Корнаухов Александр Васильевич

Место работы

Научно-исследовательский физико-технический институт

Отдел твердотельной электроники и оптоэлектроники

Лаборатория спиновой и оптической электроники

ведущий научный сотрудник

Ученая степень
Кандидат физико-математических наук
Ученое звание
нет
Дата начала работы в Университете Лобачевского: 1971
Общий стаж работы 50 лет, 3 мес.

Общие сведения

Научная Работа


Образование, учёные степени и учёные звания

Высшее образование
Специальность: Радиофизика. Квалификация: радиофизик.

Дополнительное образование, повышение квалификации, стажировки

14.11.2017 - 14.11.2017
Повышение квалификации: специальная подготовка по качеству, АНО ЦРМ "СПК", документ № № 8390/СПК от 14.11.2017

Награды

Почетный диплом Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского (приказ № 49-од от 25.02.2016)

Список преподаваемых дисциплин

Публикации

2011

Публикации в научных журналах

Корнаухов А.В., Ежевский А.А., Марычев М.О., Филатов Д.О., Шенгуров В.Г. О природе электролюминесценции в режиме пробоя при обратном смещении на длине волны 1.5мкм для легированных эрбием кремниевых структур с p // Физика и техника полупроводников. № 1. Т. 45. 2011. С. 87-92.

Kornaukhov A.V., Ezhevskii A.A., Marychev M.O., Filatov D.O., Shengurov V.G. On the Nature of Electroluminescence at 1.5 µm in the Breakdown Mode of Reverse-Biased Er-Doped Silicon p–n-Junction Structures Grown by Sublimation Molecular Beam Epitaxy // Semiconductors. № 1. V. 45. 2011. P. 85-90.

Кузнецов В.П., Марычев М.О., Кузнецов М.В., Корнаухов А.В., Шмагин В.Б., Дроздов М.Н., Кудрявцев К.Е., Андреев Б.А., Красильник З.Ф. Зависимость концентрации ионизованных доноров от температуры эпитаксии для слоев Si : Er/Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии // Физика и техника полупроводников. № 1. Т. 45. 2011. С. 132-135.

Кузнецов В.П., Степихова М.В., Шмагин В.Б., Марычев М.О., Алябина Н.А., Кузнецов М.В., Андреев Б.А., Корнаухов А.В., Горшков О.Н., Красильник З.Ф. Электролюминесценция на длине волны 1.54 мкм от структуры Si : Er/Si, состоящей из ряда p-n-переходов // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 45. 2011. С. 1486-1488. [принято к печати]

Филатов Д.О., Зимовец И.А., Исаков М.А., Кузнецов В.П., Корнаухов А.В. Исследование энергетических уровней примесных центров Er в Si методом баллистической электронной эмиссионной спектроскопии // Физика и техника полупроводников. № 9. Т. 45. 2011. С. 1153-1158.

Filatov D.O., Zimovets I. A., Isakov M. A., Kuznetsov V.P., Kornaukhov A.V. Investigation of energy levels of Er-impurity centers in Si by the method of ballistic electron emission spectroscopy // Semiconductors. № 9. V. 45. 2011. P. 1111-1116.

Контакты

462-37-16

Нижний Новгород, пр-кт. Гагарина 23, корп. 3, комн. 415

©  Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского