиц золота в оксидных матрицах // Труды XVI Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». 12–16 марта 2012, Нижний Новгород: Изд-во ННГУ, Т. 2. 2012. С. 402-403.

Николичев Д.Е., Боряков А.В., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Костюк А.Б., Дудин Ю.А., Павлов Д.А., Бобров А.И. Особенности формирования нанокластеров золота в матрице SiO2 // Тезисы докладов XXIV Российской конференции по электронной микроскопии. Черноголовка, 29 мая – 1 июня, 2012. 2012. С. 42-43.

Tetelbaum D., Mikhaylov A., Timofeeva A., Belov A., Korolev D., Zhavoronkov I., Barsukov A., Sakharov V., Serenkov I., Shek E., Sobolev N. Ion modification of silicon-based nanostructures with light-emitting erbium and dislocation-related centers // Book of abstracts of E-MRS 2012 Fall Meeting. Poland, Warsaw. September 17-21, 2012. 2012. P. 27.

Королев Д.С., Костюк А.Б., Белов А.И., Чугров И.А., Ершов А.В., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. Особенности радиационного повреждения нанокристаллов кремния в оксидных матрицах при имплантации ионов металлов // Тезисы докладов 11-й Всероссийской (с международным участием) конференции c элементами научной школы для молодежи «Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение» (ВНКШ-2012). Саранск, 2-5 октября, 2012. 2012. С. 106.

Тимофеева А.О., Белов А.И., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. Эволюция дефектов в кремнии, ионно-индуцированных при наличии электрического поля // Тезисы докладов 11-й Всероссийской (с международным участием) конференции c элементами научной школы для молодежи «Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение» (ВНКШ-2012). Саранск, 2-5 октября, 2012. 2012. С. 113.

Тимофеева А.О., Белов А.И., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. Влияние встроенного электрического поля при ионном облучении кремния на систему вторичных радиационных дефектов // Тезисы докладов IV Всероссийской конференции «Физические и физико–химические основы ионной имплантации» (с участием иностранных учёных) и Международной молодежной конференции «Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах». Новосибирск, 23-26 октября, 2012. 2012. С. 41.

Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Гусейнов Д.В., Белов А.И., Костюк А.Б., Королев Д.С., Федонин М.П., Павлов Д.А., Бобров А.И., Трушин В.Н., Маркелов А.С. Особенности ионно-лучевого воздействия на структуру слоев оксидов кремния и алюминия, содержащих нанокластеры Au // Тезисы докладов IV Всероссийской конференции «Физические и физико–химические основы ионной имплантации» (с участием иностранных учёных) и Международной молодежной конференции «Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах». Новосибирск, 23-26 октября, 2012. 2012. С. 39.

Нагорных С.Н., Павленков В.И., Чугров И.А., Ершов А.В., Михайлов А.Н., Белов А.И., Тетельбаум Д.И., Крыжков Д.И., Красильникова Л.В. О влиянии размеров нанокристаллов кремния на температурную зависимость спектра фотолюминесценции // Тезисы докладов IV Всероссийской конференции «Физические и физико–химические основы ионной имплантации» (с участием иностранных учёных) и Международной молодежной конференции «Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах». Новосибирск, 23-26 октября, 2012.. 2012. С. 40.

Михайлов А.Н., Белов А.И., Тимофеева А.О., Васильев В.К., Жаворонков И.Ю., Барсуков А.В., Королев Д.С., Тетельбаум Д.И., Сахаров В.И., Серенков И.Т., Шек Е.И., Соболев Н.А. Ионно-лучевая модификация наноструктур на основе кремния, излучающих свет на длине волны 1,54 мкм // Тезисы докладов IV Всероссийской конференции «Физические и физико–химические основы ионной имплантации» (с участием иностранных учёных) и Международной молодежной конференции «Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах». Новосибирск, 23-26 октября, 2012. 2012. С. 94.

Михайлов А.Н., Королев Д.С., Костюк А.Б., Белов А.И., Тетельбаум Д.И., Грачев Д.А., Чугров И.А., Ершов А.В. Влияние облучения ионами Au, Er и Zr на оптические свойства оксидных структур с нанокристаллами Si // Тезисы докладов IV Всероссийской конференции «Физические и физико–химические основы ионной имплантации» (с участием иностранных учёных) и Международной молодежной конференции «Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах». Новосибирск, 23-26 октября, 2012. 2012. С. 42.

Николичев Д.Е., Боряков А.В., Дудин Ю.А., Тетельбаум Д.И., Бобров А.И., Павлов Д.А., Михайлов А.Н., Белов А.И., Костюк А.Б. Особенности формирования нанокластеров золота в матрице SiO2 // XXIV Российская конференция по электронной микроскопии РКЭМ-2012: Тез. докл.. 29 мая – 1 июня 2012 г., Черноголовка, Россия. 2012. С. 42-43.

Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I. Peculiarities of ion-beam synthesis of carbon-based phases. In: Diamond-Like Carbon Films / Yuto S. Tanaka (Ed.). New York:: Nova Science Publishers, Inc., P.39-62. 2012.

Михайлов А.Н., Белов А.И., Костюк А.Б., Жаворонков И.Ю., Королев Д.С., Нежданов А.В., Ершов А.В., Гусейнов Д.В., Грачева Т.А., Малыгин Н.Д., Демидов Е.С., Тетельбаум Д.И. Особенности формирования и свойства светоизлучающих структур на основе ионно-синтезированных нанокристаллов кремния в матрицах SiO2 и Al2O3 // Физика твердого тела. № 2. Т. 54. 2012. С. 347-359.

Михайлов А.Н., Костюк А.Б., Королев Д.С., Жаворонков И.Ю., Чугров И.А., Белов А.И., Бурдов В.А., Ершов А.В., Тетельбаум Д.И. Формирование методом ионной имплантации наночастиц золота в однослойных и многослойных массивах светоизлучающих нанокристаллов кремния // Известия РАН. Серия физическая. № 2. Т. 76. 2012. С. 244-248.

Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Гусейнов Д.В., Белов А.И., Костюк А.Б., Королев Д.С., Федонин М.П., Павлов Д.А., Бобров А.И., Николичев Д.Е., Боряков А.В. Влияние ионного облучения на морфологию, структуру и оптические свойства наночастиц золота, синтезированных в диэлектрических матрицах SiO2 и Al2O3 // Поверхность. Рентгеновские, синхронные и нейтронные исследования. № 8. 2012. С. 58-64.

Нагорных С.Н., Павленков В.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Бурдов В.А., Красильникова Л.В., Крыжков Д.И., Тетельбаум Д.И. О температурной зависимости фотолюминесценции квантовых точек кремния // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. № 2. 2012. С. 68-73.

Нагорных С.Н., Павленков В.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Красильникова Л.В., Крыжков Д.И., Тетельбаум Д.И. Модель фотолюминесценции ионно-синтезированных массивов нанокристаллов кремния в матрице диоксида кремния // Журнал технической физики. № 12. Т. 82. 2012. С. 63-66.

Николичев Д.Е., Тетельбаум Д.И., Ершов А.В., Михайлов А.Н., Боряков А.В., Белов А.И. Химический и фазовый состав пленок оксида кремния с нанокластерами, полученными путем ионной имплантации углерода // Физика твердого тела. № 2. Т. 52. 2012. С. 370-377.

Нагорных С.Н., Чугров И.А., Павленков В.И., Ершов А.В., Михайлов А.Н., Белов А.И., Крыжков Д.И., Красильникова Л.В. Температурная зависимость фотолюминисценции нанопериодических структур с упорядоченными массивами нанокристаллов кремния в оксидной матрице // Труды XVI международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 12-16 марта 2012 г.. № 1. Т. 1. 2012. С. 3-21.

Mikhaylov A.N., Belov A.I., Kostyuk A.B., Zhavoronkov I.Yu., Korolev D.S., Nezhdanov A.V., Ershov A.V., Guseinov D.V., Gracheva T.A., Malygin N.D., Demidov E.S., Tetelbaum D.I. Peculiarities of the Formation and Properties of Light-Emitting Structures Based on Ion-Synthesized Silicon Nanocrystals in SiO2 and Al2O3 Matrices // Physics of the Solid State. № 2. V. 54. 2012. P. 368-382.

Boryakov A.V., Nikolitchev D.E., Tetelbaum D.I., Belov A.I., Ershov A.V., Mikhaylov A.N. Chemical and Phase Compositions of Silicon Oxide Films with Nanocrystals Prepared by Carbon Ion Implantation // Physics of the Solid State. № 2. V. 54. 2012. P. 347-359.

Zatsepin A.F., Buntov E.A., Kortov V.S., Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I. Mechanism of quantum dots luminescence excitation within implanted SiO2:Si:C films // J. Phys.: Condens. Matter. V. 24. 2012. P. 045301.

Mikhaylov A.N., Kostyuk A.B., Korolev D.S., Zhavoronkov I.Yu., Chugrov I.A., Belov A.I., Burdov V.A., Ershov A.V., Tetelbaum D.I. Formation of Gold Nanoparticles in Single-Layer and Multi-Layer Ensembles of Light-Emitting Silicon Nanocrystals Using Ion Implantation // Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. № 2. V. 76. 2012. P. 214-217.

Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Guseinov D.V., Belov A.I., Kostyuk A.B., Korolev D.S., Fedonin M.P., Pavlov D.A., Bobrov A.I., Nikolitchev D.E., Boryakov A.V. Influence of Ion Irradiation on the Morphology, Structure, and Optical Properties of Gold Nanoparticles Synthesized in SiO2 and Al2O3 Dielectric Matrices // Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. № 4. V. 6. 2012. P. 681-687.

Терехов В.А., Тетельбаум Д.И., Занин И.Е., Панков К.Н., Спирин Д.Е., Николичев Д.Е., Белов А.И., Зубков С.Ю. Дифракционные исследования формирования нанокристаллов кремния в структурах SiOx/Si с ионной имплантацией углерода // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2012. [принято к печати]

Николичев Д.Е., Боряков А.В., Суродин С.И., Чугров И.А., Семерухин М.А., Белов А.И., Михайлов А.Н., Теруков Е.И., Тетельбаум Д.И. Диагностика химического и фазового состава тонкопленочных структур с нанокристаллами кремния в матрице ZrO2методами электронной спектроскопии // Вестник ННГУ им. Н.И. Лобачевского. 2012. [принято к печати]

Терехов В.А., Тетельбаум Д.И., Занин И.Е., Панков К.Н., Спирин Д.Е., Михайлов А.Н., Белов А.И., Ершов А.В. Дифракционные исследования формирования нанокристаллов кремния в структурах SiOx/Si с ионной имплантацией углерода // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. № 4. 2012. С. 54-59.

Nagornykh S.N., Pavlenkov V.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Krasil'nikova L.V., Kryzhkov D.I., Tetel'baum D.I. Model of photoluminescence from ion-synthesized silicon nanocrystal arrays embedded in a silicon dioxide matrix // TECHNICAL PHYSICS. THE RUSSIAN JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. № 12. V. 82. 2012. P. 63-66.

2011

Демидов Е.С., Михайлов А.Н., Карзанова М.В., Белов А.И., Карзанов В.В., Демидова Н.Е., Рассолова И.С., Горшков О.Н., Тетельбаум Д.И., Чигиринский Ю.И., Европейцев Е. А. Свойства пористого кремния с примесями редкоземельных элементов на имплантированном ионами фосфора кремнии // Труды XV Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», Н. Новгород, 14–18 марта, 2011. Т.2. 2011. С. 405-406.

Костюк А.Б., Федонин М.П., Белов А.И., Шенина М.Е., Касаткин А.П., Дудин Ю.А., Гусейнов Д.В., Михайлов А.Н., Рассолова И.С., Карзанов В.В., Демидов Е.С., Тетельбаум Д.И. Влияние ионного облучения на свойства нанокластеров золота и кремния в диэлектрических матрицах // Труды XV Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», Н. Новгород, 14–18 марта, 2011. Т.1. 2011. С. 188-189.

Михайлов А.Н., Костюк А.Б., Королев Д.С., Жаворонков И.Ю., Чугров И.А., Белов А.И., Шенина М.Е., Касаткин А.П., Бурдов В.А., Ершов А.В., Дудин Ю.А., Тетельбаум Д.И. Формирование методом ионной имплантации наночастиц золота в однослойных и многослойных массивах светоизлучающих нанокристаллов кремния // Труды XV Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», Н. Новгород, 14–18 марта, 2011. Т.2. 2011. С. 438-439.

Нагорных С.Н., Павленков В.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Красильникова Л.В., Бурдов В.А., Тетельбаум Д.И. Модель температурной зависимости фотолюминесценции нанокристаллов кремния в матрице диоксида кремния // Труды XV Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», Н. Новгород, 14–18 марта, 2011. Т.2. 2011. С. 510-511.

Михайлов А.Н., Костюк А.Б., Королев Д.С., Жаворонков И.Ю., Чугров И.А., Белов А.И., Ершов А.В., Тетельбаум Д.И. Ионное внедрение золота в однослойные и многослойные оксидные структуры с нанокристаллами кремния // Труды XXI Международной конференции «Радиационная физика твердого тела», Севастополь, 22–27 августа, 2011. М.: ФГБНУ «НИИ ПМТ», Т.1. 2011. С. 230-237.

Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Костюк А.Б., Белов А.И., Гусейнов Д.В., Лаптев Д.А., Королев Д.С., Федонин М.П., Ершов А.В., Чугров И.А. Особенности радиационного повреждения нанокристаллических материалов при ионном облучении // Труды XX Международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью ВИП-2011», Звенигород, 25–29 августа, 2011. Т.2. 2011. С. 41-44.

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Костюк А.Б., Жаворонков И.Ю., Чугров И.А., Ершов А.В., Белов А.И., Тетельбаум Д.И. Влияние ионной имплантации золота на люминесцентные свойства однослойных и многослойных массивов нанокристаллов кремния // Сборник тезисов, материалы Семнадцатой Всероссийской научной конференции студентов физиков и молодых ученых (ВНКСФ-17), Екатеринбург, 25 марта – 1 апреля, 2011. 3 стр. 2011. С. 189-191.

Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Guseinov D.V., Belov A.I., Kostyuk A.B., Fedonin M.P., Korolev D.S., Shenina M.E., Kasatkin A.P., Gorshkov O.N. Modification of Au nanoclusters embedded into oxide matrices by ion irradiation: computer simulation and experiment // Abstracts of 20th International Conference on Ion Beam Analysis (IBA 2011), Itapema, Brazil, 10-15 April, 2011. 1 p. 2011. P. 34.

Nagornykh S.N., Pavlenkov V.I., Tetelybaum D.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Burdov V.A., Krasilynikova L.V. Temperature dependence of photoluminescence of Si nanocrystals in silicon dioxide matrix // Abstracts of E-MRS Spring 2011 & Bilateral Energy Conference, Nice, France, 10-12 May, 2011. 1 p. 2011. P. -42.

Tetelbaum D., Mikhaylov A., Belov A., Kostyuk A., Zhavoronkov I., Korolev D., Ershov A. Luminescent Properties of Si Nanocrystals Embedded Into Alumina Films and Sapphire: the Role of Silicon Oxide Shells // Abstracts of International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT 2011), Suntec, Singapore, 26 June – 1 July, 2011. 1 p. 2011. P. 2374.

Нагорных С.Н., Павленков В.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Красильникова Л.В., Бурдов В.А., Тетельбаум Д.И. О температурной зависимости фотолюминесценции системы квантовых точек кремния в матрице SiO2 // Тезисы докладов VIII Международной конференции и VII Школы ученых и молодых специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, наноразмерных структур и приборов на его основе («Кремний 2011»), Москва, 5-8 июля, 2011. 1 стр. 2011. С. 172.

Терехов В.А., Панков К.Н., Занин И.Е., Домашевская Э.П., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Зубков С.Ю. Влияние ориентации подложки и имплантации углерода на рост нанокристаллов Si в пленках SiOx на подложке кремния (111) и (100) // Тезисы докладов VIII Международной конференции и VII Школы ученых и молодых специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, наноразмерных структур и приборов на его основе («Кремний 2011»), Москва, 5-8 июля, 2011. 1 стр. 2011. С. 189.

Тетельбаум Д.И., Костюк А.Б., Федонин М.П., Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Трушин В.Н., Маркелов А.С. Эволюция структуры тонких слоев SiO2 с нанокристаллами золота при облучении ионами Ne+, F+ и Si+ // ХХХ Научные чтения имени академика Н.В. Белова. Тезисы докладов конференции, Нижний Новгород, 20-21 декабря, 2011. 2 стр. 2011. С. 129-130.

Королев Д.С., Костюк А.Б., Белов А.И., Чугров И.А., Ершов А.В., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. Оптические и светоизлучающие свойства смешанных массивов нанокластеров золота и кремния, полученных с применением ионной имплантации // Сборник трудов 10-й Всероссийской конференции с элементами научной школы для молодежи «Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение», Саранск, 4 – 7 октября, 2011. 1 стр. 2011. С. 108.

Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Kostyuk A.B., Korolev D.S., Zhavoronkov I.Yu., Chugrov I.A., Belov A.I., Ershov A.V., Gorshkov O.N., Nagornykh S.N. Ion-beam formation of gold nanoclusters in single- and multi-layer ensembles of light-emitting silicon quantum dots // Abstracts of E-MRS Spring 2011 & Bilateral Energy Conference, Nice, France, 10-12 May, 2011. 1 p. 2011. P. 2-47.

Демидов Е.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Карзанова М.В., Демидова Н.Е., Чигиринский Ю.И., Шушунов А.Н., Тетельбаум Д.И., Горшков О.Н., Европейцев Е.А. Фотолюминесценция пористого кремния, пропитанного вольфрам-теллуритным стеклом с примесями редкоземельных металлов // Физика твердого тела. № 12. Т. 53. 2011. С. 2294-2298.

Demidov E.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Karzanova M.V., Demidova N.E., Chigirinskii Yu.I., Shushunov A.N., Tetelbaum D.I., Gorshkov O.N., Evropeitsev E.A. Photoluminescence of Porous Silicon Saturated with Tungsten-Tellurite Glass with Rare-Earth Metal Impurities // Physics of the Solid State. № 12. V. 53. 2011. P. 2415-2420.

Терехов В.А., Турищев С.Ю., Панков К.Н., Занин И.Е., Домашевская Э.П., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Николичев Д.Е. Синхротронные исследования особенностей электронной и атомной структуры поверхностных слоев пленок оксида кремния, содержащих нанокристаллы кремния // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. № 10. 2011. С. 46-55.

Terekhov V.A., Turishchev S.Yu., Pankov K.N., Zanin I.E., Domashevskaya E.P., Tetelbaum D.I., Mikhailov A.N., Belov A.I., Nikolichev D.E. Synchrotron investigations of electronic and atomic-structure peculiarities for silicon-oxide films' surface layers containing silicon nanocrystals // Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. № 5. V. 5. 2011. P. 958-967.

Патенты, авторские свидетельства

2017

Тетельбаум Д.И., Гусейнов Д.В., Васильев В.К., Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Оболенский С.В., Качемцев А.Н., Данилов Ю.А., Вихрова О.В., Шарапов А.Н. Способ имитационного тестирования стойкости приборной структуры к облучению быстрыми нейтронами (варианты) (Патент).

2016

Грязнов Е.Г., Антонов И.Н., Белов А.И., Котина А.Ю., Котомина В.Е., Макарычев Ю.К., Михайлов А.Н., Филатов Д.О., Шарапов А.Н., Горшков О.Н. "Топология тестового кристалла с элементами энергонезависимой многократно программируемой резистивной памяти", заявка №2016630152 от 30.11.2016 (Авторское свидетельство).