Слаповская Екатерина Андреевна

Место работы

Научно-исследовательский институт химии

Отдел химии неорганических соединений

Лаборатория технологии высокочистых материалов

инженер

Ученая степень
нет
Ученое звание
нет

Общие сведения

Научная Работа


Образование, учёные степени и учёные звания

Высшее образование - специалитет, магистратура
специалист. Специальность: Фундаментальная и прикладная химия. Квалификация: Химик. Преподаватель химии.

Профессиональная переподготовка


Переподготовка: "Основы алгоритмизации и программирования", "Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского", 252 час., документ № р.№33-646 520324002723 от 23.07.2024

Список преподаваемых дисциплин

Публикации

2025

Сборники статей

Aleksei Almaev, Bogdan Kushnarev, Petr Korusenko, Leonid Mochalov, Ekaterina Slapovskaya P-type transparent conductive electrodes based on the Cr2O3–NiO mixed oxides thin films // IEEE, 2025 25th International Conference on Transparent Optical Networks (ICTON). Barselona, Spain: 2025. P. 1-4.. 2025. [принято к печати]

Almaev A.V., Yakovlev N.F., Mochalov L.A., Slapovskaya E.A. Electroconductive and photoelectric properties of Pt/(100) β-Ga2O3 Schottky barrier diode based on Czochralski grown crystal // IEEE, 2025 25th International Conference on Transparent Optical Networks (ICTON). Barselona, Spain: 2025. P 1-4. 2025. [принято к печати]

Mochalov L.A., Slapovskaya E.A., Telegin S.V., Rafailov E.U. Production of high-purity gallium for novel glasses and photonic materials generation // IEEE, 2025 25th International Conference on Transparent Optical Networks (ICTON). Barselona, Spain: 2025. P 1-4. 2025.. 2025. [принято к печати]

Mochalov L.A., Slapovskaya E.A., Telegin S.V. Behavior of metal impurities and nanoparticles in the process of plasma-chemical purification of arsenic // EEE, 2025 25th International Conference on Transparent Optical Networks (ICTON).. Barselona, Spain: 2025. P 1-4. 2025.. 2025. [принято к печати]

Монографии

Мочалов Л.А., Слаповская Е.А., Телегин С.В., Алмаев А.В. Тонкие пленки IGZO: синтез, морфология и газочувствительные свойства. Нижний Новгород: Нижегородский государственный технический университет им. Р. Е. Алексеева. 2025.

Публикации в научных журналах

Mochalov L.A., Telegin S.V., Slapovskaya E.A. Preparation and Properties Study of IGZO Thin Films Obtained by PECVD Method // Photonics Russia. № 1. V. 19. 2025. P. 1-9.

Almaev A.V., Zhakyp T. Karipbayev, Ernar B. Zhurkin, Nikita N. Yakovlev, Olzhas I. Kukenov, Alexandr O. Korchemagin, Gulzhanat A. Akmetova-Abdik, Kuat K. Kumarbekov, Amangeldy M. Zhunusbekov, Mochalov L.A., Slapovskaya E.A., Anatoli I. Popov Methane sensors based on ZnGa2O4 ceramics with addition of Er for combustion monitoring systems // Optical Materials: X. № 1. V. 3. 2025. P. 100409.

Mochalov L.A., Slapovskaya E.A., Telegin S.V., Knyazev A.V. PLASMA CHEMICAL SYNTHESIS AND MORPHOLOGICAL STUDY OF IGZO THIN FILMS // High Energy Chemistry. 2025. [принято к печати]

Voronina E.N., Mozhevitina E.N., Slapovskaya E.A., Mochalov L.A., Avetissov I.Ch. Analysis of high-purity arsenic by inductively coupled plasma mass spectrometry // Pleiades Publishing. 2025. [принято к печати]

Aleksei V. Almaev, Zhakyp T. Karipbayev, Askhat B. Kakimov, Mochalov L.A., Slapovskaya E.A. Investigation of Methane Sensing Properties of Er-Ion Doped Zinc Digallate Ceramics // Technologies. 2025. [принято к печати]

2024

Сборники статей

Slapovskaya E.A., Mochalov L.A., Kudryashov M.A., Rafailov E. CVD-prepared PbSe films for mid-IR photodetectors with high detectivity // IEEE, 2024 24th International Conference on Transparent Optical Networks (ICTON). Bari, Italy: DOI: 10.1109/ICTON62926.2024.10648010. 2024. P. 1-4.

Mochalov L.A., Kudryashov M.A., Telegin S.V., Slapovskaya E.A., Rafailov E. Structural properties and Luminescence of PECVD-prepared β-Ga2O3⸳ZnO thin films // IEEE, 2024 24th International Conference on Transparent Optical Networks (ICTON). Bari, Italy: DOI: 10.1109/ICTON62926.2024.10647648. 2024. P. 1-4.

Mochalov L.A., Vshivtsev M.A., Kudryashov M.A., Slapovskaya E.A., Safronova S.S. Structural and Optical Properties of PECVD-prepared Cadmium Telluride Thin Films // IEEE, 2024 24th International Conference on Transparent Optical Networks (ICTON). Bari, Italy: DOI: 10.1109/ICTON62926.2024.10647974. 2024. P. 1-4.

Mochalov L.A., Kudryashov M.A., Slapovskaya E.A., Kudryashova Yu.P., Telegin S.V., Rafailov E., Baranov A.N Advanced thin films of gallium selenide // 2024 International Conference Laser Optics (ICLO). St Petersburg: IEEE | DOI: 10.1109/ICLO59702.2024.10624107. 2024. P. 158.

Монографии

Мочалов Л.А., Кудряшов М.А., Слаповская Е.А. Плазмохимический синтез тонких пленок халькогенидов мышьяка и сульфида галлия. Нижний Новгород: Нижегородский государственный технический университет им. Р. Е. Алексеева; 160 с.. 2024.

Мочалов Л.А., Кудряшов М.А., Князев А.В., Алмаев А.В., Слаповская Е.А. Плазмохимический синтез, исследование и применение тонких пленок оксида галлия, оксида цинка и бинарной оксидной системы ZnO-TeO2. Нижний Новгород: Нижегородский государственный технический университет им. Р. Е. Алексеева; 212 с.. 2024.

Публикации в научных журналах

Kudryashov M.A., Mochalov L.A., Kudryashova Yu.P., Slapovskaya E.A., Vshivtsev M.A., Kryukov R.N. The Effect of Substrate Temperature on the Optical Properties of GaSe Thin Films Obtained by PECVD // Photonics Russia. № 3. V. 18. 2024. P. 246-254.

Kudryashov M.A., Mochalov L.A., Vshivtsev M.A., Prokhorov I.O., Spivak Yu.M., Moshnikov V.A., Kudryashova Yu.P., Mosyagin P.V., Slapovskaya E.A., Malyshev V.M. Effect of substrate temperature on the Ga-S films properties prepared by PECVD // Technical Physics. № 4. V. 69. 2024. P. 609-613.

Kudryashov M.A., Mochalov L.A., Kudryashova Yu.P., Slapovskaya E.A. Gallium Selenide Thin Films Grown on Silicon by Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition // High Energy Chemistry. № 4. V. 58. 2024. P. 440–445.

Kudryashov M.A., Mochalov L.A., Slapovskaya E.A., Kudryashova Yu.P., Fukina D.G., Kryukov R.N. Optical and electrical properties of GaSe thin films prepared by PECVD // Optical and Quantum Electronics. № 12. V. 56. 2024. P. 1989.

2023

Публикации в научных журналах

Mochalov L.A., Kudryashov M.A., Vshivtsev M.A., Prokhorov I.O., Kudryashova Yu.P., Mosyagin P.V., Slapovskaya E.A. Plasma-enhanced chemical vapor deposition of GaxS1−x thin films: structural and optical properties // Optical and Quantum Electronics. № 10. V. 55. 2023. P. 909.

Kudryashov M.A., Mochalov L.A., Prokhorov I.O., Vshivtsev M.A., Kudryashova Yu.P., Malyshev V.M., Slapovskaya E.A. Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition of Thin GaS Films on Various Types of Substrates // High Energy Chemistry. № 6. V. 57. 2023. P. 532–536.

Mochalov L.A., Kudryashov M.A., Prokhorov I.O., Vshivtsev M.A., Kudryashova Yu.P., Slapovskaya E.A., Knyazev A.V. Investigation of the Plasma-Chemical Synthesis of Thin Ga2O3 Films Doped with Zn in One Step in Plasma // High Energy Chemistry. № 6. V. 57. 2023. P. 509–514.

©  Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского