Круглов Александр Валерьевич

Список преподаваемых дисциплин

Публикации

2025

Филатов Д.О., Сорочкина Е.Д., Антонов Д.А., Антонов И.Н., Круглов А.В., Горшков О.Н. Исследование пленок оксида алюминия в составе мемристорных структур методом атомно-силовой микроскопии // НАНОФИЗИКА И НАНОЭЛЕКТРОНИКА. XXIX симпозиум (Нижний Новгород, 10–14 марта 2025 г.) : Тезисы докладов.. Нижний Новгород, 2025. – 667 с.. 2025. С. 487.

Серов Д.А., Филатов Д.О., Круглов А.В., Белов А.И., Коряжкина М.Н., Антонов И.Н., Зубков С.Ю., Крюков Р.Н., Антонов Д.А., Хабибулова В.А., Михайлов А.Н. Роль вакансий кислорода в структурах OxRRAM на основе ZrO2(Y) // НАНОФИЗИКА И НАНОЭЛЕКТРОНИКА. XXIX симпозиум (Нижний Новгород, 10–14 марта 2025 г.) : Тезисы докладов.. Нижний Новгород, 2025. – 667 с.. 2025. С. 385.

2024

Жбанов М.А., Круглов А.В., Антонов И.Н., Дудин Ю.А., Крюков Р.Н. Пленки стабилизированного диоксида циркония со встроенными наночастицами, сформированными в процессе облучения ионами золота // Труды первой школы-конференции с международным участием «НЕЙРОЭЛЕКТРОНИКА И НЕЙРОТЕХНОЛОГИИ БУДУЩЕГО». Нижний Новгород: ННГУ, 2024. – 55 с.. 2024. С. 55.

Kipelkin I.M., Gerasimova S.A., Belov A.I., Guseinov David, Kruglov A.V., Serov D.A., Max O. Talanov, Mikhailov A.N., Kazantsev V.B. Memristor-based model of neuronal excitability and synaptic potentiation // Frontiers in Neuroscience. V. 18. 2024. P. 1-11.

Круглов А.В., Серов Д.А., Белов А.И., Коряжкина М.Н., Антонов И.Н., Зубков С.Ю., Крюков Р.Н., Михайлов А.Н., Филатов Д.О., Горшков О.Н. Мемристоры для энергонезависимой резистивной памяти на основе двухслойного диэлектрика Al2O3/ZrO2(Y) // Журнал технической физики. № 11. Т. 94. 2024. С. 1833-1842.

2023

Koryazhkina M.N., Filatov D.O., Tikhov S.V., Belov A.I., Korolev D.S., Kruglov A.V., Kryukov R.N., Zubkov S.Yu., Vorontsov V.A., Pavlov D.A., Tetelybaum D.I., Mikhailov A.N., Shchanikov S.A., Kim S., Spagnolo B. Silicon-Compatible Memristive Devices Tailored by Laser and Thermal Treatments // Low Power Memory/Memristor Devices and Systems. Basel: MDPI, Т.1, 240 с.. 2023. P. 33-54.

Filatov D.O., Gorshkov O.N., Shengurov V.G., Denisov S.A., Shenina M.E., Kotomina V.E., Antonov I.N., Kruglov A.V. Resistive switching of memristors base on epitaxial structures p-Si/p-Ge/n+-Si(001) with Ru and Ag electrodes // Technical Physics Letters. № 1. V. 49. 2023. P. 3.

2022

Ершов А.В., Коряжкина М.Н., Филатов Д.О., Шенина М.Е., Антонов И.Н., Круглов А.В., Горшков А.П., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г. Исследование влияния оптического излучения на резистивное переключение МДП-структур на основе ZrO2(Y) на подложках Si(001) с наноостровками Ge // Материалы XXVI Междунар. симпоз. «Нанофизика и наноэлектроника» 14–17 марта 2022 г., Нижний Новгород. Нижний Новгород, изд-во ННГУ, 2022.– В 2-х томах.–Т.2.. 2022. С. 858-859.

Филатов Д.О., Горшков О.Н., Шенина М.Е., Котомина В.Е., Антонов Д.А., Антонов И.Н., Денисов С.А., Круглов А.В., Воронцов В.А., Рябова М.А. Исследование эффекта резистивного переключения в мемристорных структурах Ag/Ge/Si методом атомно-силовой микроскопии // Материалы XXVI Междунар. симпоз. «Нанофизика и наноэлектроника» 14–17 марта 2022. Нижний Новгород. Нижний Новгород, изд-во ННГУ, 2022.– В 2-х томах.–Т.1.. 2022. С. 437-438.

Koryazhkina M.N., Filatov D.O., Tikhov S.V., Belov A.I., Korolev D.S., Kruglov A.V., Kryukov R.N., Zubkov S.Yu., Vorontsov V.A., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I., Mikhailov A.N., Shchanikov S.A., Kim S., Spagnolo B. Silicon-Compatible Memristive Devices Tailored by Laser and Thermal Treatments // Journal of Low Power Electronics and Applications. № 1. V. 12. 2022. P. 1-22.

Коряжкина М.Н., Филатов Д.О., Тихов С.В., Белов А.И., Королев Д.С., Круглов А.В., Крюков Р.Н., Зубков С.Ю., Воронцов В.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Ким С. Электрофизические свойства мемристоров на основе нитрида кремния на подложках "кремний-на-изоляторе" // Российские нанотехнологии. № 1. Т. 17. 2022. С. 98-105.

Koryazhkina M.N., Filatov D.O., Shenina M.E., Antonov I.N., Kruglov A.V., Ershov A.V., Gorshkov A.P., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Shengurov V.G. Investigation of the effect of optical radiation on resistive switching of MIS-structures based on ZrO2(Y) on Si(001) substrates with Ge nanoislands // Semiconductors. № 8. V. 56. 2022. P. 509-512.

2021

Байдусь Н.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Круглов А.В., Некоркин С.М., Новиков А.В., Рыков А.В., Юнин П.А., Юрасов Д.В. Особенности выращивания лазерных гетероструктур с квантовыми точками InGaAs/GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках Ge/Si // Нанофизика и наноэлектроника: материалы XXV Междунар. симпоз., 9 - 12 марта 2021, Н.Новгород, Россия. Н.Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2021, Том 2 - 470 с.. 2021. С. 574-575.

Filatov D.O., Ryabova M.A., Antonov D.A., Kruglov A.V., Antonov I.N., Gorshkov O.N. In situ Investigation of Individual Filament Growth in Conducting Bridge Memristor by Contact Scanning Capacitance Microscopy // Abst. 8th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures (May 25-28, 2021 St. Petersburg, Russia). St. Petersburg: Academic university, 2021.). 2021. P. 581.

Vorontsov V.A., Antonov D.A., Kruglov A.V., Antonov I.N., Shenina M.E., Kotomina V.E., Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Pavlov D.A., Filatov D.O., Gorshkov O.N. Investigation of resistive switching in Ag/Ge/Si(001) stack by conduc-tive atomic force microscopy // Journal of Physics: Conference Series. V. 2086. 2021. P. 012043(1-4).

Koryazhkina M.N., Filatov D.O., Tikhov S.V., Belov A.I., Korolev D.S., Kruglov A.V., Kryukov R.N., Zubkov S.Yu., Vorontsov V.A., Pavlov D.A., Tetelybaum D.I., Mikhailov A.N., Kim S. Electrical Properties of Silicon-Oxide-Based Memristors on Silicon-on-Insulator Substrates // NANOBIOTECHNOLOGY REPORTS. № 6. V. 16. 2021. P. 745-754.

Filatov D.O., Koryazhkina M.N., Belov A.I., Tikhov S.V., Korolev D.S., Kruglov A.V., Kryukov R.N., Zubkov S.Yu., Vorontsov V.A., Pavlov D.A., Tetelybaum D.I., Mikhailov A.N., Shchannikov S.A., Kim S., Spagnolo B. Silicon-Compatible Memristive Devices Tailored by Laser and Thermal Treatments // Journal of Low Power Electronics and Applications. № 1. V. 12. 2021. P. 14.

Filatov D.O., Antonov D.A., Novikov A.S., Kruglov A.V., Antonov I.N., Zdoroveishchev A.V., Gorshkov O.N. Resistive Switching in Individual Ferromagnetic Filaments in ZrO2(Y)/Ni Based Memristive Stacks // Technical Physics. № 10. V. 91. 2021. P. 1472.

Filatov D.O., Vorontsov V.A., Antonov D.A., Kruglov A.V., Antonov I.N., Kotomina V.E., Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Gorshkov O.N. Demonstration of the Effect of Resistive Switching of Individual Filaments in Memristor Ag/Ge/Si Structures Using Atomic Force Microscopy // Technical Physics Letters. № 11. V. 47. 2021. P. 781–784.

Filatov D.O., Antonov D.A., Novikov A.S., Kruglov A.V., Antonov I.N., Zdoroveishchev A.V., Gorshkov O.N. The Formation of Nanosized Ferromagnetic Ni Filaments in Films of ZrO2(Y) // Technical Physics Letters. № 7. V. 47. 2021. P. 539–541.

2020

Gorshkov O.N., Filatov D.O., Koveshnikov S.V., Shenina M.E., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Antonov I.N., Pavlov D.A., Vorontsov V.A., Kruglov A.V., Yakimov E.B. Bipolar resistive switching in memristors based on Ge/Si(001) epitaxial layer // 7th International School and Conference "Saint-Petersburg OPEN 2020" on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures. Saint Petersburg, Russia, April 26 – 30, 2020. Book of Abstracts. St. Petersburg Academic University, 2020.- 543 pp. 2020. P. 434-435.

Байдусь Н.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Круглов А.В., Некоркин С.М., Новиков А.В., Реунов Д.Г., Юрасов Д.В. Гетероструктуры с квантовыми точками InAs/GaAs, выращенные на подложках Ge/Si методом МОС-гидридной эпитаксии // Нанофизика и наноэлектроника: материалы XXIV Междунар. симпоз., 10 - 13 марта 2020, Н.Новгород, Россия. Н.Новгород: Изд-во Нижегород. госуниверситета, Т.2, 505 с. 2020. С. 515-516.

Filatov D.O., Novikov A.S., Baranova V.N., Antonov D.A., Kruglov A.V., Antonov I.N., Zdoroveishchev A.V., Koryazhkina M.N., Gorshkov O.N., Dubkov A.A., Carollo A., Spagnolo B. Experimental investigations of local stochastic resistive switching in yttria stabilized zirconia film on a conductive substrate // Journal of Statistical Mechanics: Theory and Experiment. № 2. V. 2020. 2020. P. 024005 (1-11).

Gorshkov O.N., Filatov D.O., Koveshnikov S.V., Shenina M.E., Soltanovich O.A., Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Antonov I.N., Pavlov D.A., Vorontsov V.A., Kruglov A.V., Yakimov E.B. Bipolar resistive switching in memristors based on Ge/Si(001) epitaxial layers // Journal of Physics: Conference Series. V. 1695. 2020. P. 012158(1-5).

Gorshkov O.N., Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Antonov I.N., Kruglov A.V., Shenina M.E., Kotomina V.E., Filatov D.O., Serov D.A. Resistive Switching in Memristors Based on Ag/Ge/Si Heterostructures // Technical Physics Letters. № 46. V. 1. 2020. P. 91-93.

Filatov D.O., Shenina M.E., Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Kruglov A.V., Vorontsov V.A., Pavlov D.A., Gorshkov O.N. Resistive Switching in Memristors Based on Ge/Si(001) Epitaxial Layers // Semiconductors. № 14. V. 54. 2020. P. 1833-1835.

Filatov D.O., Tikhov S.V., Shengurov V.G., Denisov S.A., Antonov I.N., Kruglov A.V., Belov A.I., Gorshkov O.N., Mikhailov A.N. Resistive Switching in Metal–Oxide–Semiconductor Structures with GeSi Nanoislands on a Silicon Substrate // Technical Physics. № 10. V. 65. 2020. P. 1668–1676.

2019

Филатов Д.О., Новиков А.С., Баранова В.Н., Антонов Д.А., Круглов А.В., Антонов И.Н., Здоровейщев А.В., Коряжкина М.Н., Горшков О.Н., Дубков А.А., Спаньоло Б. Индуцированное шумом резистивное переключение на контакте асм-зонда к пленке стабилизированного диоксида циркония на проводящей подложке // Труды XXIII научной конференции по радиофизике, посвященной 100-летию со дня рождения Н.А. Железцова. ННГУ, 581 с. 2019. С. 501-504.

Filatov D.O., Novikov A.S., Kassin G.I., Antonov D.A., Kruglov A.V., Antonov I.N., Koryazhkina M.N., Gorshkov O.N., Dubkov A.A., Spagnolo B. Noise-induced resistive switching studied by Conductive Atomic Force Microscopy // Аbst.“New Trends in Nonequilibrium Stochastic Multistable Systems and Memristors (NES2019)” (October 18-21, 2019, Erice, Italy).. 2019, 52 р.. 2019. P. 18.

Байдусь Н.В., Кукушкин В.А., Некоркин С.М., Круглов А.В., Реунов Д.Г. Выращивание методом МОС-гидридной эпитаксии субмонослойных квантовых точек InGaAs/GaAs для возбуждения поверхностных плазмон-поляритонов // Semiconductors. № 3. Т. 53. 2019. С. 345-350.

2018

Воротнов А.Д., Костюк А.Б., Сенча Л.М., Круглов А.В., Гурьев Е.Л., Звягин А.В. Регистрация фотолюминесценции антистоксовых нанофосфоров в культуре клеток in vitro в бесфоновом режиме // Биосистемы: организация, поведение, управление: Тезисы докладов 71-й Всероссийской с международным участием школы-конференции молодых ученых (Н.Новгород, 17–20 апреля 2018 г.). Н.Новгород, Университет Лобачевского. 266 с. 2018.. 2018. С. 56.

2017

Filatov D.O., Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Matveev S.A., Guseinov D.V., Trushin V.N., Nezhdanov A.V., Gorshkov A.P., Volkova N.S., Kruglov A.V., Bobrov A.I., Pavlov D.A. Photodiodes based on Thick Ge/Si(001) Epilayers Grown by Hot Wire Chemical Vapor Deposition. New York: Horizons in World Physics. Volume 288. Ed. Albert Reimer. / New York: Nova Science, 2017. Chapter 9. P.171-200. ISBN: 978-1-63485-882-3(eBook). 2017.

2015

Золотарева Н. В., Семенов В.В., Мяков В.Н., Куликова Т.И., Арапова А.В., Фаерман В.И., Горшков О.Н., Касаткин А.П., Котомина В.Е., Круглов А.В., Трушин В.Н., Треушников В.В., Треушников В.М. Формирование микроканалов в термоотверждаемом силиконовом каучуке с помощью нитевидных кристаллов n-аминобензойной кислоты // Известия Академии наук. Серия химическая. № 1. 2015. С. 189-195.

Шенгуров В.Г., Чалков В.Ю., Денисов С.А., Алябина Н.А., Гусейнов Д.В., Трушин В.Н., Горшков А.П., Волкова Н.С., Иванова М.М., Круглов А.В., Филатов Д.О. Фотодетекторы на базе гетероструктур Ge/Si(001), выращенных методом горячей проволоки // Физика и техника полупроводников. № 10. Т. 49. 2015. С. 1411-1414.

Shengurov V.G., Chalkov V.Yu., Denisov S.A., Alyabina N.A., Guseinov D.V., Trushin V.N., Gorshkov A.P., Volkova N.S., Ivanova M.M., Kruglov A.V., Filatov D.O. Photodetectors on the Basis of Ge/Si(001) Heterostructures Grown by the HotWire CVD Technique // Semiconductors. № 10. V. 49. 2015. P. 1365-1368.

2014

Молодняков С.П., Треушников В.В., Треушников В.М., Горшков О.Н., Касаткин А.П., Шенина М.Е., Шушунов А.Н., Круглов А.В., Семенов В.В. Полимерные волноводы на основе фотополимеризующихся метакрилатных композиций // Журнал прикладной химии. № 3. Т. 87. 2014. С. 367-371.

Molodnyakov S.P., Treushnikov V.V., Treushnikov V.M., Gorshkov O.N., Kasatkin A.P., Shenina M.E., Shushunov A.N., Kruglov A.V., Semenov V.V. Polymeric waveguides based on photopolymerizing methacrylate compositions // Russian Journal of Applied Chemistry. № 3. V. 87. 2014. P. 331-335.

2013

Молодняков С.П., Треушников В.В., Треушников В.М., Горшков О.Н., Касаткин А.П., Шенина М.Е., Шушунов А.Н., Круглов А.В., Любова Т.С., Ладилина Е.Ю., Семенов В.В. Полимерные волноводы на основе фотополимеризующихся метакрилатных композиций // Тез. докл. 2-го Симпозиума и 7-ой Школы молодых учёных«Новые высокочистые материалы». Нижний Новгород. 29-30 октября 2013 г. Под ред. академика М.Ф. Чурбанова. Нижний Новгород. 2013.. ООО «Печатная мастерская РАДОНЕЖ», 2 стр.. 2013. С. 137-138.

2011

Семёнов В.В., Ладилина Е.Ю., Лапшина Е.В., Горшков О.Н., Касаткин А.П., Скамницкий Д.В., Шенина М.Е., Круглов А.В., Дашаев А.А., Шарапов А.Н. Наведенный показатель преломления в тонких пленках полимерных органосиланов при облучении УФ светом // Журнал прикладной химии. № 10. Т. 84. 2011. С. 1717-1720.