Юнин Павел Андреевич

Место работы

Радиофизический факультет

Межфакультетская базовая кафедра "Физика наноструктур и наноэлектроника"

доцент

Ученая степень
Кандидат физико-математических наук
Ученое звание
нет
Общий стаж работы 8 лет, 8 мес.

Общие сведения

Преподавание

Научная Работа


Образование, учёные степени и учёные звания

Высшее образование
Бакалавр. Специальность: физика. Квалификация: бакалавр физики.

Высшее образование
Магистр. Специальность: физика. Квалификация: магистр физики.

Дополнительное образование, повышение квалификации, стажировки

02.04.2018 - 27.04.2018
Повышение квалификации: Электронная информационно-образовательная среда вуза, ННГУ, 72 час., документ № удостоверение 522406996778 рег.№ 33-2022 от 27.04.2018

Список преподаваемых дисциплин

Радиофизический факультет
Основы дифракционного структурного анализа
Спецпрактикум

Публикации

2019

Труды (тезисы) конференции

Antonov A.V., Ikonnikov A.V., Masterov D.V., Mikhaylov A.N., Morozov S.V., Nozdrin Yu.N., Pavlov S.A., Parafin A.E., Tetelbaum D.I., Ustavshchikov S.S., Yunin P.A., Savinov D.A. Critical-field slope reduction and intriguing phase diagrams of thin disordered superconducting YBCO films in strong magnetic fields // XXIII Международный Симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника». Труды симпозиума.. Нижний Новгород, 11-14 марта, Т.1. 2019. P. 7-8.

Публикации в научных журналах

Уставщиков С.С., Аладышкин А.Ю., Курин В.В., В. А. Маркелов, А. Н. Елькина, А. М. Клушин, Юнин П.А., В. В. Рогов, Д. Ю. Водолазов СВЧ импеданс тонкоплёночных гибридных структур сверхпроводник – нормальный металл с большим отношением проводимостей // Физика твердого тела. Т. 61. 2019. С. 1722-1728.

Антонов А.В., Иконников А.В., Мастеров Д.В., Михайлов А.Н., Морозов С.В., Ноздрин Ю.Н., Павлов С.А., Парафин А.Е., Тетельбаум Д.И., Уставщиков С.С., Юнин П.А., Савинов Д.А. Отличительные особенности фазовых диаграмм тонких неупорядоченных пленок на основе ВТСП YBa2Cu3O7−x во внешних магнитных полях // Физика твердого тела. № 9. Т. 61. 2019. С. 1573-1578.

2018

Труды (тезисы) конференции

Савинов Д.А., Антонов А.В., Иконников А.В., Мастеров Д.В., Михайлов А.Н., Морозов С.В., Ноздрин Ю.Н., Павлов С.А., Парафин А.Е., Тетельбаум Д.И., Уставщиков С.С., Юнин П.А. Особенности фазовых диаграмм узких сверхпроводящих мостиков на основе YBaCuO с разной дозой имплантации ионов кислорода // Сборник тезисов XXII международного симпозиума "Нанофизика и Наноэлектроника". Типография ННГУ, Н. Новгород, 12-15 марта, Т.1, 507 стр. 2018. С. 112-113.

Савинов Д.А., Антонов А.В., Иконников А.В., Мастеров Д.В., Михайлов А.Н., Морозов С.В., Ноздрин Ю.Н., Павлов С.А., Парафин А.Е., Тетельбаум Д.И., Уставщиков С.С., Юнин П.А. Аномальные температурные зависимости верхнего критического поля тонких пленок ВТСП YBCO с контролируемой дозой ионной имплантации // XVII Школа-конференция молодых ученых "Проблемы физики твердого тела и высоких давлений". Тезисы. Москва, ФИАН, пос. Вишневка, пансионат МГУ "Буревестник", 14-23 сентября, 190 стр. 2018. С. 168-170.

Публикации в научных журналах

Татарский Д.А., Каверин Б.С., Объедков А.М., Кетков С.Ю., Кремлёв К.В., Семёнов Н.М., Гусев С.А., Юнин П.А., Вилков И.В., Фаддеев М.А. НОВЫЙ ГИБРИДНЫЙ МАТЕРИАЛ НА ОСНОВЕ МНОГОСТЕННЫХ УГЛЕРОДНЫХ НАНОТРУБОК, ДЕКОРИРОВАННЫХ РЕНИЙ-ВОЛЬФРАМОВЫМИ НАНОДЕНДРИТАМИ // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. № 7. Т. 2018. 2018. С. 54-59.

D.Yu. Vodolazov, Aladyshkin A.Yu., S.N. Vdovichev, Pestov E.E., Ustavshchikov S.S., Yunin P.A., M.Yu. Levichev, A.V. Putilov, A.I. Elkina, N.N. Bukharov, A.M. Klushin Peculiar superconducting properties of thin-film superconductor--normal metal bilayer with large ratio of resistivities // Superconductor Science and Technology. V. 31. 2018. P. 115004.

Baidus N.V., Aleshkin V.Ya., Dubinov A.A., Kudryavtsev K.E., Nekorkin S.M., Novikov A.V., Pavlov D.A., Rykov A.V., Sushkov A.A., Shaleev M., Yunin P.A., Yurasov D, Krasilnik Z.F. MOCVD Growth of InGaAs/GaAs/AlGaAs Laser Structures with Quantum Wells on Ge/Si Substrates // Crystals. № 8. V. 8. 2018. P. 311.

Байдусь Н.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Красильник З.Ф., Кудрявцев К.Е., Некоркин С.М., Новиков А.В., Рыков А.В., Юнин П.А. Применение компенсирующих слоев GaAsP для роста лазерных гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/GaAs, излучающих на длинах волн больше 1100 нм, на искусственных подложках Ge/Si // Физика и техника полупроводников. № 52. Т. 12. 2018. С. 1443-1446.

Baidus N.V., Aleshkin V.Ya., Dubinov A.A., Krasilnik Z.F., Kudryavtsev K.E., Nekorkin S.M., Novikov A.V., Rykov A.V., Reunov D.G., Shaleev M.V., Yunin P.A., Yurasov D.V. On the Application of Strain-Compensating GaAsP Layers for the Growth of InGaAs/GaAs Quantum-Well Laser Heterostructures Emitting at Wavelengths above 1100 nm on Artificial Ge/Si Substrates // Semiconductors. № 52. V. 12. 2018. P. 1547–1550.

2017

Труды (тезисы) конференции

Калентьева И.Л., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Дорохин М.В., Вихрова О.В., Павлов Д.А., Пирогов А.В., Дроздов М.Н., Дроздов Ю.Н., Юнин П.А. Особенности селективного легирования марганцем GaAs гетероструктур // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XXI международного симпозиума. Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т. 2. 2017. С. 612-613.

Шенгуров В.Г., Бузынин Ю.Н., Бузынин А.Н., Байдусь Н.В., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Сушков А.А., Павлов Д.А., Дроздов М.Н., Нежданов А.В., Юнин П.А., Трушин В.Н. Эпитаксиальные подложки GaAs/Ge/Si // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XXI международного симпозиума. Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т. 2. 2017. С. 770-771.

Алешкин В.Я., Байдусь Н.В., Дубинов А.А., Фефелов А.Г., Красильник З.Ф., Кудрявцев К.Е., Некоркин С.М., Новиков А.В., Павлов Д.А., Самарцев И.В., Скороходов Е.В., Шалеев М.В., Сушков А.А., Яблонский А.Н., Юнин П.А., Юрасов Д.В. Лазерные диоды InGaAs/GaAs/AlGaAs, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии на Ge/Si(001) подложках // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XXI международного симпозиума. Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т. 2. 2017. С. 491-492.

Байдусь Н.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Красильник З.Ф., Некоркин С.М., Новиков А.В., Павлов Д.А., Рыков А.В., Сушков А.А., Шалеев М.В., Юнин П.А., Юрасов Д.В., Яблонский А.Н. Особенности выращивания лазерных структур InGaAs/GaAs/AlGaAs на подложках Ge/Si методом МОС-гидридной эпитаксии // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XXI международного симпозиума. Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т. 2. 2017. С. 523-524.

Савинов Д.А., Антонов А.В., Иконников А.В., Мастеров Д.В., Михайлов А.Н., Морозов С.В., Ноздрин Ю.Н., Павлов С.А., Парафин А.Е., Тетельбаум Д.И., Уставщиков С.С., Юнин П.А. Особенности фазовых диаграмм узких сверхпроводящих мостиков на основе YBaCuO с разной дозой имплантации ионов кислорода // Тезисы докладов, XVI Международная школа-конференция молодых ученых «Проблемы физики твердого тела и высоких давлений» с тематическим названием «Идеи и методы физики конденсированного состояния». Сочи, 14 сентября – 24 сентября. 2017. С. 125-126.

Публикации в научных журналах

Buzynin Yu.N., Shengurov V.G., Zvonkov B.N., Buzynin A.N., Denisov S.A., Baidusy N.V., Drozdov M.N., Pavlov D.A., Yunin P.A. GaAs/Ge/Si epitaxial substrates: development and characteristics // AIP Advances. V. 7. 2017. P. 015304.

Masterov D.V., Parafin A.E., Revin L.S., Chiginev A.V., Skorokhodov E.V., Yunin P.A., Pankratov A.L. YBa2Cu3O7−δ long Josephson junctions on bicrystal Zr1−xYxO2 substrates fabricated by preliminary topology masks // Superconductor Science and Technology. № 2. V. 30. 2017. P. 025007.

Байдусь Н.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Кудрявцев К.Е., Некоркин С.М., Новиков А.В., Павлов Д.А., Рыков А.В., Сушков А.А., Шалеев М.В., Юнин П.А., Юрасов Д.В., Яблонский А.Н., Красильник З.Ф. Особенности выращивания лазерных структур InGaAs/GaAs/AlGaAs методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках Ge/Si // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 51. 2017. С. 1579-1582.

Baidus N.V., Aleshkin V.Ya., Dubinov A.A., Kudryavtsev K.E., Nekorkin S.M., Novikov A.V., Pavlov D.A., Rykov A.V., Sushkov A.A., Shaleev M.V., Yunin P.A., Yurasov D.V., Yablonskiy A.N., Krasilnik Z.F. Peculiarities of Growing InGaAs/GaAs/AlGaAs Laser Structures by MOCVD on Ge/Si Substrates / N.V. Baidus, V.Ya. Aleshkin, A.A. Dubinov, K.E. Kudryavtsev, S.M. Nekorkin, A.V. Novikov, D.A. Pavlov, A.V. Rykov, A.A. Sushkov, M.V. Shaleev, P.A. Yunin, D.V. Yurasov, A.N. Yablonskiy, Z.F. Krasilnik // Semiconductors. № 11. V. 51. 2017. P. 1527-1530.

Болдыревский П.Б., Филатов Д.О., Казанцева И.А., Ревин М.В., Смотрин Д.С., Юнин П.А. Влияние частоты вращения дискового подложкодержателя на кристаллоструктурные характеристики слоев арсенида галлия, формируемых в процессе MOCVD эпитаксии // Журнал технической физики. № 2. Т. 88. 2017. С. 219-223.

2016

Труды (тезисы) конференции

Денисов С.А., Степихова М.В., Тетельбаум Д.И., Трушин В.Н., Чалков В.Ю., Здоровейщев А.В., Зайцев А.В., Юнин П.А., Красильник З.Ф., Шенгуров В.Г. Светоизлучающие слои германия на кремнии, легированные фосфором в процессе ионной имплантации // Тезисы докладов VI Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Нижний Новгород, Россия, 24-27 октября 2016 г.. 2016. С. 87-88.

Публикации в научных журналах

Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Кудрявцев К.Е., Юнин П.А., Дроздов М.Н., Вихрова О.В., Некоркин С.М., Звонков Б.Н. Стимулированное излучение из объемного метаморфного слоя GaAsSb на GaAs-подложке // Физика и техника полупроводников. Т. 50. 2016. С. 596-599.

Королев Д.С., Мастеров Д.В., Охапкин А.И., Павлов С.А., Парафин А.Е., Юнин П.А., Королев С.А., Михайлов А.Н., Васильев В.К., Тетельбаум Д.И. Модификация пленок высокотемпературного сверхпроводника YBa2Cu3O7-d методом ионной имплантации // Поверхность. Рентгеновские, синхронные и нейтронные исследования. № 4. 2016. С. 80-83.

Aleshkin V.Ya., Baidusy N.V., Dubinov A.A., Krasilynik Z.F., Kudryavtsev K.E., Nekorkin S.M., Novikov A.V., Pavlov D.A., Samartsev I.V., Skorokhodov E.V., Shaleev M.V., Sushkov A.A., Yablonskii A.N., Yunin P.A., Yurasov D.V. Monolithically integrated InGaAs/GaAs/AlGaAs quantum well laser grownby MOCVD on exact Ge/Si(001) substrate // Appl. Phys. Lett.. № 061111. V. 109. 2016. P. 1-5.

Samokhvalov A.V., Vdovichev S.N., Pestov E.E., Nozdrin Yu.N., Yunin P.A. Phase Transitions in Hybrid SFS Structures with Thin Superconducting Layers // JETP Letters. № 5. V. 104. 2016. P. 329.

Lobanov D.N., Novikov A.V., Andreev B.A., Bushuikin P.A., Yunin P.A., Skorokhodov E.V. Features of InN Growth by Nitrogen-Plasma-Assisted MBE at Different Ratios of Fluxes of Group-III and -V Elements // Semiconductors. № 2. V. 50. 2016. P. 261–265.

Drozdov M.N., Drozdov Yu.N., Csik A., Novikov A.V., Vad K., Yunin P.A., Yurasov D.V., Belykh S.F., Gololobov G.P., Suvorov D.V., Tolstogouzov A. Quantitative depth profiling of Si1−xGex structures by time-of-flight secondary ion mass spectrometry and secondary neutral mass spectrometry // Thin Solid Films. V. 607. 2016. P. 25-31.

I. E. Ilyakov, B.V. Shishkin, D. A. Fadeev, I. V. Oladyshkin, V. V. Chernov, A. I. Okhapkin, P.A. Yunin, V. A. Mironov, R. A. Akhmedzhanov Terahertz radiation from bismuth surface induced by femtosecond laser pulses // Optics Letters. № 18. V. 41. 2016. P. 4289-4292.

2015

Труды (тезисы) конференции

Королев С.А., Мастеров Д.В., Охапкин А.И., Павлов С.А., Парафин А.Е., Юнин П.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Васильев В.К., Тетельбаум Д.И. Модификация пленок высокотемпературного сверхпроводника YBa2Cu3O7-d методом ионной имплантации // XIX Международный Симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника». Труды. Нижний Новгород, 10–14 марта, 2015. 2 стр. 2015. С. 79-80.

Степихова М.В., Юнин П.А., Красильник З.Ф., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Гусейнов Д.В., Тетельбаум Д.И., Шенгуров В.Г. Люминесцентные свойства эпитаксиальных слоев германия на кремнии, выращенных методом химического газофазного осаждения с горячей проволокой // XIX Международный Симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника». Труды. Нижний Новгород, 10–14 марта, 2015. Т.2, 2 стр. 2015. С. 658-659.

Вихрова О.В., Ганьшина Е.А., Данилов Ю.А., Дроздов Ю.Н., Дудин Ю.А., Звонков Б.Н., Зыков Г.С., Кудрин А.В., Кунькова З.Э., Лесников В.П., Петрякова Е.В., Питиримова Е.А., Темирязева М.П., Юнин П.А., Якубов Р.Р. Ферромагнетизм в InFeAs-слоях, сформированных методом импульсного лазерного нанесения // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XIX Международного симпозиума. 10-14 марта 2015 г.. Нижний Новгород. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2015. Т.1. 2015. С. 160-161.

Байдакова Н.А., Бобров А.И., Дроздов М.Н., Новиков А.В., Павлов Д.А., Шалеев М.В., Юнин П.А., Юрасов Д.В., Красильник З.Ф. Байдакова Н.А., Бобров А.И., Дроздов М.Н., Новиков А.В., Павлов Д.А., Шалеев М.В., Юнин П.А., Юрасов Д.В., Красильник З.Ф. Светоизлучающие SiGe -структуры, выращенные на структурах «напряженный кремний на изоляторе» // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XIX международного симпозиума (Нижний Новгород, 10-14 марта 2015 г.) в 2-х томах. Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2015.- Т. 2.- 359 с. 2015. С. 427-428.

Юрасов Д.В., Байдакова Н.А., Бобров А.И., Дроздов М.Н., Данильцев В.М., Малехонова Н.В., Новиков А.В., Павлов Д.А., Шалеев М.В., Юнин П.А. Релаксированные Ge-слои на Si (001) и их легирование донорными примесями // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XIX международного симпозиума (Нижний Новгород, 10-14 марта 2015 г.) в 2-х томах. Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2015.- Т. 2.- 359 с. 2015. С. 721-722.

Гусейнов Д.В., Денисов С.А., Нежданов А.В., Антонов И.Н., Тетельбаум Д.И., Юнин П.А., Трушин В.Н., Филатов Д.О., Степихова М.В., Красильник З.Ф., Шенгуров В.Г. Имплантируемые ионами P+ слои германия на Si(100) для светоизлучающих приборов // XXII международная конференция «Взаимодействие ионов с поверхностью (ВИП-2015)». Москва, Россия, 20-24 августа 2015, Т.2. 2015. С. 120-123.

Дикарева Н.В., Звонков Б.Н., Некоркин С.М., Байдусь Н.В., Вихрова О.В., Юнин П.А. Конструктивные особенности активной среды полупроводниковых лазеров с вытеканием излучения через подложку. // Труды XIX научной конференции по радиофизике, Н. Новгород. ННГУ, 2015, 300с.. 2015. С. 31.

Публикации в научных журналах

Планкина С.М., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Калентьева И.Л., Нежданов А.В., Чунин И.И., Юнин П.А. Исследование дельта-легированных марганцем гетеронаноструктур InGaAs/GaAs методом спектроскопии комбинационного рассеяния света // Физика и техника полупроводников. № 1. Т. 49. 2015. С. 102-106.

Мочалова А.Е., Круглова Е.Н., Юнин П.А., Апрятина К.В., Смирнова Л.А., Смирнова О.Н. Получение привитых и блок-сополимеров хитозана с виниловыми мономерами, их структура и свойства // Высокомолекулярные соединения. Серия Б. № 2. Т. 57. 2015. С. 99-112.

Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Бузынин Ю.Н., Дроздов М.Н., Бузынин А.Н., Юнин П.А. Тонкие монокристаллические слои Ge на 2-х дюймовых подложках Si // Письма в журнал технической физики. № 1. Т. 41. 2015. С. 71-78.

Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Buzynin Yu.N., Drozdov M.N., Buzynin A.N., Yunin P.A. Thin Single-Crystal Ge Layers on 2′′ Si Substrates // Technical Physics Letters. № 1. V. 41. 2015. P. 36-39.

Plankina S.M., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Kalentyeva I.L., Nezhdanov A.V., Chunin I.I., Yunin P.A. Raman Spectroscopy of InGaAs/GaAs Nanoheterostructures Delta-doped with Mn // Semiconductors. № 1. V. 49. 2015. P. 99-103.

Байдакова Н.А., Бобров А.И., Дроздов М.Н., Новиков А.В., Павлов Д.А., Шалеев М.В., Юнин П.А., Юрасов Д.В., Красильник З.Ф. Рост светоизлучающих SiGe-гетероструктур на подложках «напряженный кремний-на-изоляторе» с тонким слоем окисла // Физика и техника полупроводников. № 8. Т. 49. 2015. С. 11129-1135.

Baidakova N.A., Bobrov A.I., Drozdov M.N., Novikov A.V., Pavlov D.A., Shaleev M.V., Yunin P.A., Yurasov D.V., Krasilynik Z.F. Growth of Light Emitting SiGe Heterostructures on Strained Silicon on Insulator Substrates with a Thin Oxide Layer // Semiconductors. № 8. V. 49. 2015. P. 1104-1110.

Алешкин В.Я., Дикарева Н.В., Дубинов А.А., Звонков Б.Н., Кудрявцев К.Е., Некоркин С.М., Новиков А.В., Юнин П.А., Юрасов Д.В. Волноводный эффект квантовых ям InGaAs в структуре GaAs на подложке Si с буферным слоем Ge // Письма в ЖТФ. Т. 41. 2015. С. 72-78.

Юрасов Д.В., Бобров А.И., Новиков А.В., Данильцев В.М., Скороходов Е.В., Шалеев М.В., Юнин П.А. Влияние условий роста и отжига на параметры релаксированных Ge/Si(001) слоев, полученных методом МПЭ // Физика и техника полупроводников. Т. 49. 2015. С. 1463-1468.

Вихрова О.В., Звонков Б.Н., Дорохин М.В., Калентьева И.Л., Морозов С.В., Крыжков Д.И., Юнин П.А. Структурные и оптические свойства гетероструктур с квантовыми ямами GaAsSb, выращенных методом лазерного осаждения // Физика и техника полупроводников. № 49. Т. 1. 2015. С. 113-116.

Vikhrova O.V., Zvonkov B.N., Dorokhin M.V., Kalentyeva I.L., Morozov S.V., Kryzhkov D.I., Yunin P.A. Structural and optical properties of GaAsSb QW heterostructures grown by laser deposition // Semiconductors. № 49. V. 1. 2015. P. 109-112.

Aleshkin V.Ya., Dikareva N.V., Dubinov A.A., Zvonkov B.N., Kudryavtsev K.E., Nekorkin S.M., Novikov A.V., Yunin P.A., Yurasov D.V. The waveguide effect of InGaAs quantum wells in a GaAs structure on Si substrate with Ge buffer layer // Technical Physics Letters. № 7. V. 47. 2015. P. 648-650.

Юрасов Д.В., Бобров А.И., Новиков А.В., Данильцев В.М., Павлов Д.А., Скороходов Е.В., Шалеев М.В., Юнин П.А. Влияние условий роста и отжига на параметры релаксированных Ge/Si(001) слоев, полученных методом МПЭ // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 49. 2015. С. 1463-1468.

Yurasov D.V., Bobrov A.I., Daniltsev V.M., Novikov A.V., Pavlov D.A., Skorokhodov E.V., Shaleev M.V., Yunin P.A. Impact of Growth and Annealing Conditions on the Parameters of Ge/Si(001) Relaxed Layers Grown by Molecular Beam Epitaxy // Semiconductors. № 11. V. 49. 2015. P. 1415-1420.

2014

Труды (тезисы) конференции

Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дроздов М.Н., Дроздов Ю.Н., Звонков Б.Н., Юнин П.А. Свойства квантовых ям GaAs/InGaAs/GaAs, легированных атомами переходных 3d-элементов // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XVIII Международного симпозиума. Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г.. Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госун-та. Т.2.. 2014. С. 446-447.

Danilov Yu.A., Drozdov Yu.N., Kudrin A.V., Lesnikov V.P., Pitirimova E.A., Vikhrova O.V., Yunin P.A., Zvonkov B.N. Ferromagnetism in InFeAs layers, formed by laser deposition // Moscow International Symposium on Magnetism, 29 June – 3 July 2014. Book of Abstracts.. MSU. 2014. P. 203.

Байдакова Н.А., Дубинов А.А., Красильникова Л.В., Новиков А.В., Юнин П.А., Юрасов Д.В., Яблонский А.Н., Werner P. Структурные и оптические свойства короткопериодных Ge/Si решеток, выращенных на Ge(001) подложках // Труды XVIII Симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Нижний Новгород, 10-14 марта, 2014, Т.2, 2 стр.. 2014. С. 579-580.

Публикации в научных журналах

Матвеев С.А., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г., Степихова М.В., Дроздов М.Н., Юнин П.А., Захаров Н.Д. Периодические гетероструктуры Si/SiGe, выращенные на Si(100) из атомарного потока Si и молекулярного потока моногремана // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. № 1(2). 2014. С. 84-87.

Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Бузынин Ю.Н., Дроздов М.Н., Бузынин А.Н., Юнин П.А. Тонкие монокристаллические слои Ge на 2-х дюймовых подложках Si // Письма в журнал технической физики. № 1. Т. 41. 2014. С. 71-78. [принято к печати]

Zhukavin R.Kh., Bekin N.A., Lobanov D.N., Drozdov Yu.N., Yunin P.A., Drozdov M.N., Pryakhin D.A., Chkhalo E.D., Kozlov D.V., Novikov A.V., Shastin V.N. Coulomb centers assisted tunneling in a δ-doped triple barrier SiGe heterostructure // Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. V. 57. 2014. P. 42-46.

2013

Труды (тезисы) конференции

Саломатина Е.В., Юнин П.А., Смирнова Л.А. Исследование структуры органо-неорганических сополимеров, содержащих полититаноксид // Менделеев-2013. Нанохимия и наноматериалы. Седьмая всероссийской конференции молодых ученых, аспирантов и студентов с международным участием по химии и наноматериалам. Тезисы докладов.. Санкт-Петербург. 2-5 апреля 2013. Т. 4. 3 стр.. 2013. С. 73-75.

2012

Публикации в научных журналах

Новиков А.В., Дроздов Ю.Н., Дроздов М.Н., Юнин П.А., Юрасов Д.В. Способ учета параметра сдвига при восстановлении распределения состава полупроводниковых структур по глубине в методе ВИМС // Физика и техника полупроводников. Т. 46. 2012. С. 1515-1520.

©  Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского