Рыков Артём Владимирович

Место работы

Научно-исследовательский физико-технический институт

Отдел твердотельной электроники и оптоэлектроники

Лаборатория эпитаксиальной технологии

младший научный сотрудник

Ученая степень
нет
Ученое звание
нет
Дата начала работы в университете лобачевского: 2013
Общий стаж работы 5 лет, 2 мес.

Общие сведения

Научная Работа


Образование, учёные степени и учёные звания

Высшее образование
Магистр. Специальность: электроника и наноэлектроника. Квалификация: магистр.

Аспирантура, ординатура, адъюнктура
Квалификация: Исследователь. Преподаватель-исследователь.

Список преподаваемых дисциплин

Публикации

2019

Труды (тезисы) конференции

Рыков А.В., Вергелес П.С., Здоровейщев А.В., Ковальский В.А., Байдусь Н.В., Дорохин М.В., Шенгуров В.Г., Денисов С.А. Вариации дислокационных фильтров в структурах А3В5 на подложке Ge/Si // Материалы XXIII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Н.Новгород: Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2. 2019. 411 с. 2019. С. 815-816.

Самарцев И.В., Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Байдусь Н.В., Рыков А.В., Кудрявцев К.Е., Шенгуров В.Г., Чалков В.Ю. Фоточувствительная структура InGaAs на подложке Si/Ge (001) с градиентным метаморфным буферным слоем InGaAsP // Материалы XXIII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника»,. Н.Новгород: Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2. 2019. 411 с. 2019. С. 821-822.

Прохоров Д.С., Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Здоровейщев А.В., Ведь М.В., Дорохин М.В., Рыков А.В., Байдакова Н.А., Зайцев А.В. Светоизлучающие структуры на основе слоев Ge/Si(001), выращенных методом HW CVD, для кремниевой оптоэлектроники // Сборник трудов ИТНТ-2019, V Международная конференция и молодежная школа «Информационные технологии и нанотехнологии». Самара: Изд-во Новая техника, 2019. Т. 1. Компьютерная оптика и нанофотоника. 761 с. 2019. С. 406-410.

Реунов Д.Г., Байдусь Н.В., Абрамкин Д.С., Рыков А.В. Гетероструктуры с КЯ InGaAs/GaAs на подложках GaAs и Ge/Si излучающие на длинах волн до 1200 нм // 24 Нижегородская сессия молодых ученых (технические естественные, математические науки): материалы докладов. Нижний Новгород: НРЛ, 2019. 270 с. 2019. С. 133-136.

Публикации в научных журналах

Сушков А.А., Павлов Д.А., Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Байдусь Н.В., Рыков А.В., Крюков Р.Н. Исследования поперечного среза и фотолюминесценции слоя GaAs, выращенного на подложке Si/Al2O3 // Физика и техника полупроводников. № 53. Т. 9. 2019. С. 1271-1274.

Sushkov A.A., Pavlov D.A., Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Baidus N.V., Rykov A.V., Kryukov R.N. Studies of the Cross Section and Photoluminescence of a GaAs Layer Grown on a Si/Al2O3 Substrate // Semiconductors. № 53. V. 9. 2019. P. 1242–1245.

2018

Труды (тезисы) конференции

Сушков А.А., Павлов Д.А., Байдусь Н.В., Рыков А.В., Новиков А.В., Юрасов Д.В. Формирование гексагональной фазы AlAs на Ge/SI(112) // Микроэлектроника и информатика - 2018. 25-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов. Москва, 18-19 апр. 2018 г. – Москва. Изд-во МИЭТ, 316 с. 2018. С. 42.

Рыков А.В., Дорохин М.В., Вергелес П.С., Ковальский В.А., Якимов Е.Б., Байдусь Н.В., Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Чалков В.Ю. Структурное исследование излучающих структур А3В5 на Ge/Si(100) подложке // «Нанофизика и наноэлектроника» Материалы XXII Международного симпозиума, 12–15 марта 2018 г., Нижний Новгород.. Н.Новгород: Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2. 2018. 389 с.. 2018. С. 751-752.

Rykov A.V., Dorokhin M.V., Vergeles P.S., Baidus N.V., Shengurov V.G. Structural investigation of light-emitting A3B5 structures grown on Ge/Si(100) substrate // 5th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures, Book of Abstracts. Academic University Publishing, St. Petersburg, 2018, 623 p.. 2018. P. 103-104.

Здоровейщев А.В., Дорохин М.В., Кудрин А.В., Вихрова О.В., Демина П.Б., Рыков А.В., Ведь М.В., Белкин М.А., Темирязева М.П., Темирязев А.Г. Свойства и применение пленок типа «ферромагнетик/тяжелый металл» в приборах спинтроники // Труды Х Всероссийской школы-семинара студентов, аспирантов и молодых ученых по направлению «Диагностика наноматериалов и наноструктур». 01-06 октября 2018г., Рязань. Т.1. 2018. С. 64-84.

Публикации в научных журналах

Rykov A.V., Dorokhin M.V., Vergeles P.S., Baidus N.V., Kovalyskii V.A., Yakimov E.B., Soltanovich O.A. Structural and optical characteristics of GaAs films grown on Si/Ge substrates // Journal of Physics: Conference Series. № 993. V. 1. 2018. P. 012014.

Baidus N.V., Aleshkin V.Ya., Dubinov A.A., Kudryavtsev K.E., Nekorkin S.M., Novikov A.V., Pavlov D.A., Rykov A.V., Sushkov A.A., Shaleev M., Yunin P.A., Yurasov D, Krasilnik Z.F. MOCVD Growth of InGaAs/GaAs/AlGaAs Laser Structures with Quantum Wells on Ge/Si Substrates // Crystals. № 8. V. 8. 2018. P. 311.

Алешкин В.Я., Байдусь Н.В., Вихрова О.В., Дубинов А.А., Звонков Б.Н., Красильник З.Ф., Кудрявцев К.Е., Некоркин С.М., Новиков А.В., Рыков А.В., Самарцев И.В., Юрасов Д.В. Стимулированное излучение на длине волны 1.3 μm в метаморфной структуре InGaAs/InGaAsP с квантовыми ямами, выращенной на подложке Ge/Si (001) // Письма в Журнал технической физики. № 44. Т. 16. 2018. С. 67-74.

Aleshkin V.Ya., Baidus N.V., Vikhrova O.V., Dubinov A.A., Krasilnik Z.F., Zvonkov B.N., Kudryavtsev K.E., Nekorkin S.M., Novikov A.V., Rykov A.V., Samartsev I.V., Yurasov D.V. Stimulated Emission at 1.3-μm Wavelength in Metamorphic InGaAs/InGaAsP Structure with Quantum Wells Grown on Ge/Si(001) Substrate // Technical Physics Letters. № 44. V. 8. 2018. P. 735-738.

Байдусь Н.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Красильник З.Ф., Кудрявцев К.Е., Некоркин С.М., Новиков А.В., Рыков А.В., Юнин П.А. Применение компенсирующих слоев GaAsP для роста лазерных гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/GaAs, излучающих на длинах волн больше 1100 нм, на искусственных подложках Ge/Si // Физика и техника полупроводников. № 52. Т. 12. 2018. С. 1443-1446.

Baidus N.V., Aleshkin V.Ya., Dubinov A.A., Krasilnik Z.F., Kudryavtsev K.E., Nekorkin S.M., Novikov A.V., Rykov A.V., Reunov D.G., Shaleev M.V., Yunin P.A., Yurasov D.V. On the Application of Strain-Compensating GaAsP Layers for the Growth of InGaAs/GaAs Quantum-Well Laser Heterostructures Emitting at Wavelengths above 1100 nm on Artificial Ge/Si Substrates // Semiconductors. № 52. V. 12. 2018. P. 1547–1550.

Rykov A.V., Dorokhin M.V., Vergeles P.S., Kovalskiy V.A., Yakimov E.B., Ved' M.V., Baidus N.V., Zdoroveyshchev A.V., Shengurov V.G., Denisov S.A. Structural investigation of light-emitting A3B5 structures grown on Ge/Si(100) substrate // Journal of Physics: Conference Series. № 1124. 2018. P. 022037.

Samartsev I.V., Nekorkin S.M., Zvonkov B.N., Dikareva N.V., Zdoroveyshchev A.V., Rykov A.V., Baidus N.V. 1.06 μm wavelength photodetectors with metamorphic buffer layers grown on GaAs substrates // Journal of Physics: Conference Series. № 1124. 2018. P. 041037.

2017

Сборники статей

Крыжановская Н.В., Полубавкина Ю.С., Моисеев Э.И., Зубов Ф.И., Максимов М.В., Липовский А.А., Жуков А.Е., Кулагина М.М., Трошков С.И., Задиранов Ю.М., Байдусь Н.В., Рыков А.В., Юрасов Д.В., Новиков А.В., Дубинов А.А., Красильник З.Ф. Микролазеры на основе дисковых резонаторов и квантоворазмерных гетероструктур для перспективных устройств нанофотоники // Электроника и микроэлектроника СВЧ. СПб.: Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина). Т. 1.. 2017. С. 115-116.

Труды (тезисы) конференции

Малышева Е.И., Дорохин М.В., Демина П.Б., Здоровейщев А.В., Рыков А.В., Ведь М.В. Управление циркулярной поляризацией электролюминесценции в спиновых светоизлучающих диодах на основе гетерострукутр InGaAs/GaAs/δMn // «Нанофизика и наноэлектроника» Материалы XXI Международного симпозиума, 13–16 марта 2017 г., Нижний Новгород.. Из-во ННГУ, Т.1. 2017. С. 205-206.

Рыков А.В., Дорохин М.В., Демина П.Б., Здоровейщев А.В., Ведь М.В. Температурная стабилизация спиновых светодиодов с инжектором CoPt // «Нанофизика и наноэлектроника» Материалы XXI Международного симпозиума, 13–16 марта 2017 г., Нижний Новгород.. Из-во ННГУ, Т.1. 2017. С. 230-231.

Байдусь Н.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Красильник З.Ф., Некоркин С.М., Новиков А.В., Павлов Д.А., Рыков А.В., Сушков А.А., Шалеев М.В., Юнин П.А., Юрасов Д.В., Яблонский А.Н. Особенности выращивания лазерных структур InGaAs/GaAs/AlGaAs на подложках Ge/Si методом МОС-гидридной эпитаксии // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XXI международного симпозиума. Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т. 2. 2017. С. 523-524.

Публикации в научных журналах

Rykov A.V., Dorokhin M.V., Demina P.B., Zdoroveishchev A.V., Ved' M.V. Temperature stabilization of spin-LEDs with a CoPt injector // Journal of Physics: Conference Series. V. 816. 2017. P. 012034.

Kryzhanovskaya N.V., Moiseev E.I., Polubavkina Yu.S., Maximov M.V., Kulagina M.M., Troshkov S.I., Zadiranov Yu.M., Lipovskii A.A., Baidusy N.V., Dubinov A.A., Krasilynik Z.F., Novikov A.V., Pavlov D.A., Rykov A.V., Sushkov A.A., Yurasov D.V., Zhukov A.E. Electrically pumped InGaAs/GaAs quantum well microdisk lasers directly grown on Si(100) with Ge/GaAs buffer // Optics Express. № 14. V. 25. 2017. P. 16754-16760.

Dorokhin M.V., Zaitsev S.V., Rykov A.V., Zdoroveishchev A.V., Malysheva E.I., Danilov Yu.A., Zubkov V.I., Frolov D.S., Yakovlev G.E., Kudrin A.V. Heterostructures with InGaAs/GaAs quantum dots doped with transition elements: II. Study of the circularly polarized luminescence // Technical Physics. № 10. V. 62. 2017. P. 1545-1550.

Дорохин М.В., Зайцев С.В., Рыков А.В., Здоровейщев А.В., Малышева Е.И., Данилов Ю.А., Зубков В.И., Фролов Д.С., Яковлев Г.Е., Кудрин А.В. Гетероструктуры с квантовыми точками InGaAs/GaAs, легированными атомами переходных элементов. II. Исследование циркулярно-поляризованной люминесценции // Журнал технической физики. № 10. Т. 87. 2017. С. 1539-1544.

Малышева Е.И., Дорохин М.В., Демина П.Б., Здоровейщев А.В., Рыков А.В., Ведь М.В., Данилов Ю.А. Управление циркулярной поляризацией электролюминесценции в спиновых светоизлучающих диодах на основе гетероструктур InGaAs/GaAs/deltaMn // Физика твердого тела. № 11. Т. 59. 2017. С. 2142-2147.

Дорохин М.В., Ведь М.В., Демина П.Б., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Рыков А.В., Кузнецов Ю.М. Методы управления спиновой инжекцией в спиновых светоизлучающих диодах InGaAs/GaAs/Al2O3/CoPt // Физика твердого тела. № 11. Т. 59. 2017. С. 2135-2141.

Алешкин В.Я., Байдусь Н.В., Дубинов А.А., Красильник З.Ф., Некоркин С.М., Новиков А.В., Рыков А.В., Юрасов Д.В., Яблонский А.Н. Стимулированное излучение лазерных структур InGaAs/GaAs/AlGaAs, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на неотклоненной и отклоненной подложках Ge/Si(001) // Физика и техника полупроводников. № 5. Т. 51. 2017. С. 695-698.

Aleshkin V.Ya., Baidus N.V., Dubinov A.A., Krasilnik Z.F., Nekorkin S.M., Novikov A.V., Rykov A.V., Yurasov D.V., Yablonskiy A.N. On the stimulated emission of InGaAs/GaAs/AlGaAs laser structures grown by MOCVD on exact and inclined Ge/Si(001) substrates // Semiconductors. № 5. V. 51. 2017. P. 663-666.

Алешкин В.Я., Байдусь Н.В., Дубинов А.А., Кудрявцев К.Е., Некоркин С.М., Новиков А.В., Рыков А.В., Самарцев И.В., Фефелов А.Г., Юрасов Д.В., Красильник З.Ф. Технология изготовления лазерных диодов из структур GaAs/InGaAs/AlGaAs, выращенных на Ge/Si подложке // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 51. 2017. С. 1530-1533.

Байдусь Н.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Кудрявцев К.Е., Некоркин С.М., Новиков А.В., Павлов Д.А., Рыков А.В., Сушков А.А., Шалеев М.В., Юнин П.А., Юрасов Д.В., Яблонский А.Н., Красильник З.Ф. Особенности выращивания лазерных структур InGaAs/GaAs/AlGaAs методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках Ge/Si // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 51. 2017. С. 1579-1582.

Aleshkin V.Ya., Baidus N.V., Dubinov A.A., Kudryavtsev K.E., Nekorkin S.M., Novikov A.V., Rykov A.V., Samartsev I.V., Fefelov A.G., Yurasov D.V., Krasilnik Z.F. Technology of the production of laser diodes based on GaAs/InGaAs/AlGaAs structures grown on a Ge/Si substrate // Semiconductors. № 11. V. 51. 2017. P. 1477-1480.

Baidus N.V., Aleshkin V.Ya., Dubinov A.A., Kudryavtsev K.E., Nekorkin S.M., Novikov A.V., Pavlov D.A., Rykov A.V., Sushkov A.A., Shaleev M.V., Yunin P.A., Yurasov D.V., Yablonskiy A.N., Krasilnik Z.F. Peculiarities of Growing InGaAs/GaAs/AlGaAs Laser Structures by MOCVD on Ge/Si Substrates / N.V. Baidus, V.Ya. Aleshkin, A.A. Dubinov, K.E. Kudryavtsev, S.M. Nekorkin, A.V. Novikov, D.A. Pavlov, A.V. Rykov, A.A. Sushkov, M.V. Shaleev, P.A. Yunin, D.V. Yurasov, A.N. Yablonskiy, Z.F. Krasilnik // Semiconductors. № 11. V. 51. 2017. P. 1527-1530.

2016

Труды (тезисы) конференции

Байдусь Н.В., Некоркин С.М., Колпаков Д.А., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Ершов А.В., Рыков А.В., Самарцев И.В. Импульсный InGaAs/GaAs/AlGaAs гетеролазер с увеличенной активной областью и узкой диаграммой направленности // Материалы XX Междунар. симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 14–18 марта 2016, Нижний Новгород. Изд-во Нижегород. ун-та им. Н.И. Лобачевского, Т. 2: Секция 3, 840 с. 2016. С. 486–487.

Рыков А.В., Дорохин М.В., Малышева Е.И., Демина П.Б., Здоровейщев А.В. Люминесценция спиновых светодиодов с ферромагнитным инжектором CoPt // Материалы XX Междунар. симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 14–18 марта 2016, Нижний Новгород. Изд-во Нижегород. ун-та им. Н.И. Лобаческого, Т. 1: Секция 2. 2016. С. 251-252.

Рыков А.В., Дорохин М.В. Исследование люминесценции спиновых светодиодов с ферромагнитным инжектором CoPt // Физика полупроводников и наноструктур, полупроводниковая опто- и наноэлектроника: тезисы докладов 18 всерос. молод. конф. 28 ноября – 2 декабря 2016 года. СПб: Изд-во Политехн. ун-та, 146 с. 2016. 2016. С. 125.

Публикации в научных журналах

Рыков А.В., Дорохин М.В., Малышева Е.И., Демина П.Б., Вихрова О.В., Здоровейщев А.В. Влияние концентрации примесей на люминесцентные свойства спиновых светоизлучающих диодов InGaAs/GaAs с дельта-слоем Mn // Физика и техника полупроводников. № 50. Т. 1. 2016. С. 3-8.

Rykov A.V., Dorokhin M.V., Malysheva E.I., Demina P.B., Vikhrova O.V., Zdoroveishev A.V. Effect of the Dopant Concentration on the Luminescence Properties of InGaAs/GaAs Spin Light-Emitting Diodes with a Mn δ Layer // Semiconductors. № 50. V. 1. 2016. P. 1-7.

2015

Труды (тезисы) конференции

Рыков А.В., Дорохин М.В. Исследование люминесценции спиновых светодиодов с ферромагнитным инжектором CoPt // 17 Всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой опто – и наноэлектронике. Тезисы докладов. Санкт-Петербург. Издательство Политехнического университета, 142 с. 2015. С. 115.

Рыков А.В., Дорохин М.В., Малышева Е.И., Демина П.Б., Вихрова О.В. Люминесцентные свойства спиновых светоизлучающих диодов с легированными Mn слоями // Материалы XIX Междунар. симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, 10-14 марта 2012. Изд-во Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т. 1, 402 с. 2015. С. 199-200.

Рыков А.В., Байдусь Н.В., Логунов А.А., Самарцев И.В. Разработка преобразователей солнечной энергии на основе гетероструктур InGaP/GaAs // Труды XIX научной конференции по радиофизике, Нижний Новгород, 11-15 мая 2015. Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского, 312 с. 2015. С. 55-57.

Самарцев И.В., Байдусь Н.В., Некоркин С.М., Рыков А.В. Разработка оптоэлектронных компонентов для накачки волоконных лазеров и волоконно-оптических систем передачи энергии // Труды XIX научной конференции по радиофизике, Нижний Новгород, 11-15 мая 2015. Нижегородский госуниверситет им. Н.И. Лобачевского, 312 с. 2015. С. 33-34.

Звонков Б.Н., Байдусь Н.В., Некоркин С.М., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Рыков А.В., Колпаков Д.А. Мощный импульсный гетеролазер с увеличенной активной областью и узкой диаграммой направленности // Труды II российско-белорусской научно-технической конференции «Элементная база отечественной радиоэлектроники: импортозамещение и применение» им. О.В. Лосева. Изд-во Нижегородского ун-та им. Н.И. Лобачевского, 508 с. 2015. С. 161-162.

Самарцев И.В., Рыков А.В., Байдусь Н.В., Некоркин С.М. Разработка оптоэлектронных компонентов для накачки волоконных лазеров и волоконно-оптических систем передачи энергии // Девятнадцатая научная конференция по радиофизике, посвященная 70-летию радиофизического факультета. С. 33-34.. 2015. С. 33-34.

Рыков А.В., Самарцев И.В., Логунов А.А. Разработка преобразователей солнечной энергии на основе гетероструктур InGaP/GaAs // Девятнадцатая научная конференция по радиофизике, посвященная 70-летию радиофизического факультета. Кол. стр. 3. 2015. С. 55-57.

2014

Публикации в научных журналах

Дорохин М.В., Малышева Е.И., Данилов Ю.А., Здоровейщев А.В., Рыков А.В., Звонков Б.Н. Температурная зависимость циркулярной поляризации люминесценции спиновых светоизлучающих диодов на основе гетероструктур InGaAs/GaAs // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. № 5. 2014. С. 28-34.

Рыков А.В., Дорохин М.В., Малышева Е.И., Данилов Ю.А. Циркулярная поляризация электролюминесценции светоизлучающих диодов на основе GaAsMn // Вестник ННГУ им.Н.И.Лобачевского. № 1(2). 2014. С. 94-99.

Dorokhin M.V., Malysheva E.I., Danilov Yu.A., Zdoroveishchev A.V., Rykov A.V., Zvonkov B.N. Temperature dependence of the circular polarization of electroluminescence from spin-polarized light-emitting diodes based on InGaAs/GaAs heterostructures // Journal of Surface Investigations. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. № 3. V. 8. 2014. P. 433-439.

2013

Труды (тезисы) конференции

Дорохин М.В., Малышева Е.И., Данилов Ю.А., Кудрин А.В., Здоровейщев А.В., Рыков А.В., Звонков Б.Н. Температурная зависимость циркулярной поляризации люминесценции спиновых светоизлучающих диодов // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XVII международного симпозиума 11-15 марта 2013 г.. Нижний Новгород. Т.1. 2013. С. 116-117.

Дорохин М.В., Малышева Е.И., Данилов Ю.А., Вихрова О.В., Калентьева И.Л., Кудрин А.В., Здоровейщев А.В., Рыков А.В., Звонков Б.Н. Ферромагнитные свойства наноструктур на основе гетеросистемы InGaAs/GaAs-дельта Mn // Всероссийская конференция по физике полупроводников. Тезисы докладов. С. Петербург. 16-20 сентября 2013.. Изд-во ФТИ им. А.Ф. Иоффе. 2013. С. 312.

Патенты, авторские свидетельства

2017

Некоркин С.М., Байдусь Н.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Рыков А.В. Способ получения лазерного излучения с малой расходимостью и диодный лазер для его осуществления (Патент).

Контакты

©  Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского