Звонков Борис Николаевич

Место работы

Научно-исследовательский физико-технический институт

Отдел твердотельной электроники и оптоэлектроники

Лаборатория эпитаксиальной технологии

ведущий научный сотрудник

Ученая степень
Кандидат физико-математических наук
Ученое звание
Старший научный сотрудник
Дата начала работы в Университете Лобачевского: 1964
Общий стаж работы 56 лет, 11 мес.

Общие сведения

Научная Работа


Образование, учёные степени и учёные звания

Высшее образование
Специальность: Физика.

Награды

Почетное звание «Почетный работник науки и техники РФ» (приказ № 898/к-н от 09.11.2015)

Почетный работник Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского (приказ № 18-03-1154 от 14.07.2006, ННГУ)

Список преподаваемых дисциплин

Публикации

2020

Труды (тезисы) конференции

Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Демина П.Б., Дроздов М.Н., Здоровейщев А.В., Крюков Р.Н., Нежданов А.В., Антонов И.Н., Планкина С.М., Темирязева М.П. Формирование углеродных слоев методом термического разложения CCl4 в реакторе МОС-гидридной эпитаксии // «Нанофизика и наноэлектроника» Труды XXIV Международного симпозиума, 10–13 марта 2020 г., Нижний Новгород. Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2, 505 с.. 2020. С. 587-588.

Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Лесников В.П., Нежданов А.В., Планкина С.М. Исследование углеродных слоев методом конфокальной спектроскопии комбинационного рассеяния // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXIV Международного симпозиума. 10-13 марта 2020 г., Нижний Новгород. Нижний Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского. Т.2. 2020. С. 530-531.

Данилов Ю.А., Ведь М.В., Вихрова О.В., Дикарева Н.В., Дроздов М.Н., Звонков Б.Н., Ковальский В.А., Кудрин А.В., Лесников В.П., Юнин П.А., Андреев А.М. Углеродные пленки, полученные импульсным лазерным методом, и их влияние на свойства GaAs структур // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXIV Международного симпозиума. 10-13 марта 2020 г., Нижний Новгород. Нижний Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского. Т.2. 2020. С. 545-546.

Публикации в научных журналах

Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Калентьева И.Л., Кудрин А.В., Здоровейщев А.В., Ларионова Е.А., Ковальский В.А., Солтанович О.А. Диодные гетероструктуры с ферромагнитным слоем (Ga,Mn)As // Физика твердого тела. № 3. Т. 62. 2020. С. 373-380.

Алафердов А.В., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Мошкалев С.А. Использование пленок из многослойного графена в качестве покрытий светоизлучающих GaAs-структур // Оптика и спектроскопия. № 3. Т. 128. 2020. С. 399-406.

Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Демина П.Б., Дроздов М.Н., Здоровейщев А.В., Крюков Р.Н., Нежданов А.В., Антонов И.Н., Планкина С.М., Темирязева М.П. Формирование углеродных слоев методом термического разложения четыреххлористого углерода в реакторе МОС-гидридной эпитаксии // Физика и техника полупроводников. № 8. Т. 54. 2020. С. 801-806.

2019

Труды (тезисы) конференции

Крюков Р.Н., Николичев Д.Е., Зубков С.Ю., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Звонков Б.Н. Физико-химические свойства слоёв MnGa // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXIII международного симпозиума. (Нижний Новгород, 11-14 марта 2019 г.) В 2 т.. Нижний Новгород: Издательство Нижегородского госуниверситета - т. 1, - 544 с.. 2019. С. 219-220.

Крюков Р.Н., Николичев Д.Е., Зубков С.Ю., Дорохин М.В., Кудрин А.В., Демина П.Б., Звонков Б.Н. Физико-химические свойства структур спинового светоизлучающего диода со слоем GaMnAs // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXIII международного симпозиума. (Нижний Новгород, 11-14 марта 2019 г.) В 2 т.. Нижний Новгород: Издательство Нижегородского госуниверситета - т. 1, - 544 с.. 2019. С. 221-222.

Крюков Р.Н., Зубков С.Ю., Николичев Д.Е., Дорохин М.В., Звонков Б.Н. Физико-химические свойства слоёв GaMnSb // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXIII международного симпозиума. (Нижний Новгород, 11-14 марта 2019 г.) В 2 т.. Нижний Новгород: Издательство Нижегородского госуниверситета - т. 1, - 544 с.. 2019. С. 223-224.

Планкина С.М., Вихрова О.В., Звонков Б.Н., Зубков С.Ю., Крюков Р.Н., Нежданов А.В., Павлов Д.А., Пашенькин И.Ю., Сушков А.А. Комплексное применение спектроскопии комбинационного рассеяния света и фотолюминесценции для диагностики многослойных гетероструктур // Материалы XXIII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 11–14 марта 2019 г.. Изд-во ННГУ, 2 т., 957 с.. 2019. С. 795-796.

Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Калентьева И.Л., Кудрин А.В., Здоровейщев А.В., Ларионова Е.А., Ковальский В.А. Диодные гетероструктуры с ферромагнитным слоем GaMnAs // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXIII Международного симпозиума. 11-14 марта 2019 г. Нижний Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского. Т.1. 2019. С. 201-202.

Алафердов А.В., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Демина П.Б., Дорохин М.В., Звонков Б.Н., Кудрин А.В., Мошкалев С.А. Использование многослойного графена для формирования контактного слоя к светоизлучающим GaAs структурам // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXIII Международного симпозиума. 11-14 марта 2019 г. Нижний Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского. Т.2. 2019. С. 579-580.

Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Zvonkov B.N., Zdoroveishchev A.V., Kalentyeva I.L., Kudrin A.V., Larionova E.A. Effect of laser annealing on diode heterostructures with a ferromagnetic GaMnAs layer // Book of аbstracts «IV International Conference on Modern Problems in Physics of Surfaces and Nanostructures», Yaroslavl, Russia 26-29 August, 2019. 113с.. 2019. P. 69.

Zvonkov B.N., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Kudrin A.V., Vikhrova O.V., Demina P.B., Zdoroveishchev A.V., Kalentyeva I.L., Malysheva E.I. Structures of semiconductor spintronics, formed by the combined method of MOCVD epitaxy and pulsed laser deposition // Book of abstracts. VII Euro-Asian Symposium «Trends in MAGnetism» «EAST MAG 2019», September 08–13, 2019, Ekaterinburg, Russia.. M.N. Miheev Institute of Metal Physics UB RAS. V.1.. 2019. P. 59-60.

Самарцев И.В., Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Байдусь Н.В., Рыков А.В., Кудрявцев К.Е., Шенгуров В.Г., Чалков В.Ю. Фоточувствительная структура InGaAs на подложке Si/Ge (001) с градиентным метаморфным буферным слоем InGaAsP // Материалы XXIII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника»,. Н.Новгород: Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2. 2019. 411 с. 2019. С. 821-822.

Крюков Р.Н., Николичев Д.Е., Зубков С.Ю., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н. Физико-химические свойства разбавленных магнитных полупроводников на основе A3B5 // Материалы XXIII Всероссийской конференции с международным участием РЭСХС-2019 – Рентгеновские и электронные спектры и химическая связь. Воронеж, 2019, 1-4 октября. 2019. С. 46.

Danilov Yu.A., Kryukov R.N., Kudrin A.V., Lesnikov V.P., Nezhdanov A.V., Parafin A., Plankina S.M., Vikhrova O.V., Zdoroveishchev A.V., Zvonkov B.N. Modification of PLD-grown GaAs:Mn layers by pulse excimer laser annealing // Book of Abstracts «IV International Conference on Modern Problems in Physics of Surfaces and Nanostructures», Yaroslavl, Russia 26-29 August, 2019. P.G. Demidov Yaroslavl State University. 2019. P. 11.

Публикации в научных журналах

Kudrin A.V., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Kalentyeva I.L., Konakov A.A., Vasilyev V.K., Pavlov D.A., Usov Yu.V., Zvonkov B.N. The nature of transport and ferromagnetic properties of the GaAs structures with the Mn δ-doped layer // Journal of Magnetism and Magnetic Materials. V. 478. 2019. P. 84-90.

Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Кудрин А.В., Калентьева И.Л., Ларионова Е.А., Ковальский В.А., Солтанович О.А. Исследование магнитных диодов со слоем GaMnAs, изготовленным методом импульсного лазерного осаждения // Физика и техника полупроводников. № 3. Т. 53. 2019. С. 351-358.

Ганьшина Е.А., Голик Л.Л., Кунькова З.Э., Зыков Г.С., Маркин Ю.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н. О фазовом разделении в слоях (Ga,Mn)As, полученных ионной имплантацией и последующим лазерным отжигом // Физика твердого тела. № 3. Т. 61. 2019. С. 465-471.

Дорохин М.В., Демина П.Б., Буданов А.В., Власов Ю.Н., Котов Г.И., Здоровейщев А.В., Трушин В.Н., Звонков Б.Н. Повышение степени циркулярной поляризации спиновых светоизлучающих диодов путем обработки в парах селена // Письма в Журнал технической физики. № 5. Т. 45. 2019. С. 52-55.

Moraes F.C.D., Ullah S., Balanta M.A.G., Iikawa F., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N., Hernandez F.G.G. Acceleration of the precession frequency for optically-oriented electron spins in ferromagnetic/semiconductor hybrids // Scientific Reports. № 7294. V. 9. 2019. P. 1-7.

Планкина С.М., Вихрова О.В., Звонков Б.Н., Зубков С.Ю., Крюков Р.Н., Нежданов А.В., Павлов Д.А., Пашенькин И.Ю., Сушков А.А. Комплексное применение спектроскопии комбинационного рассеяния света и фотолюминесценции для диагностики многослойных гетероструктур // Физика и техника полупроводников. № 9. Т. 53. 2019. С. 1233-1236. Translated version: Plankina S.M., Vikh.

Дикарева Н.В., Звонков Б.Н., Самарцев И.В., Некоркин С.М., Байдусь Н.В., Дубинов А.А. Лазерный GaAs-диод с волноводными квантовыми ямами InGaAs // Semiconductors. № 12. Т. 53. 2019. С. 1718-1720.

2018

Труды (тезисы) конференции

Зубков С.Ю., Николичев Д.Е., Крюков Р.Н., Дорохин М.В., Звонков Б.Н. Химический состав разбавленного магнитного полупроводника InMnAs // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XXII международного симпозиума. Нижний Новгород, 12-15 марта 2017 г.. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т. 1. 2018. С. 200-201.

Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Звонков Б.Н., Кудрин А.В., Антонов И.Н. Влияние состава газа-носителя в процессе роста дельта-слоя Mn на электрические и магнитные свойства GaAs структур // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXII Международного симпозиума. 12-15 марта 2018 г. Нижний Новгород.. Изд-во Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2, 2 стр.. 2018. С. 639-640.

Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Кудрин А.В., Антонов И.Н. Влияние состава газа-носителя в процессе роста дельта-слоя Mn на электрические и магнитные свойства GaAs структур // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXII Международного симпозиума, 12-15 марта 2018. Н. Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2018. - Т.2. 2018. С. 639-640.

Планкина С.М., Боряков А.В., Вихрова О.В., Звонков Б.Н., Зубков С.Ю., Крюков Р.Н., Нежданов А.В., Пашенькин И.Ю. Определение состава твердых растворов GaInAs и GaInP из данных спектроскопии комбинационного рассеяния света // Нанофизика и наноэлектроника. XXII Международный симпозиум. Изд-во ННГУ, т.2, 897. 2018. С. 731-732.

Афоненко А.А., Ушаков Д.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Дикарева Н.В., Звонков Б.Н., Некоркин С.М. Анализ оптического и токового ограничения в лазерах с волноводом из квантовых ям и потенциальными барьерами // Труды XXII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". ННГУ, т.2, 898с.. 2018. С. 545-546.

Дикарева Н.В., Звонков Б.Н., Некоркин С.М., Чигинева А.Б., Алешкин В.Я., Дубинов А.А. Исследование InGaP/GaAs/InGaAs межзонных каскадных лазеров с вытекающей модой, выращенных на GaAs подложках с различным уровнем легирования // Труды XXII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2, 898с. 2018. С. 589-590.

Самарцев И.В., Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Дикарева Н.В., Чигинева А.Б., Пашенькин И.Ю., Байдусь Н.В. Разработка и исследование фотоприемников на длину волны 1,06 мкм с метаморфными буферными слоями на подложках GaAs // Труды XXII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2, 898с. 2018. С. 757-758.

Дикарева Н.В., Звонков Б.Н., Некоркин С.М., Демидов Е.С., Чигинева А.Б., Самарцев И.В., Вихрова О.В. Тиристор с оптической передачей эмиттерного тока на основе GaAs // Труды XXII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2, 898с. 2018. С. 811-812.

Звонков Б.Н., Байдусь Н.В., Вихрова О.В., Ершов А.В., Здоровейщев А.В., Котомина В.Е., Некоркин С.М., Самарцев И.В., Чигинева А.Б. Комбинированная структура – оптический тиристор и светодиод с гетеропереходами GaAs/InGaP // Труды XXII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2, 898 с. 2018. С. 625-626.

Свинцов А.А., Якимов Е.Б., Дорохин М.В., Демина П.Б., Шенгуров В.Г., Звонков Б.Н. Моделирование параметров бетавольтаического элемента на основе тритида титана // Тезисы докладов XXVII Российской конференции «Современные методы электронной и зондовой микроскопии в исследованиях органических, неорганических наноструктур и нанобиоматериалов». Черноголовка, 28-30 августа 2018г. Т.2.. 2018. С. 89-90.

Николичев Д.Е., Крюков Р.Н., Усов Ю.В., Павлов Д.А., Дорохин М.В., Звонков Б.Н., Зубков С.Ю. Состав и структура слоев GaMnAs, выращенных методом импульсного лазерного осаждения // XXVII Российская конференция по электронной микроскопии. ВНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН, т.1, 2018, 427 С. 2018. С. 349-350.

Зубков С.Ю., Крюков Р.Н., Николичев Д.Е., Дорохин М.В., Звонков Б.Н. Химический состав разбавленного магнитного полупроводника InMnAs // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XXII международного симпозиума. Нижний Новгород, 12-15 марта 2018 г.. Н. Новгород: Издательство ННГУ Н. Новгород: Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т. 1. 2018. С. 200-201.

Планкина С.М., Боряков А.В., Вихрова О.В., Звонков Б.Н., Зубков С.Ю., Крюков Р.Н., Нежданов А.В., Пашенькин И.Ю. Определение состава твёрдых растворов GaInAs и GaInP из данных спектроскопии комбинационного рассеяния света // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XXII международного симпозиума. Нижний Новгород, 12-15 марта 2018 г.. Н. Новгород: Издательство ННГУ Н. Новгород: Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т. 2. 2018. С. 731-732.

Публикации в научных журналах

Афоненко А.А., Ушаков Д.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Дикарева Н.В., Некоркин С.М., Звонков Б.Н. Мощностные характеристики лазеров с волноводом на основе квантовых ям и блокирующими слоями // Quantum Electronics. Т. 48. 2018. С. 1-5. [принято к печати]

Кунькова З.Э., Ганьшина Е.А., Голик Л.Л., Данилов Ю.А., Кудрин А.В., Ковалев В.И., Зыков Г.С., Маркин Ю.В., Вихрова О.В., Звонков Б.Н. Фазовое разделение в слоях GaMnAs, сформированных импульсным лазерным осаждением // Физика твердого тела. № 5. Т. 60. 2018. С. 940-946.

Kunkova Z.E., Ganshina E.A., Golik L.L., Danilov Yu.A., Kudrin A.V., Kovalev V.I., Zykov G.S., Markin Yu.V., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N. Phase Separation in GaMnAs Layers Grown by Laser Pulsed Deposition // Physics of the Solid State. № 5. V. 60. 2018. P. 943-949.

Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Кудрин А.В., Антонов И.Н. Влияние состава газа-носителя в процессе роста дельта-слоя Mn на электрические и магнитные свойства GaAs-структур // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 52. 2018. С. 1286-1290.

Алешкин В.Я., Байдусь Н.В., Вихрова О.В., Дубинов А.А., Звонков Б.Н., Красильник З.Ф., Кудрявцев К.Е., Некоркин С.М., Новиков А.В., Рыков А.В., Самарцев И.В., Юрасов Д.В. Стимулированное излучение на длине волны 1.3 μm в метаморфной структуре InGaAs/InGaAsP с квантовыми ямами, выращенной на подложке Ge/Si (001) // Письма в Журнал технической физики. № 44. Т. 16. 2018. С. 67-74.

Aleshkin V.Ya., Baidus N.V., Vikhrova O.V., Dubinov A.A., Krasilnik Z.F., Zvonkov B.N., Kudryavtsev K.E., Nekorkin S.M., Novikov A.V., Rykov A.V., Samartsev I.V., Yurasov D.V. Stimulated Emission at 1.3-μm Wavelength in Metamorphic InGaAs/InGaAsP Structure with Quantum Wells Grown on Ge/Si(001) Substrate // Technical Physics Letters. № 44. V. 8. 2018. P. 735-738.

Yakovlev G.E., Dorokhin M.V., Zubkov V.I., Dudin A.L., Zdoroveishchev A.V., Malysheva E.I., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Kudrin A.V. Specific Features of the Electrochemical Capacitance-Voltage Profiling of GaAs LED and pHEMT Structures with Quantum-Confined Regions // Semiconductors. № 8. V. 52. 2018. P. 1004-1011.

Dorokhin M.V., Yakovlev G.E., Zubkov V.I., Dudin A.L., Zdoroveishchev A.V., Malysheva E.I., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Kudrin A.V. Specific Features of the Electrochemical Capacitance-Voltage Profiling of GaAs LED and pHEMT Structures with Quantum-Confined Regions // Semiconductors. № 8. V. 52. 2018. P. 1004-1011.

Kalentyeva I.L., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Kudrin A.V., Antonov I.N. The effect of the Composition of a Carrier Gas during the Growth of a Mn delta-Layer on the Electrical and Magnetic Properties of GaAs Structures // Semiconductors. № 11. V. 52. 2018. P. 1398-1402.

Самарцев И.В., Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Пашенькин И.Ю., Дикарева Н.В., Чигинева А.Б. Фотоприемники с активной областью InGaAs и метаморфным буферным слоем InGaP, выращенные на подложках GaAs // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 52. 2018. С. 1460-1463.

Samartsev I.V., Nekorkin S.M., Zvonkov B.N., Aleshkin V.Ya., Dubinov A.A., Pashenykin I.Yu., Dikareva N.V., Chigineva A.B. Photodetectors with an InGaAs Active Region and InGaP Metamorphic Buffer Layer Grown on GaAs Substrates // Semiconductors. № 12. V. 52. 2018. P. 1564-1567.

Samartsev I.V., Nekorkin S.M., Zvonkov B.N., Dikareva N.V., Zdoroveyshchev A.V., Rykov A.V., Baidus N.V. 1.06 μm wavelength photodetectors with metamorphic buffer layers grown on GaAs substrates // Journal of Physics: Conference Series. № 1124. 2018. P. 041037.

2017

Сборники статей

Афоненко А.А., Ушаков Д.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Дикарева Н.В., Звонков Б.Н., Некоркин С.М. Мощностные характеристики лазеров с волноводом из квантовых ям и блокирующими слоями // Сбоник трудов 11-ого Белорусско-Российского Семинара ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ЛАЗЕРЫ И СИСТЕМЫ НА ИХ ОСНОВЕ. Минск: БГУ, т.1, 203с.. 2017. С. 27-29.

Труды (тезисы) конференции

Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Демина П.Б., Дорохин М.В., Калентьева И.Л., Кудрин А.В. Излучающие гетероструктуры с двухслойной квантовой ямой InGaAs/GaAsSb/GaAs и ферромагнитным слоем GaMnAs // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXI Международного симпозиума. 13-16 марта 2017 г. Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, 2017. Т.1. 2017. С. 149-150.

Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Крюков Р.Н., Кудрин А.В., Лесников В.П., Нежданов А.В., Николичев Д.Е., Павлов С.А., Парафин А.Е., Пашенькин И.Ю., Планкина С.М. Модифицирование свойств ферромагнитных слоев на основе соединений А3В5 импульсным лазерным отжигом // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXI Международного симпозиума. 13-16 марта 2017 г. Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, 2017. Т.1. 2017. С. 151-152.

Калентьева И.Л., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Дорохин М.В., Вихрова О.В., Павлов Д.А., Пирогов А.В., Дроздов М.Н., Дроздов Ю.Н., Юнин П.А. Особенности селективного легирования марганцем GaAs гетероструктур // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XXI международного симпозиума. Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т. 2. 2017. С. 612-613.

Николичев Д.Е., Крюков Р.Н., Зубков С.Ю., Дорохин М.В., Демина П.Б., Звонков Б.Н. Влияние низкотемпературного отжига на перераспределение химического состава системы спинового светоизлучающего диода на основе GaAs с дельта-слоем Mn // «Нанофизика и наноэлектроника» Материалы XXI Международного симпозиума, 13–16 марта 2017 г., Нижний Новгород.. Из-во ННГУ, Т.1. 2017. С. 217-218.

Kalentyeva I.L., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Kudrin A.V. Magnetic properties of epitaxial GaMnAs layers // Saint Petersburg OPEN 2017 «4th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures». Academic University Publishing St. Petersburg, 2017, 640. 2017. P. 503-504.

Кудрин А.В., Данилов Ю.А., Васильев В.К., Питиримова Е.А., Звонков Б.Н. Влияние облучения протонами на электрические свойства гетероструктур InxGa1-xAs/GaAs (x = 0.15 – 0.6) // Тезисы докладов XLVII международной Тулиновской конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (Москва 30 мая – 1 июня 2017). М.: Университетская книга. 2017. С. 123.

Планкина С.М., Вихрова О.В., Звонков Б.Н., Нежданов А.В., Пашенькин И.Ю. Применение спектроскопии фотолюминесценции для исследования поперечного скола многослойных гетероструктур // Материалы XXI Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 13-16 марта 2017г., Нижний Новгород. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т.2. 2017. С. 690.

Крюков Р.Н., Зубков С.Ю., Николичев Д.Е., Дорохин М.В., Звонков Б.Н. Свойства поверхности слоёв GaAs:Mn, выращенных методом импульсного лазерного осаждения // «Нанофизика и наноэлектроника» Материалы XXI Международного симпозиума, 13–16 марта 2017 г., Нижний Новгород.. Изд-во ННГУ, Т.2. 2017. С. 606-607.

Дикарева Н.В., Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Алешкин В.Я., Дубинов А.А. Особенности стимулированного излучения InGaP/GaAs лазеров со сверхрешеткой GaAsP/InGaAs в активной области // Труды XXI Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". ННГУ, т.2, 832с.. 2017. С. 676-677.

Чунин И.И., Звонков Б.Н., Дикарева Н.В., Некоркин С.М., Байдусь Н.В., Самарцев И.В. Лазер-тиристор на системе материалов InGaAs/GaAs(InGaAsP)/InGaP // Труды XXI Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". ННГУ, т.2, 832с.. 2017. С. 762-763.

Афоненко А.А., Ушаков Д.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Дикарева Н.В., Звонков Б.Н., Некоркин С.М. Анализ внутренних оптических потерь лазерных гетероструктур с вытекающей модой // Труды XXI Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". ННГУ, т.2, 832с.. 2017. С. 515-516.

Дикарева Н.В., Звонков Б.Н., Некоркин С.М. Волноводный эффект квантовых ям в InGaAs/GaAs лазере с тонкими слоями InGaP // Труды XX научной конференции по радиофизике. ННГУ, секция "Квантовая радиофизика и оптика", 58 с.. 2017. С. 40-41.

Публикации в научных журналах

Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Байдусь Н.В., Дикарева Н.В., Вихрова О.В., Афоненко А.А., Ушаков Д.В. Влияние «объема» активной среды на излучательные свойства лазерных гетероструктур с выходом излучения через подложку // Физика и техника полупроводников. № 1. Т. 51. 2017. С. 75-78.

Buzynin Yu.N., Shengurov V.G., Zvonkov B.N., Buzynin A.N., Denisov S.A., Baidusy N.V., Drozdov M.N., Pavlov D.A., Yunin P.A. GaAs/Ge/Si epitaxial substrates: development and characteristics // AIP Advances. V. 7. 2017. P. 015304.

Планкина С.М., Вихрова О.В., Звонков Б.Н., Нежданов А.В., Пашенькин И.Ю. Применение спектроскопии фотолюминесценции для исследования поперечного скола многослойных гетероструктур // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 51. 2017. С. 1510-1513.

Plankina S.M., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N., Nezhdanov A.V., Pashenykin I.Yu. Cleaved-Edge Photoluminescence Spectroscopy of Multilayer Heterostructures // Semiconductors. № 11. V. 51. 2017. P. 1456–1459.. [принято к печати]

Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Лесников В.П., Нежданов А.В., Павлов С.А., Парафин А.Е., Пашенькин И.Ю., Планкина С.М. Модифицирование свойств ферромагнитных слоев на основе соединений А3В5 импульсным лазерным отжигом // Физика твердого тела. № 11. Т. 59. 2017. С. 2130-2134.

Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V., Lesnikov V.P., Nezhdanov A.V., Pavlov S.A., Parafin A.E., Pashenykin I.Yu., Plankina S.M. Modification of the Properties of Ferromagnetic Layers Based on A3B5 Compounds by Pulsed Laser Annealing // Physics of the Solid State. № 11. V. 59. 2017. P. 2150-2154.

Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Демина П.Б., Дорохин М.В., Калентьева И.Л., Кудрин А.В. Излучающие гетероструктуры с двухслойной квантовой ямой InGaAs/GaAsSb/GaAs и ферромагнитным слоем GaMnAs // Физика твердого тела. № 11. Т. 59. 2017. С. 2196-2199.

Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Кудрин А.В., Дорохин М.В., Павлов Д.А., Антонов И.Н., Дроздов М.Н., Усов Ю.В. Особенности селективного легирования марганцем GaAs структур // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 51. 2017. С. 1468-1472.

Дикарева Н.В., Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Некоркин С.М., Алешкин В.Я., Дубинов А.А. Двухчастотный GaAs/InGaP лазерный диод с квантовой ямой GaAsSb // Semiconductors. № 2017. Т. 51. 2017. С. 1410-1413.

2016

Труды (тезисы) конференции

Калентьева И.Л., Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дроздов М.Н. Влияние термического отжига на фотолюминесценцию гетеронаноструктур InGaAs/GaAs с дельта-легированным Mn слоем GaAs // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XX Международного симпозиума, 14-18 марта 2016 г. Нижний Новгород. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2016. Т.2. 2016. С. 600-602.

Планкина С.М., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Коннова Н.Ю., Нежданов А.В., Пашенькин И.Ю. Исследование поперечного скола структур методом комбинационного рассеяния света // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XX Международного симпозиума, 14-18 марта 2016 г. Нижний Новгород. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2016. Т.2. 2016. С. 686-687.

Калентьева И.Л., Кудрин А.В., Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Здоровейщев А.В. Изготовление образцов со спиновым латеральным переносом на основе GaAs структур с дельта-слоем Mn // 23-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика-2016». Зеленоград.: МИЭТ. 2016. С. 10.

Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Дикарева Н.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А. Перестройка волноводных мод в многоямном гетеролазере // Материалы XX Междунар. симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 14–18 марта 2016, Нижний Новгород.. Издательство Нижегород. ун-та им. Н.И. Лобачевского, Т. 2: Секция 3, 406 с. 2016. С. 678–679.

Самарцев И.В., Звонков Б.Н., Некоркин С.М., Вихрова О.В., Колпаков Д.А. Исследование возможности создания излучающих структур на диапазон длин волн 1.3 мкм с метаморфными буферными слоями InGaAs, GaAsSb и квантовой ямой InGaAs // Материалы XX Междунар. симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 14–18 марта 2016, Нижний Новгород:. Издательство Нижегород. ун-та им. Н.И. Лобачевского, Т. 2: Секция 3, 406 с.. 2016. С. 718-719.

Байдусь Н.В., Звонков Б.Н., Кукушкин В.А., Абрамкин Д.С. Влияние поляризации излучения квантовых точек InAs/GaAs на свойства поверхностных плазмон-поляритонов // Труды XX Междунар. симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 14–18 марта 2016, Нижний Новгород. Издательство ННГУ им. Н.И.Лобачевского,, Том.2, 840 с.. 2016. С. 484-485.

Белёвский П.А., Винославский М.Н., Порошин В.Н., Байдусь Н.В., Звонков Б.Н. Неустойчивости тока в селективно-легированных n-InGaAs/GaAs-гетероструктурах с квантовыми ямами при латеральном электрическом транспорте // Материалы XX Междунар. симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 14–18 марта 2016 г., Нижний Новгород. : ИФМ РАН, Том.2. 2016.. Издательство ННГУ им. Н.И.Лобачевского, Том 2, 840 с.. 2016. С. 492-493.

Kunkova Z.E., Ganshina E.A., Golik L.L., Danilov Yu.A., Kudrin A.V., Novikov A.I., Kovalev V.I., Bykov I.V., Zykov G.S., Markin Y.V., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N. Blue shift in magneto-optical spectra of ferromagnetic (Ga,Mn)As // Book of Abstracrs, VI Euro-Asian Symposium "Trends in MAGnetism" (EASTMAG-2016), August 15 – 19, 2016. Krasnoyarsk, Kirensky Institute of Physics, Russian Academy of Sciences, Siberian Branch. 2016. P. 323.

Кудрин А.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Васильев В.К. Модифицирование электрических свойств структур InxGa1-xAs/GaAs (x = 0.15 – 0.6) облучением протонов // VI Всероссийская конференция и школа молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации», 24 – 27 октября 2016 года. Нижний Новгород. 2016. С. 88-89.

Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Кудрин А.В., Звонков Б.Н., Дроздов М.Н. Влияние точечных дефектов на диффузию Mn и C в квантово-размерных гетероструктурах на основе GaAs // VI Всероссийская конференция и школа молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации», 24 – 27 октября 2016 года. Нижний Новгород. 2016. С. 123-124.

Самарцев И.В., Звонков Б.Н., Некоркин С.М. Фото- и электролюминесценция гетероструктур с метаморфными буферными слоями GaAsSb, InGaAs и квантовой ямой InGaAs // Двадцатая научная конференция по радиофизике, посвященная 70-летию радиофизического факультета. 2. 2016. [принято к печати]

Афоненко А.А., Головчак М.С., Маковский А.А., Стецик В.М., Ушаков Д.В., Дикарева Н.В., Некоркин С.М., Чунин И.И., Звонков Б.Н. Ближнее поле излучения InGaAs/GaAs лазеров с вытекающей модой // Сборник трудов 5-го Российского симпозиума с международным участием «Полупроводниковые лазеры: физика и технология», 2016. Типография Политехнического университета, 77с.. 2016. С. 53.

Дикарева Н.В., Некоркин С.М., Чунин И.И., Звонков Б.Н., Афоненко А.А., Ушаков Д.В. Влияние длины резонатора на энергетические характеристики GaAs лазеров с увеличенной активной областью и выходом излучения через подложку // Сборник трудов 5-го Российского симпозиума с международным участием «Полупроводниковые лазеры: физика и технология», - 2016. Типография Политехнического университета, 77с.. 2016. С. 60.

Дикарева Н.В., Звонков Б.Н., Некоркин С.М., Чунин И.И. Компенсация упругих напряжений в структуре многоямных InGaP/GaAs/InGaAs лазеров // Труды XX научной конференции по радиофизике, посвященной 110-летию со дня рождения Г.С. Горелика, 2016.. ННГУ, 320с.. 2016. С. 44-45.

Публикации в научных журналах

Balanta M.A.G., Brasil M.L.S.P., Iikawa F., Mendes U.C., Brum J.A., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N. Optically controlled spin-polarization memory effect on Mn delta-doped heterostructures // Scientific Reports. № 24537. V. 6. 2016. P. 1-6.

Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Кудрявцев К.Е., Юнин П.А., Дроздов М.Н., Вихрова О.В., Некоркин С.М., Звонков Б.Н. Стимулированное излучение из объемного метаморфного слоя GaAsSb на GaAs-подложке // Физика и техника полупроводников. Т. 50. 2016. С. 596-599.

Байдусь Н.В., Кукушкин В.А., Звонков Б.Н., Некоркин С.М. Наногетероструктуры с улучшенными параметрами для быстродействующих и высокоэффективных плазмон-поляритонных светодиодов Шоттки (Nanoheterostructures with improved parameters for high-speed and efficient plasmon-polariton light emitting Schottky diodes) // Semiconductors. № 11. Т. 50. 2016. С. 1554–1560.

Дорохин М.В., Павлов Д.А., Бобров А.И., Данилов Ю.А., Лесников В.П., Звонков Б.Н., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Демина П.Б., Усов Ю.В., Николичев Д.Е., Крюков Р.Н., Зубков С.Ю. Формирование контактов MnGa/GaAs для применений в оптоэлектронике и спинтронике // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 50. 2016. С. 1463-1468.

Kalentyeva I.L., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Kudrin A.V., Drozdov M.N. Effect of Thermal Annealing on the Photoluminescence of Structures with InGaAs/GaAs Quantum Wells and a Low-temperature GaAs Layer delta-doped with Mn // Semiconductors. № 11. V. 50. 2016. P. 1469-1474.

Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Кудрин А.В., Дроздов М.Н. Влияние термического отжига на фотолюминесценцию структур с InGaAs/GaAs квантовыми ямами и низкотемпературным дельта-легированным Mn слоем GaAs // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 50. 2016. С. 1490-1496.

Планкина С.М., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Коннова Н.Ю., Нежданов А.В., Пашенькин И.Ю. Исследование поперечного скола структур методом комбинационного рассеяния света // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 50. 2016. С. 1561-1564.

Plankina S.M., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Konnova N.Yu., Nezhdanov A.V., Pashenkin I.Yu Study of the Structures of Cleaved Cross Sections by Ramsn Spectroscopy // Semiconductors. № 11. V. 50. 2016. P. 1539-1542.

Зайцев С.В., Акимов И.А., Лангер Л., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Звонков Б.Н., Яковлев Д.Р., Байер М. Когерентная спиновая динамика носителей в ферромагнитных полупроводниковых гетероструктурах с дельта-слоем Mn // Журнал экспериментальной и теоретической физики. № 3. Т. 150. 2016. С. 490-500.

Zaitsev S.V., Akimov I.A., Langer L., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Zvonkov B.N., Yakovlev D.R., Bayer M. Coherent Spin Dynamics of Carriers in Ferromagnetic Semiconductor Heterostructures with an Mn Delta Layer // Journal of Experimental and Theoretical Physics. № 3. V. 123. 2016. P. 420-428.

Dorokhin M.V., Pavlov D.A., Bobrov A.I., Danilov Yu.A., Lesnikov V.P., Zvonkov B.N., Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V., Demina P.B., Usov Yu.V., Nikolichev D.E., Kryukov R.N., Zubkov S.Yu. Fabrication of MnGa/GaAs Contacts for Optoelectronics and Spintronics Applications // Semiconductors. № 11. V. 50. 2016. P. 1443-1448.

Яблонский А.Н., Морозов С.В., Гапонова Д.М., Алешкин В.Я., Шенгуров В.Г., Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Байдусь Н.В., Красильник З.Ф. Cтимулированное излучение в гетероструктурах с двойными квантовыми ямами InGaAs/GaAsSb/GaAs, выращенных на подложках GaAs и Ge/Si(001) // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 50. 2016. С. 1455-1458.

Yablonskii A.N., Morozov S.V., Gaponova D.M., Aleshkin V.Ya., Zvonkov B.N., Shengurov V.G., Vikhrova O.V., Baidusy N.V., Krasilynik Z.F. Stimulated emission in heterostructures with double InGaAs/GaAsSb/GaAs quantum wells, grown on GaAs and Ge/Si(001) substrates // Semiconductors. № 11. V. 50. 2016. P. 1435-1438.

2015

Сборники статей

Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Дикарева Н.В., Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Кудрявцев К.Е., Юнин П.А. Стимулированное излучение в GaAs/InGaAsструктуре с тонкими InGaP слоями, выращенной на Ge/Si подложке // Сборник трудов 10-го Белорусско-Российского Семинара «Полупроводниковые лазеры и системы на их основе», 26–29 мая 2015 г., Минск, Беларусь. Минск: Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, 2015. 2015. [принято к печати]

Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Колпаков Д.А., Дикарева Н.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А. Межзонный каскадный лазер с туннельным p-n-переходом и выходом излучения через подложку // Сборник трудов 10-го Белорусско-Российского Семинара «Полупроводниковые лазеры и системы на их основе», 26–29 мая 2015 г., Минск, Беларусь. Минск: Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, 2015. 2015. [принято к печати]

Труды (тезисы) конференции

Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Байдусь Н.В., Вихрова О.В., Дикарева Н.В. Влияние числа квантовых ям на излучательные свойства лазерных гетероструктур с вытеканием излучения через подложку // Труды XIX международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Том 2. 2015. [принято к печати]

Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Дикарева Н.В., Самарцев И.В., Колпаков Д.А., Алешкин В.Я., Дубинов А.А. Оптимизация InGaP/GaAs/InGaAs гетеролазеров с туннельно-связанными волноводами // Труды XIX международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Том 2. 2015.. 2015. [принято к печати]

Колпаков Д.А., Некоркин С.М., Дикарева Н.В., Звонков Б.Н., Алешкин В.Я., Дубинов А.А. Полупроводниковый лазер с туннельным p-n-переходом и выходом излучения через подложку // Труды XIX международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Том 2. 2015.. 2015. [принято к печати]

Вихрова О.В., Ганьшина Е.А., Данилов Ю.А., Дроздов Ю.Н., Дудин Ю.А., Звонков Б.Н., Зыков Г.С., Кудрин А.В., Кунькова З.Э., Лесников В.П., Петрякова Е.В., Питиримова Е.А., Темирязева М.П., Юнин П.А., Якубов Р.Р. Ферромагнетизм в InFeAs-слоях, сформированных методом импульсного лазерного нанесения // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XIX Международного симпозиума. 10-14 марта 2015 г.. Нижний Новгород. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2015. Т.1. 2015. С. 160-161.

Dorokhin M.V., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Balanta M.A.G., Brasil M.J.S.P., Iikawa F., Demina P.B., Malysheva E.I. Time-resolved photoluminescence of ferromagnetic InGaAs/GaAs/δMn structures // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XIX Международного симпозиума. 10-14 марта 2015 г.. Нижний Новгород. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2015. Т.1. 2015. P. 164-165.

Калентьева И.Л., Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Демина П.Б., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В. Оптические и магнитотранспортные свойства структур InGaAs/GaAsSb/GaAs, легированных магнитной примесью // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XIX Международного симпозиума. 10-14 марта 2015 г.. Нижний Новгород. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2015. Т.2. 2015. С. 523-524.

Вихрова О.В., Звонков Б.Н., Кудрин А.В., Нежданов А.В., Планкина С.М., Дроздов Ю.Н. Использование спектроскопии комбинационного рассеяния для анализа влияния упругих напряжений на магнитные свойства слоев GaMnAs // Труды XIX Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". 10-14 марта 2015 г., Нижний Новгород. Изд-во Нижегородского университета. 2015. С. 615-617.

Kalentyeva I.L., Zvonkov B.N., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Drozdov M.N. Annealing of delta-doped (Mn,C) GaAsSb/GaAs heteronanostructures // International Conference Nanomeeting-2015 “Physics, Chemistry and Applications of Nanostructures”. Reviews and Short Notes, Minsk, Belarus, 26-29 May 2015. World Scientific Publ.. 2015. P. 402-405.

Калентьева И.Л., Звонков Б.Н., Демина П.Б., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Кудрин А.В., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В. Диагностика структур с двухслойными квантовыми ямами InGaAs/GaAsSb/GaAs и ферромагнитным инжектором GaMnAs // Труды VIII Всероссийской школы-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «Диагностика наноматериалов и наноструктур», 14-18 cентября, Рязань. РГРТУ, т.3. 2015. С. 95-99.

Дорохин М.В., Павлов Д.А., Бобров А.И., Данилов Ю.А., Демина П.Б., Звонков Б.Н., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Малехонова Н.В., Малышева Е.И. Эпитаксия ферромагнитных квазикристаллов MnxGay на поверхности GaAs // Тезисы докладов XII Российской конференции по физике полупроводников, Ершово, 21-25 сентября 2015.. Москва, Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН.. 2015. С. 131.

Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Дикарева Н.В., Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Дубинов А.А., Алешкин В.Я., Кудрявцев К.Е., Красильник З.Ф. Стимулированное излучение в InGaP/GaAs/InGaAs структуре на Ge/Si подложке // XII Российская конференция по физике полупроводников. Ершово, Московская обл., Россия, 21-25 сентября 2015 г.. 2015. С. 376.

Дикарева Н.В., Звонков Б.Н., Некоркин С.М., Байдусь Н.В., Вихрова О.В., Юнин П.А. Конструктивные особенности активной среды полупроводниковых лазеров с вытеканием излучения через подложку. // Труды XIX научной конференции по радиофизике, Н. Новгород. ННГУ, 2015, 300с.. 2015. С. 31.

Звонков Б.Н., Байдусь Н.В., Некоркин С.М., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Рыков А.В., Колпаков Д.А. Мощный импульсный гетеролазер с увеличенной активной областью и узкой диаграммой направленности // Труды II российско-белорусской научно-технической конференции «Элементная база отечественной радиоэлектроники: импортозамещение и применение» им. О.В. Лосева. Изд-во Нижегородского ун-та им. Н.И. Лобачевского, 508 с. 2015. С. 161-162.

Публикации в научных журналах

Дикарева Н.В., Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Алешкин В.Я., Дубинов А.А. Нелинейное смешение гармоник в InGaAs/InGaP/GaAs лазере на Ge подложке // Квантовая электроника. № 3. Т. 45. 2015. С. 204.

Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Дикарева Н.В., Звонков Б.Н., Красильник З.Ф., Некоркин С.М. Излучательные характеристики лазерных диодов на основе А3В5, выращенных на германиевой подложке // Письма в журнал технической физики. № 6. Т. 41. 2015. С. 105.

Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Дикарева Н.В., Звонков Б.Н., Кудрявцев К.Е., Новиков А.В., Некоркин С.М., Юнин П.А., Юрасов Д.В. Волноводный эффект квантовых ям InGaAs в GaAs структуре на Si подложке с Ge буферным слоем // Письма в журнал технической физики. № 13. Т. 41. 2015. С. 72.

Планкина С.М., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Калентьева И.Л., Нежданов А.В., Чунин И.И., Юнин П.А. Исследование дельта-легированных марганцем гетеронаноструктур InGaAs/GaAs методом спектроскопии комбинационного рассеяния света // Физика и техника полупроводников. № 1. Т. 49. 2015. С. 102-106.

Дикарева Н.В., Вихрова О.В., Звонков Б.Н., Малехонова Н.В., Некоркин С.М., Пирогов А.В., Павлов Д.А. Влияние температурной обработки на излучательные свойства гетероструктур с квантово-размерным слоем GaAsSb // ФТП. № 1. Т. 49. 2015. С. 11-14.

Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Звонков Б.Н., Дикарева Н.В., Кудрявцев К.Е., Некоркин С.М. Наблюдение прямозонной фото- и электролюминесценции из GaAs-структуры с Ge квантовыми ямами // ФТП. № 2. Т. 49. 2015. С. 175.

Ganshina E.A., Golik L.L., Kunkova Z.E., Kovalev V.I., Markin Y.V., Novikov A.I., Zykov G.S., Danilov Yu.A., Kudrin A.V., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N. Magneto-Optical Evidence for Intrinsic Ferromagnetism in (Ga,Mn)As Layers Grown by Pulsed Laser Deposition // Solid State Phenomena. V. 233-2. 2015. P. 101-104.

Plankina S.M., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Kalentyeva I.L., Nezhdanov A.V., Chunin I.I., Yunin P.A. Raman Spectroscopy of InGaAs/GaAs Nanoheterostructures Delta-doped with Mn // Semiconductors. № 1. V. 49. 2015. P. 99-103.

Калентьева И.Л., Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Демина П.Б., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В. Оптические и магнитотранспортные свойства структур InGaAs/GaAsSb/GaAs, легированных магнитной примесью // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 49. 2015. С. 1478-1483.

Dorokhin M.V., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Balanta M.A.G., Brasil M.J.S.P., Iikawa F., Mendes U., Brum J.A., Demina P.B., Malysheva E.I., Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V. The circular polarization inversion in deltaMn/InGaAs/GaAs light-emitting diodes // Applied Physics Letters. № 4. V. 107. 2015. P. 042406, 1-4.

Dikareva N.V., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N., Malekhonova N.V., Pavlov D.A., Pirogov A.V. Effect of thermal annealing on the emission properties of heterostructures containing a quantum-confined GaAsSb layer // Semiconductors. № 1. V. 49. 2015. P. 9-12.

Pavlov D.A., Baidus N.V., Bobrov A.I., Vikhrova O.V., Volkova E.I., Zvonkov B.N., Malekhonova N.V., Sorokin D.S. Distribution of Elastic Strains Appearing in Gallium Arsenide as a Result of Doping with Isovalent Impurities of Phosphorus and Indium // Semiconductors. № 1. V. 49. 2015. P. 1-3.

Колпаков Д.А., Звонков Б.Н., Некоркин С.М., Дикарева Н.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А. Полупроводниковый лазер с туннельным p-n-переходом и выходом излучения через подложку // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 49. 2015. С. 1489-1491.

Самарцев И.В., Алешкин В.Я., Дикарева Н.В., Дубинов А.А., Звонков Б.Н., Колпаков Д.А., Некоркин С.М. Оптимизация гетеролазеров InGaP/GaAs/InGaAs с туннельно-связанными волноводами // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 49. 2015. С. 1625-1628.

Алешкин В.Я., Дикарева Н.В., Дубинов А.А., Звонков Б.Н., Кудрявцев К.Е., Некоркин С.М., Новиков А.В., Юнин П.А., Юрасов Д.В. Волноводный эффект квантовых ям InGaAs в структуре GaAs на подложке Si с буферным слоем Ge // Письма в ЖТФ. Т. 41. 2015. С. 72-78.

Вихрова О.В., Звонков Б.Н., Дорохин М.В., Калентьева И.Л., Морозов С.В., Крыжков Д.И., Юнин П.А. Структурные и оптические свойства гетероструктур с квантовыми ямами GaAsSb, выращенных методом лазерного осаждения // Физика и техника полупроводников. № 49. Т. 1. 2015. С. 113-116.

Vikhrova O.V., Zvonkov B.N., Dorokhin M.V., Kalentyeva I.L., Morozov S.V., Kryzhkov D.I., Yunin P.A. Structural and optical properties of GaAsSb QW heterostructures grown by laser deposition // Semiconductors. № 49. V. 1. 2015. P. 109-112.

Вихрова О.В., Звонков Б.Н., Байдусь Н.В., Малышева Е.И., Труфанов А.Н. Особенности излучательных характеристик гетероструктур InGaAs/GaAs с квантовыми ямами и точками, облученных нейтронами // Физика и техника полупроводников. № 49. Т. 3. 2015. С. 370-375.

Vikhrova O.V., Zvonkov B.N., Baidus N.V., Malysheva E.I., Trufanov A.N. Emission Properties of InGaAs/GaAs Heterostructures with Quantum Wells and Dots after Irradiation with Neutrons // Semiconductors. № 49. V. 3. 2015. P. 358–363.

Aleshkin V.Ya., Dikareva N.V., Dubinov A.A., Zvonkov B.N., Kudryavtsev K.E., Nekorkin S.M., Novikov A.V., Yunin P.A., Yurasov D.V. The waveguide effect of InGaAs quantum wells in a GaAs structure on Si substrate with Ge buffer layer // Technical Physics Letters. № 7. V. 47. 2015. P. 648-650.

Aleshkin V.Ya., Dikareva N.V., Dubinov A.A., Zvonkov B.N., Krasilynik Z.F., Nekorkin S.M. Optical characteristics of laser diodes based on A3B5 compounds grown on germanium substrates // Technical Physics Letters. № 3. V. 41. 2015. P. 304-306.

Aleshkin V.Ya., Dikareva N.V., Dubinov A.A., Zvonkov B.N., Kudryavtsev K.E., Nekorkin S.M. An observation of direct-gap electroluminescence in GaAs structures with Ge quantum wells // Semiconductors. № 2. V. 49. 2015. P. 170-173.

Dikareva N.V., Nekorkin S.M., Zvonkov B.N., Aleshkin V.Ya., Dubinov A.A. Nonlinear harmonic mixing in an InGaAs/InGaP/GaAs laser on a germanium substrate // Quantum Electronics. № 3. V. 45. 2015. P. 204-206.

Kalentyeva I.L., Zvonkov B.N., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Demina P.B., Dorokhin M.V., Zdoroveishchev A.V. Optical and magnetotransport properties of InGaAs/GaAsSb/GaAs structures doped with a magnetic impurity // Semiconductors. № 11. V. 49. 2015. P. 1430-1434.

Pavlov D.A., Baidus N.V., Bobrov A.I., Vikhrova O.V., Volkova E.I., Zvonkov B.N., Malekhonova N.V., Sorokin D.S. Distribution of Elas-tic Strains Appearing in Gallium Arsenide as a Result of Doping with Isovalent Impurities of Phosphorus and Indium // Semiconductors. № 1. V. 49. 2015. P. 1-3.

Криштопенко С.С., Маремьянин К.В., Калинин К.П., Спирин К.Е., Гавриленко В.И., Байдусь Н.В., Звонков Б.Н. Обменное усиление g-фактора электронов в напряженных гетероструктурах InGaAs/InP // Физика и техника полупроводников. № 2. Т. 49. 2015. С. 196-203.

2014

Труды (тезисы) конференции

Дорохин М.В., Павлов Д.А., Бобров А.И., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Малехонова Н.В., Малышева Е.И. Эпитаксиальное выращивание слоёв MnGa/GaAs для диодов со спиновой инжекцией // Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского. Том 1. 2014. С. 135-136.

Павлов Д.А., Байдусь Н.В., Бобров А.И., Вихрова О.В., Волкова Е.И., Звонков Б.Н., Малехонова Н.В., Сорокин Д.С. Исследование поперечного среза гетероструктур с квантовыми точками InGaAs/GaAs и фосфидными слоями GaAsP // Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Том 2, 353 с. 2014. С. 419-420.

Дикарева Н.В., Вихрова О.В., Звонков Б.Н., Малехонова Н.В., Некоркин С.М., Пирогов А.В., Павлов Д.А. Влияние температурной обработки на излучательные свойства гетероструктур с квантово-размерным слоем GaAsSb // Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Том 2, 353 с. 2014. С. 452-453.

Планкина С.М., Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Калентьева И.Л., Нежданов А.В., Скворцов В.В., Юнин П.А. Исследование дельта-легированных марганцем гетеронаноструктур InGaAs/GaAs методом спектроскопии комбинационного рассеяния света // Труды XVIII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". 10-14 марта 2014 г. Нижний Новгород. Изд-во Нижегородского университета, т.1. 2014. С. 186-187.

Алешкин В.Я., Дикарева Н.В., Дубинов А.А., Звонков Б.Н., Кудрявцев К.Е., Некоркин С.М. Наблюдение прямозонной фото- и электролюминесценции из GaAs-структуры с Ge квантовыми ямами // Труды XVIII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2014, Том 2, 353 с.. 2014. С. 458.

Звонков Б.Н., Дикарева Н.В., Колпаков Д.А., Некоркин С.М. Излучательные свойства лазерных гетероструктур с увеличенной активной областью, выращенных на низколегированной GaAs подложке // Сборник трудов XVIII научной конференции по радиофизике, посвященной Дню радио. ННГУ. 2014. [принято к печати]

Дикарева Н.В., Звонков Б.Н., Коблов Э.А., Вихрова О.В., Некоркин С.М. Излучательные свойства лазерных GaAs гетероструктур, выращенных на проводящей Ge/Si подложке // Сборник трудов XVIII научной конференции по радиофизике, посвященной Дню радио. ННГУ. 2014. [принято к печати]

Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дроздов М.Н., Дроздов Ю.Н., Звонков Б.Н., Юнин П.А. Свойства квантовых ям GaAs/InGaAs/GaAs, легированных атомами переходных 3d-элементов // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XVIII Международного симпозиума. Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г.. Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госун-та. Т.2.. 2014. С. 446-447.

Balanta M.A.G., Mendes U.C., Gazoto A.L., Brasil M.J.S.P., Iikawa F., Brum J.A., Maialle M.Z., Danilov Yu.A., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N. Optical properties of two-dimensional III-V diluted magnetic semiconductors // 5th International Conference on Nanoscience and Nanotechnology, 30 March – 2 April 2014, Vanderbijlpark, South Africa. Vanderbijlpark. 2014. P. 22-23.

Danilov Yu.A., Drozdov Yu.N., Kudrin A.V., Lesnikov V.P., Pitirimova E.A., Vikhrova O.V., Yunin P.A., Zvonkov B.N. Ferromagnetism in InFeAs layers, formed by laser deposition // Moscow International Symposium on Magnetism, 29 June – 3 July 2014. Book of Abstracts.. MSU. 2014. P. 203.

Kalentyeva I.L., Vikhrova O.V., Dorokhin M.V., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Kudrin A.V. Light-emitting GaAsSb/GaAs structures with GaMnAs ferromagnetic injector // Moscow International Symposium on Magnetism, 29 June – 3 July 2014. Book of Abstracts. MSU. 2014. P. 233.

Dorokhin M.V., Pavlov D.A., Bobrov A.I., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V., Malekhonova N.V., Malysheva E.I. Epitaxy of MnGa ferromagnetic films on GaAs (100) for spintronic applications // Moscow International Symposium on Magnetism, 29 June – 3 July 2014. Book of Abstracts. MSU. 2014. P. 253.

Ganshina E.A., Golik L.L., Kovalev V.I., Kunkova Z.E., Markin Yu.V., Novikov A.I., Zykov G.S., Danilov Yu.A., Kudrin A.V., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N. Magneto-optical evidence for intrinsic ferromagnetism in (Ga,Mn)As layers grown by pulsed-laser deposition // Moscow International Symposium on Magnetism, 29 June – 3 July 2014. Book of Abstracts. MSU. 2014. P. 367.

Калентьева И.Л., Звонков Б.Н., Здоровейщев А.В., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Кудрин А.В. Исследование возможности создания на основе слоев оксида алюминия подзатворного диэлектрика для арсенид-галлиевых структур // Труды VII Всероссийской школы-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «Диагностика наноматериалов и наноструктур». 15-19 сентября 2014 г., Рязань. Рязань: изд-во РГРТУ. Т.3. 2014. С. 93-97.

Дикарева Н.В., Звонков Б.Н., Коблов Э.А., Вихрова О.В., Некоркин С.М., Денисов С.А., Шенгуров В.Г., Новиков А.В., Юрасов Д.В. Излучательные свойства лазерных GaAs гетероструктур, выращенных на проводящей Ge/Si подложке // Труды XVIII научной конференции по радиофизике, посвященной Дню радио (Нижний Новгород, 12-16 мая 2014 г.). Нижний Новгород. Издательство ННГУ им.Н.И.Лобачевского, 2014, 334 с. 2014. С. 37-38.

Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Кудрин А.В., Лесников В.П., Boudinov H., Canesqui M.A., Cichelero R. Эффекты ионной имплантации в ферромагнитных полупроводниках типа А3МВ5, где М=Mn, Fe // V Всероссийская конференция и щкола молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Тезисы докладов. 27-31 октября 2014 года, Нижний Новгород. ННГУ. 2014. С. 43-44.

Некоркин С.М., Колпаков Д.А., Звонков Б.Н., Дикарева Н.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А. Деградация InGaAs/InGaP/GaAs лазеров с увеличенной активной областью и значительным выходом в подложку // 4-й Всероссийский симпозиум с международным участием "Полупроводниковые лазеры: физика и технология" Санкт-Петербург, 10-13 ноября 2014 года. Программы и тезисы докладов.. Типография Политехнического университета, г. С.-Петербург, 78 с., 2014.. 2014. С. С. 53.

Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Байдусь Н.В., Вихрова О.В., Дикарева Н.В. Влияние числа квантовых ям на излучательные свойства лазерных гетероструктур с вытеканием излучения через подложку // Труды XIX международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2014,. 2014. [принято к печати]

Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Колпаков Д.А., Дикарева Н.В., Самарцев И.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А. Оптимизация InGaP/GaAs/InGaAs гетеролазеров с туннельно-связанными волноводами // Труды XIX международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2014. 2014. [принято к печати]

Некоркин С.М., Колпаков Д.А., Звонков Б.Н., Дикарева Н.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А. Полупроводниковый лазер с туннельным p-n-переходом и выходом излучения через подложку // Труды XIX международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2014. 2014. [принято к печати]

Вихрова О.В., Звонков Б.Н., Коннова Н.Ю., Нежданов А.В., Планкина С.М. Свойства слоев GaMnAs, выращенных методом лазерного осаждения в потоке арсина // Тезисы докладов V Всероссийской конференции "Физические и физико-химические основы ионной имплантации". 27-31 октября 2014 года, Нижний Новгород. Изд-во Нижегородского университета. 2014. С. 114-115.

Публикации в научных журналах

Gorshkov A.P., Volkova N.S., Zdoroveishchev A.V., Vikhrova O.V., Istomin L.A., Utsyna E.V., Levichev S.B., Zvonkov B.N. Comparison of optoelectronic properties of InAs/GaAs quantum dots grown under different conditions by metalorganic vapor phase epitaxy // Journal of Luminescence. № 147. 2014. P. 59-62.

Aleshkin V.Ya., Dubinov A.A., Kudryavtsev K.E., Rumyantsev V.V., Tonkikh A.A., Zakharov N.D., Zvonkov B.N. 1.3 \mu m Photoluminescence of Ge/GaAs multi-quantum-well structure // Journal of Applied Physics. № 4. V. 115. 2014. P. 043512-1 -043512-4.

Morozov S.V., Kryzhkov D.I., Yablonskii A.N., Aleshkin V.Ya., Krasilynik Z.F., Zvonkov B.N., Vikhrova O.V. Dependence of the ground-state transition energy versus optical pumping in GaAsSb/InGaAs/GaAs heterostructures // Applied Physics Letters. № 2. V. 104. 2014. P. 021108-1 -021108-5.

Бобров А.И., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Дроздов Ю.Н., Дроздов М.Н., Звонков Б.Н., Малехонова Н.В., Павлова Е.Д. Структурное совершенство и распределение примеси в магнитных полупроводниковых наногетеросистемах на основе GaAs // Известия РАН. Серия физическая. № 1. Т. 78. 2014. С. 18-21.

Bobrov A.I., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Drozdov Yu.N., Drozdov M.N., Zvonkov B.N., Malekhonova N.V., Pavlova E.D. Structural Perfection and the Distribution of Impurities in Magnetic Semiconductor Nanoheterosystems Based on GaAs // Bulletin of the Russian Academy of Sciences. Physics. № 1. V. 78. 2014. P. 6-8.

Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Дроздов Ю.Н., Звонков Б.Н., Кудрин А.В., Юнин П.А. Влияние особенностей дизайна гетероструктур InGaAs/GaAs с магнитной примесью на их гальваномагнитные и излучательные свойства // Известия РАН. Серия физическая. № 1. Т. 78. 2014. С. 26-31.

Дорохин М.В., Малышева Е.И., Данилов Ю.А., Здоровейщев А.В., Рыков А.В., Звонков Б.Н. Температурная зависимость циркулярной поляризации люминесценции спиновых светоизлучающих диодов на основе гетероструктур InGaAs/GaAs // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. № 5. 2014. С. 28-34.

Некоркин С.М., Карзанова М.В., Дикарева Н.В., Звонков Б.Н., Алешкин В.Я. Экспериментальное определение оптимального количества квантовых ям в многоямных гетеролазерах с вытеканием излучения через подложку // ПЖТФ. № 10. Т. 40. 2014. С. 52.

Дикарева Н.В., Некоркин С.М., Карзанова М.В., Звонков Б.Н., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Афоненко А.А. Полупроводниковый лазер с вытеканием излучения через подложку и трапециевидной активной областью // Квантовая электроника. Т. 44. 2014. С. 286.

Дикарева Н.В., Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Малехонова Н.В., Павлов Д.А., Пирогов А.В. Влияние температурной обработки на излучательные свойства гетероструктур с квантово-размерным слоем GaAsSb // ФТП. № 1. Т. 49. 2014. С. 11.

Алешкин В.Я., Дикарева Н.В., Дубинов А.А., Звонков Б.Н., Кудрявцев К.Е., Некоркин С.М. Наблюдение прямозонной фото- и электролюминесценции из GaAs-структуры с Ge квантовыми ямами // ФТП. 2014. [принято к печати]

Дорохин М.В., Павлов Д.А., Бобров А.И., Данилов Ю.А., Демина П.Б., Звонков Б.Н., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Малехонова Н.В., Малышева Е.И. Эпитаксиальное выращивание слоев MnGa/GaAs для диодов со спиновой инжекцией // Физика твердого тела. № 10. Т. 56. 2014. С. 2062-2065.

Вихрова О.В., Дорохин М.В., Демина П.Б., Звонков Б.Н., Здоровейщев А.В., Данилов Ю.А., Калентьева И.Л. Влияние ферромагнитного дельта-слоя Mn на излучательные свойства гетероструктур GaAsSb/GaAs и InGaAs/GaAsSb/GaAs // Письма в журнал технической физики. № 20. Т. 40. 2014. С. 96-103.

Dorokhin M.V., Malysheva E.I., Danilov Yu.A., Zdoroveishchev A.V., Rykov A.V., Zvonkov B.N. Temperature dependence of the circular polarization of electroluminescence from spin-polarized light-emitting diodes based on InGaAs/GaAs heterostructures // Journal of Surface Investigations. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. № 3. V. 8. 2014. P. 433-439.

Dorokhin M.V., Pavlov D.A., Bobrov A.I., Danilov Yu.A., Demina P.B., Zvonkov B.N., Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V., Malekhonova N.V., Malysheva E.I. Epitaxial Growth of MnGa/GaAs Layers for Diodes with Spin Injection // Physics of the Solid State. № 10. V. 56. 2014. P. 2131-2134.

Дорохин М.В., Малышева Е.И., Звонков Б.Н., Здоровейщев А.В., Данилов Ю.А., Николичев Д.Е., Боряков А.В., Зубков С.Ю. Спиновая инжекция электронов в светоизлучающих диодах на основе структур GaMnAs/GaAs/InGaAs с туннельным переходом // Журнал технической физики. № 12. Т. 84. 2014. С. 102-106.

Vikhrova O.V., Dorokhin M.V., Demina P.B., Zvonkov B.N., Zdoroveishchev A.V., Danilov Yu.A., Kalentyeva I.L. The effect of Ferromagnetic Mn-Delta-Doped Layer on the Emission Properties of GaAsSb/GaAs and InGaAs/GaAsSb/GaAs Heterostructures // Technical Physics Letters. № 10. V. 40. 2014. P. 930-933.

Nekorkin S.M., Karzanova M. V., Dikareva N.V., Zvonkov B.N., Aleshkin V.Ya. Experimental determination of the optimum number of quantum wells in multiwell heterolasers with radiation leakage into a substrate // Technical Physics Letters. № 5. V. 40. 2014. P. 432-434.

Dikareva N.V., Nekorkin S.M., Zvonkov B.N., Karzanova M.V., Aleshkin V.Ya., Dubinov A.A., Afonenko A.A. Substrate-emitting semiconductor laser with a trapezoidal active region // Quantum Electronics. № 4. V. 44. 2014. P. 286-288.

Balanta M. A. G., Brasil M. J. S. P., Iikawa F., Brum J.A., Mendes Udson C., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N. Effects of a nearby Mn delta layer on the optical properties of an InGaAs/GaAs quantum well // Journal of Applied Physics. № 20. V. 116. 2014. P. 203501, 1-7.

Zvonkov B.N., Morozov S.V., Kryzhkov D.I., Yablonskii A.N., Aleshkin V.Ya., Vikhrova O.V., Krasilynik Z.F. Long-wavelength shift and enhanced room temperature photoluminescence efficiency in GaAsSb/InGaAs/GaAs-based heterostructures emitting in the spectral range of 1.0–1.2 mkm due to increased charge carrier’s localization // JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. V. 116. 2014. P. 203102.

П.А. Белёвский, М.Н. Винославский, В.Н. Порошин, Байдусь Н.В., Звонков Б.Н. Дальнее инфракрасное излучение из гетероструктур n-InGaAs/GaAs c квантовыми ямами в сильных латеральных электрических полях в условиях инжекции // Физика и техника полупроводников. № 5. Т. 40. 2014. С. 643-647.

Kovalskiy V.A., Vergeles P.S., Eremenko V.G., Fokin D.A., Dorokhin M.V., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N. Dislocation gliding and cross-hatch morphology formation in AIII-BV epitaxial heterostructures // Applied Physics Letters. V. 105. 2014. P. 231608.

Планкина С.М., Вихрова О.В., Звонков Б.Н., Калентьева И.Л., Нежданов А.В., Чунин И.И., Юнин П.А. Исследование дельта-легированных марганцем гетеронаноструктур InGaAs/GaAs методом спектроскопии комбинационного рассеяния света // Физика и техника полупроводников. № Выпуск 1. Т. 49. 2014. С. 102-106.

Dorokhin M.V., Malysheva E.I., Zvonkov B.N., Zdoroveishchev A.V., Danilov Yu.A., Nikolichev D.E., Boryakov A.V., Zubkov S.Yu. Spin Injection of Electrons in GaMnAs/GaAs/InGaAs Light-Emitting Diode Structures // Technical Physics. № 12. V. 59. 2014. P. 1839-1843.

2013

Сборники статей

Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Карзанова М.В., Вихрова О.В., Дикарева Н.В., Бирюков А.А., Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Матвеев С.А., Дубинов А.А., Алешкин В.Я., Кудрявцев К.Е. Лазерная структура GaAs/AlGaAs на подложке Ge/Si // Сборник статей 9-го Белорусско-Российского семинара «Полупроводниковые лазеры и системы на их основе». Минск: Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, 2013. 2013. С. 25-28.

Дикарева Н.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Звонков Б.Н., Некоркин С.М., Карзанова М.В., Кудрявцев К.Е., Яблонский А.Н. Волноводный эффект квантовых ям InGaAs и GaAsSb в лазерах на основе GaAs и InP // Сборник статей 9-го Белорусско-Российского семинара «Полупроводниковые лазеры и системы на их основе» 28-31 мая 2013. Минск: Институт физики им. Б.И. Степанова НАН Беларуси, 2013. 2013. С. 33-36.

Труды (тезисы) конференции

Дорохин М.В., Малышева Е.И., Данилов Ю.А., Кудрин А.В., Здоровейщев А.В., Рыков А.В., Звонков Б.Н. Температурная зависимость циркулярной поляризации люминесценции спиновых светоизлучающих диодов // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XVII международного симпозиума 11-15 марта 2013 г.. Нижний Новгород. Т.1. 2013. С. 116-117.

Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Дроздов Ю.Н., Звонков Б.Н., Кудрин А.В. Влияние особенностей дизайна гетеронаноструктур InGaAs/GaAs с магнитной примесью на их гальваномагнитные и излучательные свойства // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XVII международного симпозиума 11-15 марта 2013 г.. Нижний Новгород. Т.1. 2013. С. 122-123.

Dorokhin M.V., Zvonkov B.N., Zdoroveishchev A.V., Danilov Yu.A., Malysheva E.I., Vikhrova O.V., Kudrin A.V. Combination of MOVPE and laser sputtering for epitaxial growth of GaAs-based ferromagnetic semiconductor heterostructures // 15th European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy (EWMOVPE XV), June 2-5, 2013, Aachen, Germany. Extended Abstracts. Julich: Forschungszentrum. 2013. P. 219-222.

Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Карзанова М.В., Вихрова О.В., Дикарева Н.В., Бирюков А.А., Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Матвеев С.А., Дубинов А.А., Алешкин В.Я., Кудрявцев К.Е. Лазерная структура GaAs/AlGaAs на подложке Ge/Si // Сборник статей 9-го Белорусско-Российского семинара «Полупроводниковые лазеры и системы на их основе» 28-31 мая 2013. 4 стр.. 2013. С. 25-28.

Дорохин М.В., Малышева Е.И., Данилов Ю.А., Вихрова О.В., Калентьева И.Л., Кудрин А.В., Здоровейщев А.В., Рыков А.В., Звонков Б.Н. Ферромагнитные свойства наноструктур на основе гетеросистемы InGaAs/GaAs-дельта Mn // Всероссийская конференция по физике полупроводников. Тезисы докладов. С. Петербург. 16-20 сентября 2013.. Изд-во ФТИ им. А.Ф. Иоффе. 2013. С. 312.

Байдусь Н.В., Вихрова О.В., Звонков Б.Н., Здоровейщев А.В. Влияние фосфидирования на формирование и оптические свойства гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs // XI Российская конференция по физике полупроводников (XI РКФП). Санкт-Петербург, 16-20 сентября, 2013. Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе, 2013.-с.504. 2013. С. 276.

Дикарева Н.В., Карзанова М.В., Некоркин С.М., Звонков Б.Н. Модовая структура многоямных полупроводниковых лазеров с вытеканием излучения через подложку // Труды Всероссийской молодежной школы-семинара "Диагностика наноматериалов и наноструктур". Рязань: Рязанский государственный радиотехнический университет, 256 с.. 2013. С. 109-113.

Бобров А.И., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Дроздов Ю.Н., Дроздов М.Н., Звонков Б.Н., Малехонова Н.В., Павлова Е.Д. Структурное совершенство и распределение примеси в магнитных полупроводниковых наногетеросистемах на основе GaAs // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XVII Международного симпозиума. 11 – 15 марта 2013 г. Нижний Новгород. Т.1. 2013. С. 110-111.

Balanta M.A.G., Brasil M.J.S.P., Iikawa F., Mendes U.C., Brum J.A., Maialle M.Z., Danilov Yu.A., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N. Effect of nearby Mn ions on the spin dynamics of confined electrons // Spintech VII. Spintech VII. 2013. P. GD3.

Ganshina E.A., Golik L.L., Kovalev V.I., Kunkova Z.E., Markin Yu.V., Novikov A.I., Danilov Yu.A., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N. Magneto-optical properties of composite GaMnAs layers deposited by pulse laser ablation // International Conference “Functional Materials”. ICFM-2013. Abstracts. Ukraine, Crimea, Partenit. Partenit. 2013. P. 201.

Сайед С., Бобров А.И., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Звонков Б.Н., Павлов Д.А. Исследование структуры и свойств гетеронанокомпозиций Co/GaAs // Труды всероссийской молодежной школы-семинара «Диагностика наноматериалов и наноструктур», 21-25 октября 2013 г.. Рязань. 2013. С. 104-108.

Публикации в научных журналах

Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Дроздов Ю.Н., Звонков Б.Н., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Калентьева И.Л. Свойства гетероструктур MnSb/GaAs // Известия РАН. Сер. Физическая. № 1. Т. 77. 2013. С. 79-81.

Balanta M.A.G., Brasil M.J.S.P., Iikawa F., Mendes U.C., Brum J.A., Maialle M.Z., Danilov Yu.A., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N. Compensation effect on the CW spin-polarization degree of Mn-based structures // Journal of Physics D: Appied Physics. № 21. V. 46. 2013. P. 215103, 1-6.

Звонков Б.Н., Некоркин С.М., Вихрова О.В., Дикарева Н.В. Излучательные свойства гетероструктур с двухслойной квантовой ямой (GaAsSb-InGaAs)/GaAs // Физика и техника полупроводников. № 9. Т. 47. 2013. С. 1231.

Алешкин В.Я., Дикарева Н.В., Дубинов А.А., Звонков Б.Н., Карзанова М.В., Кудрявцев К.Е., Некоркин С.М., Яблонский А.Н. Волноводн­ый эффект квантовых ям в полупровод­никовых лазерах // Квантовая электроника. № 5. Т. 43. 2013. С. 401-406.

Vainberg V.V., Pylypchuk A.S., Baidus N.V., Zvonkov B.N. Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells Semiconductor // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. № 2. V. 16. 2013. P. 152-161.

Калинин К.П., Криштопенко С.С., Маремьянин К.В., Спирин К.Е., Гавриленко В.И., Бирюков А.А., Байдусь Н.В., Звонков Б.Н. Спиновое расщепление Рашбы и циклотронный резонанс в напряженных гетероструктурах InGaAs/InP с двумерным электронным газом // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 47. 2013. С. 1497-1503.

Vainberg V.V., Vasetskii V.M., Gudenko Y.N., Poroshin V.N., Baidus N.V., Zvonkov B.N. Long-term photoconductivity decay in n-InGaAs/GaAs heterostructures with coupled quantum wells under band-to-band excitation // Semiconductors. № 1. V. 47. 2013. P. 174-177.

Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Дроздов М.Н., Звонков Б.Н., Кудрявцев К.Е., Тонких А.А., Яблонский А.Н., Werner P. Структурные и оптические свойства гетероструктур на основе GaAs с квантовыми ямами Ge и Ge/InGaAs. // Физика и техника полупроводников. № 5. Т. 47. 2013. С. 621-625.

Алешкин В.Я., Морозов С.В., Крыжков Д.И., Звонков Б.Н., Вихрова О.В. Спектрокинетические свойства гетероструктур с квантовыми ямами на основе GaAsSb/InGaAs/GaAs, излучающих в области 1.0-1.2 мкм.ФТП т.47 в.11. cc.1517-1520 (2013) // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 47. 2013. С. 1517-1520.

Zvonkov B.N., Nekorkin S.M., Vikhrova O.V., Dikareva N.V. Emission properties of heterostructures with (GaAsSb-InGaAs)/GaAs bilayer quantun well // Semiconductors. № 9. V. 47. 2013. P. 1219-1223.

Dikareva N.V., Aleshkin V.Ya., Zvonkov B.N., Karzanova M.V., Kudryavtsev K.E., Nekorkin S.M., Yablonskii A.N., Dubinov A.A. Guiding effect of quantum wells in semiconductor lasers // Quantum Electronics. № 5. V. 43. 2013. P. 401- 406.

Aleshkin V.Ya., Dubinov A.A., Drozdov M.N., Zvonkov B.N., Kudryavtsev K.E., Tonkikh A.A., Yablonskiy A.N., Werner P. Structural and optical properties of GaAs-based heterostructures with Ge and Ge/InGaAs quantum wells // Semiconductors. № 5. V. 47. 2013. P. 637-640.

Morozov S.V., Aleshkin V.Ya., Kryzhkov D.I., Zvonkov B.N., Vikhrova O.V. Spectral-kinetic properties of heterostructures with GaAsSb/InGaAs/GaAs-based quantum well emitting in range 1.0-1.2 mkm // Semiconductors. № 11. V. 47. 2013. P. 1504-1507.

Pavlova E.D., Bobrov A.I., Gorshkov A.P., Malekhonova N.V., Zvonkov B.N. Study of heterostructures with a combined In(Ga)As/GaAs quantum dot/quantum well layer and a Mn δ layer // Semiconductors. № 47. V. 12. 2013. P. 1591-1594.

Горшков А.П., Волкова Н.С., Здоровейщев А.В., Вихрова О.В., Звонков Б.Н. Оптоэлектронные свойства гетеронаноструктур с комбинированными слоями квантовых ям и точек In(Ga)As/GaAs // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 47. 2013. С. 1609-1612.

Volkova N.S., Gorshkov A.P., Zdoroveishchev A.V., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N. Optoelectronic properties of heteronanostructures with combined layers of In(Ga)As/GaAs quantum wells and dots // Semiconductors. № 12. V. 47. 2013. P. 1583-1586.

Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Drozdov Yu.N., Zvonkov B.N., Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V., Kalentyeva I.L. Properties of MnSb/GaAs Heterostructures // Bulletin of Russian Academy of Sciences. Physics. № 1. V. 77. 2013. P. 69-71.

Zvonkov B.N., Arapov Yu.G., Gudina S.V., Klepikova A. S., Neverov V. N., Podgornykh S.M., Yakunin M.V. Tunneling effects in tilted magnetic fields in n-InGaAs/GaAs structures with strongly coupled double quantum wells // Semiconductors. № 11. V. 47. 2013. P. 1447-1451.

2012

Труды (тезисы) конференции

Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Звонков Б.Н., Кудрявцев К.Е., Яблонский А.Н. Волноводный эффект квантовых ям InGaAs в полупроводниковых лазерах на основе GaAs и InP. // «Нанофизика и наноэлектроника».Труды XVI международного симпозиума. 12-16 марта 2012 г. Нижний Новгород. ННГУ, Т1, 2. 2012. С. 241-242.

Звонков Б.Н., Некоркин С.М., Колесников М.Н., Алешкин В.Я., Дубинов А.А. Нелинейное взаимодействие мод в «двухчиповом» полупроводниковом лазере с выходом излучения через подложку // «Нанофизика и наноэлектроника».Труды XVI международного симпозиума. 12-16 марта 2012 г. Нижний Новгород. ННГУ, Т1, 2. 2012. С. 269-270.

Морозов С.М., Крыжков Д.И., Алешкин В.Я., Гавриленко В.И., Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Садофьев Ю.Г. Исследование спектров и кинетики ФЛ гетероструктур с КЯ GaAsSb/GaAs и InGaAs/GaAsSb/GaAs в области 1-1.3 мкм // «Нанофизика и наноэлектроника».Труды XVI международного симпозиума. 12-16 марта 2012 г. Нижний Новгород.. ННГУ, т1, 2. 2012. С. 316-317. [принято к печати]

Zdoroveishchev A.V., Dorokhin M.V., Malysheva E.I., Zvonkov B.N. Vapor phase epitaxy fabrication of self-organized Mn-doped InAs/GaAs quantum dot arrays // Book of abstracts of II International conference on Modern problems in physics of surfaces and nanostructures. Yaroslavl Branch of the Institute of Physics and Technology, Russian Academy of Sciences, Yaroslavl, Russia, 160 pages. 2012. P. 111-112.

Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Дроздов Ю.Н., Звонков Б.Н., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Калентьева И.Л. Необычные свойства гетероструктур MnSb/GaAs // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XVI международного симпозиума. 12-16 марта 2012 г. Нижний Новгород. Т.1, 640 С. 2012. С. 111-112.

Dorokhin M.V., Danilov Yu.A., Kudrin A.V., Malysheva E.I., Prokofyeva M.M., Zvonkov B.N. Fabrication of InGaAs/GaAs light-emitting diodes with GaMnSb and GaMnAs ferromagnetic injector layer // II International Conference on Modern Problems in Physics of Surfaces and Nanostructures. Book of Abstracts. Yaroslavl, Russia, 2012. Yaroslavl Branch of the Institute of Physics and Technology, Russian Academy of Sciences, Yaroslavl, Russia, 160 p. 2012. P. 37-38.

Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Kudrin A.V., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N., Bobrov A.I., Dunaev V.S., Pavlova E.D., Pitirimova E.A., Plankina S.M., Yakubov R.R., Drozdov M.N., Drozdov Yu.N., Suchkov A.I. Structure, composition distribution and properties of the (Ga,Mn)Sb/GaAs and MnSb/GaAs heterosystems // II International Conference on Modern Problems in Physics of Surfaces and Nanostructures. Book of Abstracts. Yaroslavl, Russia, 2012. Yaroslavl Branch of the Institute of Physics and Technology, Russian Academy of Sciences, Yaroslavl, Russia, 160 p. 2012. P. 66-67.

Дикарева Н.В., Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Некоркин С.М. Полупроводниковые гетеролазеры с двухслойной квантовой ямой GaAsSb/InGaAs. // Труды XVI научной конференции по радиофизике. Н.Новгород: ННГУ. 2012. С. 51-52.

Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Карзанова М.В., Дикарева Н.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А. Модовая структура в дальнем поле излучения многоямного гетеролазера с выходом излучения через подложку // Труды XVI научной конференции по радиофизике. Н.Новгород: ННГУ. 2012. С. 45-46.

Kudrin A.V., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Kalentyeva I.L., Zvonkov B.N. The carrier transport in the ferromagnetic quantum confined structures // II International Conference on Modern Problems in Physics of Surfaces and Nanostructures. Yaroslavl Branch of the Institute of Physics and Technology, Russian Academy of Sciences, Yaroslavl, Russia, 160 p. 2012. P. 116-117.

Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дроздов Ю.Н., Дроздов М.Н., Калентьева И.Л., Кудрин А.В. Получение и свойства гетеронаноструктур GaAsSb/GaAs, легированных магнитной примесью // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XVI международного симпозиума. 12-16 марта 2012 г. Нижний Новгород. Т.1. 2012. С. 259-260.

Kudrin A.V., Dorokhin M.V., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N. Magnetic field controlled LED with S-shaped current-voltage characteristics // 20th Int.Symp. “Nanostructures: Physics and Technology”, Nizhny Novgorod, Russia, June 24-30, 2012.. St. Petersburg Academic University, 2012. 2012. P. 82-83.

Dorokhin M.V., Danilov Yu.A., Kudrin A.V., Prokofeva M.M., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N. Ferromagnetic effect of deltaMn doping in GaAs/InGaAs heterostructures // 31st International Conference on the Physics of Semiconductors. Zurich, Switzerland, July 29th to August 3rd, 2012. 2012. P. 228.

Balanta M.A.G., Brasil M.J.S.P., Iikawa F., Brum J.A., Mendes U.C., Danilov Yu.A., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N. Optical investigation of the Mn impurity band in Mn:GaAs structures // 31st International Conference on the Physics of Semiconductors. Zurich, Switzerland, July 29th to August 3rd, 2012. 2012. P. 250-251.

Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Карзанова М.В., Дикарева Н.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А. Модовая структура в дальнем поле излучения лазера с выходом излучения через подложку // Материалы 3-го симпозиума:. С.Петербург, 2012. 2012. С. 27.

Алешкин В.Я., Дикарева Н.В., Дубинов А.А., Звонков Б.Н., Карзанова М.В., Кудрявцев К.Е., Некоркин С.М., Яблонский А.Н. Волноводный эффект квантовых ям в полупроводниковых лазерах // Материалы 3-го симпозиума: "Полупроводниковые лазеры: физика и технология". С.Петербург, 2012. 2012. С. 22.

Хазанова С.В., Байдусь Н.В., Звонков Б.Н., Павлов Д.А., Малехонова Н.В., Дегтярев В.Е., Смотрин Д.С. Исследование реального энергетического спектра туннельно-связанных квантовых ям InGaAs/GaAs структурными и фотоэлектрическими методами // Труды XVI международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». 12–16 марта 2012, Нижний Новгород: Изд-во ННГУ,- Т.2. 2012. С. 415-416.

Калентьева И.Л., Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Кудрин А.В. Влияние толщины спейсерного слоя GaAs между квантовой ямой InGaAs/GaAs и дельта-слоем Mn на гальваномагнитные и светоизлучающие свойства структур // Труды V Всероссийской школы-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «Диагностика наноматериалов и наноструктур». Рязань: РГРТУ. Т.III. 2012. С. 219-223.

Суровегина Д.А., Кудрин А.В., Звонков Б.Н., Данилов Ю.А. Исследование электрических свойств слоев GaAs, легированных Mn, и их изменений в результате ионной имплантации // 14-я Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике. Тезисы докладов, 26-30 ноября 2012 года. Санкт-Петербург: Изд-во Политехн. ун-та. 2012. С. 13.

Публикации в научных журналах

Прокофьева М.М., Дорохин М.В., Данилов Ю.А., Малышева Е.И., Кудрин А.В., Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Звонков Б.Н. Формирование спиновых светоизлучающих диодов на основе гетероструктур InGaAs/GaAs, содержащих ферромагнитные включения // Известия РАН. Серия физическая. № 2. Т. 76. 2012. С. 255-258.

Dorokhin M.V., Danilov Yu.A., Kudrin A.V., Malysheva E.I., Prokofyeva M.M., Zvonkov B.N. Fabrication of InGaAs/GaAs Light-Emitting Diodes with GaMnSb Ferromagnetic Injector Layer // Solid State Phenomena. V. 190. 2012. P. 89-92.

Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Колесников М.Н., Дикарева Н.В., Алёшкин В.Я., Дубинов А.А. Мощный полупроводниковый лазер с улучшенными пространственными и энергетическими характеристиками. // Вестник ННГУ им. Н.И. Лобачевского. № 1. Т. 1. 2012. С. 30-32.

Байдусь Н.В., Вайнберг В.В., Звонков Б.Н., Пилипчук А.С., Порошин В.Н., Сарбей О.Г. Транспортные свойства гетероструктур InGaAs/GaAs с дельта-легированными квантовыми ямами // Физика и техника полупроводников. № 5. Т. 46. 2012. С. 649-654.

Тихов С.В., Байдусь Н.В., Бирюков А.А., Звонков Б.Н., Дроздов Ю.Н., Смотрин Д.С., Тестов В.Г. Эффект поля как метод контроля качества гетеронаноструктур на основе i-InP c двумерным электронным газом // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. № 5. 2012. С. 55.

N.V. Baidus, M.I. Vasilevskiy, S.V. Khazanova, B.N. Zvonkov, H.P. van der Meulen, J.M. Calleja, L. Vina Light emission and spin-polarised hole injection in InAs/GaAs quantum dot heterostructures with Schottky contact // EPL. V. 90. 2012. P. 27012-1-6.

Dorokhin M.V., Zdoroveishchev A.V., Malysheva E.I., Zvonkov B.N., Sholina A.E. Features of the Formation of Mn Doped InAs/GaAs Quantum Dots by Vapor Phase Epitaxy // JOURNAL OF SURFACE INVESTIGATION. XRAY, SYNCHROTRON AND NEUTRON TECHNIQUES. № 6. V. 3. 2012. P. 511-514. [принято к печати]

Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Малышева Е.И., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Шолина А.Е. Особенности формирования методом газофазной эпитаксии квантовых точек InAs/GaAs, легированных атомами Mn // Поверхность. Рентгеновские, синхронные и нейтронные исследования. № 6. 2012. С. 55-58.

Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Kudrin A.V., Vikhrova O.V., Plankina S.M., Dunaev V.S., Nezhdanov A.V., Drozdov Yu.N. Room-Temperature Ferromagnetism in (III,Mn)Sb Semiconductors // Solid State Phenomena. V. 190. 2012. P. 109-112.

Danilov Yu.A., Vikhrova O.V., Kudrin A.V., Zvonkov B.N. Ferromagnetic GaAs Structures with Single Mn Delta-Layer Fabricated Using Laser Deposition // Journal of nanoscience and nanotechnology. № 6. V. 12. 2012. P. 5122-5124.

Хазанова С.В., Байдусь Н.В., Звонков Б.Н., Павлов Д.А., Малехонова Н.В., Дегтярев В.Е., Смотрин Д.С., Бобров А.И. Туннельно-связанные квантовые ямы InGaAs/GaAs: структура, состав и энергетический спектр // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 46. 2012. С. 1510-1514.

Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Кудрин А.В., Вихрова О.В., Планкина С.М., Дунаев В.С., Нежданов А.В., Дроздов Ю.Н., Сапожников М.В. Магнитный полупроводник (Ga,Mn)Sb как перспективный материал для приборов спинтроники // Известия РАН. Серия физическая. № 2. Т. 76. 2012. С. 199-201.

Danilov Yu.A., Drozdov M.N., Drozdov Yu.N., Kudrin A.V., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N., Kalentyeva I.L., Dunaev V.S. Manganese Distribution and Galvanomagnetic Properties of DeltaMn-Doped GaAs Structures // Journal of Spintronics and Magnetic Nanomaterials. № 1. V. 1. 2012. P. 82-84.

Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дроздов М.Н., Звонков Б.Н., Калентьева И.Л. Диффузия марганца в InGaAs/GaAs квантово-размерных структурах // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования.. № 6. 2012. С. 51-54.

Дунаев В.С., Звонков Б.Н., Данилов Ю.А., Вихрова О.В., Дроздов Ю.Н., Дроздов М.Н., Сучков А.И. Состав и структурное совершенство нанослоев (AIII,Mn)BV и MnBV, где A – Ga, In; B – Sb, As, P // Неорганические материалы. № 6. Т. 48. 2012. С. 643-648.

Gan’shina E.A., Golik L.L., Kovalev V.I., Kun’kova Z.E., Temiryazeva M.P., Danilov Yu.A., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N., Novikov A.I., Vinogradov A.N. Peculiarities in optical and magneto-optical spectra of GaMnSb layers grown by laser ablation // Solid State Phenomena. V. 190. 2012. P. 562-565.

Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дроздов Ю.Н., Дроздов М.Н., Калентьева И.Л., Кудрин А.В. Получение и свойства гетероструктур GaAsSb/GaAs, легированных магнитной примесью // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 46. 2012. С. 1527-1531.

Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Карзанова М.В., Дикарева Н.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А. Модовая структура в дальнем поле излучения многоямного лазера с выходом излучения через подложку // Квантовая электроника. № 10. Т. 42. 2012. С. 931-933.

Бузынин Ю.Н., Шенгуров В.Г., Звонков Б.Н., Бузынин А.Н., Хрыкин О.И., Дроздов М.Н., Дроздов Ю.Н., Денисов С.А. Рост и свойства пленок GaAs, GaN и низкоразмерных структур GaAs/QWs InGaAs на подложках Si с буферным слоем Gе // Известия РАН. Серия физическая. № 9. Т. 76. 2012. С. 1153-1157.

Buzynin Yu.N., Shengurov V.G., Zvonkov B.N., Buzynin A.N., Khrykin O.I., Drozdov M.N., Drozdov Yu.N., Denisov S.A. Growth and Properties of GaAs and GaN Films and Low-Dimensional GaAs/QWsInGaAs Structures on Si Substrates with a Ge Buffer Layer // Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. № 9. V. 76. 2012. P. 1036-1040.

Khazanova S.V., Baidusy N.V., Zvonkov B.N., Pavlov D.A., Malekhonova N.V., Smotrin D.S., Bobrov A.I. Khazanova S. V., Baidus N. V., Zvonkov B. N., Pavlov D.A., Malekhonova N.V., Smotrin D.S., Bobrov A.I. Tunnel-coupled In-GaAs/GaAs quantum wells: Structure, composition, and energy spectrum // Semiconductors. № 12. V. 46. 2012. P. 1476-1480.

Nekorkin S.M., Zvonkov B.N., Karzanova M.V., Dikareva N.V., Aleshkin V.Ya., Dubinov A.A. Mode structure in the far field radiation of a leaky-wave multiple quantum well laser // Quantum Electronics. № 10. V. 42. 2012. P. 931-933.

Морозов С.В., Крыжков Д.И., Гавриленко В.И., Яблонский А.Н., Курицын Д.И., Гапонова Д.М., Садофьев Ю.Г., Звонков Б.Н., Вихрова О.В. Определение оптическими методами типа гетероперехода в структурах с квантовыми ямами GaAsSb/GaAs с различной молярной долей сурьмы // ФТП. № 11. Т. 46. 2012. С. 1402-1407.

2011

Сборники статей

Вихрова О.В., Дикарева Н.В., Звонков Б.Н., Колесников М.Н., Алёшкин В.Я., Дубинов А.А. Особенности генерации лазерных диодов на квантовых ямах GaAsSb. // Сборник статей 8го Белорусско-Российского семинара Полупроводниковые лазеры и системы на их основе.. Минск: Институт физики им.Б.И.Степанова Национальной академии наук Беларуси,Т1,4. 2011.

Вихрова О.В., Дикарева Н.В., Звонков Б.Н., Колесников М.Н., Некоркин С.М. Особенности генерации лазерных диодов на квантовых ямах GaAsSb // Полупроводниковые лазеры и системы на их основе: Сборник статей 8-го Белорусско-Российского семинара, Минск, Беларусь, 17-20 мая 2011 г. Минск:: Институт физики им. Б.И. Степанова. 2011.

Труды (тезисы) конференции

Зайцев С.В., Дмитриев А.И., Моргунов Р.Б., Дорохин М.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н. Ферромагнетизм тонкого слоя Mn в структурах InGaAs/GaAs/дельтаMn. Магнитные и оптические исследования // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XV международного симпозиума 14-18 марта 2011. Г. Нижний Новгород. Т.2. 670 C. 2011. С. 342-343.

Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Малышева Е.И., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Зайцев С.В. Особенности формирования методом газофазной эпитаксии квантовых точек InAs/GaAs, легированных атомами Mn // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XV международного симпозиума. 14-18 марта 2011 г.. Нижний Новгород. Т.2. 670 С. 2011. С. 416-417.

Dorokhin M.V., Danilov Yu.A., Demina P.B., Kulakovskii V.D., Prokofyeva M.M., Vikhrova O.V., Zaitsev S.V., Zvonkov B.N. Electroluminescence of InGaAs/GaAs quantum size heterostructures with GaAs barrier modified by delta-Mn doping // Moscow International Symposium on Magnetism. August 21-25, 2011. Book of Abstracts. Moscow, 2011. 944 P.. 2011. P. 674.

Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Дорохин М.В., Кулаковский В.Д. Спиновые светодиоды: дизайн, технология выращивания структур и механизмы спиновой поляризации // X Российская конференция по физике полупроводников. Тезисы конференции. 19-23 сентября 2011. Нижний Новгород. 296 С. 2011. С. 139.

Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Прокофьева М.М., Малышева Е.И., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н. Исследование люминесценции гетероструктур In(Ga)As/GaAs, легированных атомами переходных элементов // X Российская конференция по физике полупроводников. Тезисы конференции. 19-23 сентября 2011. Нижний Новгород. 296 С. 2011. С. 167.

Дунаев В.С., Звонков Б.Н., Кудрин А.В., Дорохин М.В., Данилов Ю.А. Магниточувствительные эффекты переключения в диодных структурах с ферромагнитным слоем и квантовой ямой // Тринадцатая Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике. Тезисы докладов. 21-25 ноября 2011.. Санкт-Петербург: Изд-во Политехнического ун-та. 2011. С. 82.

Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Кудрин А.В., Вихрова О.В., Планкина С.М., Дунаев В.С., Нежданов А.В., Дроздов Ю.Н., Сапожников М.В. Магнитный полупроводник (Ga,Mn)Sb как перспективный материал для приборов спинтроники // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XV международного симпозиума. 14-18 марта 2011 г. Нижний Новгород. T.1. 670 C. 2011. С. 129-130.

Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дроздов М.Н., Звонков Б.Н., Калентьева И.Л. Диффузия марганца в InGaAs/GaAs квантово-размерных структурах // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XV международного симпозиума. 14-18 марта 2011 г. Нижний Новгород. Т.2. 670 С. 2011. С. 424-425.

Дунаев В.С., Данилов Ю.А., Кудрин А.В., Вихрова О.В., Звонков Б.Н., Дроздов М.Н., Дроздов Ю.Н. Определение элементного состава нанослоев ферромагнитных полупроводников (III,Mn)V // Вторая школа молодых ученых по физике наноструктурированных и кристаллических материалов. 19-21 мая 2011 г. Конспекты лекций и тезисы докладов. Нижний Новгород. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского. 2011. С. 94-95.

Звонков Б.Н., Данилов Ю.А., Кудрин А.В., Лесников В.П., Дудин Ю.А., Суровегина Д.А. Электрические и гальваномагнитные свойства слоев полупроводника GaSb, сильнолегированного марганцем // Высокочистые вещества и материалы. Получение, анализ и применение. XIV конференция и VI школа молодых ученых. Нижний Новгород, 30 мая – 2 июня 2011 года. Тезисы докладов. Нижний Новгород. 2011. С. 224-225.

Дунаев В.С., Звонков Б.Н., Данилов Ю.А., Вихрова О.В., Дроздов Ю.Н., Дроздов М.Н., Сучков А.И. Определение состава и структурного совершенства нанослоев ферромагнитных полупроводников (AIII,Mn)BV и полуметаллических соединений типа MnBV // Высокочистые вещества и материалы. Получение, анализ и применение. XIV конференция и VI школа молодых ученых. Нижний Новгород, 30 мая – 2 июня 2011 года. Тезисы докладов. Нижний Новгород. 2011. С. 219.

Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Kudrin A.V., Vikhrova O.V., Plankina S.M., Dunaev V.S., Nezhdanov A.V., Drozdov Yu.N. Room-temperature ferromagnetism in (III,Mn)Sb semiconductors // Moscow International Symposium on Magnetism. August 21-25, 2011. Book of Abstracts. Moscow. 944 P. 2011. P. 688.

Gan’shina E.A., Golik L.L., Kovalev V.I., Kun’kova Z.E., Temiryazeva M.P., Danilov Yu.A., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N., Novikov A.I., Vinogradov A.N. Peculiarities in optical and magneto-optical spectra of GaMnSb layers grown by laser ablation // Moscow International Symposium on Magnetism. August 21-25, 2011. Book of Abstracts. Moscow. 944 P. 2011. P. 719-720.

Danilov Yu.A., Drozdov M.N., Drozdov Yu.N., Dunaev V.S., Kudrin A.V., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N. Distribution of Mn and galvanomagnetic properties for deltaMn-doped GaAs structures // Moscow International Symposium on Magnetism. August 21-25, 2011. Book of Abstracts. Moscow. 944 P. 2011. P. 726.

Дунаев В.С., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Дроздов Ю.Н., Дроздов М.Н. Определение и анализ элементного состава нанослоев ферромагнитных полупроводников типа (III,Mn)V // Труды Всероссийской школы-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «Диагностика наноматериалов и наноструктур». 12-16 сентября 2011 г. Рязань. Т.3. 2011. С. 222-226.

Зубков В.И., Кудрин А.В., Кучерова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н. Взаимодействие квантовых ям InGaAs/GaAs с дельта-легированными слоями // X Российская конференция по физике полупроводников. Тезисы конференции. Нижний Новгород, 19 -23 сентября 2011. 296 С. 2011. С. 57.

Суровегина Д.А., Кудрин А.В., Звонков Б.Н., Данилов Ю.А. Исследование свойств нанослоев GaMnSb, полученных методом лазерного нанесения // Тринадцатая Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике. Тезисы докладов. 21-25 ноября 2011 года. Санкт-Петербург. Изд-во Политехнического ун-та. 2011. С. 21.

Дунаев В.С., Звонков Б.Н., Дроздов Ю.Н., Дроздов М.Н., Сучков А.И., Данилов Ю.А. Анализ элементного состава и границы раздела с подложкой нанослоев ферромагнитного полупроводника GaMnSb и полуметаллического соединения MnSb // Тринадцатая Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике. Тезисы докладов. 21-25 ноября 2011 года. Санкт-Петербург. Изд-во Политехнического ун-та. 2011. С. 22.

Звонков Б.Н., Бирюков А.А., Вихрова О.В., Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Дроздов Ю.Н., Дроздов М.Н., Бузынин Ю.Н. Рост и свойства гетероструктур InGaAs/GaAs/Ge(буфер) на кремниевых подложках // Труды XV Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Н. Новгород, 14–18 марта, 2011. – Т.1. – C.414 - 415.. 2011. С. 414-415.

Вихрова О.В., Дикарева Н.В., Звонков Б.Н., Колесников М.Н. Двухчастотная генерация излучения в лазерных диодах на квантовых ямах GaAsSb. // Труды 15й научной конференции по радиофизике,посвященной 110й годовщине со дня рождения А.А. Андронова.. ННГУ,Т1,2. 2011. С. 36-37.

Алешкин В.Я., Бабушкина Т.С., Бирюков А.А., Дубинов А.А., Звонков Б.Н., Колесников М.Н., Некоркин С.М. Двухкаскадный лазерный диод, одновременно генерирующий TE1- и TE2-моды с разными длинами волн в непрерывном режиме // Труды XV международного симпозиума. Н.Новгород: ИФМ РАН, Том 1, 324 стр. 2011. С. 267-268. [принято к печати]

Некоркин С.М., Колесников М.Н., Звонков Б.Н., Бабушкина Т.С., Алешкин В.Я., Дубинов А.А. Мощный диодный лазер со сверхузкой диаграммой направленности // Труды XV международного симпозиума. Н.Новгород: ИФМ РАН, Том 2, 346 стр. 2011. С. 482-483.

Вихрова О.В., Дикарева Н.В., Звонков Б.Н., Колесников М.Н., Некоркин С.М. Двухчастотная генерация излучения в лазерных диодах на квантовых ямах GaAsSb // Труды XV научной конференции по радиофизике, посвященной 110-й годовщине со дня рождения А.А. Андронова, Н.Новгород, 10-13 мая 2011 г. Н.Новгород: ННГУ. 2011. С. 47-48. [принято к печати]

Тихов С.В., Байдусь Н.В., Бирюков А.А., Звонков Б.Н., Дроздов Ю.Н., Смотрин Д.С. Эффект поля по проводимости – эффективный метод контроля качества гетеронаноструктур на основе i-InP c двумерным электронным газом. // Труды XV Международного симпозиумa “ Нанофизика и наноэлетроника”. Издательство института микроструктур академии наук. т.2., стр.600. 2011. С. 399-400.

Морозов С.В., Спиваков А.Г., Крыжков Д.И., Яблонский А.Н., Курицын Д.И., Гавриленко Л.В., Гапонова Д.М., Гавриленко В.И., Yu.G.Sadofyev, Звонков Б.Н. Исследование спектров и кинетики ФЛ гетероструктур с КЯ GaAsSb/GaAs и InGaAs/GaAsSb/GaAs в области 1-1.3 мкм // Тезисы Х Российской конференции по физике полупроводников. ИФМ РАН, Нижний Новгород, 19-23 сентября. 2011. С. 65.

Zaitsev S.V., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Kudrin A.V., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N. Magneto-optics of Ferromagnetic InGaAs/GaAs/deltaMn Heterostructures // AIP Conference Procedings. V.1399. 2011. P. 651-652.

Публикации в научных журналах

Здоровейщев А.В., Байдусь Н.В., Звонков Б.Н., Демина П.Б. Управление самоорганизацией массива квантовых точек InAs при росте методом газофазной эпитаксии на // Известия РАН. Серия физическая. № 1. Т. 75. 2011. С. 31-33.

Zdoroveishchev A.V., Baidus N.V., Zvonkov B.N., Demina P.B. Controlling the Self_Organization of InAs Quantum Dots upon Growth by Means of Vapor_Phase Epitaxy on an Antimony // Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. № 1. V. 75. 2011. P. 25-27.

Danilov Yu.A., Drozdov Yu.N., Dorokhin M.V., Kulakovskii V.D., Prokofyeva M.M., Zaitsev S.V., Zvonkov B.N. Fabrication and Study of Spin Light-Emitting Nanoheterostructures on the Basis of III-V Semiconductors // Solid State Phenomena. V. 168-1. 2011. P. 55-58.

Дмитриев А.И., Таланцев А.Д., Зайцев С.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Звонков Б.Н., Коплак О.В., Моргунов Р.Б. Фотолюминесцентный отклик квантовой ямы на изменение магнитного поля дельта-слоя Mn в гетероструктурах InGaAs/GaAs // Журнал экспериментальной и теоретической физики. № 1(7). Т. 140. 2011. С. 158-169.

Gan’shina E.A., Golik L.L., Kovalev V.I., Kun’kova Z.E., Temiryazeva M.P., Danilov Yu.A., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N., Rubacheva A.D., Tcherbak P.N., Vinogradov A.N. On Nature of Resonant Transversal Kerr Effect in InMnAs and GaMnAs Layers // Solid State Phenomena. V. 168-1. 2011. P. 35-38.

Danilov Yu.A., Kudrin A.V., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N. Ferromagnetic Semiconductors and Half-Metal Compounds Obtained by Laser Deposition // Solid State Phenomena. V. 168-1. 2011. P. 245-248.

Gazoto A.L., Brasil M.J.S.P., Iikawa F., Brum J.A., Ribeiro E., Danilov Yu.A., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N. Enhanced magneto-optical oscillations from two-dimensional hole-gases in the presence of Mn ions // Applied Physics Letters. № 25. V. 98. 2011. P. 251901, 1-3.

Alaferdov A.V., Danilov Yu.A., Kudrin A.V., Zvonkov B.N., Vikhrova O.V., Drozdov Yu.N., Nicolodi S. Structure, magnetic and electrical properties of InMnAs layers with MnAs inclusions // Smart Nanomaterials. № 1. V. 2. 2011. P. 19-27.

Алешкин В.Я., Бабушкина Т.С., Бирюков А.А., Дубинов А.А., Звонков Б.Н., Некоркин С.М. Одновременная генерация мод TE1 и TE2 с разными длинами волн в полупроводниковом лазере с туннельным переходом // ФТП. Т. 45. 2011. С. 652-656.

©  Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского