Кукушкин Владимир Алексеевич

Список преподаваемых дисциплин

Публикации

2025

Кукушкин В.А., Кукушкин Ю.В. Плазмон-поляритоны на границе сверхпроводящего и несверхпроводящего искусственного алмаза // Труды XXIX симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (10-14 марта 2025 г., г. Нижний Новгород). Из-во ИФМ РАН, 1 стр.. 2025. С. 63.

Кукушкин В.А., Кукушкин Ю.В. Скорость передачи энергии от элементарных возбуждений фононам в сильно легированном бором сверхпроводящем алмазе // Journal of Experimental and Theoretical Physics. № 5. Т. 167. 2025. С. 711-719.

2024

Кукушкин В.А., Кукушкин Ю. В. Быстродействие алмазного полевого транзистора на приповерхностном нанослое дырочного газа с сильным поперечным подзатворным электрическим полем // Труды XXVIII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (11-15 марта 2024 г., г. Нижний Новгород). Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А. В. Гапонова-Грехова Российской академии наук (ИПФ РАН), т. 2, 1052 с.. 2024. С. 708-709.

Кукушкин В.А., Кукушкин Ю. В. Способ увеличения используемой доли излучения центров окраски в алмазе // Optics and Spectroscopy (English translation of Optika i Spektroskopiya). № 6. Т. 132. 2024. С. 637-642.

Кукушкин В.А., Кукушкин Ю. В. Потенциальное быстродействие алмазного полевого транзистора на приповерхностном двумерном дырочном газе // Semiconductors. № 6. Т. 58. 2024. С. 283-287.

2023

Кукушкин В.А., Лобаев М. А., Вихарев А.Л., Горбачев А.М., Радищев Д.Б., Архипова Е. А., Дроздов М. Н., Кукушкин Ю.В., Исаев В. А., Богданов С. А. Переход между законами Мотта и Аррениуса в температурных зависимостях сопротивлений сильно легированных бором дельта-слоев в осажденном из газовой фазы алмазе // Труды XXVII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 13─16 марта 2023 г., г. Нижний Новгород. Издательство Федерального исследовательского центра Институт прикладной физики Российской академии наук, т. 2, 2 с.. 2023. С. 649─650.

Кукушкин В.А., Лобаев М. А., Вихарев А. Л., Горбачев А.М., Радищев Д. Б., Архипова Е. А., Дроздов М. Н., Кукушкин Ю.В., Исаев В. А., Богданов С. А. Переход между законами Мотта и Аррениуса в температурных зависимостях сопротивлений сильно легированных бором дельта-слоёв в искусственном алмазе // Semiconductors. № 4. Т. 57. 2023. С. 259-264.

2022

Кукушкин В.А., Лобаев М.А., Вихарев А.Л., Горбачев А.М., Радищев Д.Б., Архипова Е.А., Дроздов М.Н., Исаев В.А., Богданов С.А. Экспериментальное и теоретическое исследование легированных бором дельта-слоев осажденного из газовой фазы алмаза для обеспечения высокой подвижности дырок // Материалы XXVI Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника", 14 – 17 марта 2022 г., Нижний Новгород. Институт физики микроструктур РАН , т. 2, 1145 с.. 2022. С. 887-888.

Чигинева А.Б., Байдусь Н.В., Некоркин С.М., Жидяев К.С., Кукушкин В.А. Оптимизация параметров ГФЭ МОС GaAs тиристорных структур, для увеличения напряжения их переключения // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXVI Международного симпозиума (14–17 марта 2022 г., Нижний Новгород) В 2 т. Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2022. - Т.2.– 501 с. 2022. С. 1061-1062.

Чигинева А.Б., Жидяев К.С., Некоркин С.М., Байдусь Н.В., Самарцев И.В., Кукушкин В.А. Возможности приборного применения тиристорных А3В5 структур, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии // Труды XXVI научной конференции по радиофизике, посвященной 120-летию М.Т. Греховой (12-27 мая 2022г., Н.Новгород, Россия). Изд-во ННГУ, 582 с. 2022. С. 85-88.

Lobaev M. A., Vikharev A. L., Gorbachev A.M., Radishchev D. B., Arkhipova E. A., Drozdov M. N., Isaev V. A., Bogdanov S. A., Kukushkin V.A. Investigation of boron-doped delta layers in CVD diamond grown on single-sector HPHT substrates // Nanosystems: Physics, Chemistry, Mathematics. № 5. V. 13. 2022. P. 578–584.

Кукушкин В.А. Высокая подвижность дырок в дельта-легированных бором слоях алмаза: почему она до сих пор не достигнута и как ее можно достичь // Semiconductors. № 10. Т. 56. 2022. С. 966-972.

2021

Кукушкин В.А. Прыжковая проводимость тонких легированных слоёв в чистом искусственном алмазе // Труды XXV Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 9─12 марта 2021 г., г. Нижний Новгород. Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н. И. Лобачевского. 2021. С. 728-729.

Kukushkin V.A. Hopping conduction of non metallic heavily doped delta-layers in CVD diamond // Diamond and Related Materials. V. 116. 2021. P. 108373.

Кочаровская Е.Р., Кукушкин В.А., Мишин А. В., Кочаровский В.В., Кочаровский В. В. Зависимость спектра генерации и синхронизации мод от ширины запрещенной фотонной зоны в гетеролазерах класса С с распределенной обратной связью волн в резонаторе Фабри-Перо // Semiconductors. № 9. Т. 55. 2021. С. 758-765.

2020

Кукушкин В.А., Лобаев М.А., Богданов С.А., Радищев Д.Б., Степанов А.Н., Краев В.А., Охапкин А.И., Архипова Е.А., Здоровейщев А.В., Чунин И.И., Ведь М.В. Фотодетектор ближнего инфракрасного и видимого диапазонов длин волн на осаждённом из газовой фазы алмазе // Труды XXIV Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника» (10–13 марта 2020 г., Нижний Новгород). Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т. 2, 976 с.. 2020. С. 635-636.

Kukushkin V.A. A Phenomenological Model of Mott's Insulator–Metal Phase Transition in 3D and 2D Boron‐Doped Diamond // Physica Status Solidi (B): Basic Research. № 9. V. 257. 2020. P. 1900748.

2019

Кукушкин В.А. Резкое уменьшение подвижности дырок при снижении внешним напряжением их двумерной концентрации в дельта-допированных бором проводящих каналах полевых транзисторов на алмазе // Труды XXIII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника» (11-14 марта 2019 г., Нижний Новгород). Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т. 2, 958 с.. 2019. С. 728-729.

Кукушкин В.А. Моделирование детектора видимого и ближнего инфракрасного электромагнитного излучения на искусственном алмазе // Technical Physics. № 2. Т. 89. 2019. С. 258-263.

Байдусь Н.В., Кукушкин В.А., Некоркин С.М., Круглов А.В., Реунов Д.Г. Выращивание методом МОС-гидридной эпитаксии субмонослойных квантовых точек InGaAs/GaAs для возбуждения поверхностных плазмон-поляритонов // Semiconductors. № 3. Т. 53. 2019. С. 345-350.

Kukushkin V.A., Lobaev M.A., Bogdanov S.A., Stepanov A.N., Kraev S.A., Okhapkin A.I., Arkhipova E.A., Zdoroveishchev A.V., Vedy M.V. Visible and near-infrared photodetector on chemically vapor deposited diamond // Diamond and Related Materials. № 8. V. 97. 2019. P. 107444.

Кукушкин В.А. Резкое уменьшение подвижности дырок при снижении внешним напряжением их двумерной концентрации в дельта-допированных бором слоях алмаза // Semiconductors. № 10. Т. 53. 2019. С. 1437-1443.

2018

Кукушкин В.А. Теоретический предел на максимальную рабочую частоту алмазных полевых транзисторов с дельта-допированными проводящими каналами // Труды XXII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (12-15 марта 2018 г., Нижний Новгород). Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т. 2, 898 с.. 2018. С. 681-682.

Кукушкин В.А., Байдусь Н.В., Некоркин С.М., Курицын Д.И., Здоровейщев А.В. Ускорение релаксации фотолюминесценции на межзонных переходах в квантовых ямах InGaAs в GaAs за счёт возбуждения поверхностных плазмон-поляритонов на границе GaAs с Au // Труды XXII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (12-15 марта 2018 г., Нижний Новгород). Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т. 2, 898 с.. 2018. С. 683-684.

2017

Кукушкин В.А. Теоретические пределы быстродействия сверхвысокочастотных полевых транзисторов на основе осаждённого из газовой фазы алмаза // Труды VI Всероссийской научно-технической конференции «Электроника и микроэлектроника СВЧ», 29 мая─1 июня 2017 г., г. С.-Петербург. Изд-во Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина), 639 с. (2017).. 2017. С. 208─212.

Кукушкин В.А., Лобаев М.А., Радищев Д.Б., Богданов С.А., Дроздов М.Н., Исаев В.А., Вихарев А.Л., Горбачев А.М. Брэгговская сверхрешётка в осаждённом из газовой фазы алмазе // Труды XXI Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 13─16 марта 2017 г., г. Нижний Новгород. Изд-во Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, т. 2, 832 с. (2017).. 2017. С. 635─636.

Kukushkin V.A., Lobaev M.A., Radishchev D.B., Bogdanov S.A., Drozdov M.N., Isaev V.A., Vikharev A.L., Gorbachev A.M. Diamond Bragg superlattice grown in microwave gas discharge for obtaining photoluminescence of single diamond color centers comprising a dense 3D ensemble // 10th International Workshop “Strong Microwaves and Terahertz Waves: Sources and Applications”, Nizhny Novgorod─Moscow, 17─22 July, 2017, Nizhny Novgorod, Institute of Applied Physics Press, pp. 56─57 (2017).. Nizhny Novgorod, Institute of Applied Physics Press, 356 p. (2017).. 2017. P. 56-57.

Кукушкин В.А., Радищев Д.Б., Лобаев М.А., Богданов С.А., Здоровейщев А.В., Чунин И.И. Фотодетектор видимого и ближнего инфракрасного диапазона длин волн на основе осажденного из газовой фазы алмаза (A CVD Diamond-Based Photodetector for the Visible and Near-IR Spectral Range) // Technical Physics Letters. № 12. Т. 43. 2017. С. 1121-1123.

Кукушкин В.А., Байдусь Н.В., Некоркин С.М., Курицын Д.И., Здоровейщев А.В. ЗАВИСИМОСТЬ КИНЕТИКИ РЕЛАКСАЦИИ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ НА МЕЖЗОННЫХ ПЕРЕХОДАХ В КВАНТОВЫХ ЯМАХ InGaAs В GaAs ОТ ИХ БЛИЗОСТИ К ГРАНИЦЕ С Au (The Dependence of Relaxation Kinetics of Photoluminescence from Interband Transitions in InGaAs/GaAs Quantum Wells on Their Distance from an Interface with Au) // OPTICS AND SPECTROSCOPY. № 5. Т. 123. 2017. С. 754-759.

Kukushkin V.A. Bragg superlattice for obtaining individual photoluminescence of diamond color centers in dense 3D ensembles // Applied Physics A: Materials Science and Processing. V. 123. 2017. P. 663 (1-7).

Kukushkin V.A., Lobaev M.A., Radishchev D.B., Bogdanov S.A., Drozdov M.N., Isaev V.A., Vikharev A.L., Gorbachev A.M. Diamond Bragg superlattice grown in microwave gas discharge for obtaining photoluminescence of single diamond color centers comprising a dense 3D ensemble // EPJ Web of Conferences. V. 149. 2017. P. 02004 (1-2).

2016

Байдусь Н.В., Звонков Б.Н., Кукушкин В.А., Абрамкин Д.С. Влияние поляризации излучения квантовых точек InAs/GaAs на свойства поверхностных плазмон-поляритонов // Труды XX Междунар. симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 14–18 марта 2016, Нижний Новгород. Издательство ННГУ им. Н.И.Лобачевского,, Том.2, 840 с.. 2016. С. 484-485.

Кукушкин В.А., Богданов С.А. Моделирование быстродействующих фотодетекторов ближнего инфракрасного диапазона на наноструктурах из искусственного алмаза // Труды XX Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника» (14–18 марта 2016 г., г. Нижний Новгород). Издательство Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, т. 2, 841 с.. 2016. С. 642-643.

Kukushkin V.A., Snider G., Bogdanov S.A., Chernov V.V. Simulation of delta-layer dop-ing profile in CVD diamond providing high carrier mobility // Proceedings of VI International Conference “Frontiers of Nonlinear Physics” (July 17–23, 2016, Nizhny Novgorod–St. Petersburg). Издательство ИПФ РАН. 2016. P. 324-325.

Байдусь Н.В., Кукушкин В.А., Звонков Б.Н., Некоркин С.М. Наногетероструктуры с улучшенными параметрами для быстродействующих и высокоэффективных плазмон-поляритонных светодиодов Шоттки (Nanoheterostructures with improved parameters for high-speed and efficient plasmon-polariton light emitting Schottky diodes) // Semiconductors. № 11. Т. 50. 2016. С. 1554–1560.

Kukushkin V.A. Simulation ofaperfectCVDdiamondSchottkydiodesteepforward current–voltagecharacteristic // Physica B: Condensed Matter. V. 498. 2016. P. 1-6.

Kukushkin V.A., Lobaev M.A., Radishchev D.B., Bogdanov S.A., Drozdov M.N., Isaev V.A., Vikharev A.L., Gorbachev A.M. Bragg superlattices formed in growing chemically vapor deposited diamond // Journal of Applied Physics. № 22. V. 120. 2016. P. 224901.

2015

Кукушкин В.А., Байдусь Н.В. Использование поляризационных измерений для определения эффективности возбуждения поверхностных плазмон-поляритонов квантовыми точками // Труды XIX Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника» (10–14 марта 2015 г., г. Нижний Новгород). Издательство Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, т. 2, 764 с.. 2015. С. 557–558.

Кукушкин В.А., Snider G., Богданов С.А., Чернов В.В. Расчёт профиля дельта-легированного слоя алмаза, обеспечивающего высокую подвижность дырок // Труды XIX Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника» (10–14 марта 2015 г., г. Нижний Новгород). Издательство Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, т. 2, 764 с.. 2015. С. 559–560.

Кукушкин В.А., Байдусь Н.В., Здоровейщев А.В. Диагностика эффективности возбуждения поверхностных плазмон-поляритонов квантовыми точками с помощью поляризационных измерений выходного излучения // Физика и техника полупроводников. № 6. Т. 49. 2015. С. 804-809.

Кукушкин В.А. Увеличение радиационного времени жизни экситонов Ванье−Мотта в полупроводниковых нанокластерах // Физика и техника полупроводников. № 1. Т. 49. 2015. С. 76-81.

Kukushkin V.A., Bogdanov S.A. Simulation of CVD diamond-based high speed near-infrared photodetectors // Diamond & Related Materials. V. 60. 2015. P. 94-98.

2014

Кукушкин В.А. Увеличение радиационного времени жизни экситонов Ванье-Мотта в нанокластерах прямозонных узкозонных полупроводников, внедрённых в широкозонные полупроводники // Труды XVIII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника» (10–14 марта 2014 г., г. Нижний Новгород). Издательство Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, т. 2, 2 с. (2014). 2014. С. 521–522.

Kukushkin V.A., Snider G., Bogdanov S. A., Chernov V. V. Delta-layer doping profile in diamond providing high carrier mobility // Physica Status Solidi Rapid Research Letters. № 10. V. 8. 2014. P. 876-879.

Kukushkin V.A., Baidusy N.V. Enhancement of the surface plasmon-polariton excitation in nanometer metal films // Advances in Nano Research. № 3. V. 2. 2014. P. 173-177.

2013

Кукушкин В.А. Моделирование генерации импульсов ультрафиолетового и мягкого рентгеновского излучения в результате кооперативной рекомбинации экситонов в нанокристаллах алмаза, внедренных в полимерную пленку // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 47. 2013. С. 1451-1456.

Кукушкин В.А. Радиационное время жизни экситонов Ванье-Мотта в нанокластерах полупроводников с прямой и непрямой зонными структурами (Radiative Lifetime of Wannier-Mott Excitons in Nanoclusters of Semiconductors with Direct- and Indirect Band Structures) // Известия ВУЗов. Радиофизика (Анг. перевод: RADIOPHYSICS AND QUANTUM ELECTRONICS, 2013, Volume: 56, Issue: 7, Pages: 446-455, author's affiliation: Institute of Applied Physics of the Russian Academy of Sciences; N. I. Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia.). № 7. Т. 56. 2013. С. 494-504.

Kukushkin V.A. Indirect exciton superradiant recombination in diamond: Theory and the perspectives of observation // Journal of Luminescence. V. 138. 2013. P. 164-169.

Kukushkin V.A. Calculation of the radiative lifetime of Wannier-Mott excitons in nanoclusters // Advances in Nano Research. № 3. V. 1. 2013. P. 125-131.

Патенты, авторские свидетельства

2018

Кукушкин В.А. Способ вывода из осаждённого из газовой фазы алмаза электромагнитного излучения центров окраски (Патент).

Кукушкин В.А. Способ получения фотолюминесценции отдельных центров окраски в осаждённом из газовой фазы алмазе (Патент).

2016

Кукушкин В.А. Полевой транзистор на осаждённой из газовой фазы алмазной плёнке с дельта-допированным проводящим каналом (Патент).

2013

Кукушкин В.А. Частотно-перестраиваемый источник когерентного излучения дальнего инфракрасного и терагерцового диапазона на полупроводниковой наногетероструктуре (Патент).