Красильникова Людмила Владимировна

Список преподаваемых дисциплин

Публикации

2021

Lobanov D.N., Kudryavtsev K.E., Kalinnikov M.I., Krasilynikova L.V., Yunin P.A., Skorokhodov E.V., Shaleev M.V., Novikov A.V., Krasilynik Z.F. Near-infrared stimulated emission from indium-rich InGaN layers grown by plasma-assisted MBE // Applied Physics Letters. № 118. V. 15. 2021. P. 151902.

2018

Ершов А.В., Грачев Д.А., Красильникова Л.В., Яблонский А.Н., Андреев Б.А. Влияние размерного эффекта на оптические свойства нанокристаллов германия в широкозонных диэлектриках // Материалы XXII Международного Симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, 2018, Т. 2, 898 с.. 2018. С. 610-611.

2017

Андреев Б.А., Ершов А.В., Легков А.М., Грачев Д.А., Красильникова Л.В., Яблонский А.Н., Чунин И.И., Гусейнов Д.В., Сухоруков А.В., Ежевский А.А. Люминесцентные свойства структур с нановключениями кремния в диоксиде кремния и оксидах с высокой диэлектрической постоянной, отожженных в водороде // Труды XXI Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника» (Нижний Новгород, 13–16 марта 2017 г.). Изд-во Нижегородского госуниверситета, Т. 2, 402 с. 2017. С. 503–504.

Грачев Д.А., Ершов А.В., Нежданов А.В., Красильникова Л.В., Яблонский А.Н., Андреев Б.А. Оптические свойства вертикальных резонаторов, содержащих нанокристаллы Ge // Труды XXI Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника» (Нижний Новгород, 13–16 марта 2017 г.). Изд-во Нижегородского госуниверситета, Т. 2, 402 с. 2017. С. 565–566.

Красильникова Л.В., Бушуйкин П.А., Новиков А.В., Лобанов Д.Н., Андреев Б.А., Юнин П.А., Скороходов Е.В., Демидов Е.В., Савченко Г.М., Давыдов В.Ю. Особенности спектров фотовозбуждения эпитаксиальных слоёв InN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 51. 2017. С. 1594-1598.

2016

Андреев Б.А., Яблонский А.Н., Красильникова Л.В., Ершов А.В., Грачев Д.А., Корнев Р.А., Сенников П.Г. Спектры и кинетика люминесценции структур с нанокристаллами кремния в диоксиде кремния и аморфном кремнии // Материалы XX Междунар. симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 14–18 марта 2016, Нижний Новгород. Изд-во Нижегород. ун-та им. Н.И. Лобачевского, Т. 2: Секция 3, 840 с. 2016. С. 472–473.

Легков А.М., Грачев Д.А., Красильникова Л.В., Яблонский А.Н., Андреев Б.А., Ершов А.В. Влияние введения водорода на люминесцентные свойства структур с массивами нановключений кремния в матрице диоксида кремния и оксидов с высокой диэлектрической постоянной // Физические и физико-химические основы ионной имплантации : Тез. докл. VI Всерос. конф. и шк. молодых ученых и специалистов, Нижний Новгород, 24–27 окт. 2016 г. – Н. Новгород. Изд-во Нижегорд. госун-та, 141 с. 2016. С. 132–133.

Грачев Д.А., Яблонский А.Н., Андреев Б.А., Красильникова Л.В., Ершов А.В. Вертикальные резонаторы с активным слоем диэлектрика, содержащего германиевые или кремниевые нанокристаллы // Наноструктурные материалы – 2016: Беларусь – Россия – Украина: НАНО–2016: материалы V Междунар. науч. конф., Минск, 22–25 нояб. 2016 г. Минск: Беларусская навука, 605 с.. 2016. С. 453–455.

Grachev D.A., Ershov A.V., Belolipetskii A.V., Krasilynikova L.V., Yablonskii A.N., Andreev B.A., Gusev O.B. Si and Ge nanocrystals in resonator multilayer structures // Phys. Status Solidi (a). № 11. V. 213. 2016. P. 2867–2872.

Красильникова Л.В., Лобанов Д.Н., Новиков А.В., Андреев Б.А., Бушуйкин П.А., Юнин П.А., Скороходов Е.В. Особенности роста InN методом МПЭ с плазменной активацией азота при различных соотношениях потоков элементов III и V групп // Физика и техника полупроводников. № 2. Т. 50. 2016. С. 264-268.

2014

Красильникова Л.В., Кудрявцев К.Е., Шенгуров Д.В., Шмагин В.Б., Красильник З.Ф. Активные волноводные структуры Si:Er/SOI с рекомбинационным и ударным механизмами возбуждения люминесценции // Труды XVIII Симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Нижний Новгород, 10-14 марта, 2014, Т.2, 2 стр.. 2014. С. 501-502.

Кудрявцев К.Е., Крыжков Д.И., Красильникова Л.В., Шенгуров Д.В., Шмагин В.Б., Андреев Б.А., Красильник З.Ф. Сечение оптического поглощения ионов Er3+ в кремнии // Труды XVIII Симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Нижний Новгород, 10-14 марта, 2014, Т.2, 2 стр.. 2014. С. 515-516.

Байдакова Н.А., Дубинов А.А., Красильникова Л.В., Новиков А.В., Юнин П.А., Юрасов Д.В., Яблонский А.Н., Werner P. Структурные и оптические свойства короткопериодных Ge/Si решеток, выращенных на Ge(001) подложках // Труды XVIII Симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Нижний Новгород, 10-14 марта, 2014, Т.2, 2 стр.. 2014. С. 579-580.

Morozov S.V., Rumyantsev V.V., Antonov A.V., Maremyyanin K.V., Kudryavtsev K.E., Krasilynikova L.V., Mikhailov N.N., Dvoretskii S.A., Gavrilenko V.I. Efficient long wavelength interband photoluminescence from HgCdTe epitaxial films at wavelengths up to 26μm // Applied Physics Letters. V. 104. 2014. P. 072102.

Nagornykh S.N., Pavlenkov V.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Burdov V.A., Krasilnikova L.V., Kryzhkov D.I., Tetelbaum D.I. On the temperature dependence of photoluminescence of silicon quantum dots // Russian Microelectronics. № 8. V. 43. 2014. P. 575-580.

Красильникова Л.В., Кудрявцев К.Е., Крыжков Д.И., Шенгуров Д.В., Шмагин В.Б., Андреев Б.А., Красильник З.Ф. Сечение поглощения для перехода 4I15/2→4I13/2 ионов Er3+ в эпитаксиальных слоях Si:Er:O/SOI // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. № 12. Т. 100. 2014. С. 913-918.

2013

Красильникова Л.В., Степихова М.В., Шенгуров В.Г., Красильник З.Ф. Процессы возбуждения фотолюминесценции ионов эрбия в эпитаксиальных структурах Si/Si(1-X)Ge(X):Er/Si // Труды XVII Симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Нижний Новгород, 11-15 марта, 2013. Т.2, 2 стр.. 2013. С. 475-476.

Gavrilenko V.I., Morozov S.V., Rumyantsev V.V., Zholudev M.S., Antonov A.V., Dubinov A.A., Maremyyanin K.V., Kudryavtsev K.E., Krasilynikova L.V., Aleshkin V.Ya., Mikhailov N.N., Dvoretskii S.A. Optical study of HgCdTe based narrow-gap heterostructures // Proc. 21st Int. Symp. “Nanostructures: Physics and Technology. June 24-28, 2013. St. Petersburg. 2013. P. 252-253.

Gavrilenko V.I., Morozov S.V., Rumyantsev V.V., Zholudev M.S., Antonov A.V., Dubinov A.A., Maremyyanin K.V., Kudryavtsev K.E., Krasilynikova L.V., Aleshkin V.Ya., Mikhailov N.N., Dvoretskii S.A. THz Response of HgTe/CdTe Quantum Wells and Narrow-Gap HgCdTe Films: from Fundamentals to Applications // Abstract the International Conference on Coherent and Nonlinear Optics (ICONO) and The Lasers, Applications, and Technologies (LAT) ICONO/LAT, Moscow, 18-22 June, 2013. Moscow. 2013. P. JDB2.

Гавриленко В.И., Румянцев В.В., Жолудев М.С., Антонов А.В., Кудрявцев К.Е., Красильникова Л.В., Иконников А.В., Дубинов А.А., Морозов С.В., Алешкин В.Я., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А. Генерация и детектирование ТГц-излучения в узкозонных гетероструктурах с квантовыми ямами на основе HgTe/CdTe и эпитаксиальных слоях CdHgTe // Тезисы докладов IX Всероссийского семинара по радиофизике миллиметровых и субмиллиметровых волн, 26 февраля – 1 марта, 2013. ИПФ РАН, Нижний Новгород. 2013. С. 23-24.

Андреев Б.А., Красильник З.Ф., Красильникова Л.В., Кудрявцев К.Е., Шенгуров Д.В., Яблонский А.Н. Излучательные свойства волноводных структур Si:Er/SOI // Тезисы докладов XI Российской конференции по физике полупроводников, Санкт-Петербург, 16 – 20 сентября, 2013 г.. ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург. 2013. С. 366.

Морозов С.В., Антонов А.В., Румянцев В.В., Маремьянин К.В., Красильникова Л.В., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Гавриленко В.И. Длинноволновая фотолюминесценция в узкозонных объемных структурах HgCdTe и квантовых ямах Hg1-xCdxTe/Cd1-yHgyTe // Тезисы докладов XI Российской конференции по физике полупроводников, Санкт-Петербург, 16 – 20 сентября, 2013 г.. ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург. 2013. С. 237.

Андреев Б.А., Красильник З.Ф., Красильникова Л.В., Кудрявцев К.Е., Шенгуров Д.В., Яблонский А.Н. Оптические свойства волноводных структур Si:Er/SOI // Труды XVII Симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Нижний Новгород, 11-15 марта, 2013. Т.2, 2 стр. 2013. С. 477-478.

Морозов С.В., Антонов А.В., Маремьянин К.В., Румянцев В.В., Красильникова Л.В., Сергеев С.С., Курицын Д.И., Михайлов Н.Н., Гавриленко В.И. Исследования спектров и кинетики фотопроводимости и спектров ФЛ в эпитаксиальных пленках Hg1-xCdxTe и Hg1-xCdxTe/CdyHg1-yTe структурах с квантовыми ямами в ТГц диапазоне // Труды XVII Симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Нижний Новгород, 11-15 марта, 2013. Т.2, 2 стр.. 2013. С. 529-530.

Morozov S.V., Gavrilenko V.I., Rumyantsev V.V., Antonov A.V., Maremyyanin K.V., Krasilynikova L.V., Aleshkin V.Ya., Mikhailov N.N., Dvoretskii S.A. THz Emission of Narrow- Gap HgCdTe Films and HgTe/CdTe Quantum Wells Structure // Extended Abstracts of 38th International Conference on Infrared, Millimeter and Terahertz Waves (IRMMW-THz 2013), September 1– 6, 2013. Mainz on the Rhine, Germany. 2013. P. Mo6-5.

Krasilynikova L.V., Stepikhova M.V., Antonov A.V., Shengurov V.G., Krasilynik Z.F. The processes of erbium impurity excitation in Si/Si(1-x)Ge(x):Er/Si heteroepitaxial structures // Optical Materials. V. 35. 2013. P. 1404-1409.

Нагорных С.Н., Павленков В.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Бурдов В.А., Красильникова Л.В., Крыжков Д.И., Тетельбаум Д.И. О температурной зависимости фотолюминесценции квантовых точек кремния // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. № 2. 2013. С. 68-73.

2012

Красильникова Л.В., Степихова М.В., Шенгуров В.Г., Красильник З.Ф. Процессы возбуждения редкоземельной примеси эрбия в эпитаксиальных структурах Si/Si1 xGex:Er/Si // Труды XVI Симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Нижний Новгород, 12-16 марта, 2012, Т.2. 2012. С. 278-279.

Степихова М.В., Юрасова Н.В., Климов А.Ю., Пряхин Д.А., Коломийцев А.С., Шалеев М.В., Красильникова Л.В., Агеев А.О., Шенгуров В.Г., Красильник З.Ф. Микрорезонаторы на основе структур кремния и кремния-германия для фотонных приложений // Труды XVI Симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Нижний Новгород, 12-16 марта 2012, Т.2. 2012. С. 396-397.

Денисов С.А., Дроздов Ю.Н., Матвеев С.А., Красильникова Л.В., Степихова М.В., Чалков В.Ю., Шенгуров Д.В., Шенгуров В.Г. Низкотемпературный рост эпитаксиальных гетероструктур Si/Si1-xGex/Si методом сублимации кремния в среде германа // Труды XVI Симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Нижний Новгород, 12-16 марта, 2012, Т.2.. 2012. С. 227-228.

Чугров И.А., Нагорных С.Н., Павленков В.И., Ершов А.В., Михайлов А.Н., Белов А.И., Крыжков Д.И., Красильникова Л.В., Тетельбаум Д.И. Температурная зависимость фотолюминесценции нанопериодических структур с упорядоченными массивами нанокристаллов кремния в оксидной матрице // Труды ХVI международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», Н. Новгород, 12–16 марта, 2012. Т.1. 2 стр. 2012. С. 426-427.

Нагорных С.Н., Павленков В.И., Чугров И.А., Ершов А.В., Михайлов А.Н., Белов А.И., Тетельбаум Д.И., Крыжков Д.И., Красильникова Л.В. О влиянии размеров нанокристаллов кремния на температурную зависимость спектра фотолюминесценции // Тезисы докладов IV Всероссийской конференции «Физические и физико–химические основы ионной имплантации» (с участием иностранных учёных) и Международной молодежной конференции «Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах». Новосибирск, 23-26 октября, 2012.. 2012. С. 40.

Yurasova N.V., Stepikhova M.V., Krasilynikova L.V., Krasilynik Z.F. Theoretical analysis of microdisk resonators based on Si/Si1-xGex:Er light-emitting structures // Journal of luminescence. № 12. V. 132. 2012. P. 3122-3124.

Нагорных С.Н., Павленков В.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Красильникова Л.В., Крыжков Д.И., Тетельбаум Д.И. Модель фотолюминесценции ионно-синтезированных массивов нанокристаллов кремния в матрице диоксида кремния // Журнал технической физики. № 12. Т. 82. 2012. С. 63-66.

Nagornykh S.N., Pavlenkov V.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Krasil'nikova L.V., Kryzhkov D.I., Tetel'baum D.I. Model of photoluminescence from ion-synthesized silicon nanocrystal arrays embedded in a silicon dioxide matrix // TECHNICAL PHYSICS. THE RUSSIAN JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. № 12. V. 82. 2012. P. 63-66.

2011

Красильникова Л.В., Степихова М.В., Яблонский А.Н., Шенгуров В.Г., Красильник З.Ф. Особенности процессов возбуждения редкоземельной примеси эрбия в эпитаксиальных структурах Si/Si1-xGex:Er/Si // Труды XV Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Н. Новгород, 14–18 марта, 2011. – Т.2. – C.490 - 491. 2011. С. 490-491.

Степихова М.В., Красильникова Л.В., Дроздов Ю.Н., Красильник З.Ф., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г. Излучающие свойства волноводных гетероструктур Si/Si1-xGex:Er/Si // Труды XV Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Н. Новгород, 14–18 марта, 2011. – Т.2. – C.527 - 528. 2011. С. 527-528.

Юрасова Н.В., Степихова М.В., Красильникова Л.В., Красильник З.Ф., Шенгуров В.Г., Коломийцев А.С., Громов А.Л., Ильин О.И., Агеев О.А. Микродисковые резонаторы на основе светоизлучающих структур Si/SiGe:Er: теоретический расчет и технология формирования // Труды XV Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Н. Новгород, 14–18 марта, 2011. – Т.2. – C.533 - 534. 2011. С. 533-534.

Stepikhova M.V., Krasilynikova L.V., Yurasova N.V., Krasilynik Z.F., Shengurov V.G., Chalkov V.Yu. Light-emitting properties of Si/Si1-xGex:Er structures being of interest for optoelectronic applications // Second International Conference on RARE EARTH MATERIALS (REMAT). Wroclaw, Poland, 13-15 June 2011. 2011. P. -43.

Красильникова Л.В., Степихова М.В., Яблонский А.Н., Шенгуров В.Г., Красильник З.Ф. Процессы возбуждения редкоземельной примеси эрбия в эпитаксиальных структурах Si/Si1-xGex:Er/Si // X-я Российская конференция по физике полупроводников. Нижний Новгород, 19-23 сентября. 2011. С. 170.

Krasilynikova L.V., Stepikhova M.V., Drozdov Yu.N., Krasilynik Z.F., Shengurov V.G. Photoluminescence excitation spectroscopy of the optically active Er3+ centers in Si/Si1 xGex:Er structures // E-MRS Fall Meeting Symposium: “A - Stress, structure, and stoichiometry effects on the properties of nanomaterials". Warsaw, Poland, September 19 - 23. 2011. P. 4.

Stepikhova M.V., Krasilynikova L.V., Yurasova N.V., Shengurov V.G., Krasilynik Z.F., Ageev O.A., Kolomeitsev A.S. Light-emitting Si/SiGe:Er structures for photonic applications // E-MRS Fall Meeting Symposium: “J - Rare earth doped semiconductors and nanostructures for photonics”. Warsaw, Poland, September 19 - 23. 2011. P. 2.

Нагорных С.Н., Павленков В.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Красильникова Л.В., Бурдов В.А., Тетельбаум Д.И. Модель температурной зависимости фотолюминесценции нанокристаллов кремния в матрице диоксида кремния // Труды XV Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», Н. Новгород, 14–18 марта, 2011. Т.2. 2011. С. 510-511.

Nagornykh S.N., Pavlenkov V.I., Tetelybaum D.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Burdov V.A., Krasilynikova L.V. Temperature dependence of photoluminescence of Si nanocrystals in silicon dioxide matrix // Abstracts of E-MRS Spring 2011 & Bilateral Energy Conference, Nice, France, 10-12 May, 2011. 1 p. 2011. P. -42.

Нагорных С.Н., Павленков В.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Красильникова Л.В., Бурдов В.А., Тетельбаум Д.И. О температурной зависимости фотолюминесценции системы квантовых точек кремния в матрице SiO2 // Тезисы докладов VIII Международной конференции и VII Школы ученых и молодых специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, наноразмерных структур и приборов на его основе («Кремний 2011»), Москва, 5-8 июля, 2011. 1 стр. 2011. С. 172.

Yurasova N.V., Stepikhova M.V., Krasilynikova L.V., Krasilynik Z.F. Theoretical analysis of microdisk resonators based on Si/Si1-xGex:Er light-emitting structures // E-MRS Fall Meeting Symposium: “J - Rare earth doped semiconductors and nanostructures for photonics”. Warsaw, Poland, September 19 - 23. 2011. P. J/5.

Красильникова Л.В., Степихова М.В., Юрасова Н.В., Красильник З.Ф., Шенгуров В.Г., Коломийцев А.С. Cтруктуры Si/Si1-xGex:Er/Si для кремниевой нанофотоники // Известия ЮФУ. Технические науки. № 4. 2011. С. 46-55.

Stepikhova M.V., Drozdov Yu.N., Chalkov V.Yu., Shengurov V.G., Krasilynik Z.F., Krasilynikova L.V. On the role of heterolayer relaxation in luminescence response of Si/SiGe:Er structures // Physica Status Solidi C. № 3. V. 8. 2011. P. 1044-1048.