Воронцов Владислав Алексеевич

Место работы

Физический факультет

Кафедра физики полупроводников, электроники и наноэлектроники

инженер

Ученая степень
нет
Ученое звание
нет
Общий стаж работы 1 год, 3 мес.

Общие сведения

Научная Работа


Образование, учёные степени и учёные звания

Высшее образование - специалитет, магистратура
магистр. Специальность: электроника и наноэлектроника. Квалификация: магистр.

Высшее образование - бакалавриат
бакалавр. Специальность: нанотехнологии и микросистемная техника. Квалификация: бакалавр.

Список преподаваемых дисциплин

Публикации

2021

Публикации в научных журналах

Novikov A.S., Filatov D.O., Shenina M.E., Antonov I.N., Antonov D.A., Nezhdanov A.V., Vorontsov V.A., Pavlov D.A., Gorshkov O.N. A mechanism of effect of optical excitation on resistive switching in ZrO2(Y) films with Au nanoparticles // Journal Physics D: Applied Physics. V. 54. 2021. P. 485303.

Vorontsov V.A., Antonov D.A., Kruglov A.V., Antonov I.N., Shenina M.E., Kotomina V.E., Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Pavlov D.A., Filatov D.O., Gorshkov O.N. Investigation of resistive switching in Ag/Ge/Si(001) stack by conduc-tive atomic force microscopy // Journal of Physics: Conference Series. V. 2086. 2021. P. 012043(1-4).

Koryazhkina M.N., Filatov D.O., Tikhov S.V., Belov A.I., Korolev D.S., Kruglov A.V., Kryukov R.N., Zubkov S.Yu., Vorontsov V.A., Pavlov D.A., Tetelybaum D.I., Mikhailov A.N., Kim S. Electrical Properties of Silicon-Oxide-Based Memristors on Silicon-on-Insulator Substrates // NANOBIOTECHNOLOGY REPORTS. № 6. V. 16. 2021. P. 745-754.

2020

Труды (тезисы) конференции

Ладугин М.А., Андреев А.Ю., Яроцкая И.В., Рябоштан Ю.Л., Падалица А.А., Мармалюк А.А., Воронцов В.А., Орлова А.Н., Усов Ю.В., Павлов Д.А. Гетероструктуры GaInP/GaAs с напряженно-растянутыми квантовыми ямами InGaAsP // «Нанофизика и наноэлектроника» Труды XXIV Международного симпозиума, 10–13 марта 2020 г., Нижний Новгород. Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2, 505 с. 2020. С. 643-644.

Gorshkov O.N., Filatov D.O., Koveshnikov S.V., Shenina M.E., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Antonov I.N., Pavlov D.A., Vorontsov V.A., Kruglov A.V., Yakimov E.B. Bipolar resistive switching in memristors based on Ge/Si(001) epitaxial layer // 7th International School and Conference "Saint-Petersburg OPEN 2020" on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures. Saint Petersburg, Russia, April 26 – 30, 2020. Book of Abstracts. St. Petersburg Academic University, 2020.- 543 pp. 2020. P. 434-435.

Filatov D.O., Shenina M.E., Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Vorontsov V.A., Pavlov D.A., Gorshkov O.N. Resistive switching in memristors based on Ge/Si(001) epitaxial layers // 28th International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology” . Minsk, Republic of Belarus, September 28 – October 2, 2020. Book of Abstracts Saint Petersburg Ioffe Institute, Russia, 2020.- 228 pp. 2020. P. 109-110.

Публикации в научных журналах

Gorshkov O.N., Filatov D.O., Koveshnikov S.V., Shenina M.E., Soltanovich O.A., Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Antonov I.N., Pavlov D.A., Vorontsov V.A., Kruglov A.V., Yakimov E.B. Bipolar resistive switching in memristors based on Ge/Si(001) epitaxial layers // Journal of Physics: Conference Series. V. 1695. 2020. P. 012158(1-5).

Filatov D.O., Shenina M.E., Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Kruglov A.V., Vorontsov V.A., Pavlov D.A., Gorshkov O.N. Resistive Switching in Memristors Based on Ge/Si(001) Epitaxial Layers // Semiconductors. № 14. V. 54. 2020. P. 1833-1835.

©  Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского