Шастин Валерий Николаевич

Место работы
Ученая степень
Доктор физико-математических наук
Ученое звание
Профессор
Общий стаж работы 47 лет, 2 мес.
Педагогический стаж 9 лет, 7 мес.

Общие сведения

Научная Работа


Образование, учёные степени и учёные звания

Высшее образование
Специалитет. Специальность: Радиофизика. Квалификация: радиофизик.

Дополнительное образование, повышение квалификации, стажировки

02.04.2018 - 27.04.2018
Повышение квалификации: Электронная информационно-образовательная среда вуза, ННГУ, 72 час., документ № удостоверение 522406996775 рег.№ 33-2019 от 27.04.2018

Список преподаваемых дисциплин

Публикации

2015

Публикации в научных журналах

Shastin V.N., Deßmann N., Pavlov S. G., Pohl A. Lifetime-limited, subnanosecond terahertz germanium photoconductive detectors // Applied Physics Letters. № 17. V. 106. 2015. P. 171109(1-5).

Shastin V.N., K.A. Kovalevsky, N. V. Abrosimov, R.Kh. Zhukavin Terahertz lasers based on intracentre transitions of group V donors in uniaxially deformed silicon // Quantum Electronics. № 2. V. 45. 2015. P. 113-120.

Shastin V.N., Zhukavin R.Kh., Kovalevsky K.A., Orlov M.L. Terahertz-range spontaneous emission under the optical excitation of donors in uniaxially stressed bulk silicon and SiGe/Si heterostructures // Semiconductors. № 1. V. 49. 2015. P. 13-18.

Shastin V.N., Andrianov A.V., Zhukavin R.Kh., Abrosimov N.V. Terahertz emission from lithium doped silicon under continuous wave interband optical excitation // Journal of Physics: Conference Series. № 1. V. 647. 2015. P. 012015(1-4).

Shastin V.N., Andrianov A.V., Zakhar’in A.O., Zhukavin R. Kh. Terahertz Intracenter Photoluminescence of Silicon with Lithium at Interband Excitation // JETP Letters. № 12. V. 100. 2015. P. 771-775.

Shastin V.N., Pavlov S.G., Deßmann N., Pohl A. Towards a life-time-limited 8-octave-infrared photoconductive germanium detector // Journal of Physics: Conference Series. № 1. V. 647. 2015. P. 012070(1-4).

Kovalevskii K.A., Abrosimov N. V., Zhukavin R. K., Pavlov S. G., Hübers H. W., Tsyplenkov V.V., Shastin V.N. Terahertz lasers based on intracentre transitions of group V donors in uniaxially deformed silicon // Quantum Electronics. V. 45(2). 2015. P. 113.

2014

Публикации в научных журналах

N. Deßmann, S. G. Pavlov, Shastin V.N., R. Kh. Zhukavin, V. V. Tsyplenkov, S. Winnerl, M. Mittendorff, N. V. Abrosimov, H. Riemann, H.-W. Huebers Time-resolved electronic capture in n-type germanium doped with antimony // Physical Review B. № 3. V. 89. 2014. P. 035205-1-8.

S. G. Pavlov, N. Deßmann, Shastin V.N., R. Kh. Zhukavin, B. Redlich, A. F. G. van der Meer, M. Mittendorff, S. Winnerl, N. V. Abrosimov, H. Riemann, H.-W. Hübers Terahertz Stimulated Emission from Silicon Doped by Hydrogenlike Acceptors // PHYSICAL REVIEW X. № 2. V. 4. 2014. P. 021009-1-021009-7.

Zhukavin R.Kh., Bekin N.A., Lobanov D.N., Drozdov Yu.N., Yunin P.A., Drozdov M.N., Pryakhin D.A., Chkhalo E.D., Kozlov D.V., Novikov A.V., Shastin V.N. Coulomb centers assisted tunneling in a δ-doped triple barrier SiGe heterostructure // Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. V. 57. 2014. P. 42-46.

N. Deßmann, S. G. Pavlov, Shastin V.N., Tsyplenkov V.V., et al Time-resolved electronic capture in n-type germanium doped with antimony // Physical Review B. V. 89. 2014. P. 035205.

Tsyplenkov V.V., Zhukavin R.Kh., Shastin V.N. On the Phonon Assisted Relaxation of Excited Bismuth Donor States in Uniaxially Stressed Silicon // Semiconductors. V. 48. 2014. P. 1017–1022.

2011

Труды (тезисы) конференции

Жукавин Р.Х., Бекин Н.А., Шастин В.Н., Лобанов Д.Н., Пряхин Д.А., Шенгуров Д.В., Дроздов Ю.Н., Дроздов М.Н., Чхало Е.Д., Ковалевский К.А., Денисов С.А., Шенгуров В.Г. Резонансное туннелирование дырок в структурах Si/SiGe с одиночным селективно-легированным барьером // Труды XV Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Н. Новгород, 14–18 марта, 2011. – Т.1. – C.418 - 419. 2011. С. 418-419.

©  Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского