Козлов Владимир Анатольевич

Место работы
Ученая степень
Кандидат физико-математических наук
Ученое звание
Старший научный сотрудник
Общий стаж работы 48 лет, 8 мес.

Общие сведения

Преподавание

Научная Работа


Образование, учёные степени и учёные звания

Высшее образование
Специальность: Радиофизика. Квалификация: радиофизик.

Дополнительное образование, повышение квалификации, стажировки

02.04.2018 - 27.04.2018
Повышение квалификации: Электронная информационно-образовательная среда вуза, ННГУ, 72 час., документ № удостоверение 522405003110; рег.№33-1951 от 27.04.2018

Список преподаваемых дисциплин

Радиофизический факультет
Полупроводниковая электроника
Физика твердого тела

Публикации

2018

Публикации в научных журналах

Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Применение локально-неравновесной диффузионно-дрейфовой модели Каттанео-Вернотта для описания релаксации фототока в диодных структурах при воздействии субпикосекундных импульсов ионизирующих излучений // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 52. 2018. С. 1295-1299.

Оболенская Е.С., Козлов В.А., Павельев Д.Г., Васильев А.П. Радиационная стойкость терагерцовых диодов на основе GaAs/AlAs-сверхрешеток // Физика и техника полупроводников. № 52. Т. 11. 2018. С. 1337-1345.

2017

Публикации в научных журналах

Забавичев И.Ю., Оболенская Е.С., Потехин А.А., Пузанов А.С., Оболенский С.В., Козлов В.А. Транспорт горячих носителей заряда в Si, GaAs, InGaAs и GaN субмикронных полупроводниковых структурах с нанометровыми кластерами радиационных дефектов // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 51. 2017. С. 1489-1492.

Забавичев И.Ю., Пузанов А.С., Потехин А.А., Оболенский С.В., Козлов В.А. Деградация характеристик биполярных транзисторов на основе GaAs с тонкой базой при возникновении в них нанометровых кластеров радиационных дефектов под действием нейтронного облучения // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 51. 2017. С. 1520-1524.

©  Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского