Лобанов Дмитрий Николаевич

Место работы
Ученая степень
Кандидат физико-математических наук
Ученое звание
нет
Общий стаж работы 21 год, 10 мес.

Общие сведения

Научная Работа


Образование, учёные степени и учёные звания

Высшее образование
Бакалавр. Специальность: физика. Квалификация: бакалавр физики.

Высшее образование
Магистр. Специальность: физика. Квалификация: магистр физики.

Дополнительное образование, повышение квалификации, стажировки

02.04.2018 - 27.04.2018
Повышение квалификации: Электронная информационно-образовательная среда вуза, ННГУ, 72 час., документ № удостоверение 522406996721 рег.№ 33-1965 от 27.04.2018

Список преподаваемых дисциплин

Публикации

2016

Публикации в научных журналах

Lobanov D.N., Novikov A.V., Andreev B.A., Bushuikin P.A., Yunin P.A., Skorokhodov E.V. Features of InN Growth by Nitrogen-Plasma-Assisted MBE at Different Ratios of Fluxes of Group-III and -V Elements // Semiconductors. № 2. V. 50. 2016. P. 261–265.

Volkov P.V., Goryunov A.V., Lobanov D.N., Lukyyanov A.Yu., Novikov A.V., Tertyshnik A.D., Shaleev M.V., Yurasov D.V. Features of SOI substrates heating in MBE growth process obtained by low-coherence tandem interferometry // Journal of Crystal Growth. V. 448. 2016. P. 89-92.

2015

Публикации в научных журналах

Яблонский А.Н., Байдакова Н.А., Новиков А.В., Лобанов Д.Н., Шалеев М.В. Спектры возбуждения и кинетика фотолюминесценции в структурах с самоформирующимися Ge(Si) наноостровками // Физика и техника полупроводников. Т. 49. 2015. С. 1458-1462.

2014

Публикации в научных журналах

Zhukavin R.Kh., Bekin N.A., Lobanov D.N., Drozdov Yu.N., Yunin P.A., Drozdov M.N., Pryakhin D.A., Chkhalo E.D., Kozlov D.V., Novikov A.V., Shastin V.N. Coulomb centers assisted tunneling in a δ-doped triple barrier SiGe heterostructure // Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. V. 57. 2014. P. 42-46.

2013

Публикации в научных журналах

Новиков А.В., Hartmann J.M., Шалеев М.В., Юрасов Д.В., Кузнецов О.А., Лобанов Д.Н., Красильник З.Ф. Переход от двумерного к трехмерному росту пленки Ge при ее осаждении на релаксированные SiGe/Si(001) буферные слои // Физика и техника полупроводников. № 3. Т. 47. 2013. С. 404-409.

2012

Труды (тезисы) конференции

Павлов Д.А., Бобров А.И., Красильник З.Ф., Новиков А.В., Лобанов Д.Н. Гетероструктуры с Ge(Si) самоформирующимися нано-островками на Si/Si(001): исследование структуры и элементного состава методами просвечивающей электронной микроскопии // XXIV Российская конференция по электронной микроскопии РКЭМ-2012: Тез. докл.. 29 мая – 1 июня 2012 г., Черноголовка, Россия. 2012. С. 47.

Публикации в научных журналах

Новиков А.В., Байдакова Н.А., Лобанов Д.Н., Яблонский А.Н. Метод спектроскопии возбуждения фотолюминесценции, модифицированный для исследования структур с самоформирующимися Ge(Si)/Si(001) наноостровками // Письма Журнал технической физики. № 18. Т. 38. 2012. С. 7-15.

Novikov A.V., Shaleev M.V., Krasilynik Z.F., Kuznetsov O.A., Lobanov D.N., Yurasov D.V., Hartmann J.M. Transition from planar to island growth mode in SiGe structures fabricated on SiGe/Si(001) strain-relaxed buffers // Applied Physics Letter. V. 101. 2012. P. 151601-3.

2011

Труды (тезисы) конференции

Жукавин Р.Х., Бекин Н.А., Шастин В.Н., Лобанов Д.Н., Пряхин Д.А., Шенгуров Д.В., Дроздов Ю.Н., Дроздов М.Н., Чхало Е.Д., Ковалевский К.А., Денисов С.А., Шенгуров В.Г. Резонансное туннелирование дырок в структурах Si/SiGe с одиночным селективно-легированным барьером // Труды XV Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Н. Новгород, 14–18 марта, 2011. – Т.1. – C.418 - 419. 2011. С. 418-419.

Публикации в научных журналах

Krasilynik Z.F., Novikov A.V., Lobanov D.N., Kudryavtsev K.E., Antonov A.V., Obolenskii S.V., Zakharov N.D., Werner P. SiGe nanostructures with self-assembled islands for Si-based optoelectronics // Semiconductor Science and Technology. V. 26. 2011. P. 014209.

Шалеев М.В., Новиков А.В., Байдакова Н.А., Яблонский А.Н., Кузнецов О.А., Лобанов Д.Н., Красильник З.Ф. Ширина линии фотолюминесценции от Ge(Si) самоформирующихся островков, заключенных между напряженными Si слоями // Физика и техника полупроводников. № 2. Т. 45. 2011. С. 202-206.

Novikov A.V., Shaleev M.V., Baidakova N.A., Yablonskii A.N., Kuznetsov O.A., Drozdov Yu.N., Lobanov D.N., Krasilynik Z.F. Narrow photoluminescence peak from Ge(Si) islands embedded between tensile-strained Si layers // Physica Status Solidi С. № 3. V. 8. 2011. P. 1055-1059.

Багаев В.С., Кривобок В.С., Николаев С.Н., Онищенко Е.Е., Скориков М.Л., Новиков А.В., Лобанов Д.Н. Влияние барьера для электронов на конденсацию экситонов и спектр многочастичных состояний в квантовых ямах SiGe/Si // Письма в "Журнал экспериментальной и теоретической физики". № 1. Т. 94. 2011. С. 63-67.

©  Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского