Забавичев Илья Юрьевич

Список преподаваемых дисциплин

Публикации

2024

Пузанов А.С., Забавичев И.Ю., Абросимова Н.Д., Бибикова В.В., Волкова Е.В., Недошивина А.Д., Потехин А.А., Тарасова Е.А., Хазанова С.В., Оболенский С.В. Применение флуктуационного анализа изображений поверхности структур «кремний на изоляторе» для оценки деградации подвижности носителей заряда после радиационного воздействия // Материалы XXVIII Междунар. симпоз. «Нанофизика и наноэлектроника» 11–14 марта 2024 г., Нижний Новгород.– Нижний Новгород, изд-во ИПФ РАН, 2024.– В 2-х томах.–Т.2.. Труды XXVIII Международного симпозиума (Нижний Новгород, 11–15 марта 2024 г.). Н-25 В 2 томах. Том 2-й. — Нижний Новгород : ИПФ РАН, 2024. — 492 с.. 2024. С. 795.

Недошивина А.Д., Пузанов А.С., Потехин А.А., Забавичев И.Ю., Тарасова Е.А. ВЛИЯНИЕ РАДИАЦИОННОГО ВОЗДЕЙСТВИЯ НА НЕЛИНЕЙНЫЕ ИСКАЖЕНИЯ В ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНОМ УСИЛИТЕЛЕ // ТРУДЫ XXVIII НАУЧНОЙ КОНФЕРЕНЦИИ ПО РАДИОФИЗИКЕ. Тип: сборник трудов конференции Язык: русский ISBN: 978-5-91326-867-9 Год издания: 2024 Место издания: Нижний НовгородЧисло страниц: 568 Издательство: Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского. 2024. С. 101-104.

Golikov O.L., Zabavichev I.Yu., Ivanov A. S., Obolenskii S.V., Obolenskaya E.S., Pavelyev D.G., Potekhin A.A., Puzanov A.S., Tarasova E.A., Khazanova S.V. ELECTRON TRANSPORT IN A BIPOLAR TRANSISTOR WITH A SUPERLATTICE IN THE EMITTER // Russian Microelectronics. № 1. V. 53. 2024. P. 44-50.

Пузанов А.С., Забавичев И.Ю., Абросимова Н.Д., Бибикова В. В., Волкова Е.В., Недошивина А.Д., Потехин А.А., Тарасова Е.А., Хазанова С.В., Логинов Б.А., Блинников Д.Ю., Второва В. С., Кириллова В. В., Ляшко Е. А., Макеев В. С., Первых А. Р., Оболенский С.В. Флуктуационный анализ микрорельефа поверхности структур кремний-на-изоляторе после радиационного воздействия // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 58. 2024. С. 668-675.

2023

Тарасова Е.А., Хазанова С.В., Забавичев И.Ю., Потехин А.А., Оболенский С.В., Голиков О.Л., Иванов А.С., Павельев Д.Г. Транспорт электронов в гетеробиполярном транзисторе со сверхрешеткой в области эмиттера // Труды XXVII Международного симпозиума 13–16 марта 2023 г., Нижний Новгород. Труды XXVII Международного симпозиума 13–16 марта 2023 г., Нижний Новгород, Т. 1, 496 с.. 2023. С. 782-783.

Волкова Е.В., Логинов Б.А., Блинников Д.Ю., Второва В.C., Кириллова В.В., Ляшко Е.А., Макеев В.С., Первых А.Р., Абросимова Н.Д., Забавичев И.Ю., Пузанов А.С., Тарасова Е.А., Оболенский С.В. Особенности трансформации микрорельефа структур "кремний на изоляторе" при воздействии фотонных и корпускулярных излучений // Журнал технической физики. № 7. Т. 93. 2023. С. 1025-1031.

Khazanova S.V., Golikov O.L., Puzanov A.S., Tarasova E.A., Zabavichev I.Yu., Potekhin A.A., Obolenskaya E.S., Ivanov A.S., Pavelyev D.G., Obolenskii S.V. Calculating Current–Voltage Characteristics with Negative Differential Conductivity Sections of Superlattices Based on a GaAs/AlAs Compound with Different Numbers of Periods // Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. № 87. V. 6. 2023. P. 800-804.

Забавичев И.Ю., Пузанов А.С., Оболенский С.В. Влияние процесса образования единичного кластера радиационных дефектов на переключение состояния транзисторной ячейки памяти // Физика и техника полупроводников. № 4. Т. 57. 2023. С. 270-275.

2022

Оболенский С.В., Хазанова С.В., Голиков О.Л., Пузанов А.С., Тарасова Е.А., Забавичев И.Ю., Потехин А.А., Оболенская Е.С., Иванов А.С., Павельев Д.Г. Моделирование вольт-амперных характеристик и пробоя в сверхрешетках с малым числом периодов // Тезисы докладов XV Российской конференции по физике полупроводников. Типография ИПФ РАН. 603950, Нижний Новгород, ул. Ульянова, 46, 451 стр.. 2022. С. 367.

2021

Тарасова Е.А., Пузанов А.С., Забавичев И.Ю., Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Бибикова В.В., Потехин А.А., Востоков Н.В. Моделирование реакции низкобарьерного неохлаждаемого диода Мотта на воздействие ионизирующих излучений космического пространства // Материалы XXV Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского 2021, том 2, 982 стр.. 2021. С. 813-814.

Забавичев И.Ю., Овчинников С.В., Потехин А.А., Пузанов А.С. Методика построения подвижного аппаратно-программного комплекса для измерения параметров диодных и транзисторных структур на облучательных комплексах с учетом мер информационной безопасности // Труды XXV научной конференции по радиофизике. ННГУ им. Н.И. Лобачевского. Нижний Новгород. 2021. С. 84-86.

Tarasova E.A., Puzanov A.S., Bibikova V.V., Volkova E.V., Zabavichev I.Yu., Obolenskaya E.S., Potekhin A.A., Obolenskii S.V. The Physical Topological Modeling Of Single Radiation Effects In Submicron Ultrahigh-Frequency Semiconductor Diode Structures With Taking In Account The Heating Of An Electron-Hole Gas In The Charged Particle Track // Proceedings of the 33rd European Modeling & Simulation Symposium, EMSS. Volume Details Volume Title Proceedings of the 33rd European Modeling & Simulation Symposium (EMSS 2021) Conference Location and Date Online September 15-17, 2021 Conference ISSN 2724-0029 Volume ISBN 978-88-85741-57-7. 2021. P. 289-294.

Забавичев И.Ю., Пузанов А.С., Оболенский С.В. Анализ переходных ионизационных процессов в треке первичного атома отдачи в субмикронных транзисторных структурах // Труды XXV научной конференции по радиофизике. (г. Нижний Новгород, 14-26 мая 2021 г.). – Нижний Новгород,. 2021. С. 109-112.

Забавичев И.Ю., Тарасова Е.А., Волкова Е.В., Пузанов А.С., Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Потехин А.А., Бибикова В.В Физико-топологическое моделирование одиночных радиационных эффектов в диодных субмикронных сверхвысокочастотных полупроводниковых структурах с учетом разогрева электронно-дырочного газа в треке заряженной частицы // Труды XXV научной конференции по радиофизике. (г. Нижний Новгород, 14-26 мая 2021 г.). – Нижний Новгород, 2021 г. 2021. С. 102-104.

Забавичев И.Ю., Кудряшова Д.А., Наседкин К.А., Оболенская Е.С., Потехин А.А., Пузанов А.С., Тарасова Е.А. Реинжиниринг профиля легирования диодных и транзисторных структур для расчетной оценки их реакции на воздействие ионизирующих излучений // Научно-технический вестник Поволжья. № 12. 2021. С. 200-202.

Забавичев И.Ю., Насеткин К.А., Оболенская Е.С., Потехин А.А., Пузанов А.С., Тарасова Е.А. Влияние RLC-параметров межтранзисторных соединений на переходной ионизационный процесс в ячейках быстродействующей статической памяти при воздействии тяжелых заряженных частиц космического пространства // Научно-технический вестник Поволжья. № 12. 2021. С. 203-205.

Забавичев И.Ю., Наседкин К.А., Оболенская Е.С., Пузанов А.С., Тарасова Е.А. Динамика разогрева и релаксации энергии электронно-дырочной плазмы в треке первичного атома отдачи в GaAs при воздействии нейтронов спектра деления // Научно-технический вестник Поволжья. № 12. 2021. С. 209-211.

Пузанов А.С., Бибикова В.В., Забавичев И.Ю., Оболенская Е.С., Тарасова Е.А., Востоков Н.В., Оболенский С.В. Моделирование реакции низкобарьерного диода Мотта на воздействие тяжелых заряженных частиц космического пространства // Письма в Журнал технической физики. № 6. Т. 47. 2021. С. 51-54.

Puzanov A.S., Bibikova V.V., Zabavichev I.Yu., Obolenskaya E.S., Tarasova E.A., Vostokov N.V., Obolenskii S.V. Simulation of the Response of a Low-Barrier Mott Diode to the Influence of Heavy Charged Particles from Outer Space // Technical Physics Letters. № 6. V. 47. 2021. P. 51-54.

2020

Забавичев И.Ю., Насеткин К.А., Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Влияние потенциала рассеяния носителей заряда на радиационных дефектах на изменение подвижности в GaAs короткоканальных транзисторных структурах после нейтронного воздействия // Труды XXIV Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, Том 2. — 505 с.. 2020. С. 575-576.

Бибикова В.В., Забавичев И.Ю., Козлов В.А., Оболенский С.В., Потехин А.А., Пузанов А.С. Особенности оценки эквивалентности лазерных методов имитации воздействия тяжелых заряженных частиц космического пространства на субмикронные элементы интегральных схем // Труды XXIV Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Том 2. — Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2020. — 505 с.. 2020. С. 524-525.

Забавичев И.Ю., Боженькина А.Д., Кудряшов М.Ю., Насеткин К.А., Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Потехин А.А., Пузанов А.С., Тарасова Е.А., Чурин А.Ю. Разработка методов и средств расчетно-экспериментального моделирования физических процессов в перспективных нанометровых полупроводниковых гетероструктурах при воздействии излучений космического пространства. // Труды XXIV научной конференции по радиофизике. Нижний Новгород: ННГУ. 2020. С. 70-72.

Забавичев И.Ю., Козлов В.А., Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Павельев Д.Г., Потехин А.А., Пузанов А.С., Тарасова Е.А., Чурин А.Ю. Терагерцовое детектирование процессов формирования и стабилизации кластера радиационных дефектов в гетеронаноструктурах для повышения точности расчетно-экспериментальной оценки радиационной стойкости изделий наноэлектроники // Труды XXIV научной конференции по радиофизике. Нижний Новгород: ННГУ. 2020. [принято к печати]

Забавичев И.Ю., Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Потехин А.А., Пузанов А.С., Тарасова Е.А. Разработка высокопроизводительных методов проектирования радиационно-стойких терагерцовых приборов для космических телекоммуникационных систем // Труды XXIV научной конференции по радиофизике. Нижний Новгород: ННГУ. 2020. [принято к печати]

Забавичев И.Ю., Потехин А.А., Пузанов А.С. Анализ динамики формирования плотных кластеров радиационных дефектов с помощью метода молекулярной динамики // Труды XXIV научной конференции по радиофизике. Нижний Новгород: ННГУ. 2020. [принято к печати]

Забавичев И.Ю., Потехин А.А., Пузанов А.С. Оценка влияния единичных кластеров радиационных дефектов на работоспособность перспективных полупроводниковых приборов микро- и наноэлектроники // Труды XXIV научной конференции по радиофизике. Нижний Новгород: ННГУ. 2020. [принято к печати]

Забавичев И.Ю., Корягин С.А. Обработка результатов моделирования процесса развития каскада атомных смещений, полученных с помощью высокопроизводительных вычислений на суперкомпьютере «Лобачевский» // Труды XXIV научной конференции по радиофизике. Нижний Новгород: ННГУ. 2020. [принято к печати]

Забавичев И.Ю., Луковкина В.А. Обеспечение информационной безопасности процесса измерений поверхности полупроводниковых структур с помощью атомно-силового микроскопа // Труды XXIV научной конференции по радиофизике. Нижний Новгород: ННГУ. 2020. [принято к печати]

Забавичев И.Ю., Овчинников С.В., Потехин А.А., Пузанов А.С. Проведение измерений реакции изделий микроэлектроники на радиационное воздействие при помощи передвижного аппаратно-программного комплекса с учетом обеспечения мер информационной безопасности // Труды XXIV научной конференции по радиофизике. Нижний Новгород: ННГУ. 2020. [принято к печати]

Забавичев И.Ю., Насеткин К.А., Потехин А.А., Пузанов А.С. Особенности переноса носителей заряда в субмикронных полупроводниковых структурах с формирующимися радиационными дефектами // Труды XXIV научной конференции по радиофизике. Нижний Новгород: ННГУ. 2020. [принято к печати]

Забавичев И.Ю., Насеткин К.А., Потехин А.А., Пузанов А.С., Оболенский С.В. Оценка влияния RLC-параметров межсоединений транзисторов на сбоеустойчивость ячеек быстродействующей статической памяти при воздействии тяжелых заряженных частиц космического пространства и излучений их имитирующих // Труды XXIV научной конференции по радиофизике. Нижний Новгород: ННГУ. 2020. [принято к печати]

Забавичев И.Ю., Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Влияние потенциала рассеяния на радиационных дефектах на перенос носителей заряда в GaAs-структурах // Физика и техника полупроводников. № 9. Т. 54. 2020. С. 945-951.

2016

Потехин А.А., Оболенская Е.С., Забавичев И.Ю., Тарасова Е.А., Линев А.В., Оболенский С.В., Пузанов А.С. Итерационное моделирование для восстановления структуры полупроводниковых приборов и анализа их радиационной стойкости // Материалы XX Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Том 2, 841 стр., Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского. 2016. С. 698-699.

Потехин А.А., Забавичев И.Ю., Оболенская Е.С., Тарасова Е.А., Хананова А.В., Линев А.В., Пузанов А.С., Оболенский С.В. Опыт применения физико-топологического моделирования для анализа радиационной стойкости серийных полупроводниковых приборов // Тезисы докладов 19-ой Всероссийской научно-технической конференции "Радиационная стойкость электронных систем" "Стойкость-2016", 2016 г.. Т. 1, 253 стр.. 2016. С. 71-72.

2015

Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А., Волкова Е.В., Потехин А.А., Забавичев И.Ю. Высокочастотный отклик нанометровых диодов, вызываемый динамикой образования кластеров радиационных дефектов // Труды 19 международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Т. 2, 2015 г.. 2015. С. С. 529-530.

Забавичев И.Ю., Тарасова Е.А., Оболенский С.В. Оценка дисперсии результатов измерений вольт-фарадных характеристик полупроводниковых приборов // Тезисы докладов 18 всероссийской конференции по радиационной стойкости электронных систем "Стойкость-2015". Т 1., 2 с.. 2015. С. 67-68.

Забавичев И.Ю., Потехин А.А., Пузанов А.С., Оболенский С.В. Программа физико-топологического моделирования переноса носителей заряда в полупроводниковых приборах с учетом радиационного воздействия на основе многочастичного метода Монте-Карло // Труды II российско-белорусской научно-технической конференции «элементная база отечественной радиоэлектроники: импортозамещение и применение » им. О.В.Лосева. Типография ННГУ, том 1, 512 стр. 2015. С. 70-74.

Потехин А.А., Оболенский С.В., Забавичев И.Ю., Рябов А.А., Линев А.В., Чурин А.Ю., Ротков Л.Ю. СТРУКТУРА ВЫЧИСЛИТЕЛЬНЫХ СРЕДСТВ ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ РАДИАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИНФОРМАЦИОННАЯ БЕЗОПАСНОСТЬ ПРОЦЕДУРЫ МОДЕЛИРОВАНИЯ // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика ядерных реакторов. № 2. Т. 1. 2015. С. 24-30.

2014

Забавичев И.Ю., Тарасова Е.А., Рябов А.А., Чурин А.Ю., Оболенский С.В., Ротков Л.Ю. Применение атомно-силового микроскопа при оценке радиационного поражения полупроводниковых структур и создание информационно-защищенного канала обмена результатами измерений // Труды XVIII научной конференции по радиофизике, посвященной дню радио, Нижний Новгород, 12-16 мая 2014 г... Т. 1, с. 3. 2014. С. 42-44.

Забавичев И.Ю., Тарасова Е.А., Рябов А.А., Чурин А.Ю., Оболенский С.В. Использование атомносилового микроскопа при оценке радиационного поражения полупроводниковых структур и создание информационнозащищенного канала обмена результатами измерений. // Труды 4-ой Всероссийской конференции «Радиоэлектронные средства получения, обработки и визуализации информации», 24-26 сентября 2014 г.. Http://www.rf.unn.ru/eledep/conferences.html. 2014. С. 10.

Забавичев И.Ю., Рябов А.А., Чурин А.Ю., Тарасова Е.А., Оболенский С.В., Ротков Л.Ю. Применение атомно-силового микроскопа при оценке радиационного поражения полупроводниковых структур и создание информационно-защищенного канала обмена результатами измерений // Сборник тезисов докладов всероссийской конференции «Стойкость-2014». 2014. С. 273-274.

Забавичев И.Ю., Потехин А.А., Рябов А.А., Тарасова Е.А., Оболенский С.В., Ротков Л.Ю. Организация и информационная безопасность высокопроизводительных вычислений при моделировании радиационной стойкости полупроводниковых приборов // Успехи современной радиоэлектроники. 2014. [принято к печати]

Забавичев И.Ю., Потехин А.А. Моделирование радиационной стойкости квантового компьютера и системы квантовой криптографии // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. № 1. Т. 2. 2014. С. 64-74.

2013

Забавичев И.Ю., Оболенский С.В. Оценка радиационной стойкости системы квантовой криптографии // Труды XVII научной конференции по радиофизике, посвященной 100-летию со дня рождения В.С. Троицкого.. Т.1, с. 1. 2013. С. 37.

Забавичев И.Ю., Оболенский С.В. Исследование радиационной стойкости системы квантовой криптографии // Форум молодых учёных. Тезисы докладов.. Изд–во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Т. 1, с. 2. 2013. С. 143-144.