Вшивцев Максим Анатольевич

Место работы

Научно-исследовательский институт химии

Научно-исследовательская лаборатория инженерной химии

инженер

Ученая степень

нет

Ученое звание

нет

Общие сведения

Научная Работа

Образование, учёные степени и учёные звания

бакалавр
бакалавр. Специальность: электроника и наноэлектроника. Квалификация: бакалавр.

магистр
магистр. Специальность: электроника и наноэлектроника. Квалификация: магистр.

Список преподаваемых дисциплин

Публикации

2024

Сборники статей

Mochalov L.A., Vshivtsev M.A., Kudryashov M.A., Slapovskaya E.A., Safronova S.S. Structural and Optical Properties of PECVD-prepared Cadmium Telluride Thin Films // IEEE, 2024 24th International Conference on Transparent Optical Networks (ICTON). Bari, Italy: DOI: 10.1109/ICTON62926.2024.10647974. 2024. P. 1-4.

Публикации в научных журналах

Mochalov L.A., Kudryashov M.A., Vshivtsev M.A., Kudryashova Yu.P., Prokhorov I.O., Knyazev A.V., Almaev A.V., Yakovlev N.N., Chernikov E.V., Erzakova N.N. Direct One-Step Plasma-Chemical Synthesis of Nanostructured β-Ga2O3–GaN Thin Films of Various Compositions // High Energy Chemistry. № 3. V. 58. 2024. P. 322-327.

Kudryashov M.A., Mochalov L.A., Kudryashova Yu.P., Slapovskaya E.A., Vshivtsev M.A., Kryukov R.N. The Effect of Substrate Temperature on the Optical Properties of GaSe Thin Films Obtained by PECVD // Photonics Russia. № 3. V. 18. 2024. P. 246-254.

Kudryashov M.A., Mochalov L.A., Vshivtsev M.A., Prokhorov I.O., Spivak Yu.M., Moshnikov V.A., Kudryashova Yu.P., Mosyagin P.V., Slapovskaya E.A., Malyshev V.M. Effect of substrate temperature on the Ga-S films properties prepared by PECVD // Technical Physics. № 4. V. 69. 2024. P. 609-613.

Руководитель: Сулейманов Евгений Владимирович