Юнин Павел Андреевич

Список преподаваемых дисциплин

Радиофизический факультет
Основы дифракционного структурного анализа
Спецпрактикум

Публикации

2022

Королев Д.С., Матюнина К.С., Никольская А.А., Крюков Р.Н., Белов А.И., Михайлов А.Н., Нежданов А.В., Сушков А.А., Павлов Д.А., Юнин П.А., Тетельбаум Д.И. Исследование фотолюминесцентных свойств ионно-синтезированных нановключений оксида галлия // Х Международная школа-конференция молодых учёных и специа-листов «Современные проблемы физики», 27-29 апреля 2022 г. Сборник научных трудов, Минск: Институт физики НАН Беларуси, 2022.- 167 с. 2022. С. 79-80.

Королев Д.С., Никольская А.А., Матюнина К.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Нежданов А.В., Крюков Р.Н., Сушков А.А., Павлов Д.А., Юнин П.А., Тетельбаум Д.И. Исследование процессов ионно-лучевого формирования нановключений оксида галлия в диэлектрических матрицах // XV Российская конференция по физике полупроводников (Нижний Новгород, 03-07 октября, 2022). Тезисы докладов, Нижний Новгород: ИПФ РАН, 2022.- 464 с. 2022. С. 71.

Королев Д.С., Матюнина К.С., Никольская А.А., Нежданов А.В., Михайлов А.Н., Белов А.И., Крюков Р.Н., Юнин П.А., Дроздов М.Н., Сушков А.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Ионный синтез нанокристаллических включений Ga2O3 в оксидных матрицах // Физические и физико-химические основы ионной имплантации. Тезисы докладов VIII Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов (Казань, 11–14 ноября 2022 г.).- Н. Новгород, 2022.- 92 с. 2022. С. 25.

Kumar N., Nezhdanov A.V., Garakhin S., Yunin P.A., Polkovnikov V.N., Chkhalo N., Mashin A.I. Microstructure and phonon behavior in W/Si periodic multilayer structures // Journal Physics D: Applied Physics. V. 55. 2022. P. 175302-175310.

Kumar N., Pleshkov R.S., Garakhin S.A., Nezhdanov A.V., Yunin P.A., Polkovnikov V.N., Chkhalo N.I. Investigation of microstructure and reflectivity of thermally annealed Mo/Be and W/Be multilayer mirrors // Surfaces and Interfaces. V. 28. 2022. P. 101656.

Kumar N., Antisheva G.D., Nezhdanov A.V., Drozdov M.N., Pleshkov R.S., Yunin P.A., Polkovnikov V.N., Chkhalo N.I. Raman scattering studies of the ambient atmospheric thermal stability of Be in periodic Be/Mo and Be/W multilayer mirrors // Journal of Physics D: Applied Physics. V. 55. 2022. P. 245301.

Kalentyeva I.L., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Zvonkov B.N., Kuznetsov Yu.M., Kudrin A.V., Khomitskii D.V., Yunin P.A., Parafin A.E., Danilov D.V. Effect of pulsed laser annealing on the properties of (Ga,Mn)As layers // Journal of Magnetism and Magnetic Materials. № 556. 2022. P. 169360.

Mikhailov D.A., Potanina E.A., Nokhrin A.V., Orlova A.I., Yunin P.A., Sakharov N.V., Boldin M.S., Belkin O.A., Skuratov V.A., Issatov A.T., Chuvildeev V.N., Tabachkova N.Yu. Investigation of the Microstructure of Fine-Grained YPO4:Gd Ceramics with Xenotime Structure after Xe Irradiation // CERAMICS-SWITZERLAND. № 2. V. 5. 2022. P. 237-252.

Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Здоровейщев А.В., Дорохин М.В., Дудин Ю.А., Юнин П.А., Темирязева М.П., Темирязев А.Г., Садоников А.В. Формирование скирмионных состояний в ионно-облученных тонких пленках CoPt // Physics of the Solid State. № 9. Т. 64. 2022. С. 1304-1310.

Korolev D.S., Matyunina K.S., Nikolyskaya A.A., Kryukov R.N., Nezhdanov A.V., Belov A.I., Mikhailov A.N., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Yunin P.A., Drozdov M.N., Tetelbaum D.I. Ion-Beam Synthesis of Gallium Oxide Nanocrystals in a SiO2/Si Dielec-tric Matrix // Nanomaterials. № 11. V. 12. 2022. P. 1840(1-9).

Buzynin Yu.N., Shengurov V.G., Denisov S.A., Yunin P.A., Chalkov V.Yu., Drozdov M.N., Korolyov S.A., Nezhdanov A.V. High Hole Mobility of Polycrystalline GeSn Layers Grown by Hot-Wire Chemical Vapor Deposition on Diamond Substrates // Physica Status Solidi - Rapid Research Letetrs. V. 16. 2022. P. 2100421.

Mochalov L.A., Logunov A.A., Prokhorov E.O., Vshivtsev M.A., Kudryashov M.A., Kudryashova Yu.P., Malyshev V., Spivak Yu., Greshnikov E., Knyazev A.V., Fukina D.G., Yunin P.A. Variety of ZnO nanostructured materials prepared by PECVD // Optical and Quantum Electronics. № 10. V. 54. 2022. P. 646.

Koifman O., Koptyaev A., Travkin V., Yunin P.A., Somov N.V., Masterov D., Pakhomov G. Aggregation and Conductivity in Hot-Grown Petroporphyrin Films // Colloids and Interfaces. № 6. V. 77. 2022. P. 1-8.

Yunin P.A., Sachkov Yu.I., Travkin V.V., Pakhomov G.L. Stability of Manganese(II) Phthalocyanine Films in Ambient Air // Macroheterocycles. № 2. V. 15. 2022. P. 74-84.

Yunin P.A., Pakhomov G.L., Travkin V.V., Drozdov M.N., Sachkov Yu.I. Small-molecule heterojunctions: Stability to ageing under sunlight // Applied Surface Science. V. 578. 2022. P. 152084.

Савинов Д.А., Антонов А.В., Мастеров Д.В., Михайлов А.Н., Морозов С.В., Павлов С.А., Парафин А.Е., Тетельбаум Д.И., Уставщиков С.С., Юнин П.А. Влияние ионного облучения на электронный транспорт в тонких пленках YBCO // Физика твердого тела. № 9. Т. 64. 2022. С. 1162-1168.

2021

Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дудин Ю.А., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Дорохин М.В., Кузнецов Ю.М., Юнин П.А., Темирязева М.П., Темирязев А.Г., Садовников А.В. Влияние ионного облучения на свойства и доменную структуру тонких пленок CoPt // Труды XXV Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород. – 2021. – Т.1.. 2021. С. 174-175.

Kumar N., Pleshkov R.S., Nezhdanov A.V., Polkovnikov V.N., Yunin P.A., Chkhalo N.I., Mashin A.I. Microstructural transformation and thermal stability of nanoscale Mo/Be periodic multilayer mirrors operating in EUV wavelength // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXV Международного симпозиума (Нижний Новгород, 9–12 марта 2021 г.) В 1 т. Том 1. — Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2021. – C.524. Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXV Международного симпозиума (Нижний Новгород, 9–12 марта 2021 г.) В 1 т. Том 1. — Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2021. – C.524. 2021. P. 366.

Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дудин Ю.А., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Дорохин М.В., Кузнецов Ю.М., Юнин П.А., Темирязева М.П., Темирязев А.Г., Садовников А.В. Влияние ионного облучения на магнитные свойства и доменную структуру тонких пленок CoPt // Труды XXV международной конференции "Взаимодействие ионов с поверхностью ВИП - 2021" Ярославль 23-27 августа 2021. Том 2, 306 с, Из-во: Москва 2021. 2021. С. 230-233.

Kalentyeva I.L., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Kudrin A.V., Kuznetsov Yu.M., Yunin P.A., Parafin A.E. Effect of pulsed laser annealing on the properties of (Ga,Mn)As layers // Book of Abstracts "The 4th International Baltic Conference on Magnetism" Svetlogorsk, Russia August 29 — September 2, 2021. 226 p.. 2021. P. 133.

Kumar N., Pleshkov R.S., Nezhdanov A.V., Polkovnikov V.N., Yunin P.A., Chkhalo N.I., Mashin A.I. Microstructural Transformation of Nanoscale Be Layers in the Mo/Be and Be/Mo Periodic Multilayer Mirrors Investigated by Raman Spectroscopy // Journal of Physical Chemistry C. № 4. V. 125. 2021. P. 2729-2738.

Kumar N., Nezhdanov A.V., Garakhin S.A., Smertin R.M., Yunin P.A., Polkovnikov V.N., Chkhalo N.I., Mashin A.I. Investigation of transverse optical phonon of thin Si films embedded in periodic Mo/Si and W/Si multilayer mirrors // Surfaces and Interfaces. V. 25. 2021. P. 101270.

Kozakov A.T., Kumar N., Garakhin S.A., Polkovnikov V.N., Chkhalo N.I., Nikolskii A.V., Scrjabin A.A., Nezhdanov A.V., Yunin P.A. Size-dependent plasmon effects in periodic W-Si- based mirrors, investigated by X-ray photoelectron spectroscopy // APPLIED SURFACE SCIENCE. V. 566. 2021. P. 150616.

Lobanov D.N., Kudryavtsev K.E., Kalinnikov M.I., Krasilynikova L.V., Yunin P.A., Skorokhodov E.V., Shaleev M.V., Novikov A.V., Krasilynik Z.F. Near-infrared stimulated emission from indium-rich InGaN layers grown by plasma-assisted MBE // Applied Physics Letters. № 118. V. 15. 2021. P. 151902.

Kumar N., Pleshkov R.S., Nezhdanov A.V., Yunin P.A., Polkovnikov V.N., Chkhalo N.I., Mashin A.I. Phase analysis of tungsten and phonon behavior of beryllium layers in W/Be periodic multilayers // Physical Chemistry Chemical Physics. V. 23. 2021. P. 23303.

Rykov A.V., Kryukov R.N., Samartsev I.V., Yunin P.A., Shengurov V.G., Zaitsev A.V., Baidusy N.V. Effect of the AlGaAs Seed Layer Composition on Antiphase Domains Formation in (Al)GaAs Structures Grown by Vapor-Phase Epitaxy on Ge/Si(100) Substrates // Technical Physics Letters. № 8. V. 47. 2021. P. 37-40.

Niranjan Kumar, Roman S. Pleshkov, Sergai A. Garakhin, Nezhdanov A.V., Yunin P.A., Vladimir N. Polkovnikov, Nikolay I. Chkhalo Investigation of microstructure and reflectivity of thermally annealed Mo/Be and W/Be multilayer mirrors // Surfaces and Interfaces. 2021. P. 101656.

Kumar N., Nezhdanov A.V., Garakhin S., Yunin P.A., Polkovnikov V.N., Chkhalo N., Mashin A.I. Microstructure and phonon behavior in W/Si periodic multilayer structures // Journal Physics D: Applied Physics. 2021. P. 1.

2020

Савинов Д.А., Антонов А.В., Елькина А.И., Васильев В.К., Мастеров Д.В., Михайлов А.Н., Морозов С.В., Павлов С.А., Парафин А.Е., Тетельбаум Д.И., Уставщиков С.С., Юнин П.А. Экспериментальное наблюдение s-компоненты сверхпроводящего спаривания в тонких неупорядоченных пленках ВТСП на основе YBCO // Сборник тезисов XXIV международного симпозиума “Нанофизика и Наноэлектроника”. Типография ННГУ, т. 1, 482 стр.. 2020. С. 27-28.

Travkin V.V., Yunin P.A., Fedoseev A.N., Okhapkin A.I., Sachkov Yu.I., Pakhomov G.L. Wavelength-selective degradation of perovskite-based solar cells // Solid State Sciences. V. 99. 2020. P. 106051.

Antonov A.V., Yunin P.A., Ikonnikov A.V., Masterov D.V., Mikhaylov A.N., Morozov S.V., Nozdrin Yu.N., Pavlov S.A., Parafin A.E., Tetelbaum D.I., Ustavshchikov S.S., Vasiliev V.K., Savinov D.A. Critical-field slope reduction and upward curvature of the phase-transition lines of thin disordered superconducting YBa2Cu3O7−x films in strong magnetic fields // Physica C: Superconductivity and its Applications. V. 568. 2020. P. 1353581.

Vostokov N.V., Drozdov M.N., Khrykin O.I., Yunin P.A., Shashkin V.I. Low-barrier Mott diodes with near-surface polarization-induced delta-doping // Applied Physics Letters. V. 116. 2020. P. 013505.

Mochalov L., Logunov A., Kitnis A., Prokhorov I., Kovalev A., Yunin P.A., Gogova D., Vorotyntsev V. Plasma-chemical purification of iodine // Separation and Purification Technology. V. 238. 2020. P. 116446.

Yunin P.A., Travkin V.V., Sachkov Yu.I., Koptyaev A.I., Stuzhin P.A., Pakhomov G.L. Increasing efficiency of hybrid p-CuI/n-Cl6SubPc heterojunction through the interface engineering // Applied Surface Science. V. 512. 2020. P. 145645.

Ustavshchikov S.S., Yu.N. Nozdrin, M.Yu. Levichev, A.A. Okomelkov, I. Pashenkin, Yunin P.A., A.M. Klushin, D.Yu. Vodolazov Photoresponse of current-biased superconductor/normal metal strip with large ratio of resistivities // Journal of Physics D: Applied Physics. 2020. [принято к печати]

Novikov A.V., Krasilynik Z.F., Yurasov D.V., Aleshkin V.Ya., Baidakova N.A., Bushuikin P.A., Andreev B.A., Yunin P.A., Drozdov M.N., Yablonskii A.N., Dubinov A.A. Effect of antimony doping on the energy of optical transitions in n-Ge layers grown on Si (001) and Ge (001) substrates // Journal of Applied Physics. V. 127. 2020. P. 165701-9.

2019

Antonov A.V., Ikonnikov A.V., Masterov D.V., Mikhaylov A.N., Morozov S.V., Nozdrin Yu.N., Pavlov S.A., Parafin A.E., Tetelbaum D.I., Ustavshchikov S.S., Yunin P.A., Savinov D.A. Critical-field slope reduction and intriguing phase diagrams of thin disordered superconducting YBCO films in strong magnetic fields // XXIII Международный Симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника». Труды симпозиума.. Нижний Новгород, 11-14 марта, Т.1. 2019. P. 7-8.

Savinov D.A., Ikonnikov A.V., Antonov A.V., Masterov D.V., Mikhaylov A.N., Morozov S.V., Nozdrin Yu.N., Pavlov S.A., Parafin A.E., Tetelybaum D.I., Ustavshchikov S.S., Yunin P.A. Critical-field slope reduction and intriguing phase diagrams of thin disordered superconducting YBCO films in strong magnetic fields // Сборник тезисов XXIII международного симпозиума “Нанофизика и Наноэлектроника”. Типография ННГУ, т. 1, 545 стр.. 2019. P. 7-8.

Савинов Д.А., Антонов А.В., Васильев В.К., Елькина А.И., Мастеров Д.В., Иконников А.В., Михайлов А.Н., Морозов С.В., Ноздрин Ю.Н., Павлов С.А., Парафин А.Е., Тетельбаум Д.И., Уставщиков С.С., Юнин П.А. Возможное наблюдение s-фазы в тонких неупорядоченных пленках ВТСП на основе YBCO // Тезисы докладов, XVIII Международная школа-конференция молодых ученых «Проблемы физики твердого тела и высоких давлений» с тематическим названием «Идеи и методы физики конденсированного состояния». ФИАН, 130 стр.. 2019. С. 100-102.

Уставщиков С.С., Аладышкин А.Ю., Курин В.В., В. А. Маркелов, А. Н. Елькина, А. М. Клушин, Юнин П.А., В. В. Рогов, Д. Ю. Водолазов СВЧ импеданс тонкоплёночных гибридных структур сверхпроводник – нормальный металл с большим отношением проводимостей // Физика твердого тела. Т. 61. 2019. С. 1722-1728.

Антонов А.В., Иконников А.В., Мастеров Д.В., Михайлов А.Н., Морозов С.В., Ноздрин Ю.Н., Павлов С.А., Парафин А.Е., Тетельбаум Д.И., Уставщиков С.С., Юнин П.А., Савинов Д.А. Отличительные особенности фазовых диаграмм тонких неупорядоченных пленок на основе ВТСП YBa2Cu3O7−x во внешних магнитных полях // Физика твердого тела. № 9. Т. 61. 2019. С. 1573-1578.

Савинов Д.А., Иконников А.В., Мастеров Д.В., Михайлов А.Н., Морозов С.В., Ноздрин Ю.Н., Павлов С.А., Парафин А.Е., Тетельбаум Д.И., Уставщиков С.С., Юнин П.А. Отличительные особенности фазовых диаграмм тонких неупорядоченных пленок на основе ВТСП YBa_2Cu_3O_{7−x} во внешних магнитных полях // Физика твердого тела. № 9. Т. 61. 2019. С. 1573.

2018

Савинов Д.А., Антонов А.В., Иконников А.В., Мастеров Д.В., Михайлов А.Н., Морозов С.В., Ноздрин Ю.Н., Павлов С.А., Парафин А.Е., Тетельбаум Д.И., Уставщиков С.С., Юнин П.А. Особенности фазовых диаграмм узких сверхпроводящих мостиков на основе YBaCuO с разной дозой имплантации ионов кислорода // Сборник тезисов XXII международного симпозиума "Нанофизика и Наноэлектроника". Типография ННГУ, Н. Новгород, 12-15 марта, Т.1, 507 стр. 2018. С. 112-113.

Савинов Д.А., Антонов А.В., Иконников А.В., Мастеров Д.В., Михайлов А.Н., Морозов С.В., Ноздрин Ю.Н., Павлов С.А., Парафин А.Е., Тетельбаум Д.И., Уставщиков С.С., Юнин П.А. Аномальные температурные зависимости верхнего критического поля тонких пленок ВТСП YBCO с контролируемой дозой ионной имплантации // XVII Школа-конференция молодых ученых "Проблемы физики твердого тела и высоких давлений". Тезисы. Москва, ФИАН, пос. Вишневка, пансионат МГУ "Буревестник", 14-23 сентября, 190 стр. 2018. С. 168-170.

Татарский Д.А., Каверин Б.С., Объедков А.М., Кетков С.Ю., Кремлёв К.В., Семёнов Н.М., Гусев С.А., Юнин П.А., Вилков И.В., Фаддеев М.А. НОВЫЙ ГИБРИДНЫЙ МАТЕРИАЛ НА ОСНОВЕ МНОГОСТЕННЫХ УГЛЕРОДНЫХ НАНОТРУБОК, ДЕКОРИРОВАННЫХ РЕНИЙ-ВОЛЬФРАМОВЫМИ НАНОДЕНДРИТАМИ // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. № 7. Т. 2018. 2018. С. 54-59.

D.Yu. Vodolazov, Aladyshkin A.Yu., S.N. Vdovichev, Pestov E.E., Ustavshchikov S.S., Yunin P.A., M.Yu. Levichev, A.V. Putilov, A.I. Elkina, N.N. Bukharov, A.M. Klushin Peculiar superconducting properties of thin-film superconductor--normal metal bilayer with large ratio of resistivities // Superconductor Science and Technology. V. 31. 2018. P. 115004.

Baidus N.V., Aleshkin V.Ya., Dubinov A.A., Kudryavtsev K.E., Nekorkin S.M., Novikov A.V., Pavlov D.A., Rykov A.V., Sushkov A.A., Shaleev M., Yunin P.A., Yurasov D, Krasilnik Z.F. MOCVD Growth of InGaAs/GaAs/AlGaAs Laser Structures with Quantum Wells on Ge/Si Substrates // Crystals. № 8. V. 8. 2018. P. 311.

Байдусь Н.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Красильник З.Ф., Кудрявцев К.Е., Некоркин С.М., Новиков А.В., Рыков А.В., Юнин П.А. Применение компенсирующих слоев GaAsP для роста лазерных гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/GaAs, излучающих на длинах волн больше 1100 нм, на искусственных подложках Ge/Si // Физика и техника полупроводников. № 52. Т. 12. 2018. С. 1443-1446.

Baidus N.V., Aleshkin V.Ya., Dubinov A.A., Krasilnik Z.F., Kudryavtsev K.E., Nekorkin S.M., Novikov A.V., Rykov A.V., Reunov D.G., Shaleev M.V., Yunin P.A., Yurasov D.V. On the Application of Strain-Compensating GaAsP Layers for the Growth of InGaAs/GaAs Quantum-Well Laser Heterostructures Emitting at Wavelengths above 1100 nm on Artificial Ge/Si Substrates // Semiconductors. № 52. V. 12. 2018. P. 1547–1550.

Yunin P.A., Drozdov Yu.N. How to distinguish between opposite faces of an a-plane sapphire wafer // Journal of Applied Crystallography. № 2. V. 51. 2018. P. 549-551.

Buzynin Yu.N., Khrykin O.I., Yunin P.A., Drozdov M.N., Lukyyanov A.Yu. InN Layers Grown by MOCVD on a-Plane Al2O3 // Physica Status Solidi (A) Applications and Materials. № 11. V. 215. 2018. P. 1700919.

Yunin P.A., Drozdov M.N., Drozdov Yu.N., Chkhalo N.I., Polkovnikov V.N., Chirkin M.V., Gololobov G.P., Suvorov D.V., Fu D.Zh., Pelenovich V. Time-of-flight secondary ion mass spectrometry study on Be/Al-based multilayer interferential structures // Thin Solid Films. V. 661. 2018. P. 65-70.

2017

Калентьева И.Л., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Дорохин М.В., Вихрова О.В., Павлов Д.А., Пирогов А.В., Дроздов М.Н., Дроздов Ю.Н., Юнин П.А. Особенности селективного легирования марганцем GaAs гетероструктур // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XXI международного симпозиума. Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т. 2. 2017. С. 612-613.

Шенгуров В.Г., Бузынин Ю.Н., Бузынин А.Н., Байдусь Н.В., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Сушков А.А., Павлов Д.А., Дроздов М.Н., Нежданов А.В., Юнин П.А., Трушин В.Н. Эпитаксиальные подложки GaAs/Ge/Si // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XXI международного симпозиума. Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т. 2. 2017. С. 770-771.

Алешкин В.Я., Байдусь Н.В., Дубинов А.А., Фефелов А.Г., Красильник З.Ф., Кудрявцев К.Е., Некоркин С.М., Новиков А.В., Павлов Д.А., Самарцев И.В., Скороходов Е.В., Шалеев М.В., Сушков А.А., Яблонский А.Н., Юнин П.А., Юрасов Д.В. Лазерные диоды InGaAs/GaAs/AlGaAs, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии на Ge/Si(001) подложках // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XXI международного симпозиума. Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т. 2. 2017. С. 491-492.

Байдусь Н.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Красильник З.Ф., Некоркин С.М., Новиков А.В., Павлов Д.А., Рыков А.В., Сушков А.А., Шалеев М.В., Юнин П.А., Юрасов Д.В., Яблонский А.Н. Особенности выращивания лазерных структур InGaAs/GaAs/AlGaAs на подложках Ge/Si методом МОС-гидридной эпитаксии // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XXI международного симпозиума. Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т. 2. 2017. С. 523-524.

Савинов Д.А., Антонов А.В., Иконников А.В., Мастеров Д.В., Михайлов А.Н., Морозов С.В., Ноздрин Ю.Н., Павлов С.А., Парафин А.Е., Тетельбаум Д.И., Уставщиков С.С., Юнин П.А. Особенности фазовых диаграмм узких сверхпроводящих мостиков на основе YBaCuO с разной дозой имплантации ионов кислорода // Тезисы докладов, XVI Международная школа-конференция молодых ученых «Проблемы физики твердого тела и высоких давлений» с тематическим названием «Идеи и методы физики конденсированного состояния». Сочи, 14 сентября – 24 сентября. 2017. С. 125-126.

Buzynin Yu.N., Shengurov V.G., Zvonkov B.N., Buzynin A.N., Denisov S.A., Baidusy N.V., Drozdov M.N., Pavlov D.A., Yunin P.A. GaAs/Ge/Si epitaxial substrates: development and characteristics // AIP Advances. V. 7. 2017. P. 015304.

Masterov D.V., Parafin A.E., Revin L.S., Chiginev A.V., Skorokhodov E.V., Yunin P.A., Pankratov A.L. YBa2Cu3O7−δ long Josephson junctions on bicrystal Zr1−xYxO2 substrates fabricated by preliminary topology masks // Superconductor Science and Technology. № 2. V. 30. 2017. P. 025007.

Байдусь Н.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Кудрявцев К.Е., Некоркин С.М., Новиков А.В., Павлов Д.А., Рыков А.В., Сушков А.А., Шалеев М.В., Юнин П.А., Юрасов Д.В., Яблонский А.Н., Красильник З.Ф. Особенности выращивания лазерных структур InGaAs/GaAs/AlGaAs методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках Ge/Si // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 51. 2017. С. 1579-1582.

Baidus N.V., Aleshkin V.Ya., Dubinov A.A., Kudryavtsev K.E., Nekorkin S.M., Novikov A.V., Pavlov D.A., Rykov A.V., Sushkov A.A., Shaleev M.V., Yunin P.A., Yurasov D.V., Yablonskiy A.N., Krasilnik Z.F. Peculiarities of Growing InGaAs/GaAs/AlGaAs Laser Structures by MOCVD on Ge/Si Substrates / N.V. Baidus, V.Ya. Aleshkin, A.A. Dubinov, K.E. Kudryavtsev, S.M. Nekorkin, A.V. Novikov, D.A. Pavlov, A.V. Rykov, A.A. Sushkov, M.V. Shaleev, P.A. Yunin, D.V. Yurasov, A.N. Yablonskiy, Z.F. Krasilnik // Semiconductors. № 11. V. 51. 2017. P. 1527-1530.

Болдыревский П.Б., Филатов Д.О., Казанцева И.А., Ревин М.В., Смотрин Д.С., Юнин П.А. Влияние частоты вращения дискового подложкодержателя на кристаллоструктурные характеристики слоев арсенида галлия, формируемых в процессе MOCVD эпитаксии // Журнал технической физики. № 2. Т. 88. 2017. С. 219-223.

2016

Денисов С.А., Степихова М.В., Тетельбаум Д.И., Трушин В.Н., Чалков В.Ю., Здоровейщев А.В., Зайцев А.В., Юнин П.А., Красильник З.Ф., Шенгуров В.Г. Светоизлучающие слои германия на кремнии, легированные фосфором в процессе ионной имплантации // Тезисы докладов VI Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Нижний Новгород, Россия, 24-27 октября 2016 г.. 2016. С. 87-88.

Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Кудрявцев К.Е., Юнин П.А., Дроздов М.Н., Вихрова О.В., Некоркин С.М., Звонков Б.Н. Стимулированное излучение из объемного метаморфного слоя GaAsSb на GaAs-подложке // Физика и техника полупроводников. Т. 50. 2016. С. 596-599.

Королев Д.С., Мастеров Д.В., Охапкин А.И., Павлов С.А., Парафин А.Е., Юнин П.А., Королев С.А., Михайлов А.Н., Васильев В.К., Тетельбаум Д.И. Модификация пленок высокотемпературного сверхпроводника YBa2Cu3O7-d методом ионной имплантации // Поверхность. Рентгеновские, синхронные и нейтронные исследования. № 4. 2016. С. 80-83.

Aleshkin V.Ya., Baidusy N.V., Dubinov A.A., Krasilynik Z.F., Kudryavtsev K.E., Nekorkin S.M., Novikov A.V., Pavlov D.A., Samartsev I.V., Skorokhodov E.V., Shaleev M.V., Sushkov A.A., Yablonskii A.N., Yunin P.A., Yurasov D.V. Monolithically integrated InGaAs/GaAs/AlGaAs quantum well laser grownby MOCVD on exact Ge/Si(001) substrate // Appl. Phys. Lett.. № 061111. V. 109. 2016. P. 1-5.

Samokhvalov A.V., Vdovichev S.N., Pestov E.E., Nozdrin Yu.N., Yunin P.A. Phase Transitions in Hybrid SFS Structures with Thin Superconducting Layers // JETP Letters. № 5. V. 104. 2016. P. 329.

Lobanov D.N., Novikov A.V., Andreev B.A., Bushuikin P.A., Yunin P.A., Skorokhodov E.V. Features of InN Growth by Nitrogen-Plasma-Assisted MBE at Different Ratios of Fluxes of Group-III and -V Elements // Semiconductors. № 2. V. 50. 2016. P. 261–265.

Drozdov M.N., Drozdov Yu.N., Csik A., Novikov A.V., Vad K., Yunin P.A., Yurasov D.V., Belykh S.F., Gololobov G.P., Suvorov D.V., Tolstogouzov A. Quantitative depth profiling of Si1−xGex structures by time-of-flight secondary ion mass spectrometry and secondary neutral mass spectrometry // Thin Solid Films. V. 607. 2016. P. 25-31.

I. E. Ilyakov, B.V. Shishkin, D. A. Fadeev, I. V. Oladyshkin, V. V. Chernov, A. I. Okhapkin, P.A. Yunin, V. A. Mironov, R. A. Akhmedzhanov Terahertz radiation from bismuth surface induced by femtosecond laser pulses // Optics Letters. № 18. V. 41. 2016. P. 4289-4292.

2015

Королев С.А., Мастеров Д.В., Охапкин А.И., Павлов С.А., Парафин А.Е., Юнин П.А., Королев Д.С., Михайлов А.Н., Васильев В.К., Тетельбаум Д.И. Модификация пленок высокотемпературного сверхпроводника YBa2Cu3O7-d методом ионной имплантации // XIX Международный Симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника». Труды. Нижний Новгород, 10–14 марта, 2015. 2 стр. 2015. С. 79-80.

Степихова М.В., Юнин П.А., Красильник З.Ф., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Гусейнов Д.В., Тетельбаум Д.И., Шенгуров В.Г. Люминесцентные свойства эпитаксиальных слоев германия на кремнии, выращенных методом химического газофазного осаждения с горячей проволокой // XIX Международный Симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника». Труды. Нижний Новгород, 10–14 марта, 2015. Т.2, 2 стр. 2015. С. 658-659.

Вихрова О.В., Ганьшина Е.А., Данилов Ю.А., Дроздов Ю.Н., Дудин Ю.А., Звонков Б.Н., Зыков Г.С., Кудрин А.В., Кунькова З.Э., Лесников В.П., Петрякова Е.В., Питиримова Е.А., Темирязева М.П., Юнин П.А., Якубов Р.Р. Ферромагнетизм в InFeAs-слоях, сформированных методом импульсного лазерного нанесения // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XIX Международного симпозиума. 10-14 марта 2015 г.. Нижний Новгород. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2015. Т.1. 2015. С. 160-161.

Байдакова Н.А., Бобров А.И., Дроздов М.Н., Новиков А.В., Павлов Д.А., Шалеев М.В., Юнин П.А., Юрасов Д.В., Красильник З.Ф. Байдакова Н.А., Бобров А.И., Дроздов М.Н., Новиков А.В., Павлов Д.А., Шалеев М.В., Юнин П.А., Юрасов Д.В., Красильник З.Ф. Светоизлучающие SiGe -структуры, выращенные на структурах «напряженный кремний на изоляторе» // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XIX международного симпозиума (Нижний Новгород, 10-14 марта 2015 г.) в 2-х томах. Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2015.- Т. 2.- 359 с. 2015. С. 427-428.

Юрасов Д.В., Байдакова Н.А., Бобров А.И., Дроздов М.Н., Данильцев В.М., Малехонова Н.В., Новиков А.В., Павлов Д.А., Шалеев М.В., Юнин П.А. Релаксированные Ge-слои на Si (001) и их легирование донорными примесями // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XIX международного симпозиума (Нижний Новгород, 10-14 марта 2015 г.) в 2-х томах. Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2015.- Т. 2.- 359 с. 2015. С. 721-722.

Гусейнов Д.В., Денисов С.А., Нежданов А.В., Антонов И.Н., Тетельбаум Д.И., Юнин П.А., Трушин В.Н., Филатов Д.О., Степихова М.В., Красильник З.Ф., Шенгуров В.Г. Имплантируемые ионами P+ слои германия на Si(100) для светоизлучающих приборов // XXII международная конференция «Взаимодействие ионов с поверхностью (ВИП-2015)». Москва, Россия, 20-24 августа 2015, Т.2. 2015. С. 120-123.

Дикарева Н.В., Звонков Б.Н., Некоркин С.М., Байдусь Н.В., Вихрова О.В., Юнин П.А. Конструктивные особенности активной среды полупроводниковых лазеров с вытеканием излучения через подложку. // Труды XIX научной конференции по радиофизике, Н. Новгород. ННГУ, 2015, 300с.. 2015. С. 31.

Планкина С.М., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Калентьева И.Л., Нежданов А.В., Чунин И.И., Юнин П.А. Исследование дельта-легированных марганцем гетеронаноструктур InGaAs/GaAs методом спектроскопии комбинационного рассеяния света // Физика и техника полупроводников. № 1. Т. 49. 2015. С. 102-106.

Мочалова А.Е., Круглова Е.Н., Юнин П.А., Апрятина К.В., Смирнова Л.А., Смирнова О.Н. Получение привитых и блок-сополимеров хитозана с виниловыми мономерами, их структура и свойства // Высокомолекулярные соединения. Серия Б. № 2. Т. 57. 2015. С. 99-112.

Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Бузынин Ю.Н., Дроздов М.Н., Бузынин А.Н., Юнин П.А. Тонкие монокристаллические слои Ge на 2-х дюймовых подложках Si // Письма в журнал технической физики. № 1. Т. 41. 2015. С. 71-78.

Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Buzynin Yu.N., Drozdov M.N., Buzynin A.N., Yunin P.A. Thin Single-Crystal Ge Layers on 2′′ Si Substrates // Technical Physics Letters. № 1. V. 41. 2015. P. 36-39.

Plankina S.M., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Kalentyeva I.L., Nezhdanov A.V., Chunin I.I., Yunin P.A. Raman Spectroscopy of InGaAs/GaAs Nanoheterostructures Delta-doped with Mn // Semiconductors. № 1. V. 49. 2015. P. 99-103.

Байдакова Н.А., Бобров А.И., Дроздов М.Н., Новиков А.В., Павлов Д.А., Шалеев М.В., Юнин П.А., Юрасов Д.В., Красильник З.Ф. Рост светоизлучающих SiGe-гетероструктур на подложках «напряженный кремний-на-изоляторе» с тонким слоем окисла // Физика и техника полупроводников. № 8. Т. 49. 2015. С. 11129-1135.

Baidakova N.A., Bobrov A.I., Drozdov M.N., Novikov A.V., Pavlov D.A., Shaleev M.V., Yunin P.A., Yurasov D.V., Krasilynik Z.F. Growth of Light Emitting SiGe Heterostructures on Strained Silicon on Insulator Substrates with a Thin Oxide Layer // Semiconductors. № 8. V. 49. 2015. P. 1104-1110.

Алешкин В.Я., Дикарева Н.В., Дубинов А.А., Звонков Б.Н., Кудрявцев К.Е., Некоркин С.М., Новиков А.В., Юнин П.А., Юрасов Д.В. Волноводный эффект квантовых ям InGaAs в структуре GaAs на подложке Si с буферным слоем Ge // Письма в ЖТФ. Т. 41. 2015. С. 72-78.

Юрасов Д.В., Бобров А.И., Новиков А.В., Данильцев В.М., Скороходов Е.В., Шалеев М.В., Юнин П.А. Влияние условий роста и отжига на параметры релаксированных Ge/Si(001) слоев, полученных методом МПЭ // Физика и техника полупроводников. Т. 49. 2015. С. 1463-1468.

Вихрова О.В., Звонков Б.Н., Дорохин М.В., Калентьева И.Л., Морозов С.В., Крыжков Д.И., Юнин П.А. Структурные и оптические свойства гетероструктур с квантовыми ямами GaAsSb, выращенных методом лазерного осаждения // Физика и техника полупроводников. № 49. Т. 1. 2015. С. 113-116.

Vikhrova O.V., Zvonkov B.N., Dorokhin M.V., Kalentyeva I.L., Morozov S.V., Kryzhkov D.I., Yunin P.A. Structural and optical properties of GaAsSb QW heterostructures grown by laser deposition // Semiconductors. № 49. V. 1. 2015. P. 109-112.

Aleshkin V.Ya., Dikareva N.V., Dubinov A.A., Zvonkov B.N., Kudryavtsev K.E., Nekorkin S.M., Novikov A.V., Yunin P.A., Yurasov D.V. The waveguide effect of InGaAs quantum wells in a GaAs structure on Si substrate with Ge buffer layer // Technical Physics Letters. № 7. V. 47. 2015. P. 648-650.

Юрасов Д.В., Бобров А.И., Новиков А.В., Данильцев В.М., Павлов Д.А., Скороходов Е.В., Шалеев М.В., Юнин П.А. Влияние условий роста и отжига на параметры релаксированных Ge/Si(001) слоев, полученных методом МПЭ // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 49. 2015. С. 1463-1468.

Yurasov D.V., Bobrov A.I., Daniltsev V.M., Novikov A.V., Pavlov D.A., Skorokhodov E.V., Shaleev M.V., Yunin P.A. Impact of Growth and Annealing Conditions on the Parameters of Ge/Si(001) Relaxed Layers Grown by Molecular Beam Epitaxy // Semiconductors. № 11. V. 49. 2015. P. 1415-1420.

2014

Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дроздов М.Н., Дроздов Ю.Н., Звонков Б.Н., Юнин П.А. Свойства квантовых ям GaAs/InGaAs/GaAs, легированных атомами переходных 3d-элементов // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XVIII Международного симпозиума. Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г.. Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госун-та. Т.2.. 2014. С. 446-447.

Danilov Yu.A., Drozdov Yu.N., Kudrin A.V., Lesnikov V.P., Pitirimova E.A., Vikhrova O.V., Yunin P.A., Zvonkov B.N. Ferromagnetism in InFeAs layers, formed by laser deposition // Moscow International Symposium on Magnetism, 29 June – 3 July 2014. Book of Abstracts.. MSU. 2014. P. 203.

Байдакова Н.А., Дубинов А.А., Красильникова Л.В., Новиков А.В., Юнин П.А., Юрасов Д.В., Яблонский А.Н., Werner P. Структурные и оптические свойства короткопериодных Ge/Si решеток, выращенных на Ge(001) подложках // Труды XVIII Симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Нижний Новгород, 10-14 марта, 2014, Т.2, 2 стр.. 2014. С. 579-580.

Матвеев С.А., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г., Степихова М.В., Дроздов М.Н., Юнин П.А., Захаров Н.Д. Периодические гетероструктуры Si/SiGe, выращенные на Si(100) из атомарного потока Si и молекулярного потока моногремана // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. № 1(2). 2014. С. 84-87.

Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Бузынин Ю.Н., Дроздов М.Н., Бузынин А.Н., Юнин П.А. Тонкие монокристаллические слои Ge на 2-х дюймовых подложках Si // Письма в журнал технической физики. № 1. Т. 41. 2014. С. 71-78. [принято к печати]

Zhukavin R.Kh., Bekin N.A., Lobanov D.N., Drozdov Yu.N., Yunin P.A., Drozdov M.N., Pryakhin D.A., Chkhalo E.D., Kozlov D.V., Novikov A.V., Shastin V.N. Coulomb centers assisted tunneling in a δ-doped triple barrier SiGe heterostructure // Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. V. 57. 2014. P. 42-46.

2013

Саломатина Е.В., Юнин П.А., Смирнова Л.А. Исследование структуры органо-неорганических сополимеров, содержащих полититаноксид // Менделеев-2013. Нанохимия и наноматериалы. Седьмая всероссийской конференции молодых ученых, аспирантов и студентов с международным участием по химии и наноматериалам. Тезисы докладов.. Санкт-Петербург. 2-5 апреля 2013. Т. 4. 3 стр.. 2013. С. 73-75.

2012

Новиков А.В., Дроздов Ю.Н., Дроздов М.Н., Юнин П.А., Юрасов Д.В. Способ учета параметра сдвига при восстановлении распределения состава полупроводниковых структур по глубине в методе ВИМС // Физика и техника полупроводников. Т. 46. 2012. С. 1515-1520.