Морозов Сергей Вячеславович

Место работы

Радиофизический факультет

Межфакультетская базовая кафедра "Физика наноструктур и наноэлектроника"

доцент

Ученая степень
Кандидат физико-математических наук
Ученое звание
нет
Общий стаж работы 23 года, 10 мес

Общие сведения

Научная Работа


Образование, учёные степени и учёные звания

Высшее образование
магистр. Специальность: физика. Квалификация: магистр физики.

Высшее образование
бакалавр. Специальность: физика. Квалификация: бакалавр физики.

Дополнительное образование, повышение квалификации, стажировки

02.04.2018 - 27.04.2018
Повышение квалификации: Электронная информационно-образовательная среда вуза, ННГУ, 72 час., документ № удостоверение 522406996732 рег.№ 33-1976 от 27.04.2018

Список преподаваемых дисциплин

Публикации

2021

Публикации в научных журналах

Gavrilenko V.I., Rumyantsev V.V., Razova A.A., Morozov S.V., Fadeev M.A., Utochkin V.V., Mikhailov N.N., Dvoretskii S.A. Urbach tail and nonuniformity probe of HgCdTe thin films and quantum well heterostructures grown by molecular beam epitaxy // Optical Engineering. № 60. 2021. P. 082007.

2020

Публикации в научных журналах

Alymov G.V., Rumyantsev V.V., Morozov S.V., Aleshkin V.Ya., Gavrilenko V.I., Svintsov D.A. Fundamental Limits to Far-Infrared Lasing in Auger-Suppressed HgCdTe Quantum Wells // ACS Photonics. V. 7. 2020. P. 98-104.

Gavrilenko V.I., Krasilynik Z.F., Rumyantsev V.V., Aleshkin V.Ya., Dubinov A.A., Morozov S.V., Ryzhov D.A., Fadeev M.A., Utochkin V.V., Antonov A.V., Kuritsin D.I., Sirtori C., Teppe F., Mikhailov N.N., Dvoretsky S.A. Terahertz Emission from HgCdTe QWs under Long-Wavelength Optical Pumping // Journal of Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves. V. 41. 2020. P. 750-757.

Cirlin G. E., Reznik R. R., Zhukov A. E., Khabibullin R.A., Maremyyanin K.V., Gavrilenko V.I., Morozov S.V. Specific Growth Features of Nanostructures for Terahertz Quantum Cascade Lasers and Their Physical Properties // Semiconductors. № 9. V. 54. 2020. P. 1092-1095.

Rumyantsev V.V., Maremyyanin K.V., Razova A.A., S.M.Sergeev, N.N.Mikhailov, S.A.Dvoretskii, Gavrilenko V.I., Morozov S.V. Investigation of the Photosensitivity of Narrow-Gap and Gapless HgCdTe Solid Solutions in the Terahertz and Sub-Terahertz Range // Semiconductors. № 9. V. 54. 2020. P. 1096-1102.

V.V.Utochkin, M.A.Fadeev, S.S.Krishtopenko, Rumyantsev V.V., Aleshkin V.Ya., Dubinov A.A., Morozov S.V., B.R.Semyagin, M.A.Putyato, E.A.Emelyanov, V.V.Preobrazhenskii, Gavrilenko V.I. Photoluminescence Spectra of InAs/GaInSb/InAs Quantum Wells in the Mid-Infrared Region // Semiconductors. № 9. V. 54. 2020. P. 1119-1122.

Zholudev M.S., Kozlov D.V., N.S.Kulikov, Razova A.A., Gavrilenko V.I., Morozov S.V. Calculation of Wave Functions of Resonant Acceptor States in Narrow-Gap CdHgTe Compounds // Semiconductors. № 8. V. 54. 2020. P. 827-831.

2019

Труды (тезисы) конференции

Antonov A.V., Ikonnikov A.V., Masterov D.V., Mikhaylov A.N., Morozov S.V., Nozdrin Yu.N., Pavlov S.A., Parafin A.E., Tetelbaum D.I., Ustavshchikov S.S., Yunin P.A., Savinov D.A. Critical-field slope reduction and intriguing phase diagrams of thin disordered superconducting YBCO films in strong magnetic fields // XXIII Международный Симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника». Труды симпозиума.. Нижний Новгород, 11-14 марта, Т.1. 2019. P. 7-8.

Публикации в научных журналах

Антонов А.В., Иконников А.В., Мастеров Д.В., Михайлов А.Н., Морозов С.В., Ноздрин Ю.Н., Павлов С.А., Парафин А.Е., Тетельбаум Д.И., Уставщиков С.С., Юнин П.А., Савинов Д.А. Отличительные особенности фазовых диаграмм тонких неупорядоченных пленок на основе ВТСП YBa2Cu3O7−x во внешних магнитных полях // Физика твердого тела. № 9. Т. 61. 2019. С. 1573-1578.

Aleshkin V.Ya., Dubinov A.A., Rumyantsev V.V., Morozov S.V. Threshold energies of Auger recombination in HgTe/CdHgTe quantum well heterostructures with 30–70 meV bandgap // Journal of Physics Condensed Matter. V. 31. 2019. P. 425301.

Zholudev M.S., Kadykov A.M., Fadeev M.A., Marcinkiewicz M., Ruffenach S., Consejo C., Knap W., Torres J., Morozov S.V., Gavrilenko V.I., Mikhailov N.N., Dvoretskii S.A., Teppe F. Experimental Observation of Temperature-Driven Topological Phase Transition in HgTe/CdHgTe Quantum Wells // Condensed Matter. № ISSN 2410-3896. V. 4. 2019. P. 27.

Kozlov D.V., Rumyantsev V.V., Kadykov A.M., Fadeev M A., Kulikov N.S., Utochkin V.V., Mikhailov N.N., Dvoretskii S.A., Gavrilenko V.I., Khyubers Kh.-V., Teppe F., Morozov S.V. Features of Photoluminescence of Double Acceptors in HgTe/CdHgTe Heterostructures with Quantum Wells in a Terahertz Range // JETP Letters. № 10. V. 109. 2019. P. 657–662.

Rumyantsev V.V., Fadeev M.A., Aleshkin V.Ya., Kulikov N.S., Utochkin V.V., Mikhailov N.N., Dvoretskii S.A., Pavlov S., Hubers H.W., Gavrilenko V.I., Sirtori C., Krasilynik Z.F., Morozov S.V. Carrier Recombination, Long-Wavelength Photoluminescence, and Stimulated Emission in HgCdTe Quantum Well Heterostructures // Physica Status Solidi (B): Basic Research. V. 256. 2019. P. 1800546.

Kozlov D.V., Rumyantsev V.V., Morozov S.V. Spectra of Double Acceptors in Layers of Barriers and Quantum Wells of HgTe/CdHgTe Heterostructures // Semiconductors. № 9. V. 53. 2019. P. 1198–1202.

2018

Публикации в научных журналах

Morozov S.V., A. M. Kadykov, S. S. Krishtopenko, B. Jouault, W. Desrat, W. Knap, S. Ruffenach, C. Consejo, J. Torres, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, F. Teppe Temperature-Induced Topological Phase Transition in HgTe Quantum Wells // Physical Review Letters. V. 120. 2018. P. 086401.

Козлов Д.В., Румянцев В.В., Морозов С.В., Гавриленко В.И., Кадыков А.М., Фадеев М.А., Михайлов Н.Н., Жолудев М.С., Варавин В.С, Дворецкий С.А., Теппе Ф. Терагерцовая фотолюминесценция двойных акцепторов в объемных эпитаксиальных слоях HgСdTe и гетерострутрурах HgTe/СdHgTe с квантовыми ямами // Журнал экспериментальной и теоретической физики. № 6. Т. 154. 2018. С. 1226–1231.

Kozlov D.V., Rumyantsev V.V., Morozov S.V., Fadeev M.A., Kadykov A.M., Hübers H.-W., Gavrilenko V.I. Calculation of Multiply Charged States of Impurity-Defect Centers in Epitaxial Hg1 –xCdxTe Layers. Semiconductors // Semiconductors. № 11. V. 52. 2018. P. 1369–1374.

Fadeev M.A., Rumyantsev V.V., Kadykov A.M., Dubinov A.A., Antonov A.V., Kudryavtsev K.E., Dvoretskii S.A., Mikhailov N.N., Gavrilenko V.I., Morozov S.V. Stimulated emission in the 2.8 - 3.5 um wavelength range from Peltier cooled HgTe/CdHgTe quantum well heterostructures // Optics Express. V. 26. 2018. P. 12755-12760.

Aleshkin V.Ya., Dubinov A.A., Rumyantsev V.V., Fadeev M.A., Domnina O.L., Mikhailov N.N., Dvoretskii S.A., Teppe F., Gavrilenko V.I., Morozov S.V. Radiative recombination in narrow gap HgTe/CdHgTe quantum well heterostructures for laser applications // Journal of Physics Condensed Matter. V. 30. 2018. P. 495301.

2017

Публикации в научных журналах

S. Ruffenach, A. Kadykov, Rumyantsev V.V., J. Torres, D. Coquillat, D. But, S. S. Krishtopenko, C. Consejo, W. Knap, S. Winnerl, M. Helm, M. A. Fadeev, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, Gavrilenko V.I., Morozov S.V., F. Teppe HgCdTe-based heterostructures for terahertz photonics // APL Materials. № 5. 2017. P. 035503.

Marcinkiewicz M., Ruffenach S., Krishtopenko S. S., Kadykov A. M., Consejo C., But D. B., Desrat W., Knap W., Torres J., Ikonnikov A. V., Spirin K. E., Morozov S.V., Gavrilenko V.I., Mikhailov N. N., Dvoretskii S. A., Teppe F. Temperature-driven single-valley Dirac fermions in HgTe quantum wells. // PHYSICAL REVIEW B. V. 96. 2017. P. 035405.

Rumyantsev V.V., Kozlov D.V., Morozov S.V., Fadeev M.A., Kadykov A. M., Teppe F., Varavin V.S., Yakushev M.V., Mikhailov N. N., Dvoretskii S. A., Gavrilenko V.I. Terahertz photoconductivity of double acceptors in narrow gap HgCdTe epitaxial films grown by molecular beam epitaxy on GaAs(013) and Si(013) substrates // Semiconductor Science and Technology. V. 32. 2017. P. 095007.

Morozov S.V., Rumyantsev V.V., Fadeev M.A., Zholudev M.S., Kudryavtsev K.E., Antonov A.V., Kadykov A. M., Dubinov A.A., Mikhailov N. N., Dvoretskii S. A., Gavrilenko V.I. Stimulated emission from HgCdTe quantum well heterostructures at wavelengths up to 19.5 µm // Applied Physics Letters. V. 111. 2017. P. 192101.

Иконников А.В., Маремьянин К.В., Морозов С.В., Гавриленко В.И., Павлов А.Ю., Щаврук Н.В., Хабибуллин Р.А., Резник Р.Р., Цырлин Г.Э., Зубов Ф.И., Жуков А.Е., Алфёров Ж.И. Генерация терагерцового излучения в многослойных квантово-каскадных гетероструктурах // Письма в Журнал технической физики. № 7. Т. 43. 2017. С. 86-94.

2016

Публикации в научных журналах

Morozov S.V., Rumyantsev V.V., Kadykov A. M., Dubinov A.A., Kudryavtsev K.E., Antonov A.V., Mikhailov N. N., Dvoretskii S. A., Gavrilenko V.I. Long wavelength stimulated emission up to 9.5 m from HgCdTe quantum well heterostructures // Applied Physics Letters. V. 108. 2016. P. 092104-1-092104-5.

Яблонский А.Н., Морозов С.В., Гапонова Д.М., Алешкин В.Я., Шенгуров В.Г., Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Байдусь Н.В., Красильник З.Ф. Cтимулированное излучение в гетероструктурах с двойными квантовыми ямами InGaAs/GaAsSb/GaAs, выращенных на подложках GaAs и Ge/Si(001) // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 50. 2016. С. 1455-1458.

Yablonskii A.N., Morozov S.V., Gaponova D.M., Aleshkin V.Ya., Zvonkov B.N., Shengurov V.G., Vikhrova O.V., Baidusy N.V., Krasilynik Z.F. Stimulated emission in heterostructures with double InGaAs/GaAsSb/GaAs quantum wells, grown on GaAs and Ge/Si(001) substrates // Semiconductors. № 11. V. 50. 2016. P. 1435-1438.

Kozlov D.V., Rumyantsev V.V., Morozov S.V., Gavrilenko V.I., Kadykov A.M., Fadeev M.A., Varavin V.S., Mikhailov N.N., Dvoretskii S.A., Teppe F. Mercury Vacancies as Divalent Acceptors in HgTe/CdxHg1-xTe Structures with Quantum Wells // Semiconductors. № 12. V. 50. 2016. P. 1690-1696.

2015

Публикации в научных журналах

Алешкин В.Я., Морозов С.В., Румянцев В.В., Тузов И.В. Наблюдение динамики примесной фотопроводимости в n-GaAs, обусловленной остыванием электронов // Физика и техника полупроводников. № 1. Т. 49. 2015. С. 117-121.

Morozov S.V., Rumyantsev V.V., Dubinov A.A., Antonov A.V., Kadykov A.M., Kudryavtsev K.E., Kuritsyn D.I., Mikhailov N.N., Dvoretskii S.A., Gavrilenko V.I. Long wavelength superluminescence from narrow gap HgCdTe epilayer at 100 K // Applied Physics Letters. V. 107. 2015. P. 042105-1-042105-4.

Вихрова О.В., Звонков Б.Н., Дорохин М.В., Калентьева И.Л., Морозов С.В., Крыжков Д.И., Юнин П.А. Структурные и оптические свойства гетероструктур с квантовыми ямами GaAsSb, выращенных методом лазерного осаждения // Физика и техника полупроводников. № 49. Т. 1. 2015. С. 113-116.

Vikhrova O.V., Zvonkov B.N., Dorokhin M.V., Kalentyeva I.L., Morozov S.V., Kryzhkov D.I., Yunin P.A. Structural and optical properties of GaAsSb QW heterostructures grown by laser deposition // Semiconductors. № 49. V. 1. 2015. P. 109-112.

Козлов Д.В., Морозов С.В., Румянцев В.В., Тузов И.В., Кудрявцев К.Е., Гавриленко В.И. Влияние прямого захвата дырок с испусканием оптических фононов на релаксацию примесной фотопроводимости в p -Si : B // Физика и техника полупроводников. № 2. Т. 49. 2015. С. 192-195.

Козлов Д.В., Румянцев В.В., Морозов С.В., Кадыков А.М., Варавин В.С., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Гавриленко В.И., Teppe F. Примесная фотопроводимость узкозонных структур кадмий-ртуть-теллур // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 49. 2015. С. 1654-1659.

Zholudev M.S., Teppe F., Morozov S.V., Orlita M., Consejo C., Ruffenach S., Knap W., Gavrilenko V.I., Dvoretskii S.A., Mikhailov N.N. Anticrossing of Landau Levels in HgTe/CdHgTe (013) Quantum Wells with an Inverted Band Structure // JETP Letters. № 12. V. 100. 2015. P. 790-794.

Kozlov D.V., Morozov S.V., Rumyantsev V.V., Tuzov I.V., Kudryavtsev K.E., Gavrilenko V.I. Effect of the Direct Capture of Holes with the Emission of Optical Phonons on ImpurityPhotoconductivity Relaxation in p-Si:B // Semiconductors. № 2. V. 49. 2015. P. 187-190.

Morozov S.V., Gavrilenko V.I., Kadykov A.M., Krishtopenko S.S., Teppe F., Consejo C., Viti L., Vitiello M.S., Ruffenach S., Marcinkiewicz M., Desrat W., Dyakonova N., Knap W., Mikhailov N.N., Dvoretsky S.A. Terahertz detection of magnetic field-driven topological phase transition in HgTe-based transistors // APPLIED PHYSICS LETTERS. V. 107. 2015. P. 152101.

2014

Публикации в научных журналах

Morozov S.V., Kryzhkov D.I., Yablonskii A.N., Aleshkin V.Ya., Krasilynik Z.F., Zvonkov B.N., Vikhrova O.V. Dependence of the ground-state transition energy versus optical pumping in GaAsSb/InGaAs/GaAs heterostructures // Applied Physics Letters. № 2. V. 104. 2014. P. 021108-1 -021108-5.

Morozov S.V., Rumyantsev V.V., Antonov A.V., Maremyyanin K.V., Kudryavtsev K.E., Krasilynikova L.V., Mikhailov N.N., Dvoretskii S.A., Gavrilenko V.I. Efficient long wavelength interband photoluminescence from HgCdTe epitaxial films at wavelengths up to 26μm // Applied Physics Letters. V. 104. 2014. P. 072102.

Morozov S.V., Rumyantsev V.V., Antonov A.V., Kadykov A.M., Maremyyanin K.V., Kudryavtsev K.E., Mikhailov N.N., Dvoretskii S.A., Gavrilenko V.I. Time resolved photoluminescence spectroscopy of narrow gap Hg1-xCdxTe/CdyHg1-yTe quantum well heterostructures // Applied Physics Letters. V. 105. 2014. P. 022102.

Zvonkov B.N., Morozov S.V., Kryzhkov D.I., Yablonskii A.N., Aleshkin V.Ya., Vikhrova O.V., Krasilynik Z.F. Long-wavelength shift and enhanced room temperature photoluminescence efficiency in GaAsSb/InGaAs/GaAs-based heterostructures emitting in the spectral range of 1.0–1.2 mkm due to increased charge carrier’s localization // JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. V. 116. 2014. P. 203102.

Маремьянин К.В., Крыжков Д.И., Морозов С.В., Сергеев С.М., Курицын Д.И., Гапонова Д.М., Алешкин В.Я., Садофьев Ю.Г. Исследование квантово-каскадных структур GaAs/AlGaAs оптическими методами на основе горячей люминесценции в ближнем ИК диапазоне. // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 48. 2014. С. 1499-1502.

2013

Труды (тезисы) конференции

Gavrilenko V.I., Morozov S.V., Rumyantsev V.V., Zholudev M.S., Antonov A.V., Dubinov A.A., Maremyyanin K.V., Kudryavtsev K.E., Krasilynikova L.V., Aleshkin V.Ya., Mikhailov N.N., Dvoretskii S.A. THz Response of HgTe/CdTe Quantum Wells and Narrow-Gap HgCdTe Films: from Fundamentals to Applications // Abstract the International Conference on Coherent and Nonlinear Optics (ICONO) and The Lasers, Applications, and Technologies (LAT) ICONO/LAT, Moscow, 18-22 June, 2013. Moscow. 2013. P. JDB2.

Гавриленко В.И., Румянцев В.В., Жолудев М.С., Антонов А.В., Кудрявцев К.Е., Красильникова Л.В., Иконников А.В., Дубинов А.А., Морозов С.В., Алешкин В.Я., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А. Генерация и детектирование ТГц-излучения в узкозонных гетероструктурах с квантовыми ямами на основе HgTe/CdTe и эпитаксиальных слоях CdHgTe // Тезисы докладов IX Всероссийского семинара по радиофизике миллиметровых и субмиллиметровых волн, 26 февраля – 1 марта, 2013. ИПФ РАН, Нижний Новгород. 2013. С. 23-24.

Морозов С.В., Антонов А.В., Румянцев В.В., Маремьянин К.В., Красильникова Л.В., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Гавриленко В.И. Длинноволновая фотолюминесценция в узкозонных объемных структурах HgCdTe и квантовых ямах Hg1-xCdxTe/Cd1-yHgyTe // Тезисы докладов XI Российской конференции по физике полупроводников, Санкт-Петербург, 16 – 20 сентября, 2013 г.. ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург. 2013. С. 237.

Морозов С.В., Антонов А.В., Маремьянин К.В., Румянцев В.В., Красильникова Л.В., Сергеев С.С., Курицын Д.И., Михайлов Н.Н., Гавриленко В.И. Исследования спектров и кинетики фотопроводимости и спектров ФЛ в эпитаксиальных пленках Hg1-xCdxTe и Hg1-xCdxTe/CdyHg1-yTe структурах с квантовыми ямами в ТГц диапазоне // Труды XVII Симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Нижний Новгород, 11-15 марта, 2013. Т.2, 2 стр.. 2013. С. 529-530.

Gavrilenko V.I., Morozov S.V., Rumyantsev V.V., Zholudev M.S., Antonov A.V., Dubinov A.A., Maremyyanin K.V., Kudryavtsev K.E., Krasilynikova L.V., Aleshkin V.Ya., Mikhailov N.N., Dvoretskii S.A. Optical study of HgCdTe based narrow-gap heterostructures // Proc. 21st Int. Symp. “Nanostructures: Physics and Technology. June 24-28, 2013. St. Petersburg. 2013. P. 252-253.

Morozov S.V., Gavrilenko V.I., Rumyantsev V.V., Antonov A.V., Maremyyanin K.V., Krasilynikova L.V., Aleshkin V.Ya., Mikhailov N.N., Dvoretskii S.A. THz Emission of Narrow- Gap HgCdTe Films and HgTe/CdTe Quantum Wells Structure // Extended Abstracts of 38th International Conference on Infrared, Millimeter and Terahertz Waves (IRMMW-THz 2013), September 1– 6, 2013. Mainz on the Rhine, Germany. 2013. P. Mo6-5.

Публикации в научных журналах

Morozov S.V., Aleshkin V.Ya., Kryzhkov D.I., Zvonkov B.N., Vikhrova O.V. Spectral-kinetic properties of heterostructures with GaAsSb/InGaAs/GaAs-based quantum well emitting in range 1.0-1.2 mkm // Semiconductors. № 11. V. 47. 2013. P. 1504-1507.

Алешкин В.Я., Афоненко А.А., Дикарева Н.В., Дубинов А.А., Кудрявцев К.Е., Морозов С.В., Некоркин С.М. Волноводный эффект квантовых ям GaAsSb в лазерной структуре на основе GaAs // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 47. 2013. С. 1486-1488.

Алешкин В.Я., Морозов С.В., Крыжков Д.И., Звонков Б.Н., Вихрова О.В. Спектрокинетические свойства гетероструктур с квантовыми ямами на основе GaAsSb/InGaAs/GaAs, излучающих в области 1.0-1.2 мкм.ФТП т.47 в.11. cc.1517-1520 (2013) // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 47. 2013. С. 1517-1520.

Морозов С.В., Румянцев В.В., Кудрявцев К.Е., Гавриленко В.И., Козлов Д.В. Кинетика релаксации примесной фотопроводимости в p-Si : B с различным уровнем легирования и степенью компенсации в сильных электрических полях // Физика и техника полупроводников. Т. 47. 2013. С. 1472-1475.

Румянцев В.В., Иконников А.В., Антонов А.В., Морозов С.В., Жолудев М.С., Спирин К.Е., Гавриленко В.И., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н. Особенности спектров и кинетики релаксации длинноволновой фотопроводимости в узкозонных эпитаксиальных пленках и гетероструктурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe // Физика и техника полупроводников. Т. 47. 2013. С. 1446-1450.

Rumyantsev V.V., Morozov S.V., Antonov A.V., Zholudev M.S., Kudryavtsev K.E., Gavrilenko V.I., Dvoretskii S.A., Mikhailov N.N. Spectra and kinetics of THz photoconductivity in narrow-gap Hg1-xCdxTe (x0.2) epitaxial films // Semiconductor Science and Technology. V. 28. 2013. P. 125007.

Morozov S.V., Kryzhkov D.I., Yablonskii A.N., Antonov A.V., Kuritsyn D.I., Gaponova D.M., Sadofyev Yu.G., Samal N., Gavrilenko V.I., Krasilynik Z.F. Type II–type I conversion of GaAs/GaAsSb heterostructure energy spectrum under optical pumping // Journal of Applied Physics. V. 113. 2013. P. 163107.

Rumyantsev V.V., Ikonnikov A.V., Antonov A.V., Morozov S.V., Zholudev M.S., Spirin K.E., Gavrilenko V.I., Dvoretskii S.A., Mikhailov N.N. Specific Features of the Spectra and Relaxation Kinetics of Long-Wavelength Photoconductivity in Narrow-Gap HgCdTe Epitaxial Films and Heterostructures with Quantum Wells // Semiconductors. № 11. V. 47. 2013. P. 1438-1441.

2012

Публикации в научных журналах

Морозов С.В., Крыжков Д.И., Гавриленко В.И., Яблонский А.Н., Курицын Д.И., Гапонова Д.М., Садофьев Ю.Г., Звонков Б.Н., Вихрова О.В. Определение оптическими методами типа гетероперехода в структурах с квантовыми ямами GaAsSb/GaAs с различной молярной долей сурьмы // ФТП. № 11. Т. 46. 2012. С. 1402-1407.

Крыжков Д.И., Морозов С.В., Гапонова Д.М., Сергеев С.М., Курицын Д.И., Гавриленко В.И., Садофьев Ю.Г. Диагностика квантовых каскадных структур оптическими методами в ближнем ИК диапазоне // ФТП. № 11. Т. 46. 2012. С. 1440-1443.

Морозов С.В., Антонов А.В., Жолудев М.С., Румянцев В.В., Гавриленко В.И., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Drachenko O., Winnerl S., Schneider H., Helm M. Исследования времен жизни и релаксации фотопроводимости в гетероструктурах с квантовыми ямами HgxCd1-xTe/CdyHg1-yTe // Физика и техника полупроводников. Т. 46. 2012. С. 1388-1392.

Румянцев В.В., Морозов С.В., Кудрявцев К.Е., Гавриленко В.И., Козлов Д.В. Особенности релаксации примесной фотопроводимости в кремнии, легированном бором // Физика и техника полупроводников. Т. 46. 2012. С. 1414-1418.

2011

Труды (тезисы) конференции

Морозов С.В., Спиваков А.Г., Крыжков Д.И., Гавриленко В.И., Яблонский А.Н., Курицын Д.И., Гавриленко Л.В., Гапонова Д.М., Yu.G.Sadofyev, N.Samal. Исследование спектров и кинетики фотолюминесценции гетероструктур с квантовыми ямами GaAsSb/GaAs в области длин волн 1.2-1.3 мкм // Труды XV междунарондного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». ИФМ РАН, г., Нижний Новгород, Россия, т.1. 2011. С. 210-211.

Крыжков Д.И., Морозов С.В., Гапонова Д.М., Сергеев С.М., Гавриленко В.И., Курицын Д.И., Садофьев Ю.Г., N.Samal. Диагностика квантовых каскадных структур оптическими методами в ближнем ИК-диапазоне // Труды XV международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». ИФМ РАН, г., Нижний Новгород, Россия, т.2. 2011. С. 525-526.

Морозов С.В., Спиваков А.Г., Крыжков Д.И., Яблонский А.Н., Курицын Д.И., Гавриленко Л.В., Гапонова Д.М., Гавриленко В.И., Yu.G.Sadofyev, Звонков Б.Н. Исследование спектров и кинетики ФЛ гетероструктур с КЯ GaAsSb/GaAs и InGaAs/GaAsSb/GaAs в области 1-1.3 мкм // Тезисы Х Российской конференции по физике полупроводников. ИФМ РАН, Нижний Новгород, 19-23 сентября. 2011. С. 65.

©  Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского