Кудрявцев Константин Евгеньевич

Место работы

Радиофизический факультет

Межфакультетская базовая кафедра "Физика наноструктур и наноэлектроника"

инженер 1 категории

Ученая степень
нет
Ученое звание
нет
Общий стаж работы 10 лет, 5 мес.

Общие сведения

Научная Работа


Образование, учёные степени и учёные звания

Высшее образование
Магистр. Специальность: физика. Квалификация: магистр физики.

Список преподаваемых дисциплин

Публикации

2018

Публикации в научных журналах

Baidus N.V., Aleshkin V.Ya., Dubinov A.A., Kudryavtsev K.E., Nekorkin S.M., Novikov A.V., Pavlov D.A., Rykov A.V., Sushkov A.A., Shaleev M., Yunin P.A., Yurasov D, Krasilnik Z.F. MOCVD Growth of InGaAs/GaAs/AlGaAs Laser Structures with Quantum Wells on Ge/Si Substrates // Crystals. № 8. V. 8. 2018. P. 311.

Алешкин В.Я., Байдусь Н.В., Вихрова О.В., Дубинов А.А., Звонков Б.Н., Красильник З.Ф., Кудрявцев К.Е., Некоркин С.М., Новиков А.В., Рыков А.В., Самарцев И.В., Юрасов Д.В. Стимулированное излучение на длине волны 1.3 μm в метаморфной структуре InGaAs/InGaAsP с квантовыми ямами, выращенной на подложке Ge/Si (001) // Письма в Журнал технической физики. № 44. Т. 16. 2018. С. 67-74.

2017

Публикации в научных журналах

Байдусь Н.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Кудрявцев К.Е., Некоркин С.М., Новиков А.В., Павлов Д.А., Рыков А.В., Сушков А.А., Шалеев М.В., Юнин П.А., Юрасов Д.В., Яблонский А.Н., Красильник З.Ф. Особенности выращивания лазерных структур InGaAs/GaAs/AlGaAs методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках Ge/Si // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 51. 2017. С. 1579-1582.

2015

Труды (тезисы) конференции

Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Дикарева Н.В., Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Дубинов А.А., Алешкин В.Я., Кудрявцев К.Е., Красильник З.Ф. Стимулированное излучение в InGaP/GaAs/InGaAs структуре на Ge/Si подложке // XII Российская конференция по физике полупроводников. Ершово, Московская обл., Россия, 21-25 сентября 2015 г.. 2015. С. 376.

Публикации в научных журналах

Morozov S.V., Rumyantsev V.V., Dubinov A.A., Antonov A.V., Kadykov A.M., Kudryavtsev K.E., Kuritsyn D.I., Mikhailov N.N., Dvoretskii S.A., Gavrilenko V.I. Long wavelength superluminescence from narrow gap HgCdTe epilayer at 100 K // Applied Physics Letters. V. 107. 2015. P. 042105-1-042105-4.

Алешкин В.Я., Дикарева Н.В., Дубинов А.А., Звонков Б.Н., Кудрявцев К.Е., Некоркин С.М., Новиков А.В., Юнин П.А., Юрасов Д.В. Волноводный эффект квантовых ям InGaAs в структуре GaAs на подложке Si с буферным слоем Ge // Письма в ЖТФ. Т. 41. 2015. С. 72-78.

Шмагин В.Б., Кудрявцев К.Е., Новиков А.В., Шенгуров Д.В., Юрасов Д.В., Красильник З.Ф. Применение техники годографа к диагностике диодных структур // Физика и техника полупроводников. Т. 49. 2015. С. 1492-1496.

Козлов Д.В., Морозов С.В., Румянцев В.В., Тузов И.В., Кудрявцев К.Е., Гавриленко В.И. Влияние прямого захвата дырок с испусканием оптических фононов на релаксацию примесной фотопроводимости в p -Si : B // Физика и техника полупроводников. № 2. Т. 49. 2015. С. 192-195.

Kozlov D.V., Morozov S.V., Rumyantsev V.V., Tuzov I.V., Kudryavtsev K.E., Gavrilenko V.I. Effect of the Direct Capture of Holes with the Emission of Optical Phonons on ImpurityPhotoconductivity Relaxation in p-Si:B // Semiconductors. № 2. V. 49. 2015. P. 187-190.

Aleshkin V.Ya., Dikareva N.V., Dubinov A.A., Zvonkov B.N., Kudryavtsev K.E., Nekorkin S.M., Novikov A.V., Yunin P.A., Yurasov D.V. The waveguide effect of InGaAs quantum wells in a GaAs structure on Si substrate with Ge buffer layer // Technical Physics Letters. № 7. V. 47. 2015. P. 648-650.

Aleshkin V.Ya., Dikareva N.V., Dubinov A.A., Denisov S.A., Krasilynik Z.F., Kudryavtsev K.E., Matveev S.A., Nekorkin S.M., Shengurov V.G. Stimulated Emission from an InGaAs/GaAs/AlGaAs Heterostructure Grown on a Si Substrate // JETP Letters. № 12. V. 100. 2015. P. 795-797.

Aleshkin V.Ya., Dikareva N.V., Dubinov A.A., Zvonkov B.N., Kudryavtsev K.E., Nekorkin S.M. An observation of direct-gap electroluminescence in GaAs structures with Ge quantum wells // Semiconductors. № 2. V. 49. 2015. P. 170-173.

2014

Труды (тезисы) конференции

Красильникова Л.В., Кудрявцев К.Е., Шенгуров Д.В., Шмагин В.Б., Красильник З.Ф. Активные волноводные структуры Si:Er/SOI с рекомбинационным и ударным механизмами возбуждения люминесценции // Труды XVIII Симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Нижний Новгород, 10-14 марта, 2014, Т.2, 2 стр.. 2014. С. 501-502.

Кудрявцев К.Е., Крыжков Д.И., Красильникова Л.В., Шенгуров Д.В., Шмагин В.Б., Андреев Б.А., Красильник З.Ф. Сечение оптического поглощения ионов Er3+ в кремнии // Труды XVIII Симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Нижний Новгород, 10-14 марта, 2014, Т.2, 2 стр.. 2014. С. 515-516.

Публикации в научных журналах

Aleshkin V.Ya., Dubinov A.A., Kudryavtsev K.E., Rumyantsev V.V., Tonkikh A.A., Zakharov N.D., Zvonkov B.N. 1.3 \mu m Photoluminescence of Ge/GaAs multi-quantum-well structure // Journal of Applied Physics. № 4. V. 115. 2014. P. 043512-1 -043512-4.

Morozov S.V., Rumyantsev V.V., Antonov A.V., Maremyyanin K.V., Kudryavtsev K.E., Krasilynikova L.V., Mikhailov N.N., Dvoretskii S.A., Gavrilenko V.I. Efficient long wavelength interband photoluminescence from HgCdTe epitaxial films at wavelengths up to 26μm // Applied Physics Letters. V. 104. 2014. P. 072102.

Morozov S.V., Rumyantsev V.V., Antonov A.V., Kadykov A.M., Maremyyanin K.V., Kudryavtsev K.E., Mikhailov N.N., Dvoretskii S.A., Gavrilenko V.I. Time resolved photoluminescence spectroscopy of narrow gap Hg1-xCdxTe/CdyHg1-yTe quantum well heterostructures // Applied Physics Letters. V. 105. 2014. P. 022102.

Aleshkin V.Ya., Dikareva N.V., Dubinov A.A., Denisov S.A., Krasilynik Z.F., Kudryavtsev K.E., Matveev S.A., Nekorkin S.M., Shengurov V.G. Stimulated Emission from an InGaAs/GaAs/AlGaAs Heterostructure Grown on a Si Substrate // JETP LETTERS. № 12. V. 100. 2014. P. 795-797.

2013

Труды (тезисы) конференции

Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Карзанова М.В., Вихрова О.В., Дикарева Н.В., Бирюков А.А., Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Матвеев С.А., Дубинов А.А., Алешкин В.Я., Кудрявцев К.Е. Лазерная структура GaAs/AlGaAs на подложке Ge/Si // Сборник статей 9-го Белорусско-Российского семинара «Полупроводниковые лазеры и системы на их основе» 28-31 мая 2013. 4 стр.. 2013. С. 25-28.

Gavrilenko V.I., Morozov S.V., Rumyantsev V.V., Zholudev M.S., Antonov A.V., Dubinov A.A., Maremyyanin K.V., Kudryavtsev K.E., Krasilynikova L.V., Aleshkin V.Ya., Mikhailov N.N., Dvoretskii S.A. THz Response of HgTe/CdTe Quantum Wells and Narrow-Gap HgCdTe Films: from Fundamentals to Applications // Abstract the International Conference on Coherent and Nonlinear Optics (ICONO) and The Lasers, Applications, and Technologies (LAT) ICONO/LAT, Moscow, 18-22 June, 2013. Moscow. 2013. P. JDB2.

Андреев Б.А., Красильник З.Ф., Красильникова Л.В., Кудрявцев К.Е., Шенгуров Д.В., Яблонский А.Н. Излучательные свойства волноводных структур Si:Er/SOI // Тезисы докладов XI Российской конференции по физике полупроводников, Санкт-Петербург, 16 – 20 сентября, 2013 г.. ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург. 2013. С. 366.

Гавриленко В.И., Румянцев В.В., Жолудев М.С., Антонов А.В., Кудрявцев К.Е., Красильникова Л.В., Иконников А.В., Дубинов А.А., Морозов С.В., Алешкин В.Я., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А. Генерация и детектирование ТГц-излучения в узкозонных гетероструктурах с квантовыми ямами на основе HgTe/CdTe и эпитаксиальных слоях CdHgTe // Тезисы докладов IX Всероссийского семинара по радиофизике миллиметровых и субмиллиметровых волн, 26 февраля – 1 марта, 2013. ИПФ РАН, Нижний Новгород. 2013. С. 23-24.

Андреев Б.А., Красильник З.Ф., Красильникова Л.В., Кудрявцев К.Е., Шенгуров Д.В., Яблонский А.Н. Оптические свойства волноводных структур Si:Er/SOI // Труды XVII Симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Нижний Новгород, 11-15 марта, 2013. Т.2, 2 стр. 2013. С. 477-478.

Gavrilenko V.I., Morozov S.V., Rumyantsev V.V., Zholudev M.S., Antonov A.V., Dubinov A.A., Maremyyanin K.V., Kudryavtsev K.E., Krasilynikova L.V., Aleshkin V.Ya., Mikhailov N.N., Dvoretskii S.A. Optical study of HgCdTe based narrow-gap heterostructures // Proc. 21st Int. Symp. “Nanostructures: Physics and Technology. June 24-28, 2013. St. Petersburg. 2013. P. 252-253.

Публикации в научных журналах

Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Дроздов М.Н., Звонков Б.Н., Кудрявцев К.Е., Тонких А.А., Яблонский А.Н., Werner P. Структурные и оптические свойства гетероструктур на основе GaAs с квантовыми ямами Ge и Ge/InGaAs. // Физика и техника полупроводников. № 5. Т. 47. 2013. С. 621-625.

Алешкин В.Я., Афоненко А.А., Дикарева Н.В., Дубинов А.А., Кудрявцев К.Е., Морозов С.В., Некоркин С.М. Волноводный эффект квантовых ям GaAsSb в лазерной структуре на основе GaAs // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 47. 2013. С. 1486-1488.

2012

Публикации в научных журналах

Румянцев В.В., Морозов С.В., Кудрявцев К.Е., Гавриленко В.И., Козлов Д.В. Особенности релаксации примесной фотопроводимости в кремнии, легированном бором // Физика и техника полупроводников. Т. 46. 2012. С. 1414-1418.

2011

Труды (тезисы) конференции

Шенгуров Д.В., Степихова М.В., Дроздов Ю.Н., Шалеев М.В., Кудрявцев К.Е., Красильник З.Ф., Шенгуров В.Г., Наумова О.В. Особенности предростовой подготовки и эпитаксиальный рост волноводных светоизлучающих структур SOI/Si:Er для лазерных применений // Труды XV Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Н. Новгород, 14–18 марта, 2011. – Т.2. – C.448 - 449. 2011. С. 448-449.

Публикации в научных журналах

Krasilynik Z.F., Novikov A.V., Lobanov D.N., Kudryavtsev K.E., Antonov A.V., Obolenskii S.V., Zakharov N.D., Werner P. SiGe nanostructures with self-assembled islands for Si-based optoelectronics // Semiconductor Science and Technology. V. 26. 2011. P. 014209.

©  Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского