Оболенская Елизавета Сергеевна

Список преподаваемых дисциплин

Радиофизический факультет
Моделирование параметров перспективных СВЧ и терагерцовых приборов
Радиофизический практикум
Спецлаборатории по физической электронике
Твердотельная электроника
Электроника
Электроника и схемотехника

Публикации

2022

Хазанова С.В., Оболенский С.В., Голиков О.Л., Пузанов А.С., Тарасова Е.А., Забавичев И.Ю., Потехин А.А., Оболенская Е.С. Моделирование вольт-амперных характеристик и пробоя в сверхрешетках с малым числом периодов // Тезисы докладов XV Российской конференции по физике полупроводников. Типография ИПФ РАН. 603950, Нижний Новгород, ул. Ульянова, 46, 451 стр.. 2022. С. 367.

2021

Тарасова Е.А., Пузанов А.С., Забавичев И.Ю., Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Бибикова В.В., Потехин А.А., Востоков Н.В. Моделирование реакции низкобарьерного неохлаждаемого диода Мотта на воздействие ионизирующих излучений космического пространства // Материалы XXV Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского 2021, том 2, 982 стр.. 2021. С. 813-814.

Tarasova E.A., Puzanov A.S., Bibikova V.V., Volkova E.V., Zabavichev I.Yu., Obolenskaya E.S., Potekhin A.A., Obolenskii S.V. The Physical Topological Modeling Of Single Radiation Effects In Submicron Ultrahigh-Frequency Semiconductor Diode Structures With Taking In Account The Heating Of An Electron-Hole Gas In The Charged Particle Track // Proceedings of the 33rd European Modeling & Simulation Symposium, EMSS. Volume Details Volume Title Proceedings of the 33rd European Modeling & Simulation Symposium (EMSS 2021) Conference Location and Date Online September 15-17, 2021 Conference ISSN 2724-0029 Volume ISBN 978-88-85741-57-7. 2021. P. 289-294.

Забавичев И.Ю., Тарасова Е.А., Волкова Е.В., Пузанов А.С., Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Потехин А.А., Бибикова В.В Физико-топологическое моделирование одиночных радиационных эффектов в диодных субмикронных сверхвысокочастотных полупроводниковых структурах с учетом разогрева электронно-дырочного газа в треке заряженной частицы // Труды XXV научной конференции по радиофизике. (г. Нижний Новгород, 14-26 мая 2021 г.). – Нижний Новгород, 2021 г. 2021. С. 102-104.

Забавичев И.Ю., Кудряшова Д.А., Наседкин К.А., Оболенская Е.С., Потехин А.А., Пузанов А.С., Тарасова Е.А. Реинжиниринг профиля легирования диодных и транзисторных структур для расчетной оценки их реакции на воздействие ионизирующих излучений // Научно-технический вестник Поволжья. № 12. 2021. С. 200-202.

Забавичев И.Ю., Насеткин К.А., Оболенская Е.С., Потехин А.А., Пузанов А.С., Тарасова Е.А. Влияние RLC-параметров межтранзисторных соединений на переходной ионизационный процесс в ячейках быстродействующей статической памяти при воздействии тяжелых заряженных частиц космического пространства // Научно-технический вестник Поволжья. № 12. 2021. С. 203-205.

Забавичев И.Ю., Наседкин К.А., Оболенская Е.С., Пузанов А.С., Тарасова Е.А. Динамика разогрева и релаксации энергии электронно-дырочной плазмы в треке первичного атома отдачи в GaAs при воздействии нейтронов спектра деления // Научно-технический вестник Поволжья. № 12. 2021. С. 209-211.

Пузанов А.С., Бибикова В.В., Забавичев И.Ю., Оболенская Е.С., Тарасова Е.А., Востоков Н.В., Оболенский С.В. Моделирование реакции низкобарьерного диода Мотта на воздействие тяжелых заряженных частиц космического пространства // Письма в Журнал технической физики. № 6. Т. 47. 2021. С. 51-54.

Puzanov A.S., Bibikova V.V., Zabavichev I.Yu., Obolenskaya E.S., Tarasova E.A., Vostokov N.V., Obolenskii S.V. Simulation of the Response of a Low-Barrier Mott Diode to the Influence of Heavy Charged Particles from Outer Space // Technical Physics Letters. № 6. V. 47. 2021. P. 51-54.

2020

Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Павельев Д.Г., Коротков А.В., Фефелов А.Г., Дюков Д.И. Сравнение эффективности перспективных гетероструктурных умножительных диодов ТГц диапазона частот // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXIV Международного симпозиума. Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXIV Международного симпозиума (Нижний Новгород, 10–13 марта 2020 г.) В 2 т. Том 2. — Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2020. — 505 с.. 2020. С. 691-692.

Забавичев И.Ю., Боженькина А.Д., Кудряшов М.Ю., Насеткин К.А., Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Потехин А.А., Пузанов А.С., Тарасова Е.А., Чурин А.Ю. Разработка методов и средств расчетно-экспериментального моделирования физических процессов в перспективных нанометровых полупроводниковых гетероструктурах при воздействии излучений космического пространства. // Труды XXIV научной конференции по радиофизике. Нижний Новгород: ННГУ. 2020. С. 70-72.

Забавичев И.Ю., Козлов В.А., Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Павельев Д.Г., Потехин А.А., Пузанов А.С., Тарасова Е.А., Чурин А.Ю. Терагерцовое детектирование процессов формирования и стабилизации кластера радиационных дефектов в гетеронаноструктурах для повышения точности расчетно-экспериментальной оценки радиационной стойкости изделий наноэлектроники // Труды XXIV научной конференции по радиофизике. Нижний Новгород: ННГУ. 2020. [принято к печати]

Забавичев И.Ю., Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Потехин А.А., Пузанов А.С., Тарасова Е.А. Разработка высокопроизводительных методов проектирования радиационно-стойких терагерцовых приборов для космических телекоммуникационных систем // Труды XXIV научной конференции по радиофизике. Нижний Новгород: ННГУ. 2020. [принято к печати]

Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Павельев Д.Г., Козлов В.А., Дюков Д.И., Фефелов А.Г., Коротков А.В., Иванов А.С. Сравнение эффективности перспективных гетероструктурных умножительных диодов терагерцового диапазона частот // Физика и техника полупроводников. № 10. Т. 54. 2020. С. 1158-1162.

Obolenskaya E.S., Obolenskii S.V., Pavelyev D.G., Dyukov D.I., Fefelov A.G., Korotkov A.V., Kozlov A.V., Ivanov A.S. Comparison of the Efficiency of Promising Heterostructure Frequency-Multiplier Diodes of the THz-Frequency Range // Semiconductors. № 10. V. 54. 2020. P. 1360-1364.

2019

Оболенская Е.С., Козлов В.А., Павельев Д.Г., Иванов А.С., Васильев А.П. Сравнение особенностей транспорта электронов и ТГц генерации в диодах на основе 6-, 18-, 30- и 120-периодных GaAs/AlAs сверхрешеток // Труды XXIII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXIII Международного симпозиума (Нижний Новгород, 11–14 марта 2019 г.) В 2 т. Том 2. — Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2019. — 411 с. 2019. С. 786-787.

Оболенская Е.С., Павельев Д.Г., Козлов В.А., Васильев А.П., Иванов А.С. Сравнение особенностей транспорта электронов и субтетрагерцовой генерации в диодах на основе 6-, 18-, 30-, 70- и 120-периодных сверхрешеток GaAs/AlAs // Физика и техника полупроводников. № 9. Т. 53. 2019. С. 1218-1223.

Obolenskaya E.S., Pavelyev D.G., Kozlov V.A., Vasilyev A.P., Ivanov A.S. COMPARISON OF THE FEATURES OF ELECTRON TRANSPORT AND SUBTERAHERTZ GENERATION IN DIODES BASED ON 6-, 18-, 70-, AND 120-PERIOD GAAS/ALAS SUPERLATTICES // Semiconductors. № 9. V. 53. 2019. P. 1192–1197.

2018

Оболенский С.В., Пузанов А.С., Тарасова Е.А., Потехин А.А., Забавичев И.Ю., Оболенская Е.С. Фемто- и пикосекундные процессы формирования кластеров радиационных дефектов при ионном и нейтронном облучении полупроводниковых гетероструктур: моделирование и эксперимент // Тезисы докладов VII Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов ""Физические и физико-химические основы ионной имплантации, Нижний Новгород, 7-9 ноября, 2018 г.. Т. 1, 174 стр.. 2018. С. 16-17.

Оболенский С.В., Пузанов А.С., Тарасова Е.А., Забавичев И.Ю., Потехин А.А., Оболенская Е.С. Радиационная стойкость приборов наноэлектроники // Труды IV Международной научно-технической конференции "Элементная база отечественной радиоэлектроники". 79 стр.. 2018. С. 3.

Оболенская Е.С., Павельев Д.Г., Козлов В.А., Вербус В.А. Резонансные туннельные контакты для гетероструктур AlAs/GaAs с пролетными эффектами // Труды XXII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, 2018, т.2, с.648-649. 2018. С. 648-649.

Оболенская Е.С., Павельев Д.Г., Козлов В.А., Васильев А.П. Терагерцовые приборы на основе апериодических GaAs/AlAs сверхрешеток с малым числом периодов // Труды XXII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, т.2, с.727-728. 2018. С. 727-728.

Оболенская Е.С., Павельев Д.Г., Козлов В.А. Радиационная стойкость диодов на основе 30-периодных GaAs/AlAs сверхрешеток // 23-я Сессия молодых ученых (естественные, математические науки). 23-я Сессия молодых ученых (естественные, математические науки), 2018, т.2 с.37.. 2018. С. 37-37.

Оболенская Е.С., Козлов В.А., Павельев Д.Г. Радиационная стойкость диодов на основе GaAs/AlAs сверхрешеток // VI Всероссийская конференция и школа молодых ученых и специалистов "Физические и физико-химические основы ионной имплантации": Физические и физико-химические основы ионной имплантации: Тезисы докладов VI Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов. РИУ Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Н. Новгород, 2018. – 174 с.. 2018. С. 60-61.

Оболенская Е.С., Козлов В.А., Павельев Д.Г., Васильев А.П. Радиационная стойкость терагерцовых диодов на основе GaAs/AlAs-сверхрешеток // Физика и техника полупроводников. № 52. Т. 11. 2018. С. 1337-1345.

Obolenskaya E.S., Obolenskii S.V., Kozlov V.A., Pavelyev D.G., Vasilyev A.P., Ustinov V.M. INCREASE OF SELF-OSCILLATION AND TRANSFORMATION FREQUENCIES IN THZ DIODES // IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology. № 2. V. 8. 2018. P. 231-236.

Obolenskaya E.S., Kozlov V.A., Pavelyev D.G., Vasilyev A.P. Radiation Resistance of Terahertz Diodes Based on GaAs/AlAs Superlattices // Semiconductors. № 11. V. 52. 2018. P. 1448–1456.

Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Тарасова Е.А., Линев А.В., Пузанов А.С., Забавичев И.Ю., Потехин А.А., Васин А.А., Хананова А.А., Иванов А.Б. Применение физико-топологического моделирования для анализа радиационной стойкости серийных полупроводниковых приборов // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. № 4. 2018. С. 10-17.

2017

Забавичев И.А., Оболенская Е.С., Потехин А.А., Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Транспорт горячих носителей заряда в полупроводниковых структурах с нанометровыми кластерами радиационных дефектов // Труды XXI Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Труды XXI Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника» (Нижний Новгород, 13-16 марта, 2017 г.) В 2т. Том II. - Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2017 - 402 с.. 2017. С. 598-599.

Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Павельев Д.Г., Козлов В.А., Васильев А.П., Устинов В.М. Оптимизация параметров сверхрешетки для диодов терагерцового диапазона частот // Труды XXI Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Труды XXI Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника» (Нижний Новгород, 13-16 марта, 2017 г.) В 2т. Том II. - Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2017 - 402 с.. 2017. С. 686.

Оболенская Е.С. Моделирование транспорта электронов в терагерцовых диодах на основе малопериодных сверхрешеток с учетом их разогрева // XXII Нижегородская сессия молодых ученых. Княгинино : НГИЭУ, 2017. – 216 с.. 2017. С. 62.

Оболенская Е.С. Радиационная стойкость генераторов на сверхрешетках // III Международная научно‐техническая конференция "СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ И ЕЁ ПРИМЕНЕНИЕ". Электронное издание, 165 с., 2017. 2017. С. 48-51.

Забавичев И.Ю., Козлов В.А., Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Потехин А.А., Пузанов А.С. Перенос горячих носителей заряда в полупроводниковых структурах с включениями кластеров радиационных дефектов // Труды XXI научной конференции по радиофизике. Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского. 2017. С. 67.

Оболенская Е.С. Транспорт носителей заряда в полупроводниковых структурах с нанометровыми кластерами радиационных дефектов // III Международная научно‐техническая конференция "СОВРЕМЕННАЯ ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ И ЕЁ ПРИМЕНЕНИЕ". Электронное издание, 165 с.. 2017. С. 44-47.

Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Венедиктов М.М., Киселев В.К. Оценка воздействия ионизирующих излучений на электронные компоненты по результатам испытаний ограниченных выборок // Журнал радиоэлектроники. № 1. Т. 1. 2017. С. 1-17.

Забавичев И.Ю., Оболенская Е.С., Потехин А.А., Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Транспорт горячих носителей заряда в Si, GaAs, InGaAs и GaN субмикронных полупроводниковых структурах с нанометровыми кластерами радиационных дефектов // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 51. 2017. С. 1489-1492.

Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Козлов В.А., Потехин А.А., Забавичев И.Ю. Оптимизация параметров сверхрешетки для диодов терагерцового диапазона частот // Физика и техника полупроводников. № 51. Т. 11. 2017. С. 1435-1438.

Obolenskaya E.S., Puzanov A.S., Obolenskii S.V., Kozlov V.A., Zabavichev I.Yu., Potekhin A.A. Transport of hot charge carriers in Si, GaAs, InGaAs, and GaN submicrometer semiconductor structures with nanometer-scale clusters of radiation-induced defects // Semiconductors. № 11. V. 51. 2017. P. 1435-1438.

Obolenskaya E.S., Obolenskii S.V., Pavelyev D.G., Kozlov V.A., Vasilyev A.P., Ustinov V.M. Optimization of the superlattice parameters for THz diodes // Semiconductors. № 11. V. 51. 2017. P. 1439-1443.

2016

Малин Т.В., Мансуров В.Г., Журавлев К.С., Земляков В.Е., Егоркин В.И., Парнес Я.М., Тарасова Е.А., Оболенская Е.С., Хананова А.В., Оболенский С.В., Медведев Г.В. Теоретические и экспериментальные исследования вольт-амперных, вольт-фарадных и импульсных характеристик HEMT структур и полевых транзисторов // Материалы XX Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Т. 2., 2 841 стр., Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского. 2016. С. 655-666.

Оболенская Е.С., Тарасова Е.А., Чурин А.Ю., Оболенский С.В., Козлов В.А., Китаев М.А. Исследование генерации СВЧ-сигналов в планарном диоде Ганна с учетом радиационного облучения // Материалы XX Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Том 2, 841 стр.. 2016. С. 682-683.

Потехин А.А., Оболенская Е.С., Забавичев И.Ю., Тарасова Е.А., Линев А.В., Оболенский С.В., Пузанов А.С. Итерационное моделирование для восстановления структуры полупроводниковых приборов и анализа их радиационной стойкости // Материалы XX Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Том 2, 841 стр., Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского. 2016. С. 698-699.

Потехин А.А., Забавичев И.Ю., Оболенская Е.С., Тарасова Е.А., Хананова А.В., Линев А.В., Пузанов А.С., Оболенский С.В. Опыт применения физико-топологического моделирования для анализа радиационной стойкости серийных полупроводниковых приборов // Тезисы докладов 19-ой Всероссийской научно-технической конференции "Радиационная стойкость электронных систем" "Стойкость-2016", 2016 г.. Т. 1, 253 стр.. 2016. С. 71-72.

Оболенская Е.С., Тарасова Е.А., Оболенский С.В., Козлов В.А., Чурин А.Ю. Моделирование радиационной стойкости планарных диодов Ганна с управляющим электродом // Тезисы докладов 19-ой Всероссийской научно-технической конференции "Радиационная стойкость электронных систем" "Стойкость-2016", 2016 г.. Т. 1, 253 стр.. 2016. С. 73-74.

Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Козлов В.А., Тарасова Е.А., Павельев Д.Г., Чурин А.Ю. Исследование транспорта электронов в малопериодных GaAs/AlAs сверхрешетках и диодах Ганна в условиях радиационного воздействия // VI Всероссийская конференция и школа молодых ученых и специалистов "Физические и физико-химические основы ионной имплантации". Физические и физико-химические основы ионной имплантации: Тезисы докладов VI Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов (Нижний Новгород, 24–27 октября 2016 г.). –Н.Новгород, 2016. – 141 с.. 2016. С. 33-35.

Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Козлов В.А., Павельев Д.Г. Моделирование транспорта электронов в терагерцовых диодах на основе сверхрешеток // Труды XX научной конференции по радиофизике, посвященной 110-летию со дня рождения Г.С. Горелика. Труды ХХ научной конференции по радиофизике, посвящённой 110-летию со дня рождения Г.С. Горелика (Нижний Новгород, 12–20 мая 2016 г.) / Под ред. С.В. Оболенского, В.В. Матросова. Нижний Новгород: ННГУ, 2016. – 320 с. 2016. С. 52-54.

Волкова Е.В., Козлов В.А., Кошуринов Ю.И., Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Павельев Д.Г., Пузанов А.С. Терагерцовое детектирование процессов формирования и стабилизации кластера радиационных дефектов при нейтронном воздействии // Тезисы докладов 19-ой Всероссийской научно-технической конференции "Радиационная стойкость электронных систем" "Стойкость-2016". Издательство НИЯУ МИФИ. 2016. С. 67-68.

Оболенская Е.С., Павельев Д.Г., Козлов В.А., Васильев А.П., Кошуринов Ю.И., Оболенский С.В., Устинов В.М. Моделирование транспорта электронов в малопериодных квантовых GaAs/AlAs сверхрешетках для терагерцового диапазона частот // Материалы XX Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XX Международного симпозиума (Нижний Н-25 Новгород, 14–18 марта 2016 г.) В 2 т. Том 2. — Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2016. — 406 с.. 2016. С. 684-685.

Оболенская Е.С., Павельев Д.Г., Васильев А.П., Козлов В.А., Кошуринов Ю.И., Оболенский С.В., Устинов В.М. Диодные гетероструктуры для приборов терагерцового диапазона частот // Журнал радиоэлектроники. № 1. Т. 1. 2016. С. 1.

Тарасова Е.А., Оболенская Е.С., Хананова А.В., Оболенский С.В., Земляков В.Е., Егоркин В.И., Неженцев А.В., Сахаров А.В., Цацульников А.Ф., Лундин В.В., Заварин Е.Е., Медведев Г.В. Теоретические и экспериментальные исследования вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик HEMT структур и полевых транзисторов // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 50. 2016. С. 1599-1604.

Оболенская Е.С., Тарасова Е.А., Чурин А.Ю., Оболенский С.В., Козлов В.А. Исследование генерации СВЧ сигналов в планарном диоде Ганна с учетом радиационного облучения // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 50. 2016. С. 1605-1609.

Tarasova E.A., Obolenskaya E.S., Khananova A. V., Obolenskii S.V., Zemlyakov V.E., Egorkin V. I., Nezhentsev A. V., Sakharov A. V., Tsatsulynikov A. F., Lundin V. V., Zavarin E. E., Medvedev G. V. Theoretical and Experimental Studies of the Current–Voltage and Capacitance–Voltage of HEMT Structures and Field-Effect Transistors // Semiconductors. № 12. V. 50. 2016. P. 1599-1604.

Obolenskaya E.S., Tarasova E.A., Churin A.Yu., Obolenskii S.V., Kozlov V.A. Microwave-Signal Generation in a Planar Gunn Diode with Radiation Exposure Taken into Account // Semiconductors. № 12. V. 50. 2016. P. 1580-1584.

Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Павельев Д.Г., Васильев А.П., Козлов В.А., Кошуринов Ю.И., Устинов В.М. Моделирование транспорта электронов в малопериодных GaAs/AlAs сверхрешетках для терагерцового диапазона частот // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 50. 2016. С. 1548-1553.

Obolenskaya E.S., Obolenskii S.V., Pavelyev D.G., Vasilyev A.P., Kozlov V.A., Koshurinov Yu.I., Ustinov V.M. Simulation of electron transport in GaAs/AlAs superlattices with a small number of periods for the THz frequency range // Semiconductors. № 11. V. 50. 2016. P. 1526-1531.

2015

Оболенский С.В., Тарасова Е.А., Оболенская Е.С., Чурин А.Ю., Мурель А.В., Шашкин В.И. Транспорт электронов в диодных и транзисторных δ-легированных структурах при радиационном воздействии // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XIX Международного симпозиума (Нижний Новгород, 10–14 марта 2015 г.) В 2 т. Том II.— Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2015. — 359 с.. Т. 1. 2015.. 2015. С. 34-35.

Панкратов Е.Л., Тарасова Е.А., Оболенская Е.С., Козлов В.А., Пузанов А.С., Оболенский С.В. Влияние радиационно-стимулированной диффузии на процессы восстановления работоспособности планарных диодов и транзисторов после импульсного гамма-нейтронного воздействия // Тезисы докладов 18 всероссийской конференции по радиационной стойкости электронных систем "Стойкость-2015". Т.1 с 2. 2015. С. 63-64.

Потехин А.А., Оболенская Е.С., Линев А.В., Оболенский С.В. Итерационное моделирование для реинжиниринга полупроводниковых приборов и анализа их радиационной стойкости // Тез.докл. 18 Всерос. Научн.-техн. конф. по радиационной стойкости электронных систем. «Стойкость-2015». Издательство МИФИ-НИИП, г.Москва, 2015, Т.1, 450. 2015. С. 69-70.

Оболенский С.В., Оболенская Е.С., Шашкин В.И., Мурель А.В., Тарасова Е.А. Транспорт электронов в планарных диодах Ганна при радиационном воздействии // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 49. 2015. С. 1507-1515.

Оболенский С.В., Оболенская Е.С., Чурин А.Ю., Шашкин В.И., Мурель А.В. РАДИАЦИОННАЯ СТОЙКОСТЬ ПЛАНАРНЫХ ДИОДОВ ГАННА // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. № 11. Т. 49. 2015. С. 1507-1515.

Obolenskaya E.S. On the radiation resistance of planar Gunn diodes with δ-doped layers // Semiconductors. № 11. V. 49. 2015. P. 1459–1467.

2014

Тарасова Е.А., Оболенская Е.С., Чурин А.Ю., Оболенский С.В., Мурель А.В., Шашкин В.И. Транспорт электронов в диодах и транзисторах с двумерным электронным газом при радиационном воздействии // Сборник тезисов 19 международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника", 10-14 марта, 2015 г.. Т. 1. 2014. [принято к печати]

Оболенская Е.С., Чурин А.Ю., Оболенский С.В. Транспорт электронов в планарном диоде Ганна // Труды XVIII научной конференции по радиофизике, посвященной Дню радио. Труды XVIII научной конференции по радиофизике, посвященной Дню радио (Нижний Новгород, 12-16 мая 2014 г.) /Под ред. С.М. Грача, А.В. Якимова. Нижний Новгород: ННГУ, 2014. – с.48-50. 2014. С. 2.

Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Мурель А.В., Шашкин В.И. Радиационная стойкость планарных диодов Ганна // Тезисы докладов Всероссийской конференции «Радиационная стойкость электронных систем. стойкость-2014». Тез.докл. Всерос конф. «Радиационная стойкость электронных систем. стойкость-2014», г.Лыткарино, июнь, 2014, Издательство МИФИ-НИИП, г.Москва, 2014, с.217-218. 2014. С. 1.