Чалков Вадим Юрьевич
Научно-исследовательский физико-технический институт
инженер
Научно-исследовательский физико-технический институт
Отдел твердотельной электроники и оптоэлектроники
Лаборатория физики и технологии тонких пленок
инженер
Кафедра физики полупроводников, электроники и наноэлектроники
младший научный сотрудник
Общие сведения
Научная Работа
Образование, учёные степени и учёные звания
Высшее образование
Специальность: микроэлектроника и полупроводниковые приборы. Квалификация: инженер.
Список преподаваемых дисциплин
Публикации
2024
Публикации в научных журналахShengurov V.G., Buzynin Yu.N., Chalkov V.Yu., Nezhdanov A.V., Kudrin A.V., Yunin P.A. Polycrystalline GeSn Films Grown by Hot Wire Chemical Vapor Deposition on SiO2/Si(001) Substrates // Physica Status Solidi - Rapid Research Letters. V. 18. 2024. P. 2300484.
2023
Публикации в научных журналахТитова А.М., Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Зайцев А.В., Алябина Н.А., Кудрин А.В., Здоровейщев А.В. Гетероэпитаксиальные слои Ge/Si(001), легированные в процессе HW CVD испарением примеси из сублимирующего Ge-источника // Semiconductors. Т. 57. 2023. С. 719-724.
2022
Труды (тезисы) конференцииЕршов А.В., Коряжкина М.Н., Филатов Д.О., Шенина М.Е., Антонов И.Н., Круглов А.В., Горшков А.П., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г. Исследование влияния оптического излучения на резистивное переключение МДП-структур на основе ZrO2(Y) на подложках Si(001) с наноостровками Ge // Материалы XXVI Междунар. симпоз. «Нанофизика и наноэлектроника» 14–17 марта 2022 г., Нижний Новгород. Нижний Новгород, изд-во ННГУ, 2022.– В 2-х томах.–Т.2.. 2022. С. 858-859.
Публикации в научных журналахShengurov V.G., Chalkov V.Yu., Denisov S.A., Trushin V.N., Zaitsev A.V., Nezhdanov A.V., Pavlov D.A., Filatov D.O. Growth Defects in GeSn/Ge/Si(001) Epitaxial Layers Grown by Hot Wire Chemical Vapor Deposition of Ge with Co-evaporaton of Sn // Journal of Crystal Growth. V. 578. 2022. P. 126421.
Sushkov A.A., Pavlov D.A., Andrianov A.I., Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Kryukov R.N., Baidusy N.V., Yurasov D.V., Novikov A.V. Comparison of III–V Heterostructures Grown on Ge/Si, Ge/SOI, and GaAs // Semiconductors. № 2. V. 56. 2022. P. 122-133.
Buzynin Yu.N., Shengurov V.G., Denisov S.A., Yunin P.A., Chalkov V.Yu., Drozdov M.N., Korolyov S.A., Nezhdanov A.V. High Hole Mobility of Polycrystalline GeSn Layers Grown by Hot-Wire Chemical Vapor Deposition on Diamond Substrates // Physica Status Solidi - Rapid Research Letetrs. V. 16. 2022. P. 2100421.
Koryazhkina M.N., Filatov D.O., Shenina M.E., Antonov I.N., Kruglov A.V., Ershov A.V., Gorshkov A.P., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Shengurov V.G. Investigation of the effect of optical radiation on resistive switching of MIS-structures based on ZrO2(Y) on Si(001) substrates with Ge nanoislands // Semiconductors. № 8. V. 56. 2022. P. 509-512.
Filatov D.O., Titova A.M., Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Vedy M.V., Zaitsev A.V., Sushkov A.A., Alyabina N.A. Epitaxial n+-Ge/p+-Si(001) heterostructures with ultra sharp doping profiles for light emitting diode applications // Materials Science and Engineering: B. № 11. V. 289. 2022. P. 116219.
2021
Труды (тезисы) конференцииТитова А.М., Денисов С.А., Шенгуров В.Г., Чалков В.Ю., Зайцев А.В., Трушин В.Н., Кудрин А.В., Филатов Д.О., Нежданов А.В., Бузынин Ю.Н. In situ легирование гетероэпитаксиальных слоев Ge1-xSnx/Si(001) при их выращивании методом HW CVD // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXV Международного симпозиума (Нижний Новгород, 9–12 марта 2021 г.) В 2 т. Том 2. — Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2021. – C.467. Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXV Международного симпозиума (Нижний Новгород, 9–12 марта 2021 г.) В 2 т. Том 2. — Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2021. – C.467. 2021. С. 362.
Сушков А.А., Павлов Д.А., Андрианов А.И., Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Крюков Р.Н., Байдусь Н.В., Рыков А.В., Юрасов Д.В., Новиков А.В. Диагностика А3В5 гетероструктур на Ge/Si, Ge/SOI // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXV Международного симпозиума (Нижний Новгород, 9–12 марта 2021 г.) В 2 т.. Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2021. - Т.2.– 467с.. 2021. С. 864-865.
Титова А.М., Шенгуров В.Г., Алябина Н.А., Кудрин А.В., Чалков В.Ю., Трушин В.Н., Нежданов А.В., Денисов С.А. ЛЕГИРОВАННЫЕ В ПРОЦЕССЕ РОСТА АТОМАМИ ГАЛЛИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ GE1-XSNX:GA/SI(100): СТРУКТУРНЫЕ СВОЙСТВА И ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ // XXVI НИЖЕГОРОДСКАЯ СЕССИЯ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ (ТЕХНИЧЕСКИЕ, ЕСТЕСТВЕННЫЕ НАУКИ) Материалы конференции. Нижний Новгород, 2021. XXVI НИЖЕГОРОДСКАЯ СЕССИЯ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ (ТЕХНИЧЕСКИЕ, ЕСТЕСТВЕННЫЕ НАУКИ) Материалы конференции. Нижний Новгород, 2021 Издательство: Издательство "Перо", с 261. 2021. С. 247-249.
Публикации в научных журналахBuzynin Yu.N., Shengurov V.G., Denisov S.A., Yunin P.A., Chalkov V.Yu., Drozdov M.N., Korolev S.A., Nezhdanov A.V. High hole mobility of polycrystalline GeSn layers grown by HWCVD on diamond substrates // Physica Status Solidi - Rapid Research Letters. 2021. P. 1.
Shengurov V.G., Chalkov V.Yu., Denisov S.A., Trushin V.N., Zaitsev A.V., Nezhdanov A.V., Pavlov D.A., Filatov D.O. Growth Defects in GeSn/Ge/Si(001) Epitaxial Layers Grown by Hot Wire Chemical Vapor Deposition of Ge with Co-evaporaton of Sn // Journal of Crystal Growth. 2021. P. 126421.
Vorontsov V.A., Antonov D.A., Kruglov A.V., Antonov I.N., Shenina M.E., Kotomina V.E., Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Pavlov D.A., Filatov D.O., Gorshkov O.N. Investigation of resistive switching in Ag/Ge/Si(001) stack by conduc-tive atomic force microscopy // Journal of Physics: Conference Series. V. 2086. 2021. P. 012043(1-4).
Filatov D.O., Vorontsov V.A., Antonov D.A., Kruglov A.V., Antonov I.N., Kotomina V.E., Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Gorshkov O.N. Demonstration of the Effect of Resistive Switching of Individual Filaments in Memristor Ag/Ge/Si Structures Using Atomic Force Microscopy // Technical Physics Letters. № 11. V. 47. 2021. P. 781–784.
2020
Труды (тезисы) конференцииСушков А.А., Павлов Д.А., Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Чалков В.Ю. Структурные свойства слоя Ge, выращенного на гетероструктуре Si/SiO2/Si(100) методом «горячей проволоки» // «Нанофизика и наноэлектроника» Труды XXIV Международного симпозиума, 10–13 марта 2020 г., Нижний Новгород. Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2, 505 с. 2020. С. 749-750.
Gorshkov O.N., Filatov D.O., Koveshnikov S.V., Shenina M.E., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Antonov I.N., Pavlov D.A., Vorontsov V.A., Kruglov A.V., Yakimov E.B. Bipolar resistive switching in memristors based on Ge/Si(001) epitaxial layer // 7th International School and Conference "Saint-Petersburg OPEN 2020" on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures. Saint Petersburg, Russia, April 26 – 30, 2020. Book of Abstracts. St. Petersburg Academic University, 2020.- 543 pp. 2020. P. 434-435.
Гагарин А.Г., Денисов С.А., Минеев М.Н., Павлов Д.А., Сушков А.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г. Формирование и структурные исследования Ge/Si слоев на Si/SiO2/Si (100) // Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение: прогр. и материалы 18-й Междунар. науч. конф.-шк. (Саранск, 15-18 сент. 2020 г.). Саранск: Изд-во Мордов. ун-та, 2020.- 228 с. 2020. С. 59.
Filatov D.O., Shenina M.E., Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Vorontsov V.A., Pavlov D.A., Gorshkov O.N. Resistive switching in memristors based on Ge/Si(001) epitaxial layers // 28th International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology” . Minsk, Republic of Belarus, September 28 – October 2, 2020. Book of Abstracts Saint Petersburg Ioffe Institute, Russia, 2020.- 228 pp. 2020. P. 109-110.
Публикации в научных журналахSushkov A.A., Pavlov D.A., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Kryukov R.N., Pitirimova E.A. Growth of a Ge Layer on a Si/SiO2/Si(100) Structure by the Hot-Wire Method // Semiconductors. № 10. V. 54. 2020. P. 1332-1335.
Gorshkov O.N., Filatov D.O., Koveshnikov S.V., Shenina M.E., Soltanovich O.A., Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Antonov I.N., Pavlov D.A., Vorontsov V.A., Kruglov A.V., Yakimov E.B. Bipolar resistive switching in memristors based on Ge/Si(001) epitaxial layers // Journal of Physics: Conference Series. V. 1695. 2020. P. 012158(1-5).
Ivanova M.M., Filatov D.O., Nezhdanov A.V., Shengurov V.G., Chalkov V.Yu., Denisov S.A. On the Influence of Pulsed Gamma-Neutron Irradiation on the Morphology of Self-Assembled GeSi/Si(001) Nanoislands // Journal of Surface Investigation. № 1. V. 14. 2020. P. 169-175.
Gorshkov O.N., Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Antonov I.N., Kruglov A.V., Shenina M.E., Kotomina V.E., Filatov D.O., Serov D.A. Resistive Switching in Memristors Based on Ag/Ge/Si Heterostructures // Technical Physics Letters. № 46. V. 1. 2020. P. 91-93.
Filatov D.O., Shenina M.E., Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Kruglov A.V., Vorontsov V.A., Pavlov D.A., Gorshkov O.N. Resistive Switching in Memristors Based on Ge/Si(001) Epitaxial Layers // Semiconductors. № 14. V. 54. 2020. P. 1833-1835.
Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Filatov D.O., Kudrin A.V., Sychov S.M., Trushin V.N., Zaitsev A.V., Titova A.M., Alyabina N.A. Gallium-doped germanium epitaxial layers grown on silicon substrates by hot wire chemical vapor deposition // Materials Science & Engineering B: Solid-State Materials for Advanced Technology. № 259. 2020. P. 114579.
2019
Труды (тезисы) конференцииСамарцев И.В., Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Байдусь Н.В., Рыков А.В., Кудрявцев К.Е., Шенгуров В.Г., Чалков В.Ю. Фоточувствительная структура InGaAs на подложке Si/Ge (001) с градиентным метаморфным буферным слоем InGaAsP // Материалы XXIII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника»,. Н.Новгород: Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2. 2019. 411 с. 2019. С. 821-822.
Филатов Д.О., Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Алябина Н.А., Зайцев А.В., Дроздов М.Н. Эпитаксиальные структуры n++-Ge/p++-Si(001) для туннельного p-n-перехода // Труды XXIII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (Нижний Новгород, 11-14 марта 2019). Нижний Новгород: ИФМ РАН, 2019. Т.2. 416 с.. 2019. С. 3Вт 60.
Филатов Д.О., Прохоров Д.С., Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Здоровейщев А.В., Чалков В.Ю., Ведь М.В., Дорохин М.В., Степихова М.В. Усиленная фотолюминесценция сильнолегированных слоев Ge/Si(001) n-типа проводимости // Труды XXIII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (Нижний Новгород, 11-14 марта 2019). Нижний Новгород: ИФМ РАН, 2019. Т.2. 416 с. 2019. С. 4Ср 40.
Публикации в научных журналахShengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Trushin V.N., Zaitsev A.V., Prokhorov D., Filatov D.O., Zdoroveishchev A.V., Vedy M.V., Kudrin A.V., Dorokhin M.V., Buzynin Yu. Ultra-high phosphorus-doped epitaxial Ge layers grown by HWCVD method on Si substrates // Materials Science in Semiconductor Processing. V. 100. 2019. P. 175-178.
Сушков А.А., Павлов Д.А., Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Байдусь Н.В., Рыков А.В., Крюков Р.Н. Исследования поперечного среза и фотолюминесценции слоя GaAs, выращенного на подложке Si/Al2O3 // Физика и техника полупроводников. № 53. Т. 9. 2019. С. 1271-1274.
Sushkov A.A., Pavlov D.A., Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Baidus N.V., Rykov A.V., Kryukov R.N. Studies of the Cross Section and Photoluminescence of a GaAs Layer Grown on a Si/Al2O3 Substrate // Semiconductors. № 53. V. 9. 2019. P. 1242–1245.
Filatov D.O., Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Trushin V.N., Zaitsev A.V., Prokhorov D.V., Zdoroveishchev A.V., Vedy M.V., Kudrin A.V., Dorokhin M.V., Buzynin Yu.I. Ultra-high phosphorus-doped epitaxial Ge layers grown by HWCVD method on Si substrates // Materials Science in Semiconductor Processing. V. 100. 2019. P. 175-178.
Filatov D.O., Prokhorov D.S., Shengurov V.G., Denisov S.A., Zdoroveishchev A.V., Chalkov V.Yu., Zaitsev A.V., Vedy M.V., Dorokhin M.V., Baidakova N.A. Enhanced Photoluminescence of Heavily Doped n-Ge/Si(001) Layers // Semiconductors. № 9. V. 53. 2019. P. 1262–1265.
Filatov D.O., Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Alyabina N.A., Zaitsev A.V. Tunnel Diodes Based on n+-Ge/p+-Si(001) Epitaxial Structures Grown by the Hot-Wire Chemical Vapor Deposition // Semiconductors. № 9. V. 53. 2019. P. 1238–1241..
2018
Труды (тезисы) конференцииЗдоровейщев А.В., Чалков В.Ю., Денисов С.А., Ведь М.В., Кудрин А.В., Дорохин М.В., Трушин В.Н., Филатов Д.О., Шенгуров В.Г. Фотолюминесценция сильнолегированных фосфором эпитаксиальных слоёв Ge на Si (001) // «Нанофизика и наноэлектроника» Материалы XXII Международного симпозиума, 12–15 марта 2018 г., Нижний Новгород.. Н.Новгород: Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2. 2018. 2 С.. 2018. С. 627-628.
Рыков А.В., Дорохин М.В., Вергелес П.С., Ковальский В.А., Якимов Е.Б., Байдусь Н.В., Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Чалков В.Ю. Структурное исследование излучающих структур А3В5 на Ge/Si(100) подложке // «Нанофизика и наноэлектроника» Материалы XXII Международного симпозиума, 12–15 марта 2018 г., Нижний Новгород.. Н.Новгород: Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2. 2018. 389 с.. 2018. С. 751-752.
Публикации в научных журналахIvanova M.M., Kachemtsev A.N., Mikhaylov A.N., Filatov D.O., Gorshkov A.P., Volkova N.S., Chalkov V.Yu., Shengurov V.G. Effect of Pulsed Gamma-Neutron Irradiation on the Photosensitivity of Si-Based Photodiodes with GeSi Nanoislands and Ge Epitaxial Layers // Semiconductors. № 6. V. 52. 2018. P. 797-801.
Filatov D.O., Guseinov D.V., Denisov S.A., Shengurov V.G., Chalkov V.Yu. Ballistic Hole Emission Spectroscopy of Self-Assembled GeSi/Si(001) Nanoislands // Semiconductors. № 5. V. 52. 2018. P. 590-592.
2017
Труды (тезисы) конференцииШенгуров В.Г., Бузынин Ю.Н., Бузынин А.Н., Байдусь Н.В., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Сушков А.А., Павлов Д.А., Дроздов М.Н., Нежданов А.В., Юнин П.А., Трушин В.Н. Эпитаксиальные подложки GaAs/Ge/Si // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XXI международного симпозиума. Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т. 2. 2017. С. 770-771.
Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Detochenko A.P., Ezhevskii A.A., Nezhdanov A.V., Stepikhova M.V., Gavva V.A., Bulanov A.D. Molecular beam epitaxy of monoisotopic 30Si and 30Si1-x74Gex // Abstract book 19th European Workshop on Molecular Beam Epitaxy (EuroMBE19), March 19-22, 2017. Korobitsyno, Saint-Petersburg, Russia. 2017. P. 87.
Filatov D.O., Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Guseinov D.V., Mishkin V.P. Ballistic hole emission spectroscopy of self-assembled GeSi/Si(001) nanoislands // 25th International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology”. St Petersburg Academic University, Saint Petersburg, Russia, June 26 – July 1, 2017, 320 р.. 2017. P. 224-225.
Detochenko A.P., Ezhevskii A.A., Sukhorukov A.V., Guseinov D.V., Kudrin A.V., Konakov A.A., Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Novikov A.V., Abrosimov N. Spin transport in silicon doped with heavy donors // Technical Digest of 29th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-2017). Matsue, Japan, July 31 – Aug.4. 2017. P. 116.
Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Nezhdanov A.V., Trushin V.N., Filatov D.O., Prokhorov D.S., Buzynin Yu.N., Buzynin A.N., Baidusy N.V. Growth of high quality Ge epitaxial layer on Si(001) substrate using hot-wire chemical vapor deposition // Book of abstracts the III International Conference «Modern problems in the physics of surfaces and nanostructures» (ICMPSN-2017). Yaroslavl, Russia, October 9-11, 2017, 123 p.. 2017. P. 65.
Бардина Е.Е., Прохоров Д.С., Денисов С.А., Деточенко А.П., Ежевский А.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г. Эпитаксиальные слои кремния с высоким структурным совершенством для создания приборов микро-, оптоэлектроники и спинтроники // Тезисы докладов XII Всероссийской конференции молодых ученых «Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика». Саратов, Россия, 5 - 7 сентября 2017 г.. 2017. С. 14.
Прохоров Д.С., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г. Легирование фосфором эпитаксиальных слоев Ge на Si(100) в процессе низкотемпературного роста методом газофазной эпитаксии с «горячей проволокой» // Тезисы докладов XII Всероссийской конференции молодых ученых «Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика». Саратов, Россия, 5 - 7 сентября 2017 г.. 2017. С. 211.
Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Степихова М.В., Деточенко А.П., Ежевский А.А., Бардина Е.Е., Нежданов А.В., Гавва В.А., Буланов А.Д. Люминесцентные свойства моноизотопных 28Si и 28Si1-x74Gex, легированных эрбием // Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых) «Фотоника 2017». Новосибирск, Россия, 11-15 сентября 2017 г.. 2017. С. 147.
Деточенко А.П., Ежевский А.А., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., Кудрин А.В., Конаков А.А., Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Абросимов Н.В. Спиновый транспорт в кремнии, легированном донорами с большой спин-орбитальной связью // Тезисы докладов XIII Российской конференции по физике полупроводников. Екатеринбург, Институт физики металлов имени М.Н. Михеева УрО РАН, 2017. – с. 480. 2017. С. 265.
МонографииFilatov D.O., Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Matveev S.A., Guseinov D.V., Trushin V.N., Nezhdanov A.V., Gorshkov A.P., Volkova N.S., Kruglov A.V., Bobrov A.I., Pavlov D.A. Photodiodes based on Thick Ge/Si(001) Epilayers Grown by Hot Wire Chemical Vapor Deposition. New York: Horizons in World Physics. Volume 288. Ed. Albert Reimer. / New York: Nova Science, 2017. Chapter 9. P.171-200. ISBN: 978-1-63485-882-3(eBook). 2017.
Публикации в научных журналахФилатов Д.О., Казанцева И.А., Шенгуров В.Г., Чалков В.Ю., Денисов С.А., Горшков А.П., Мишкин В.П. Исследование пространственного распределения фототока в плоскости Si-p−n-фотодиода с наноостровками GeSi методом сканирующей ближнепольной оптической микроскопии // Физика и техника полупроводников. № 4. Т. 51. 2017. С. 563-568.
Filatov D.O., Kazantseva I.A., Shengurov V.G., Chalkov V.Yu., Denisov S.A., Mishkin V.P., Gorshkov A.P. Investigation of Spatial Distribution of Photocurrent in the Plane of a Si p–n Photodiode with GeSi Nanoislands by Scanning Near-Field Optical Microscopy // Semiconductors. № 4. V. 51. 2017. P. 536-541.
2016
Труды (тезисы) конференцииДеточенко А.П., Денисов С.А., Дроздов М.Н., Машин А.И., Гавва В.А., Буланов А.Д., Нежданов А.В., Ежевский А.А., Степихова М.В., Чалков В.Ю., Трушин В.Н., Шенгуров Д.В., Шенгуров В.Г., Abrosimov N.V., Riemann H. Эпитаксиальные моноизотопные слои Si, Ge и Si1-xGex // Материалы ХX Международного Симпозиума "Нанофизика и Наноэлектроника",. Нижний Новгород, Россия, 14-18 марта 2016 г.. 2016. С. 561-563.
Матвеев С.А., Зайцев А.В., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г. Низкотемпературные слои германия на кремнии, осажденные с использованием метода горячей проволоки // Тезисы докладов 23-й Всероссийской межвузовской научно-технической конференции студентов и аспирантов "Микроэлектроника и информатика - 2016". Зеленоград, Россия, 20-22 апреля 2016 г.. 2016. С. 45.
Зайцев А.В., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г. Влияние температуры роста и отжига на свойства слоев Ge, выращенных методом «горячей проволоки» на Si(100) // XI Всероссийская конференция молодых ученых «Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика». Саратов, 6-8 сентября 2016. 2016. С. 49-50.
Денисов С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г., Филатов Д.О., Ежевский А.А., Деточенко А.П., Павлов Д.А., Трушин В.Н., Зайцев А.В., Нежданов А.В. Эпитаксиальный рост слоев Ge на Si(100) с использованием метода «горячей проволоки» // Тезисы докладов XI Конференции и X Школы молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «Кремний 2016». Новосибирск, Россия, 12-15 сентября 2016. 2016. С. 129.
Деточенко А.П., Денисов С.А., Дроздов М.Н., Гавва В.А., Буланов А.Д., Нежданов А.В., Ежевский А.А., Степихова М.В., Чалков В.Ю., Трушин В.Н., Шенгуров Д.В., Шенгуров В.Г., N.V. Abrosimov, H.Riemann 4. Получение и исследование тонких пленок моноизотопных кремния и твердого раствора Si1-xGeх // Тезисы докладов XI Конференции и X Школы молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «Кремний 2016». Новосибирск, Россия, 12-15 сентября 2016 г. 2016. С. 130.
Зайцев А.В., Денисов С.А., Трушин В.Н., Нежданов А.В., Матвеев С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г. Влияние температурного режима на структуру и морфологию слоев Ge, выращенных методом «горячей проволоки» на Si(100) // Сборник трудов 15-й Международной научной конференции-школы «Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение» (МНКШ-2016). Саранск, Россия, 11-14 октября 2016 г.,. 2016. С. 112.
Денисов С.А., Степихова М.В., Тетельбаум Д.И., Трушин В.Н., Чалков В.Ю., Здоровейщев А.В., Зайцев А.В., Юнин П.А., Красильник З.Ф., Шенгуров В.Г. Светоизлучающие слои германия на кремнии, легированные фосфором в процессе ионной имплантации // Тезисы докладов VI Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Нижний Новгород, Россия, 24-27 октября 2016 г.. 2016. С. 87-88.
Сушков А.А., Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Павлов Д.А. Гетеронаноструктуры Ge/Si и GaAs/Ge: исследование поперечного среза // Физика твердого тела. Сборник материалов XV Российской научной студенческой конференции. Томск, 18-20 мая 2016 г. – Томск. Издательский Дом Томского государственного университета, 276 с. 2016. С. 223-225.
Сушков А.А., Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Павлов Д.А. Исследование поперечного среза гетеронаноструктур КНС, Ge/Si, GaAs/Ge и Ge/КНС // Сборник докладов научной студенческой конференции физического факультета. Нижний Новгород, 25 мая 2016 г. - Н.Новгород. 55 с. 2016. С. 44-46.
Публикации в научных журналахКазанцева И.А., Филатов Д.О., Шенгуров В.Г., Чалков В.Ю., Денисов С.А., Алябина Н.А. Телеграфный шум в туннельных Si p-n-переходах с наноостровками GeSi // Письма в ЖТФ. № 8. Т. 42. 2016. С. 94-101.
Filatov D.O., Kazantseva I.A., Shengurov V.G., Chalkov V.Yu., Denisov S.A., Alyabina N.A. A Random Telegraph Signal in Tunneling Silicon p–n Junctions with GeSi Nanoislands // Technical Physics Letters. № 4. V. 42. 2016. P. 435-437.
Denisov S.A., Matveev S.A., Chalkov V.Yu., Shengurov V.G. High-quality Ge epilayers grown on a Si substrate in one step process via hot wire chemical vapor deposition // Journal of Physics: Conference Series. V. 690. 2016. P. 012014.
Деточенко А.П., Денисов С.А., Дроздов М.Н., Машин А.И., Гавва В.А., Буланов А.Д., Нежданов А.В., Ежевский А.А., Степихова М.В., Чалков В.Ю., Трушин В.Н., Шенгуров Д.В., Шенгуров В.Г., Abrosimov N.V., Riemann H. Эпитаксиально выращенные моноизотопные слои Si, Ge и твердого раствора Si1-xGex: получение и некоторые свойства // Физика и техника полупроводников. № 3. Т. 50. 2016. С. 350-353.
Detochenko A.P., Denisov S.A., Drozdov M.N., Mashin A.I., Gavva V.A., Bulanov A.D., Nezhdanov A.V., Ezhevskii A.A., Stepikhova M.V., Chalkov V.Yu., Trushin V.N., Shengurov D.V., Shengurov V.G., Abrosimov N.V., Riemann H. Epitaxially grown monoisotopic Si, Ge, and Si1 – xGex alloy layers: production and some properties // Semiconductors. № 3. V. 50. 2016. P. 345-348.
Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Светлов С.П., Чалков В.Ю., Шенгуров Д.В. Устройство для нагревания подложки при молекулярно-лучевой эпитаксии // Приборы и техника эксперимента. № 2. 2016. С. 152-155.
Shengurov V.G., Denisov S.A., Svetlov S.P., Chalkov V.Yu., Shengurov D.V. A device for heating a substrate during Molecular Beam Epitaxy // Instruments and Experimental Techniques. № 2. V. 59. 2016. P. 317-320.
Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров Д.В. Кремниевый сублимационный источник для молекулярно-лучевой эпитаксии // Приборы и техника эксперимента. № 3. 2016. С. 138-141.
Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Shengurov D.V. A Silicon Sublimation Source for Molecular-Beam Epitaxy // Instruments and Experimental Techniques. № 3. V. 59. 2016. P. 466-469.
Shengurov V.G., Chalkov V.Yu., Denisov S.A., Matveev S.A., Nezhdanov A.V., Mashin A.I., Filatov D.O., Stepikhova M.V., Krasilynik Z.F. Conditions of Growth of High-Quality Relaxed Si1 – xGex Layers with a High Ge Content by the Vapor-Phase Decomposition of Monogermane on a Sublimating Si Hot Wire // Semiconductors. № 9. V. 50. 2016. P. 1248-1253.
Шенгуров В.Г., Чалков В.Ю., Денисов С.А., Матвеев С.А., Нежданов А.В., Машин А.И., Филатов Д.О., Степихова М.В., Красильник З.Ф. Условия выращивания высококачественных релаксированных слоев Si1-xGex с повышенным содержанием германия методом газофазного разложения моногермана на сублимирующей "горячей проволоке" из Si // Физика и техника полупроводников. № 9. Т. 50. 2016. С. 1270-1275.
2015
Труды (тезисы) конференцииСтепихова М.В., Юнин П.А., Красильник З.Ф., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Гусейнов Д.В., Тетельбаум Д.И., Шенгуров В.Г. Люминесцентные свойства эпитаксиальных слоев германия на кремнии, выращенных методом химического газофазного осаждения с горячей проволокой // XIX Международный Симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника». Труды. Нижний Новгород, 10–14 марта, 2015. Т.2, 2 стр. 2015. С. 658-659.
Денисов С.А., Нежданов А.В., Трушин В.Н., Машин А.И., Чалков В.Ю., Бузынин Ю.Н., Шенгуров В.Г. Низкотемпературный рост эпитаксиальных слоев германия на Si(100) методом газофазного осаждения, усиленного разложением моногермана на горячей проволоке // XV Всероссийская конференция и VIII Школа молодых ученых «Высокочистые вещества и материалы. Получение, анализ, применение». Нижний Новгород, Россия, 26-29 мая 2015 г.. 2015. С. 110.
Денисов С.А., Нежданов А.В., Чалков В.Ю., Трушин В.Н., Филатов Д.О., Бузынин Ю.Н., Шенгуров В.Г. Гетероэпитаксиальный рост Ge на Si(100) методом горячей проволоки // XII Российская конференция по физике полупроводников. Ершово, Московская обл., Россия, 21-25 сентября 2015 г.. 2015. С. 154.
Деточенко А.П., Денисов С.А., Дроздов М.Н., Машин А.И., Гавва В.А., Буланов А.Д., Нежданов А.В., Ежевский А.А., Степихова М.В., Чалков В.Ю., Трушин В.Н., Шенгуров Д.В., Шенгуров В.Г., Abrosimov N.V., Riemann H. Эпитаксиально выращенные моноизотопные слои Si, Ge и Si1 xGex: получение и свойства // XII Российская конференция по физике полупроводников. Ершово, Московская обл., Россия, 21-25 сентября 2015 г.. 2015. С. 159.
Публикации в научных журналахФилатов Д.О., Горшков А.П., Волкова Н.С., Гусейнов Д.В., Алябина Н.А., Иванова М.М., Чалков В.Ю., Денисов С.А., Шенгуров В.Г. Фотодиоды на базе массивов самоформирующихся наноостровков GeSi/Si(001), выращенных методом комбинированной сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии Si и газофазной эпитаксии Ge // ФТП. № 3. Т. 49. 2015. С. 399-405.
Filatov D.O., Gorshkov A.P., Volkova N.S., Guseinov D.V., Alyabina N.A., Ivanova M.M., Chalkov V.Yu., Denisov S.A., Shengurov V.G. Photodiodes Based on Self-Assembled GeSi/Si(001) Nanoisland Arrays Grown by the Combined Sublimation Molecular-Beam Epitaxy of Silicon and Vapor-Phase Epitaxy of Germanium // Semiconductors. № 3. V. 49. 2015. P. 387-393.
Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Бузынин Ю.Н., Дроздов М.Н., Бузынин А.Н., Юнин П.А. Тонкие монокристаллические слои Ge на 2-х дюймовых подложках Si // Письма в журнал технической физики. № 1. Т. 41. 2015. С. 71-78.
Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Buzynin Yu.N., Drozdov M.N., Buzynin A.N., Yunin P.A. Thin Single-Crystal Ge Layers on 2′′ Si Substrates // Technical Physics Letters. № 1. V. 41. 2015. P. 36-39.
Шенгуров В.Г., Чалков В.Ю., Денисов С.А., Алябина Н.А., Гусейнов Д.В., Трушин В.Н., Горшков А.П., Волкова Н.С., Иванова М.М., Круглов А.В., Филатов Д.О. Фотодетекторы на базе гетероструктур Ge/Si(001), выращенных методом горячей проволоки // Физика и техника полупроводников. № 10. Т. 49. 2015. С. 1411-1414.
Shengurov V.G., Chalkov V.Yu., Denisov S.A., Alyabina N.A., Guseinov D.V., Trushin V.N., Gorshkov A.P., Volkova N.S., Ivanova M.M., Kruglov A.V., Filatov D.O. Photodetectors on the Basis of Ge/Si(001) Heterostructures Grown by the HotWire CVD Technique // Semiconductors. № 10. V. 49. 2015. P. 1365-1368.
Денисов С.А., Светлов С.П., Чалков В.Ю., Шенгуров Д.В., Шенгуров В.Г. Устройство для выращивания слоев кремния из сублимационного источника на подложках стандартной формы // Приборы и техника эксперимента. № 6. 2015. С. 113-116.
Denisov S.A., Svetlov S.P., Chalkov V.Yu., Shengurov D.V., Shengurov V.G. Device for Growing Silicon Films on Standard Wafers Using a Sublimation Source // Instruments and Experimental Techniques. № 6. V. 58. 2015. P. 813-816.
2014
Труды (тезисы) конференцииДенисов С.А., Матвеев С.А., Чалков В.Ю., Нежданов А.В., Гусейнов Д.В., Трушин В.Н., Филатов Д.О., Шенгуров В.Г. Низкотемпературная гетероэпитаксия слоев германия на Si(100) с использованием метода горячей проволоки // Труды XVIII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 10-14 марта 2014. Издательство ННГУ им.Н.И.Лобачевского, Том 2, 353с.. 2014. С. 551-552.
Гусейнов Д.В., Горшков А.П., Денисов С.А., Иванова М.М., Волкова Н.С., Матвеев С.А., Чалков В.Ю., Алябина Н.А., Трушин В.Н., Бобров А.И., Павлов Д.А., Филатов Д.О., Шенгуров В.Г. Фотодетекторы на базе гетероэпитаксиальных слоёв Ge/Si(001), выращенных методом горячей проволоки // Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г. Издательство ННГУ им.Н.И.Лобачевского, Том 2, 353 с. 2014. С. 684-685.
Guseinov D.V., Denisov S.A., Shengurov V.G., Shengurov D.V., Alyabina N.A., Ivanova M.M., Stepikhova M.V., Gorshkov A.P., Volkova N.S., Mikhailov A.N., Filatov D.O., Chalkov V.Yu. Silicon-based nano-optoelectronic components for optical interconnections // E-MRS 2014 Fall Meeting, Symposium Q : Terahertz and infrared optoelectronics: from materials to devices, September 15-19, 2014, Warsaw, Poland. Warsaw University of Technology (Poland). 2014. P. Q7.
Матвеев С.А., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Степихова М.В., Шенгуров В.Г., Нежданов А.В., Дроздов Ю.Н., Красильник З.Ф. Рост слоев твердого раствора Si1 XGeX/Si(100) с низкой плотностью дислокаций комбинированным методом молекулярно-пучковой эпитаксии // Сборник трудов 13-й Международной научной конференции-школы «Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение» Саранск, Россия, 07-10 октября 2014. Мордовский университет, 2014, 180 с. 2014. С. 48.
Матвеев С.А., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г., Степихова М.В., Нежданов А.В. Структурные и фотолюминесцентные свойства слоев твердого раствора Si1-XGeX с низкой плотностью дислокаций, выращенных методом низкотемпературной молекулярно-пучковой эпитаксии с газовым источником германия // Тезисы докладов II-ой Всероссийской научной молодежной конференции «Актуальные проблемы нано- и микроэлектроники» Уфа, Россия, 02 - 05 декабря 2014. Уфа, Россия. 2014. С. 1.
Гусейнов Д.В., Денисов С.А., Нежданов А.В., Антонов И.Н., Чалков В.Ю., Трушин В.Н., Филатов Д.О., Степихова М.В., Шенгуров В.Г. Формирование и исследование растянутых слоев n+ - Ge на Si // Тезисы докладов XXXIII научных чтений им. академика Н.В. Белова, Нижний Новгород, Россия, 16 - 17 декабря 2014. ННГУ им.Н.И.Лобачевского, 2014. - 144 с.. 2014. С. 83-85.
Публикации в научных журналахМатвеев С.А., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г., Степихова М.В., Дроздов М.Н., Юнин П.А., Захаров Н.Д. Периодические гетероструктуры Si/SiGe, выращенные на Si(100) из атомарного потока Si и молекулярного потока моногремана // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. № 1(2). 2014. С. 84-87.
Денисов С.А., Матвеев С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г., Дроздов Ю.Н., Степихова М.В., Шенгуров Д.В., Красильник З.Ф. Гетероструктуры Si(1-X)Ge(X)/Si, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках кремний-на-сапфире // Физика и техника полупроводников. № 3. Т. 48. 2014. С. 417-420.
Denisov S.A., Matveev S.A., Chalkov V.Yu., Shengurov V.G., Drozdov Yu.N., Stepikhova M.V., Shengurov D.V., Krasilynik Z.F. Si(1–x)Ge(x)/Si Heterostructures Grown by Molecular-Beam Epitaxy on Silicon-On-Sapphire Substrates // Semiconductors. № 3. V. 48. 2014. P. 402-405.
Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Бузынин Ю.Н., Дроздов М.Н., Бузынин А.Н., Юнин П.А. Тонкие монокристаллические слои Ge на 2-х дюймовых подложках Si // Письма в журнал технической физики. № 1. Т. 41. 2014. С. 71-78. [принято к печати]
Филатов Д.О., Горшков А.П., Волкова Н.С., Гусейнов Д.В., Алябина Н.А., Иванова М.М., Чалков В.Ю., Денисов С.А., Шенгуров В.Г. Фотодиоды на базе массивов самоформирующихся наноостровков GeSi/Si(001), выращенных методом комбинированной сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии Si и газофазной эпитаксии Ge // Физика и техника полупроводников. Т. 49. 2014. [принято к печати]
2013
Труды (тезисы) конференцииМатвеев С.А., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г., Степихова М.В., Дроздов М.Н., Шенгуров Д.В., Красильник З.Ф. Влияние температуры эпитаксиального роста гетероструктур Si/Si(1-X)Ge(X):Er/Si/Al2O3 из сублимирующего источника кремния в среде моногермана на их фотолюминесцентные свойства // Труды XVII Симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Нижний Новгород, 11-15 марта, 2013. Том 2, 2 стр.. 2013. С. 525-526.
Степихова М.В., Дроздов М.Н., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г., Деточенко А.П., Ежевский А.А. Влияние процессов взаимодействия дефектов гетерослоя и редкоземельной примеси Er на люминесцентные свойства структур Si/Si(1-x)Ge(x):Er // Труды XVII Симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Нижний Новгород, 11-15 марта, 2013. Том 2, 2 стр.. 2013. С. 599-600.
Денисов С.А., Дроздов Ю.Н., Матвеев С.А., Чалков В.Ю., Степихова М.В., Шалеев М.В., Шенгуров Д.В., Шенгуров В.Г. Морфология, микроструктура и фотолюминесценция эпитаксиальных слоев Si и SiGe, выращенных с приложением к подложке отрицательного потенциала // Труды XXI международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью (ВИП-2013)», 22-26 августа 2013. Т.1., 4 стр.. 2013. С. 131-134.
Матвеев С.А., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г., Степихова М.В., Павлов Д.А., Бобров А.И., Нежданов А.В., Дроздов Ю.Н., Красильник З.Ф. Релаксированные слои твердого раствора Si1-XGeX (x=0,25–0,4) с низкой плотностью дислокаций, выращенные на Si(100) методом молекулярно-пучковой эпитаксии с газовым источником германия // Тезисы докладов XI Российской конференции по физике полупроводников (XI РКФП), 16-20 сентября 2013. СПб.: Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН. 2013. С. 224.
Денисов С.А., Матвеев С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г., Степихова М.В., Дроздов М.Н., Юнин П.А., Жукавин Р.Х., Красильник З.Ф., Захаров Н.Д. Периодические структуры SiGe/Si, выращенные молекулярно-пучковой эпитаксией с газовым источником германия // Тезисы докладов ХI-ой Российской конференции по физике полупроводников, 16-20 сентября 2013. СПб.: Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН. 2013. С. 239.
Публикации в научных журналахШенгуров Д.В., Чалков В.Ю., Денисов С.А., Шенгуров В.Г., Степихова М.В., Дроздов М.Н., Красильник З.Ф. Низкотемпературное выращивание эпитаксиальных слоев кремния, солегированных атомами эрбия и кислорода // Физика и техника полупроводников. № 3. Т. 47. 2013. С. 410-413.
Shengurov D.V., Chalkov V.Yu., Denisov S.A., Shengurov V.G., Stepikhova M.V., Drozdov M.N., Krasilynik Z.F. Low-Temperature Growth of Silicon Epitaxial Layers Codoped with Erbium and Oxygen Atoms // Semiconductors. № 3. V. 47. 2013. P. 433-436.
Матвеев С.А., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г., Николичев Д.Е., Боряков А.В., Трушин В.Н., Питиримова Е.А. Структура и морфология поверхности слоев твердого раствора Si(1-X)Ge(X), выращенных на КНС-подложках методом МЛЭ с сублимационным кремниевым и газовым германиевым источниками // Неорганические материалы. № 7. Т. 49. 2013. С. 805-809.
Матвеев С.А., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г., Степихова М.В. Выращивание и исследование фотолюминесценции кремниево-германиевых структур, активированных эрбием, на подложках сапфира // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. № 1. Т. 165. 2013. С. 24-28.
Matveev S.A., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Shengurov V.G., Nikolichev D.E., Boryakov A.V., Trushin V.N., Pitirimova E.A. Structure and surface morphology of Si(1–x)Ge(x) layers grown on Si/Sapphire by Molecular Beam Epitaxy using a sublimation silicon source and gaseous germanium source // Inorganic Materials. V. 49. 2013. P. 749-753.
2012
Труды (тезисы) конференцииМатвеев С.А., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г., Трушин В.Н., Тихов С.В., Питиримова Е.А., Николичев Д.Е., Боряков А.В. Выращивание эпитаксиальных слоев Si1-XGeX и Ge на КНС-подложках и их свойства // Тезисы докладов IX-ой Международной конференции по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «Кремний-2012». Санкт-Петербург, ФТИ им.А.Ф.Иоффе, 9-13 июля 2012 г. 2012. С. 285.
Денисов С.А., Матвеев С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г., Павлов Д.А., Бобров А.И., Трушин В.Н., Питиримова Е.А., Бузынин Ю.Н. Низкотемпературный эпитаксиальный рост толстых слоев Ge на Si(100) // Тезисы докладов IX-ой Международной конференции по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «Кремний-2012». Санкт-Петербург, ФТИ им.А.Ф.Иоффе, 9-13 июля 2012 г. 2012. С. 286.
Денисов С.А., Дроздов Ю.Н., Матвеев С.А., Красильникова Л.В., Степихова М.В., Чалков В.Ю., Шенгуров Д.В., Шенгуров В.Г. Низкотемпературный рост эпитаксиальных гетероструктур Si/Si1-xGex/Si методом сублимации кремния в среде германа // Труды XVI Симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Нижний Новгород, 12-16 марта, 2012, Т.2.. 2012. С. 227-228.
Матвеев С.А., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г. Гетероструктуры Si1-XGeX, выращенные методом МЛЭ с сублимационным кремниевым и газовым германиевым источниками на КНС-подложках // Сборник трудов 11-й Всероссийской с международным участием конференции-школы "Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение". Издательство Мордовского университета 02-05 октября, г.Саранск. 2012. С. 111.
Косарева О.С., Чалков В.Ю., Денисов С.А., Матвеев С.А., Шенгуров В.Г., Карзанов В.В. Структурные и электрофизические свойства слоев германия, выращенных методом МЛЭ на Si(100) // Сборник трудов 11-й Всероссийской с международным участием конференции-школы "Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение". Издательство Мордовского университета 02-05 октября, г.Саранск.. 2012. С. 108.
Матвеев С.А., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г. Гетероэпитаксиальные структуры SiGe/Si выращенные при низких температурах на подложках сапфира // XVII-я Нижегородская сессия молодых ученых (естественные, математические науки). Н.Новгород, 28-31 мая 2012. 2012. [принято к печати]
Публикации в научных журналахМатвеев С.А., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г. Гетероструктуры Si1-XGeX на КНС-подложках, полученные методом сублимации кремния в среде германа // Физическое образование в ВУЗах. № 1. Т. 18. 2012. С. 32.
Матвеев С.А., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г. Низкотемпературный эпитаксиальный рост Ge на Si(100) методом горячей проволоки // Физическое образование в ВУЗах. № 1. Т. 18. 2012. С. 47.
Шенгуров Д.В., Чалков В.Ю., Денисов С.А., Шенгуров В.Г., Степихова М.В., Дроздов М.Н., Красильник З.Ф. Низкотемпературное выращивание эпитаксиальных слоев кремния, солегированных атомами эрбия и кислорода // Физика и техника полупроводников. 2012. [принято к печати]
2011
Труды (тезисы) конференцииЗвонков Б.Н., Бирюков А.А., Вихрова О.В., Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Дроздов Ю.Н., Дроздов М.Н., Бузынин Ю.Н. Рост и свойства гетероструктур InGaAs/GaAs/Ge(буфер) на кремниевых подложках // Труды XV Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Н. Новгород, 14–18 марта, 2011. – Т.1. – C.414 - 415.. 2011. С. 414-415.
Степихова М.В., Красильникова Л.В., Дроздов Ю.Н., Красильник З.Ф., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г. Излучающие свойства волноводных гетероструктур Si/Si1-xGex:Er/Si // Труды XV Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Н. Новгород, 14–18 марта, 2011. – Т.2. – C.527 - 528. 2011. С. 527-528.
Stepikhova M.V., Krasilynikova L.V., Yurasova N.V., Krasilynik Z.F., Shengurov V.G., Chalkov V.Yu. Light-emitting properties of Si/Si1-xGex:Er structures being of interest for optoelectronic applications // Second International Conference on RARE EARTH MATERIALS (REMAT). Wroclaw, Poland, 13-15 June 2011. 2011. P. -43.
Денисов С.А., Чалков В.Ю., Светлов С.П., Шенгуров В.Г. Эпитаксиальное выращивание слоев Si из сублимационного источника на подложках диаметром до 100 мм // VIII-я Международная конференция по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «Кремний-2011». Москва, НИТУ МИСИС, 5-8 июля. 2011. С. 135.
Денисов С.А., Матвеев С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г., Тихов С.В., Трушин В.Н., Шенгуров Д.В., Питиримова Е.А. Структурные и морфологические свойства эпитаксиальных слоев SiGe, выращенных на сапфире // VIII-я Международная конференция по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «Кремний-2011». Москва, НИТУ МИСИС, 5-8 июля. 2011. С. 136.
Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Бузынин Ю.Н., Дроздов Ю.Н., Дроздов М.Н., Шенгуров Д.В., Трушин В.Н. Эпитаксиальные слои Ge на Si с гладкой поверхностью и низкой плотностью дислокаций // VIII-я Международная конференция по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «Кремний-2011». Москва, НИТУ МИСИС, 5-8 июля. 2011. С. 150.
Тихов С.В., Шенгуров В.Г., Павлов Д.А., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Тестов В.Г. Фотоэлектрический метод определения химического состава пленок SiGe, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии // VIII-я Международная конференция по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «Кремний-2011. Москва, НИТУ МИСИС, 5-8 июля. 2011. С. 232.
Прокопьев С.Л., Гацкевич Е.И., Степихова М.В., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г., Гайдук П.И. Структурные и оптические свойства эпитаксиальных слоев Si/Si1-xGex:Er/Si, облученных лазерными импульсами // Материалы 9-ой Международной конференции «Взаимодействие излучения с твердым телом» (ВИТТ - 2011). Минск, Беларусь, 20-22 сентября. 2011. С. 275-277.
Матвеев С.А., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г. Гетероструктры Si1 XGeX/Si на КНС-подложках, выращенные сублимацией кремния в среде германа // Тезисы докладов ХIII-ой Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто - и наноэлектронике. Санкт-Петербург, 21-25 ноября. 2011. С. 58.
Матвеев С.А., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Кривулин Н.О., Питиримова Е.А., Трушин В.Н., Шенгуров В.Г. Структура и морфология слоев SiGe на подложках кремний-на-сапфире // Сборник трудов конференции «ХХХ научные чтения имени академика Николая Васильевича Белова». Нижний Новгород, 20-21 декабря. 2011. С. 144.
Публикации в научных журналахШенгуров В.Г., Чалков В.Ю., Денисов С.А., Светлов С.П., Шенгуров Д.В. Установка и вакуумный метод эпитаксиального выращивания многослойных структур, содержащих слои Si, Ge и SiGe // Вакуумная техника и технология. № 1. Т. 21. 2011. С. 45-48.
Бородин П.А., Бухараев А.А., Филатов Д.О., Исаков М.А., Шенгуров В.Г., Чалков В.Ю., Денисов С.А. Исследование локальной плотности состояний в самоформирующихся островках GeSi/Si(001) методом комбинированной сканирующей туннельной/атомно-силовой микроскопии // Физика и техника полупроводников. № 3. Т. 45. 2011. С. 414-418.
Borodin P.A., Bukharaev A.A., Filatov D.O., Isakov M.A., Shengurov V.G., Chalkov V.Yu., Denisov S.A. Investigation of the Local Density of States in Self-Assembled GeSi/Si(001) Nanoislands by Combined Scanning Tunneling and Atomic Force Microscopy // Semiconductors. № 3. V. 45. 2011. P. 403-407.
Шенгуров В.Г., Чалков В.Ю., Денисов С.А., Шенгуров Д.В., Жукавин Р.Х., Дроздов М.Н. Легирование бором гетероструктур Si1-XGeX/Si в процессе сублимации кремния в среде германа // Письма в журнал технической физики. № 13. Т. 37. 2011. С. 24-30.
Shengurov V.G., Chalkov V.Yu., Denisov S.A., Shengurov D.V., Zhukavin R.Kh., Drozdov M.N. Boron Doping of Si1–xGex/Si Heterostructures Grown by Silicon Sublimation in Germane Medium // Technical Physics Letters. № 7. V. 37. 2011. P. 601-604.
Stepikhova M.V., Drozdov Yu.N., Chalkov V.Yu., Shengurov V.G., Krasilynik Z.F., Krasilynikova L.V. On the role of heterolayer relaxation in luminescence response of Si/SiGe:Er structures // Physica Status Solidi C. № 3. V. 8. 2011. P. 1044-1048.
Тихов С.В., Павлов Д.А., Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Тестов В.Г. Адмиттанс диодных структур, полученных на основе тонких слоев кремния на сапфире методом молекулярно-лучевой эпитаксии // Вестник Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского. № 5. 2011. С. 37-41.
Патенты, авторские свидетельства
2017
Денисов С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г., Филатов Д.О., Гусейнов Д.В., Шенгуров Д.В., Горшков А.П., Волкова Н.С., Алябина Н.А. Применение вакуумного осаждения германия из газовой среды германа в качестве способа удаления диоксида кремния с рабочей поверхности кремниевой подложки и способ изготовления монокристаллической плёнки германия на кремниевой подложке, включающий указанное применение (Патент).
2016
Денисов С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г. Способ выращивания кремний-германиевой гетероструктуры (Патент).
2013
Шенгуров В.Г., Светлов С.П., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров Д.В. Установка вакуумного напыления (Патент).
Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров Д.В. Способ изготовления полупроводниковой структуры молекулярно-лучевой эпитаксией и установка для сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии (Патент).
2012
Шенгуров В.Г., Светлов С.П., Чалков В.Ю., Денисов С.А., Шенгуров Д.В. Сублимационный источник напыляемого материала для установки молекулярно-лучевой эпитаксии (Патент).
Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Светлов С.П. Устройство нагрева подложки для установки изготовления полупроводниковой структуры (Патент).
2011
Шенгуров В.Г., Светлов С.П., Чалков В.Ю., Денисов С.А. Устройство для вакуумного напыления пленок (Патент).