Ревин Александр Александрович
Научно-исследовательская лаборатория материалов для квантовых технологий
лаборант-исследователь
Научно-исследовательский физико-технический институт
Отдел твердотельной электроники и оптоэлектроники
Лаборатория физики и технологии тонких пленок
младший научный сотрудник
Общие сведения
Научная Работа
Образование, учёные степени и учёные звания
Высшее образование
бакалавр. Специальность: Физика. Квалификация: бакалавр.
Высшее образование
магистр. Специальность: Физика. Квалификация: магистр.
Список преподаваемых дисциплин
Публикации
2023
Труды (тезисы) конференцииТетельбаум Д.И., Никольская А.А., Королев Д.С., Кудрин А.В., Михайлов А.Н., Белов А.И., Дроздов М.Н., Ревин А.А., Чекушева С.С., Конаков А.А. Электрофизические свойства монокристаллов β-Ga2O3:Fe, ионно-легированных кремнием // ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ИОНОВ С ПОВЕРХНОСТЬЮ "ВИП-2023". Труды XXVI Международной конференции. Издательство: Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (Москва). Том 1. Москва, 2023, 350 с.. 2023. С. 222-225.
Публикации в научных журналахNikolyskaya A.A., Revin A.A., Korolev D.S., Mikhailov A.N., Trushin V.N., Kudrin A.V., Zdoroveishchev A.V., Zdoroveishchev D.A., Yunin P.A., Drozdov M.N., Konakov A.A., Tetelybaum D.I. Electrical properties of silicon-implanted β-Ga2O3:Fe crystals // Applied Physics Letters. V. 123. 2023. P. 211901.
2022
Труды (тезисы) конференцииНикольская А.А., Королев Д.С., Трушин В.Н., Дроздов М.Н., Белов А.И., Михайлов А.Н., Нежданов А.В., Питиримова Е.А., Павлов Д.А., Конаков А.А., Ревин А.А., Kumar M., Giulian R., Тетельбаум Д.И. Изменение свойств слоев β-Ga2O3 под действием имплантации ионов Si+ и последующего отжига // Физические и физико-химические основы ионной имплантации. Тезисы докладов VIII Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов (Казань, 11–14 ноября 2022 г.).- Н. Новгород, 2022.- 92 с. 2022. С. 33.
2021
Публикации в научных журналахРевин А.А., Михайлова А.М., Конаков А.А., Цыпленков В.В., Шастин В.Н. Долинно-орбитальное взаимодействие в германии, легированном донорами V группы: количественный анализ // Физика и техника полупроводников. № 10. Т. 55. 2021. С. 901-907.
2020
Публикации в научных журналахRevin A.A., Mikhailova A.M., Konakov A.A., Shastin V.N. Electron States of Group-V Donors in Germanium: Variational Calculation Taking into Account the Short-Range Potential // Semiconductors. № 9. V. 54. 2020. P. 1127-1133.
