Козлов Владимир Анатольевич

Место работы
Ученая степень
Кандидат физико-математических наук
Ученое звание
Старший научный сотрудник
Общий стаж работы 48 лет, 8 мес.
Педагогический стаж 12 лет, 10 мес.

Общие сведения

Научная Работа


Образование, учёные степени и учёные звания

Высшее образование
Специальность: Радиофизика. Квалификация: радиофизик.

Дополнительное образование, повышение квалификации, стажировки

02.04.2018 - 27.04.2018
Повышение квалификации: Электронная информационно-образовательная среда вуза, ННГУ, 72 час., документ № удостоверение 522405003110; рег.№33-1951 от 27.04.2018

Список преподаваемых дисциплин

Публикации

2019

Труды (тезисы) конференции

Оболенская Е.С., Козлов В.А., Павельев Д.Г., Иванов А.С., Васильев А.П. Сравнение особенностей транспорта электронов и ТГц генерации в диодах на основе 6-, 18-, 30- и 120-периодных GaAs/AlAs сверхрешеток // Труды XXIII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXIII Международного симпозиума (Нижний Новгород, 11–14 марта 2019 г.) В 2 т. Том 2. — Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2019. — 411 с. 2019. С. 786-787.

Забавичев И.Ю., Насеткин К.А., Потехин А.А., Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Моделирование процесса формирования разупорядоченной области радиационных дефектов в кремнии // Труды XXIII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (г. Нижний Новгород, 11-14 марта 2019 г.). Нижний Новгород: Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Т.2, 957 с. 2019. С. 690-691.

Насеткин К.А., Забавичев И.Ю., Потехин А.А., Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Моделирование реакции субмикронных структур "кремний на изоляторе" на воздействие низкоинтенсивных проникающих излучений // Труды XXIII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (г. Нижний Новгород, 11-14 марта 2019 г.). Нижний Новгород: Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Т.2, 957 с. 2019. С. 774-775.

Пузанов А.С., Венедиктов М.М., Оболенский С.В., Козлов В.А. Применение локально-неравновесных физико-топологических моделей переноса носителей заряда для оценки сбоеустойчивости интегральных схем при воздействии заряженных частиц и ультракоротких импульсов ионизирующего излучения // Труды XXIII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (г. Нижний Новгород, 11-14 марта 2019 г.). Нижний Новгород: Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Т.2, 957 с. 2019. С. 805-806.

Шоболова Т.А., Коротков А.В., Петрякова Е.В., Липатников А.В., Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Сравнение радиационной стойкости перспективных биполярных и гетеробиполярных транзисторов на структурах с полупроводниковыми и диэлектрическими подложками // Труды XXIII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (г. Нижний Новгород, 11-14 марта 2019 г.). Нижний Новгород: Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Т.2, 957 с. 2019. С. 892-893.

Тарасова Е.А., Оболенский С.В., Козлов В.А., Латышева Н.Д., Боженькина А.С., Иванов А.Б., Хазанова С.В., Дегтярев В.Е. Анализ причин интермодуляционных искажений перспективных квазибаллистических полевых транзисторов до и после радиационного воздействия // Труды XXIII международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (г. Нижний Новгород, 11-14 марта 2019 г.). Нижний Новгород: изд. ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т. 2, 957 стр.. 2019. С. С. 837-838.

Публикации в научных журналах

Оболенская Е.С., Павельев Д.Г., Козлов В.А., Васильев А.П., Иванов А.С. Сравнение особенностей транспорта электронов и субтетрагерцовой генерации в диодах на основе 6-, 18-, 30-, 70- и 120-периодных сверхрешеток GaAs/AlAs // Физика и техника полупроводников. № 9. Т. 53. 2019. С. 1218-1223.

Obolenskaya E.S., Pavelyev D.G., Kozlov V.A., Vasilyev A.P., Ivanov A.S. COMPARISON OF THE FEATURES OF ELECTRON TRANSPORT AND SUBTERAHERTZ GENERATION IN DIODES BASED ON 6-, 18-, 70-, AND 120-PERIOD GAAS/ALAS SUPERLATTICES // Semiconductors. № 9. V. 53. 2019. P. 1192–1197.

Пузанов А.С., Венедиктов М.М., Оболенский С.В., Козлов В.А. Расчетно-экспериментальное моделирование обратимых сбоев ячеек статической памяти субмикронных микросхем при воздействии потоков нейтронов // Физика и техника полупроводников. № 9. Т. 53. 2019. С. 1250-1256.

Забавичев И.Ю., Потехин А.А., Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Моделирование образования каскада смещений и переходных ионизационных процессов в кремниевых полупроводниковых структурах при нейтронном воздействии // Физика и техника полупроводников. № 9. Т. 53. 2019. С. 1279-1284.

Шоболова Т.А., Коротков А.В., Петрякова Е.В., Липатников А.В., Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Сравнение радиационной стойкости перспективных биполярных и гетеробиполярных транзисторов // Физика и техника полупроводников. № 10. Т. 53. 2019. С. 1391-1394.

Puzanov A.S., Venediktov M.M., Obolenskii S.V., Kozlov V.A. Computational and experimental simulation of static memory cells of submicron microcircuits under the effect of neutron fluxes // Semiconductors. № 9. V. 53. 2019. P. 1222-1228.

Zabavichev I.Yu., Potekhin A.A., Puzanov A.S., Obolenskii S.V., Kozlov V.A. Simulation of the formation of a cascade of displacements and transient ionization processes in silicon semiconductor structures under neutron exposure // Semiconductors. № 9. V. 53. 2019. P. 1249-1254.

Shobolova T.A., Korotkov A.V., Petryakova E.V., Lipatnikov A.V., Puzanov A.S., Obolenskii S.V., Kozlov V.A. Comparison of the radiation resistance of prospective bipolar and heterobipolar transistors // Semiconductors. № 10. V. 53. 2019. P. 1353-1356.

2018

Труды (тезисы) конференции

Забавичев И.Ю., Потехин А.А., Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Реинжиниринг диодных структур по результатам измерений вольтфарадных и вольтамперных характеристик // Труды XXII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2. 2018. С. 623-624.

Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Применение модели Каттанео-Вернотта к решению задачи релаксации фотопроводимости в диодных структурах при воздействии ультракоротких импульсов ионизирующих излучений // Труды XXII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2. 2018. С. 743-744.

Оболенская Е.С., Павельев Д.Г., Козлов В.А., Вербус В.А. Резонансные туннельные контакты для гетероструктур AlAs/GaAs с пролетными эффектами // Труды XXII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, 2018, т.2, с.648-649. 2018. С. 648-649.

Оболенская Е.С., Павельев Д.Г., Козлов В.А., Васильев А.П. Терагерцовые приборы на основе апериодических GaAs/AlAs сверхрешеток с малым числом периодов // Труды XXII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, т.2, с.727-728. 2018. С. 727-728.

Оболенская Е.С., Павельев Д.Г., Козлов В.А. Радиационная стойкость диодов на основе 30-периодных GaAs/AlAs сверхрешеток // 23-я Сессия молодых ученых (естественные, математические науки). 23-я Сессия молодых ученых (естественные, математические науки), 2018, т.2 с.37.. 2018. С. 37-37.

Оболенская Е.С., Козлов В.А., Павельев Д.Г. Радиационная стойкость диодов на основе GaAs/AlAs сверхрешеток // VI Всероссийская конференция и школа молодых ученых и специалистов "Физические и физико-химические основы ионной имплантации": Физические и физико-химические основы ионной имплантации: Тезисы докладов VI Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов. РИУ Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Н. Новгород, 2018. – 174 с.. 2018. С. 60-61.

Публикации в научных журналах

Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Применение локально-неравновесной диффузионно-дрейфовой модели Каттанео-Вернотта для описания релаксации фототока в диодных структурах при воздействии субпикосекундных импульсов ионизирующих излучений // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 52. 2018. С. 1295-1299.

Оболенская Е.С., Козлов В.А., Павельев Д.Г., Васильев А.П. Радиационная стойкость терагерцовых диодов на основе GaAs/AlAs-сверхрешеток // Физика и техника полупроводников. № 52. Т. 11. 2018. С. 1337-1345.

Obolenskaya E.S., Obolenskii S.V., Kozlov V.A., Pavelyev D.G., Vasilyev A.P., Ustinov V.M. INCREASE OF SELF-OSCILLATION AND TRANSFORMATION FREQUENCIES IN THZ DIODES // IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology. № 2. V. 8. 2018. P. 231-236.

Obolenskaya E.S., Kozlov V.A., Pavelyev D.G., Vasilyev A.P. Radiation Resistance of Terahertz Diodes Based on GaAs/AlAs Superlattices // Semiconductors. № 11. V. 52. 2018. P. 1448–1456.

Puzanov A.S., Obolenskii S.V., Kozlov V.A. Application of the locally nonequilibrium diffusion-drift cattaneo–vernotte model to the calculation of photocurrent relaxation in diode structures under subpicosecond pulses of ionizing radiation // Semiconductors. № 11. V. 52. 2018. P. 1407-1411.

2017

Труды (тезисы) конференции

Забавичев И.А., Оболенская Е.С., Потехин А.А., Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Транспорт горячих носителей заряда в полупроводниковых структурах с нанометровыми кластерами радиационных дефектов // Труды XXI Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Труды XXI Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника» (Нижний Новгород, 13-16 марта, 2017 г.) В 2т. Том II. - Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2017 - 402 с.. 2017. С. 598-599.

Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Павельев Д.Г., Козлов В.А., Васильев А.П., Устинов В.М. Оптимизация параметров сверхрешетки для диодов терагерцового диапазона частот // Труды XXI Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Труды XXI Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника» (Нижний Новгород, 13-16 марта, 2017 г.) В 2т. Том II. - Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2017 - 402 с.. 2017. С. 686.

Забавичев И.Ю., Потехин А.А., Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Влияние профиля потенциала кластера радиационных дефектов на перенос носителей заряда через тонкую базу биполярного транзистора // Труды XXI Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2. 2017. С. 600-601.

Забавичев И.Ю., Козлов В.А., Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Потехин А.А., Пузанов А.С. Перенос горячих носителей заряда в полупроводниковых структурах с включениями кластеров радиационных дефектов // Труды XXI научной конференции по радиофизике. Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского. 2017. С. 67.

Забавичев И.Ю., Козлов В.А., Оболенский С.В., Потехин А.А., Пузанов А.С. Влияние точки возникновения кластера радиационных дефектов на перенос носителей заряда через тонкую базу биполярного транзистора // Труды XXI научной конференции по радиофизике. Издательство Нижегородского госуниверситета. 2017. С. 74.

Публикации в научных журналах

Забавичев И.Ю., Оболенская Е.С., Потехин А.А., Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Транспорт горячих носителей заряда в Si, GaAs, InGaAs и GaN субмикронных полупроводниковых структурах с нанометровыми кластерами радиационных дефектов // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 51. 2017. С. 1489-1492.

Забавичев И.Ю., Пузанов А.С., Потехин А.А., Оболенский С.В., Козлов В.А. Деградация характеристик биполярных транзисторов на основе GaAs с тонкой базой при возникновении в них нанометровых кластеров радиационных дефектов под действием нейтронного облучения // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 51. 2017. С. 1520-1524.

Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Козлов В.А., Потехин А.А., Забавичев И.Ю. Оптимизация параметров сверхрешетки для диодов терагерцового диапазона частот // Физика и техника полупроводников. № 51. Т. 11. 2017. С. 1435-1438.

Obolenskaya E.S., Puzanov A.S., Obolenskii S.V., Kozlov V.A., Zabavichev I.Yu., Potekhin A.A. Transport of hot charge carriers in Si, GaAs, InGaAs, and GaN submicrometer semiconductor structures with nanometer-scale clusters of radiation-induced defects // Semiconductors. № 11. V. 51. 2017. P. 1435-1438.

Obolenskaya E.S., Obolenskii S.V., Pavelyev D.G., Kozlov V.A., Vasilyev A.P., Ustinov V.M. Optimization of the superlattice parameters for THz diodes // Semiconductors. № 11. V. 51. 2017. P. 1439-1443.

Zabavichev I.Yu., Potekhin A.A., Puzanov A.S., Obolenskii S.V., Kozlov V.A. Degradation of the characteristics of GaAs bipolar transistors with a thin base due to the formation in them of nanometer-sized clusters of radiation-induced defects as a result of irradiation with neutrons // Semiconductors. № 11. V. 51. 2017. P. 1466-1471.

2016

Труды (тезисы) конференции

Оболенская Е.С., Тарасова Е.А., Чурин А.Ю., Оболенский С.В., Козлов В.А., Китаев М.А. Исследование генерации СВЧ-сигналов в планарном диоде Ганна с учетом радиационного облучения // Материалы XX Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Том 2, 841 стр.. 2016. С. 682-683.

Оболенская Е.С., Тарасова Е.А., Оболенский С.В., Козлов В.А., Чурин А.Ю. Моделирование радиационной стойкости планарных диодов Ганна с управляющим электродом // Тезисы докладов 19-ой Всероссийской научно-технической конференции "Радиационная стойкость электронных систем" "Стойкость-2016", 2016 г.. Т. 1, 253 стр.. 2016. С. 73-74.

Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Козлов В.А., Тарасова Е.А., Павельев Д.Г., Чурин А.Ю. Исследование транспорта электронов в малопериодных GaAs/AlAs сверхрешетках и диодах Ганна в условиях радиационного воздействия // VI Всероссийская конференция и школа молодых ученых и специалистов "Физические и физико-химические основы ионной имплантации". Физические и физико-химические основы ионной имплантации: Тезисы докладов VI Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов (Нижний Новгород, 24–27 октября 2016 г.). –Н.Новгород, 2016. – 141 с.. 2016. С. 33-35.

Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Козлов В.А., Павельев Д.Г. Моделирование транспорта электронов в терагерцовых диодах на основе сверхрешеток // Труды XX научной конференции по радиофизике, посвященной 110-летию со дня рождения Г.С. Горелика. Труды ХХ научной конференции по радиофизике, посвящённой 110-летию со дня рождения Г.С. Горелика (Нижний Новгород, 12–20 мая 2016 г.) / Под ред. С.В. Оболенского, В.В. Матросова. Нижний Новгород: ННГУ, 2016. – 320 с. 2016. С. 52-54.

Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Влияние случайных неоднородностей в пространственном распределении кластеров радиационных дефектов на перенос носителей заряда через тонкую базу биполярного транзистора // Труды XX Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2. 2016. С. 702-703.

Волкова Е.В., Козлов В.А., Кошуринов Ю.И., Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Павельев Д.Г., Пузанов А.С. Терагерцовое детектирование процессов формирования и стабилизации кластера радиационных дефектов при нейтронном воздействии // Тезисы докладов 19-ой Всероссийской научно-технической конференции "Радиационная стойкость электронных систем" "Стойкость-2016". Издательство НИЯУ МИФИ. 2016. С. 67-68.

Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Аналитическая оценка вероятности возникновения структурных повреждений в микрообъеме GaAs при воздействии потока мгновенных нейтронов спектра деления // Тезисы докладов 19-ой Всероссийской научно-технической конференции "Радиационная стойкость электронных систем" "Стойкость-2016". Издательство НИЯУ МИФИ. 2016. С. 69-70.

Публикации в научных журналах

Оболенская Е.С., Тарасова Е.А., Чурин А.Ю., Оболенский С.В., Козлов В.А. Исследование генерации СВЧ сигналов в планарном диоде Ганна с учетом радиационного облучения // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 50. 2016. С. 1605-1609.

Obolenskaya E.S., Tarasova E.A., Churin A.Yu., Obolenskii S.V., Kozlov V.A. Microwave-Signal Generation in a Planar Gunn Diode with Radiation Exposure Taken into Account // Semiconductors. № 12. V. 50. 2016. P. 1580-1584.

Оболенская Е.С., Павельев Д.Г., Васильев А.П., Козлов В.А., Кошуринов Ю.И., Оболенский С.В., Устинов В.М. Диодные гетероструктуры для приборов терагерцового диапазона частот // Журнал радиоэлектроники. № 1. Т. 1. 2016. С. 1.

Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Павельев Д.Г., Васильев А.П., Козлов В.А., Кошуринов Ю.И., Устинов В.М. Моделирование транспорта электронов в малопериодных GaAs/AlAs сверхрешетках для терагерцового диапазона частот // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 50. 2016. С. 1548-1553.

Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Влияние случайных неоднородностей в пространственном распределении кластеров радиационных дефектов на перенос носителей заряда через тонкую базу гетеробиполярного транзистора при нейтронном воздействии // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 59. 2016. С. 1706-1712.

Puzanov A.S., Obolenskii S.V., Kozlov V.A. Effect of random inhomogeneities in the spatial distribution of radiation-induced defect clusters on carrier transport through the thin base of a heterojunction bipolar transistor upon neutron irradiation // Semiconductors. № 12. V. 50. 2016. P. 1678-1683.

2015

Труды (тезисы) конференции

Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А., Волкова Е.В., Потехин А.А., Забавичев И.Ю. Высокочастотный отклик нанометровых диодов, вызываемый динамикой образования кластеров радиационных дефектов // Труды 19 международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Т. 2, 2015 г.. 2015. С. С. 529-530.

Панкратов Е.Л., Тарасова Е.А., Оболенская Е.С., Козлов В.А., Пузанов А.С., Оболенский С.В. Влияние радиационно-стимулированной диффузии на процессы восстановления работоспособности планарных диодов и транзисторов после импульсного гамма-нейтронного воздействия // Тезисы докладов 18 всероссийской конференции по радиационной стойкости электронных систем "Стойкость-2015". Т.1 с 2. 2015. С. 63-64.

Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А., Волкова Е.В., Потехин А.А., Забавичев И.Ю. Моделирование динамики образования кластеров радиационных дефектов с использованием высокопроизводительных вычислений // Труды международной конференции "Суперкомпьютерные дни в России". Издательство МГУ. 2015. С. 585.

Публикации в научных журналах

Оболенский С.В., Козлов В.А., Пузанов А.С. Перенос носителей заряда через тонкую базу гетеробиполярного транзистора при радиационном воздействии // Физика и техника полупроводников. № 1. Т. 49. 2015. С. 71-75.

Оболенский С.В., Пузанов А.С., Козлов В.А. ВЫСОКОЧАСТОТНОЕ ДЕТЕКТИРОВАНИЯ ПРОЦЕССОВ ФОРМИРОВАНИЯ И СТАБИЛИЗАЦИИ КЛАСТЕРА РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУРАХ // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 49. 2015. С. 1585-1592.

Puzanov A.S., Obolenskii S.V., Kozlov V.A. Transport of charge carriers through the thin base of a heterobipolar transistor under the impact of radiation // Semiconductors. № 1. V. 49. 2015. P. 69-74.

Puzanov A.S., Obolenskii S.V., Kozlov V.A., Volkova E.V., Pavelyev D.G. High-frequency detection of the formation and stabilization of a radiation-induced defect cluster in semiconductor structures // Semiconductors. № 12. V. 49. 2015. P. 1537-1544.

2014

Труды (тезисы) конференции

Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Перенос носителей заряда через тонкую базу гетеробиполярного транзистора при радиационно-стимулированном воздействии // Труды XVIII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2. 2014. С. 491-492.

2012

Публикации в научных журналах

Козлов В.А., Оболенский С.В., Шмагин В.Б., Красильник З.Ф. Естественные неоднородности в распределении туннельного тока по площади обратносмещенного кремниевого p-n-перехода // Физика и техника полупроводников. № 1. Т. 46. 2012. С. 134-139.

©  Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского