Антонов Иван Николаевич

Список преподаваемых дисциплин

Публикации

2023

Звонков Б.Н., Антонов И.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Дикарева Н.В., Нежданов А.В., Темирязева М.П. Формирование вертикального графена на поверхности арсенид-галлиевых структур // Физика твердого тела. № 4. Т. 65. 2023. С. 669-675.

2022

Антонов И.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дудин Ю.А., Здоровейщев Д.А., Калентьева И.Л., Кузнецов Ю.М., Крюков Р.Н., Нежданов А.В., Быков В.А., Парафин А.Е., Юнин П.А. Формирование магнитных полупроводников GaFeAs и GaMnAs ионной имплантацией и импульсным лазерным отжигом // Материалы XXVI Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 14-17 марта 2022 г., Нижний Новгород.. Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.1, 643 с.. 2022. С. 183-184.

Ершов А.В., Коряжкина М.Н., Филатов Д.О., Шенина М.Е., Антонов И.Н., Круглов А.В., Горшков А.П., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г. Исследование влияния оптического излучения на резистивное переключение МДП-структур на основе ZrO2(Y) на подложках Si(001) с наноостровками Ge // Материалы XXVI Междунар. симпоз. «Нанофизика и наноэлектроника» 14–17 марта 2022 г., Нижний Новгород. Нижний Новгород, изд-во ННГУ, 2022.– В 2-х томах.–Т.2.. 2022. С. 858-859.

Mikhailov A.N., Koryazhkina M.N., Korolev D.S., Belov A.I., Okulich E.V., Okulich V.I., Antonov I.N., Shuiskii R.A., Guseinov D.V., Sidorenko K.V., Shenina M.E., Gryaznov E.G., Tikhov S.V., Filatov D.O., Pavlov D.A., Tetelybaum D.I., Gorshkov O.N., Spanyolo B Resistive switching in metal-oxide memristive materials and devices. Amsterdam: Elsevier, chapter 2, pp. 33-78. 2022.

Mikhailov A.N., Koryazhkina M.N., Korolev D.S., Belov A.I., Okulich E.V., Okulich V.I., Antonov I.N., Shuiskii R.A., Guseinov D.V., Sidorenko K.V., Shenina M.E., Gryaznov E.G., Tikhov S.V., Filatov D.O., Pavlov D.A., Tetelybaum D.I., Gorshkov O.N., Emelyyanov A.V., Nikirui K.E., Rylykov V.V., Demin V.A., Spanyolo B Technology and neuromorphic functionality of magnetron-sputtered memristive devices. Amsterdam: Elsevier, chapter 4, pp. 109-131. 2022.

Koryazhkina M.N., Filatov D.O., Shenina M.E., Antonov I.N., Kruglov A.V., Ershov A.V., Gorshkov A.P., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Shengurov V.G. Investigation of the effect of optical radiation on resistive switching of MIS-structures based on ZrO2(Y) on Si(001) substrates with Ge nanoislands // Semiconductors. № 8. V. 56. 2022. P. 509-512.

Filatov D.O., Novikov A.S., Shenina M.E., Antonov I.N., Nezhdanov A.V., Kazantseva I.A., Gorshkov O.N. Scanning Kelvin Probe Microscopy investigation of optically induced charge in Au nanoparticles embedded into ZrO2(Y) films // Technical Physics. V. 67. 2022. P. 12.

2021

Антонов И.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Демина П.Б., Дорохин М.В., Звонков Б.Н., Здоровейщев Д.А., Калентьева И.Л., Кузнецов Ю.М., Кудрин А.В., Нежданов А.В., Парафин А.Е., Хомицкий Д.В. Импульсное лазерное облучение светоизлучающих структур со слоем (Ga,Mn)As // Сборник тезисов XXV Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 9-12 марта. Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета. Т. 1. 2021. С. 126-127.

Филатов Д.О., Шенина М.Е., Роженцов И.А., Коряжкина М.Н., Антонов И.Н., Новиков А.С., Ершов А.В., Горшков А.П., Горшков О.Н. Влияние оптического излучения на резистивное переключение в МДП-структурах на основе плёнок ZrO2(Y) с наночастицами Au // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXV Международного симпозиума (Нижний Новгород, 9–12 марта 2021 г.) В 2 т., том 2. Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, 2021. 2 страницы. 2021. С. 893-894.

Koryazhkina M.N., Novikov A.S., Belov A.I., Antonov I.N., Shchanikov S.A., Mikhailov A.N., Filatov D.O., Gorshkov O.N., Agudov N.V., Dubkov A.A., Valenti D., Spagnolo B. Noise-induced resistance switching of the SiO2-based memristor // MEMRISYS 2021 4th International Conference on Memristive Materials, Devices & Systems. 49 p.. 2021. P. 37.

Koryazhkina M.N., Filatov D.O., Novikov A.S., Shishmakova V.A., Shenina M.E., Belov A.I., Antonov I.N., Mikhailov A.N., Gorshkov O.N., Agudov N.V., Spanyolo B. Relaxation times to the stationary state of ZrO2(Y)-based memristor // MEMRISYS 2021 4th International Conference on Memristive Materials, Devices & Systems. 49 p.. 2021. P. 38.

Коряжкина М.Н., Филатов Д.О., Новиков А.С., Шишмакова В.А., Шенина М.Е., Белов А.И., Антонов И.Н., Михайлов А.Н., Горшков О.Н., Агудов Н.В., Спаньоло Б. РЕЛАКСАЦИЯ РЕЗИСТИВНОГО СОСТОЯНИЯ МЕМРИСТОРОВ НА ОСНОВЕ СТАБИЛИЗИРОВАННОГО ДИОКСИДА ЦИРКОНИЯ В ЗАВИСИМОСТИ ОТ ПАРАМЕТРОВ ШУМОВОГО ВОЗДЕЙСТВИЯ // Материалы 24-й Всероссийской молодежной научной конференции "Актуальные проблемы физической и функциональной электроники". 240 c.. 2021. С. 174-175.

Koryazhkina M.N., Belov A.I., Shenina M.E., Antonov I.N., Mikhailov A.N., Filatov D.O., Gorshkov O.N., Agudov N.V., Dubkov A.A., Spagnolo B. EFFECT OF EXTERNAL NOISE ON THE RESISTIVE STATE OF THE MEMRISTIVE STRUCTURES BASED ON ZRO2(Y) // Труды XXV научной конференции по радиофизике. Нижний Новгород, ННГУ, 562 с.. 2021. P. 464-466.

Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Калентьева И.Л., Кузнецов Ю.М., Нежданов А.В., Парафин А.Е., Хомицкий Д.В., Антонов И.Н. Воздействие импульсов эксимерного лазера на светоизлучающие InGaAs/GaAs-структуры с (Ga, Mn)As-слоем // Physics of the Solid State. № 3. Т. 63. 2021. С. 346-355.

Ryabova M.A., Filatov D.O., Koryazhkina M.N., Antonov D.A., Antonov I.N., Gorshkov O.N., Kharcheva A.A., Dubkov A.A. Resonant activation of resistive switching in ZrO2(Y) films // Journal of Physics: Conference Series. V. 1851. 2021. P. 012003 (1-6).

Филатов Д.О., Шенина М.Е., Роженцов И.А., Коряжкина М.Н., Новиков А.С., Антонов И.Н., Ершов А.В., Горшков А.П., Горшков О.Н. Влияние оптического излучения на резистивное переключение в МДП-структурах на основе пленок ZrO2(Y) с наночастицами Au // Физика и техника полупроводников. № 55. Т. 9. 2021. С. 1-4.

Agudov N.V., Dubkov A.A., Safonov A.V., Krichigin A.V., Kharcheva A.A., Guseinov D.V., Koryazhkina M.N., Novikov A.S., Shishmakova V.A., Antonov I.N., Carollo A., Spagnolo B. Stochastic model of memristor based on the length of conductive region // Chaos, Solitons and Fractals. V. 150. 2021. P. 111131 (1-11).

Novikov A.S., Filatov D.O., Shenina M.E., Antonov I.N., Antonov D.A., Nezhdanov A.V., Vorontsov V.A., Pavlov D.A., Gorshkov O.N. A mechanism of effect of optical excitation on resistive switching in ZrO2(Y) films with Au nanoparticles // Journal Physics D: Applied Physics. V. 54. 2021. P. 485303.

Vorontsov V.A., Antonov D.A., Kruglov A.V., Antonov I.N., Shenina M.E., Kotomina V.E., Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Pavlov D.A., Filatov D.O., Gorshkov O.N. Investigation of resistive switching in Ag/Ge/Si(001) stack by conduc-tive atomic force microscopy // Journal of Physics: Conference Series. V. 2086. 2021. P. 012043(1-4).

Filatov D.O., Shenina M.E., Rozhentsov I.A., Koryazhkina M.N., Novikov A.S., Antonov I.N., Ershov A.V., Gorshkov A.P., Gorshkov O.N. Effect of Optical Illumination on Resistive Switching in MOS Structures Based on ZrO2(Y) Films with Au Nanoparticles // Semiconductors. № 9. V. 55. 2021. P. 1005-1008.

Филатов Д.О., Шенина М.Е., Роженцов И.А., Коряжкина М.Н., Новиков А.С., Антонов И.Н., Ершов А.В., Горшков А.П., Горшков О.Н. Влияние оптического излучения на резистивное переключение в МДП-структурах на основе пленок ZrO2(Y) с наночастицами Au // Физика и техника полупроводников. № 9. Т. 55. 2021. С. 754-757.

2020

Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Демина П.Б., Дроздов М.Н., Здоровейщев А.В., Крюков Р.Н., Нежданов А.В., Антонов И.Н., Планкина С.М., Темирязева М.П. Формирование углеродных слоев методом термического разложения CCl4 в реакторе МОС-гидридной эпитаксии // «Нанофизика и наноэлектроника» Труды XXIV Международного симпозиума, 10–13 марта 2020 г., Нижний Новгород. Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2, 505 с.. 2020. С. 587-588.

Gorshkov O.N., Filatov D.O., Koveshnikov S.V., Shenina M.E., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Antonov I.N., Pavlov D.A., Vorontsov V.A., Kruglov A.V., Yakimov E.B. Bipolar resistive switching in memristors based on Ge/Si(001) epitaxial layer // 7th International School and Conference "Saint-Petersburg OPEN 2020" on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures. Saint Petersburg, Russia, April 26 – 30, 2020. Book of Abstracts. St. Petersburg Academic University, 2020.- 543 pp. 2020. P. 434-435.

Филатов Д.О., Табаков О.В., Новиков А.С., Кассин Г.Л., Белов А.И., Антонов И.Н., Шарков В.В., Окулич Е.В., Коряжкина М.Н., Михайлов А.Н., Горшков О.Н., Дубков А.А., Спаньоло Б. Реакция мемристоров на основе плёнок SiO2 на внешний белый гауссовский шум // Труды XXIV Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (10-13 марта, 2020, Нижний Новгород). Т. 2, 505 с.. 2020. С. 768-769.

Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Демина П.Б., Дроздов М.Н., Здоровейщев А.В., Крюков Р.Н., Нежданов А.В., Антонов И.Н., Планкина С.М., Темирязева М.П. Формирование углеродных слоев методом термического разложения четыреххлористого углерода в реакторе МОС-гидридной эпитаксии // Semiconductors. № 8. Т. 54. 2020. С. 956-960.

Тихов С.В., Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Антонов И.Н., Круглов А.В., Белов А.И., Филатов Д.О., Горшков О.Н., Михайлов А.Н. Резистивное переключение в структурах металл-оксид-полупроводник с наноостровками GeSi на подложке кремния // Журнал технической физики. № 10. Т. 90. 2020. С. 1741-1749.

Tikhov S.V., Belov A.I., Korolev D.S., Antonov I.N., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I., Gorshkov O.N., Mikhailov A.N. Electrophysical Characteristics of Multilayer Memristive Nanostruc-tures Based on Yttria-Stabilized Zirconia and Tantalum Oxide // Technical Physics. № 2. V. 65. 2020. P. 284–290.

Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Antonov I.N., Kotomina V.E., Kotina A.Yu., Gryaznov E.G., Sharapov A.N., Koryazhkina M.N., Kryukov R.N., Zubkov S.Yu., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tikhov S.V., Morozov O.A., Tetelbaum D.I. Multilayer Metal-Oxide Memristive Device with Stabilized Resistive Switching // Advanced Materials Technologies. № 5. V. 5. 2020. P. 1900607(1-9).

Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Калентьева И.Л., Нежданов А.В., Парафин А.Е., Хомицкий Д.В., Антонов И.Н. Импульсное лазерное облучение светоизлучающих структур на основе GaAs // Semiconductors. № 12. Т. 54. 2020. С. 1336-1343.

Filatov D.O., Novikov A.S., Baranova V.N., Antonov D.A., Kruglov A.V., Antonov I.N., Zdoroveishchev A.V., Koryazhkina M.N., Gorshkov O.N., Dubkov A.A., Carollo A., Spagnolo B. Experimental investigations of local stochastic resistive switching in yttria stabilized zirconia film on a conductive substrate // Journal of Statistical Mechanics: Theory and Experiment. № 2. V. 2020. 2020. P. 024005 (1-11).

Gorshkov O.N., Filatov D.O., Koveshnikov S.V., Shenina M.E., Soltanovich O.A., Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Antonov I.N., Pavlov D.A., Vorontsov V.A., Kruglov A.V., Yakimov E.B. Bipolar resistive switching in memristors based on Ge/Si(001) epitaxial layers // Journal of Physics: Conference Series. V. 1695. 2020. P. 012158(1-5).

Antonov D.A., Antonov I.N., Belov A.I., Baranova V.N., Shenina M.E., Gorshkov O.N. Resistive Switching of Memristors Based on Stabilized Zirconia by Complex Signals // Physics of the Solid State. № 62. V. 4. 2020. P. 642-647.

Gorshkov O.N., Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Antonov I.N., Kruglov A.V., Shenina M.E., Kotomina V.E., Filatov D.O., Serov D.A. Resistive Switching in Memristors Based on Ag/Ge/Si Heterostructures // Technical Physics Letters. № 46. V. 1. 2020. P. 91-93.

2019

Тихов С.В., Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Антонов И.Н., Шенина М.Е., Сушков А.А., Милин В.Е., Зубков С.Ю., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И., Горшков О.Н. Повышение воспроизводимости резистивного переключения в многослойных мемристивных наноструктурах на основе стабилизированного иттрием оксида циркония // Материалы ХХIII Международного симпозиума "Нанофизика и Наноэлектроника". ННГУ им. Н.И.Лобачевского, т.2, 2 страницы. 2019. С. 758-759.

Kudrin A.V., Lesnikov V.P., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Vikhrova O.V., Antonov I.N., Kryukov R.N., Konakov A.A., Dudin Yu.A., Sobolev N.A. Control of carrier concentration and Fermi level position in (In,Fe)Sb magnetic semiconductor by ion irradiation // Book of abstracts. VII Euro-Asian Symposium «Trends in MAGnetism» «EAST MAG 2019», September 08–13, 2019, Ekaterinburg, Russia.. M.N. Miheev Institute of Metal Physics UB RAS. V.2.. 2019. P. 322-323.

Филатов Д.О., Новиков А.С., Баранова В.Н., Антонов Д.А., Круглов А.В., Антонов И.Н., Здоровейщев А.В., Коряжкина М.Н., Горшков О.Н., Дубков А.А., Спаньоло Б. Индуцированное шумом резистивное переключение на контакте асм-зонда к пленке стабилизированного диоксида циркония на проводящей подложке // Труды XXIII научной конференции по радиофизике, посвященной 100-летию со дня рождения Н.А. Железцова. ННГУ, 581 с. 2019. С. 501-504.

Koryazhkina M.N., Filatov D.O., Vrzheshch D.V., Tabakov O.V., Novikov A.S., Belov A.I., Antonov I.N., Zdoroveishchev A.V., Mikhaylov A.N., Gorshkov O.N., Dubkov A.A., Spagnolo B. ZrO2(Y)/Ta2O5-based memristor response to white Gaussian noise // Труды XXIII научной конференции по радиофизике, посвященной 100-летию со дня рождения Н.А. Железцова. ННГУ, 581 с. 2019. P. 497-500.

Табаков О.В., Филатов Д.О., Вржещ Д.В., Новиков А.С., Белов А.И., Антонов И.Н., Здоровейщев А.В., Коряжкина М.Н., Михайлов А.Н., Горшков О.Н., Дубков А.А., Спаньоло Б. Резистивное переключение мемристора на базе тонкоплёночной структуры ZrO2(Y)/Ta2O5 шумовым сигналом // Труды XXIII научной конференции по радиофизике, посвященной 100-летию со дня рождения Н.А. Железцова. ННГУ, 581 с. 2019. С. 508-511.

Вржещ Д.В., Филатов Д.О., Табаков О.В., Новиков А.С., Белов А.И., Антонов И.Н., Здоровейщев А.В., Коряжкина М.Н., Михайлов А.Н., Горшков О.Н., Дубков А.А., Спаньоло Б. Временные характеристики резистивного переключения мемристора на основе ZrO2(Y)/Ta2O5 под действием шумового сигнала // Труды XXIII научной конференции по радиофизике, посвященной 100-летию со дня рождения Н.А. Железцова. ННГУ, 581 с. 2019. С. 512-515.

Klyuev A.V., Yakimov A.V., Filatov D.O., Gorshkov O.N., Antonov D.A., Liskin D.A., Antonov I.N., Anikina Yu.I. Flicker noise spectroscopy as a tool for the measurement of activation energies of oxygen ion diffusion in memristor systems at fixed temperature // Proc. 25th International Conference on Noise and Fluctuations (ICNF 2019). 18–21 June 2019, Neuchâtel, Switzerland. Neuchâtel, Switzerland. 378 p. https://icnf2019.epfl.ch/wp-content/uploads/2019/06/ICNF2019_Proceedings.pdf (password-protected). 2019. P. 136-139.

Аникина Ю.И., Якимов А.В., Филатов Д.О., Горшков О.Н., Антонов Д.А., Лискин Д.А., Антонов И.Н., Клюев А.В., Спаньоло Б. Определение энергий активации диффузии ионов кислорода в мемристивных системах методом фликкер–шумовой спектроскопии // Труды XXIII Научной конференции по радиофизике, посвященной 100-летию со дня рождения Н.А. Железцова (Нижний Новгород, 13-21 мая 2019 г.). Нижний Новгород: ННГУ, 2019. – 581 с. http://www.rf.unn.ru/wp-content/uploads/sites/21/2019/09/2019_Mat-modelirovanie.pdf. 2019. С. 489-492.

Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Антонов И.Н., Зубков С.Ю., Шенина М.Е., Милин В.Е., Сушков А.А., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И., Горшков О.Н., Тихов С.В. Повышение воспроизводимости резистивного переключения в многослойных мемристивных наноструктурах на основе стабилизированного иттрием оксида циркония // XXIII Международный Симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника». Труды симпозиума. Нижний Новгород, 11-14 марта, Т.2. 2019. С. 758-759.

Korolev D.S., Okulich E.V., Koryazhkina M.N., Shuiski R.A., Belov A.I., Shenina M.E., Mikhaylov A.N., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I., Okulich V.I., Antonov I.N., Dudin Yu.A., Spagnolo B. Effect of irradiation with Si+ ions on resistive switching in memristive structures based on yttria-stabilized zirconia and silicon dioxide // International Conference “New Trends in Nonequilibrium Stochastic Multistable Systems and Memristors (NES2019)”. Book of abstracts. Erice, Italy, October 18-21. 2019. P. 27.

Gorshkov O.N., Yakimov A.V., Filatov D.O., Antonov D.A., Liskin D.A., Antonov I.N., Klyuev A.V., Anikina Yu.I., Spagnolo B. Flicker noise spectroscopy as a tool for the measurement of activation energies of oxygen ion diffusion in memristor systems at fixed temperature // International Conference “New Trends in Nonequilibrium Stochastic Multistable Systems and Memristors” (nes2019). 18–21 October 2019, Erice, Italy. Site: https://nes2019.sciences-conf.org/data/BookAbstract.pdf. 52 p. 2019. P. 21-21.

Koryazhkina M.N., Filatov D.O., Vrzheshch D., Tabakov O., Novikov A.S., Kharcheva A.A., Belov A.I., Antonov I.N., Sharkov V.V., Mikhailov A.N., Gorshkov O.N., Dubkov A.A., Valenti D., Spanyolo B. Statistical analysis of ZrO2(Y)/Ta2O5-based memristor response to white Gaussian noise // Book of abstracts of “New Trends in Nonequilibrium Stochastic Multistable Systems and Memristors (NES2019)” (October 18-21, 2019, Erice, Italy). 1. 2019. P. 25.

Филатов Д.О., Коряжкина М.Н., Антонов Д.А., Антонов И.Н., Лискин Д.А., Рябова М.А., Горшков О.Н. Исследование методом атомно-силовой микроскопии резистивного переключения сложными сигналами в пленках стабилизированного диоксида циркония // Труды XXIII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (11-14 марта 2019, Нижний Новгород). Т. 1, 544 с.. 2019. С. 402-403.

Filatov D.O., Koryazhkina M.N., Antonov D.A., Antonov I.N., Liskin D.A., Ryabova M.A., Gorshkov O.N. Conductive Atomic Force Microscopy study of local resistive switching by a complex signal in the yttria stabilized zirconia films // 3rd International Conference Scanning Probe Microscopy. 4th Russia-China Workshop on Dielectric and Ferroelectric Materials. International Youth Conference Functional Imaging of Nanomaterials. (Ekaterinburg, August 25-28, 2019). 301 c.. 2019. P. 177-178.

Тихов С.В., Горшков О.Н., Белов А.И., Антонов И.Н., Коряжкина М.Н., Михайлов А.Н. Механизм токопереноса и резистивного переключения в конденсаторах стабилизированного иттрием диоксида гафния // Журнал технической физики. № 6. Т. 89. 2019. С. 933-940.

Kudrin A.V., Lesnikov V.P., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Vikhrova O.V., Pavlov D.A., Usov Yu.V., Antonov I.N., Kryukov R.N., Nikolichev D.E., Konakov A.A., Dudin Yu.A., Kuznetsov Yu.M., Temiryazeva M.P., Sobolev N.A. Robustness of ferromagnetism in (In,Fe)Sb diluted magnetic semiconductor to variation of charge carrier concentration // Journal of Magnetism and Magnetic Materials. V. 485. 2019. P. 236–243.

Yakimov A.V., Filatov D.O., Gorshkov O.N., Antonov D.A., Liskin D.A., Antonov I.N., Belyakov A.V., Klyuev A.V., Carollo A., Spagnolo B. Measurement of the activation energies of oxygen ion diffusion in yttria stabilized zirconia by flicker noise spectroscopy // Applied Physics Letters. V. 114. 2019. P. 253506-1-25306-5.

Okulich E.V., Koryazhkina M.N., Korolev D.S., Belov A.I., Shenina M.E., Mikhaylov A.N., Tetelbaum D.I., Antonov I.N., Dudin Yu.A. The Effect of Irradiation with Si+ Ions on Resistive Switching in Memristive Structures Based on Yttria-Stabilized Zirconia // Technical Physics Letters. № 7. V. 45. 2019. P. 690–693.

Filatov D.O., Vrzheshch D.V., Tabakov O.V., Novikov A.S., Belov A.I., Antonov I.N., Sharkov V.V., Koryazhkina M.N., Mikhaylov A.N., Gorshkov O.N., Dubkov A.A., Carollo A., Spagnolo B. Noise-induced resistive switching in a memristor based on ZrO2(Y)/Ta2O5 stack // Journal of Statistical Mechanics: Theory and Experiment. V. 2019. 2019. P. 124026 (1-14).

Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Antonov I.N., Kotomina V.E., Kotina A.Yu., Gryaznov E.G., Sharapov A.N., Koryazhkina M.N., Kryukov R.N., Zubkov S.Yu., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tikhov S.V., Morozov O.A., Tetelbaum D.I. Multilayer Metal-Oxide Memristive Device with Stabilized Resistive Switching // Advanced Materials Technologies. V. 5. 2019. P. 1900607.

Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Gerasimova S.A., Antonov I.N., Okulich E.V., Shuiskiy R.A., Tetelbaum D.I. Effect of ion irradiation on resistive switching in metal-oxide memristive nanostructures // Journal of Physics: Conference Series. V. 1410. 2019. P. 012245.

Liskin D.A., Filatov D.O., Gorshkov O.N., Antonov D.A., Antonov I.N., Shenina M.E., Novikov A.S. Investigation of the Local Photoconductivity of ZrO2(Y) Films with Embedded Au Nanoparticles by Conductive Atomic Force Microscopy // Journal of Surface Investigation. № 13. V. 3. 2019. P. 424-428.

Filatov D.O., Kazantseva I.A., Antonov I.N., Antonov D.A., Shenina M.E., Gorshkov O.N. Observation of Quantum-Size Effects in a Study of Resistive Switching in Dielectric Films with Au Nanoparticles via Tunneling Atomic Force Microscopy // Journal of Surface Investigation. № 13. V. 1. 2019. P. 23-29.

Koryazhkina M.N., Filatov D.O., Antonov I.N., Ryabova M.A., Dunaevskii M.S. Study of Local Charge Accumulation in ZrO2(Y) Films with Au Nanoparticles by Kelvin Probe Force Microsсopy // Journal of Surface Investigation. № 1. V. 13. 2019. P. 30–35.

Tikhov S.V., Gorshkov O.N., Belov A.I., Antonov I.N., Morozov A.I., Koryazhkina M.N., Mikhailov A.N. Mechanisms of Current Transport and Resistive Switching in Capacitors with Yttria-Stabilized Hafnia Layers // Technical Physics. № 6. V. 64. 2019. P. 873–880.

Filatov D.O., Koryazhkina M.N., Antonov D.A., Antonov I.N., Liskin D. A., Ryabova M.A., Gorshkov O.N. Atomic-Force Microscopy of Resistive Nonstationary Signal Switching in ZrO2(Y) Films // Technical Physics. № 11. V. 64. 2019. P. 1579–1583.

Filatov D.O., Koryazhkina M.N., Antonov D.A., Antonov I.N., Liskin D. A., Ryabova M.A., Gorshkov O.N. Investigation of resistive switching by non-stationary signals in ZrO2(Y) films by atomic force microscopy // IOP Conference Series: Materials Science and Engineering. № 1. V. 699. 2019. P. 012012.

2018

Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Звонков Б.Н., Кудрин А.В., Антонов И.Н. Влияние состава газа-носителя в процессе роста дельта-слоя Mn на электрические и магнитные свойства GaAs структур // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXII Международного симпозиума. 12-15 марта 2018 г. Нижний Новгород.. Изд-во Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2, 2 стр.. 2018. С. 639-640.

Данилов Ю.А., Кудрин А.В., Лесников В.П., Вихрова О.В., Крюков Р.Н., Антонов И.Н., Толкачев Д.С. Исследование особенностей формирования и свойств полупроводников А3В5, сильно легированных железом // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXII Международного симпозиума, 12-15 марта 2018. Н.Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2018. - Т.1. 2018. С. 180-181.

Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Кудрин А.В., Антонов И.Н. Влияние состава газа-носителя в процессе роста дельта-слоя Mn на электрические и магнитные свойства GaAs структур // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XXII Международного симпозиума, 12-15 марта 2018. Н. Новгород: Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2018. - Т.2. 2018. С. 639-640.

Филатов Д.О., Антонов И.Н., Коряжкина М.Н., Рябова М.А., Дунаевский М.С. Изучение процессов локальной аккумуляции заряда в пленках ZrO2(Y), HfO2(Y), SiO2 с наночастицами Au методом Кельвин-зонд микроскопии // Труды XXII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (Н. Новгород, 12-15 марта 2018). Н. Новгород: изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Т. 1, 507 с.. 2018. С. 373-374.

Filatov D.O., Gorshkov O.N., Mikhailov A.N., Korolev D.S., Koryazhkina M.N., Ryabova M.A., Antonov I.N., Shenina M.E., Pavlov D.A., Dunaevskii M.S. Investigation of local charge accumulation in yttria stabilized zirconia films with Au nanoparticles by Scanning Kelvin Probe Microscopy // “Saint Petersburg OPEN 2018” 5th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures. St Petersburg, Russia, April 2-5, 2018. BOOK of ABSTRACTS. Academic University Publishing St. Petersburg, 2018, 621 p.. 2018. P. 573-574.

Koryazhkina M., Antonov I., Gorshkov O., Mikhailov A., Belov A., Shenina M., Pigareva Ya., Pimashkin A., Filatov D., Agudov N., Dubkov A., Kharcheva A., Valenti D., Spagnolo B. Statistical analysis of memristor response to complex electric activity // 15th Course of the INTERNATIONAL SCHOOL OF STATISTICAL PHYSICS New Trends in Nonequilibrium Statistical Mechanics: Classical and Quantum Systems. Ettore Majorana Foundation and Centre for Scientific Culture, 59pp. 2018. P. 25.

Тихов С.В., Горшков О.Н., Антонов И.Н., Михайлов А.Н., Белов А.И., P. Karakolis2, P. Dimitrakis Особенности поведения МДП-мемристоров с нанослоем Si3N4, изготовленных на основе проводящей подложки из кремния // Материалы XXII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний новгород издательство ННГУ, т.2, с.775-776. 2018. С. 775-776.

Котов А.В., Горшков О.Н., Ершов А.В., Шенина М.Е., Антонов И.Н. Резистивные переключения в МДМ-структурах, сформированных электронно-лучевыми и магнетронными методами на основе слоевого диэлектрика ZrOx/AlOy // Физические и физико-химические основы ионной имплантации. Тез. докл. VII Всерос. конф. и шк. молодых ученых и специалистов (Нижний Новгород, 7–9 нояб. 2018 г.). – Н. Новгород, 174 с. 2018. С. 154–155.

Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Antonov I.N., Zubkov S.Yu., Shenina M.E., Milin V.E., Sushkov A.A., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I., Gorshkov O.N. Improvement of resistive switching reproducibility by stabilized oxygen exchange in Au/Ta/ZrO2(Y)/Ta2O5/TiN/Ti devices // INTERNATIONAL WORKSHOP From ReRAM and Memristors to new Computing Paradigms. Book of Abstracts, Rethymno, Crete, Greece, October 28-31, 35 стр. 2018. P. 18.

Korolev D.S., Belov A.I., Antonov I.N., Gerasimova S.A., Pigareva Ya.I., Pimashkin A.S., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N. Dynamic response of metal-oxide memristive devices to complex electric signals // INTERNATIONAL WORKSHOP From ReRAM and Memristors to new Computing Paradigms. Book of Abstracts, Rethymno, Crete, Greece, October 28-31, 35 стр. 2018. P. 15.

Королев Д.С., Белов А.И., Антонов И.Н., Герасимова С.А., Пигарева Я.И., Пимашкин А.С., Горшков О.Н., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н. Мемристивные структуры на основе оксидных диэлектриков для применения в нейроморфных системах нового поколения // Сборник докладов VIII Международной научной конференции «Актуальные проблемы физики твердого тела». Минск: Ковчег, Минск, Беларусь, 24-28 сентября, Т.2, 286 стр. 2018. С. 249-250.

Коряжкина М.Н., Окулич Е.В., Горшков О.Н., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Шуйский Р.А., Антонов И.Н., Васильев В.К. Влияние облучения ионами Si и постимплантационного отжига на параметры резистивного переключения в мемристивных структурах на основе // Тезисы докладов VII Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Типография ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, 7-9 ноября, 174 стр. 2018. С. 150.

Роженцов И.А., Горшков О.Н., Шенина М.Е., Антонов И.Н., Филатов Д.О., Горшков А.П. Влияние наночастиц золота на резистивные переключения в мдп-структурах, сформированных методом магнетронного осаждения // Физические и физико-химические основы ионной имплантации: Тезисы докладов VII Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов (Нижний Новгород, 7–9 ноября 2018 г.). Н. Новгород, 2018.. 2018. С. 155-156.

Данилов Ю.А., Кудрин А.В., Лесников В.П., Вихрова О.В., Крюков Р.Н., Антонов И.Н., Толкачев Д.С. Исследование особенностей формирования и свойств полупроводников А3В5, сильно легированных железом // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XXII международного симпозиума. Нижний Новгород, 12-15 марта 2018 г.. Н. Новгород: Издательство ННГУ Н. Новгород: Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т. 1. 2018. С. 180-181.

Koryazhkina M.N., Tikhov S.V., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Antonov I.N., Karzanov V.V., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I., Karakolis P., Dimitrakis P. Bipolar resistive switching in metal-insulator-semiconductor nanostructures based on silicon nitride and silicon oxide // Journal of Physics: Conference Series. V. 993. 2018. P. 012028.

Tikhov S.V., Gorshkov O.N., Antonov I.N., Morozov A.I., Koryazhkina M.N., Filatov D.O. Ion Migration Polarization in the Yttria Stabilized Zirconia Based Metal-Oxide-Metal and Metal-Oxide-Semiconductor Stacks for Resistive Memory // Advances in Materials Science and Engineering. № 2018. V. 2018. 2018. P. 2028491 (8 p.).

Antonov I.N., Belov A.I., Mikhaylov A.N., Morozov O.A., Ovchinnikov P.E. Formation of Weighting Coefficients in an Artificial Neural Network Based on the Memristive Effect in Metal–Oxide–Metal Nanostructures // Journal of Communications Technology and Electronics. № 8. V. 63. 2018. P. 950–957.

Mikhaylov A.N., Morozov O.A., Ovchinnikov P.E., Antonov I.N., Belov A.I., Korolev D.S., Sharapov A.N., Gryaznov E.G., Gorshkov O.N., Pigareva Ya.I., Pimashkin A.S., Lobov S.A., Kazantsev V.B. One-Board Design and Simulation of Double-Layer Perceptron Based on Metal-Oxide Memristive Nanostructures // IEEE Transactions on Emerging Topics in Computational Intelligence. № 5. V. 2. 2018. P. 371-379.

Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Кудрин А.В., Антонов И.Н. Влияние состава газа-носителя в процессе роста дельта-слоя Mn на электрические и магнитные свойства GaAs-структур // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 52. 2018. С. 1286-1290.

Тихов С.В., Горшков О.Н., Антонов И.Н., Михайлов А.Н., Белов А.И., P. Karakolis Особенности поведения МДП-мемристоров с нанослоем Si3N4, изготовленных на основе проводящей подложки из кремния // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 52. 2018. С. 1436–1442.

Tikhov S.V., Gorshkov O.N., Antonov I.N., Mikhaylov A.N., Belov A.I., P. Karakolis, P. Dimitrakis Behavioral Features of MIS Memristors with a Si3N4 Nanolayer Fabricated on a Conductive Si Substrate // Semiconductors. № 12. V. 52. 2018. P. 1540–1546.

Tikhov S.V., Filatov D.O., Antonov I.N. Plasmon Resonance Induced Photoconductivity in the Yttria Stabilized Zirconia Films with Embedded Au Nanoclusters // Semiconductors. № 4. V. 52. 2018. P. 465-467.

Danilov Yu.A., Kudrin A.V., Lesnikov V.P., Vikhrova O.V., Kryukov R.N., Antonov I.N., Tolkachev D.S., Alaferdov A.V., Kunkova Z..E., Temiryazeva M.P., Temiryazev A.G. The Study of Features of Formation and Properties of A3B5 Semiconductors Highly Doped by Iron // Physics of the Solid State. № 11. V. 60. 2018. P. 2178-2181.

Kalentyeva I.L., Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Zvonkov B.N., Kudrin A.V., Antonov I.N. The effect of the Composition of a Carrier Gas during the Growth of a Mn delta-Layer on the Electrical and Magnetic Properties of GaAs Structures // Semiconductors. № 11. V. 52. 2018. P. 1398-1402.

Tikhov S.V., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Antonov I.N., Karzanov V.V., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I., Karakolis P., Dimitrakis P. Role of highly doped Si substrate in bipolar resistive switching of silicon nitride MIS-capacitors // Microelectronic Engineering. V. 187-1. 2018. P. 134-138.

Korolev D.S., Belov A.I., Okulich E.V., Okulich V.I., Antonov I.N., Gryaznov E.G., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N. Manipulation of resistive state of silicon oxide memristor by means of current limitation during electroforming // Superlattices and Microstructures. V. 122. 2018. P. 371-376.

Koryazhkina M.N., Tikhov S.V., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Antonov I.N., Karzanov V.V., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I., Karakolis P., Dimitrakis P. Bipolar resistive switching in metal-insulator-semiconductor nanostructures based on silicon nitride and oxide // Journal of Physics: Conference Series. V. 993. 2018. P. 012028.

Tikhov S.V., Gorshkov O.N., Antonov I.N., Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Morozov A.N., Karakolis P., Dimitrakis P. Behavioral Features of MIS Memristors with a Si3N4 Nanolayer Fabricated on a Conductive Si Substrate // Semiconductors. № 12. V. 52. 2018. P. 1540-1546.

Филатов Д.О., Карзанов В.В., Антонов И.Н., Горшков О.Н. Особенности переключения мемристорных структур в высокоомное состояние пилообразными импульсами // Письма в Журнал технической физики. № 24. Т. 44. 2018. С. 88-93.

Filatov D.O., Gorshkov O.N., Mikhaylov A.N., Korolev D.S., Koryazhkina M.N., Ryabova M.A., Antonov I.N., Shenina M.E., Pavlov D.A., Dunaevskiy M.S. Investigation of local charge accumulation in yttria stabilized zirconia films with Au nanoparticles by Scanning Kelvin Probe Microscopy // Journal of Physics: Conference Series. V. 1124. 2018. P. 081028.

Filatov D.O., Antonov I.N., Sinutkin D.Yu., Liskin D.A., Gorshkov A.P., Gorshkov O.N., Kotomina V.E., Shenina M.E., Tikhov S.V., Korotaeva I.S. Plasmon Resonance Induced Photoconductivity in the Yttria Stabilized Zirconia Films with Embedded Au Nanoclusters // Semiconductors. № 4. V. 52. 2018. P. 465–467.

Тихов С.В., Горшков О.Н., Антонов И.Н., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Морозов А.И., Белов А.И., Karacolis P., Dimitrakis P. Особенности биполярного переключения в МДП-стркутурах на основе проводящего кремния // Физика и техника полупроводников. № 2018. Т. 12. 2018. С. 1436.

Zubkov S.Yu., Antonov I.N., Gorshkov O.N., Kasatkin A.P., Kryukov R.N., Nikolichev D.E., Pavlov D.A., Shenina M.E. X-Ray Photoelectron Spectroscopy of Stabilized Zirconia Films with Embedded Au Nanoparticles Formed under Irradiation with Gold Ions // Physics of the Solid State. № 3. V. 60. 2018. P. 598-602.

Zubkov S.Yu., Antonov I.N., Gorshkov O.N., Kasatkin A.P., Kryukov R.N., Pavlov D.A., Shenina M.E. X-Ray Photoelectron Spectroscopy of Stabilized Zirconia Films with Embedded Au Nanoparticles Formed under Irradiation with Gold Ions // Physics of the Solid State. № 3. V. 60. 2018. P. 603-607.

Korolev D.S., Belov A.I., Okulich E.V., Okulich V.I., Guseinov D.V., Sidorenko K.V., Shuisky R.A., Antonov I.N., Gryaznov E.G., Gorshkov O.N., Tetelybaum D.I., Mikhailov A.N. Manipulation of resistive state of silicon oxide memristor by means of current limitation during electroforming // Superlattices and Microstructures. V. 122. 2018. P. 371-376.

2017

Кудрин А.В., Данилов Ю.А., Лесников В.П., Павлов Д.А., Усов Ю.В., Питиримова Е.А., Антонов И.Н., Вихрова О.В., Алафердов А.В., Крюков Р.Н. Однофазные эпитаксиальные слои InFeSb с температурой Кюри выше комнатной // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XXI международного симпозиума. Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т. 1. 2017. С. 195-196.

Толкачев Д.С., Данилов Ю.А., Антонов И.Н. Исследование спектров отражения антимонида индия, легированного Fe // XXIV Международная конференция студентов, аспирантов и молодых ученых по фундаментальным наукам. Международный молодежный научный форум "Ломоносов-2017". Секция "Физика", подсекция "Физика твердого тела". Сборник тезисов докладов. М. Физический факультет МГУ. 2017. С. 658-659.

Тихов С.В., Коряжкина М.Н., Горшков О.Н., Касаткин А.П., Антонов И.Н., Морозов А.И. Процессы поляризации ионов в стабилизированном диоксиде циркония в МДМ- и МДП-наноконденсаторах // Труды XXI Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (Н. Новгород, 13-16 марта 2017). Н. Новгород: изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Т. 2, 402 с.. 2017. С. 738-739.

Филатов Д.О., Лискин Л.А., Горшков О.Н., Горшков А.П., Антонов И.Н., Котомина В.Е., Тихов С.В., Коротаев И.С., Синуткин Д.Ю. Фотопроводимость пленок ZrO2(Y) c встроенными наночастицами Au, индуцированная плазменным резонансом. // Материалы ХХI Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника".. HHГУ, Нижний Новгород, т. 2. 2017. С. 738-739.

Горшков О.Н., Тихов С.В., Павлов Д.А., Малехонова Н.В., Коряжкина М.Н., Сидоренко К.В., Мухаматчин К.Р., Антонов И.Н., Касаткин А.П. Микроскопические эффекты в структурах на основе стабилизированного диоксида циркония, проявляющих резистивное переключение // Труды XXI Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (Н. Новгород, 13-16 марта 2017). Н. Новгород: изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Т. 2, 402 с.. 2017. С. 563-564.

Kudrin A.V., Danilov Yu.A., Lesnikov V.P., Vikhrova O.V., Pavlov D.A., Usov Yu.V., Pitirimova E.A., Antonov I.N., Kryukov R.N. Ferromagnetism of indium antomonide, highly doped by iron // Moscow International Symposium on Magnetism. 1-5 July 2017. Book of Abstract. Moscow. 2017. P. 873.

Kudrin A.V., Danilov Yu.A., Lesnikov V.P., Vikhrova O.V., Pavlov D.A., Usov Yu.V., Pitirimova E.A., Antonov I.N., Kryukov R.N. High-temperature intrinsic ferromagnetism in the InFeSb semiconductor // III International Conference on Modern Problems in Physics of Surfaces and Nanostructures. Book of Abstracts. Yaroslavl, Russia, 9-11 October. 2017. P. 61.

Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Okulich E.V., Antonov I.N., Tetelbaum D.I. Influence of current limitation on the adaptive behavior of the memristive nanostructures // Book of abstracts, International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures. Saint Petersburg, April 3-6. 2017. P. 554-555.

Королев Д.С., Окулич Е.В., Шуйский Р.А., Окулич В.И., Белов А.И., Антонов И.Н., Васильев В.К., Горшков О.Н., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н. Влияние ионно-лучевой обработки на параметры электроформовки и резистивного переключения мемристивных наноструктур // Материалы докладов, 12-я Международная конференция «Взаимодействие излучений с твердым телом». Минск, Беларусь, 19-22 сентября. 2017. С. 152-153.

Трушин В.Н., Чупрунов Е.В., Маркелов А.С., Грибко В.В., Котомина В.Е., Антонов И.Н., Веселова Л.П. Формирование массивов монокристаллических островков Si с малой угловой дисперсией // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтронные исслед.. № 2. 2017. С. 36-39.

Guseinov D.V., Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Shenina M.E., Korolev D.S., Antonov I.N., Kasatkin A.P., Gorshkov O.N., Okulich E.V., Okulich V.I., Bobrov A.I., Malekhonova N.V., Pavlov D.A., Gryaznov E.G. Filamentary model of bipolar resistive switching in capacitor-like memristive nanostructures on the basis of yttria-stabilised zirconia // International Journal of Nanotechnology. № 7/8. V. 14. 2017. P. 604-617.

Кудрин А.В., Данилов Ю.А., Лесников В.П., Вихрова О.В., Павлов Д.А., Усов Ю.В., Питиримова Е.А., Антонов И.Н. Однофазные эпитаксиальные слои InFeSb с температурой Кюри выше комнатной // Физика твердого тела. № 11. Т. 59. 2017. С. 2200-2202.

Калентьева И.Л., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Кудрин А.В., Дорохин М.В., Павлов Д.А., Антонов И.Н., Дроздов М.Н., Усов Ю.В. Особенности селективного легирования марганцем GaAs структур // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 51. 2017. С. 1468-1472.

Liskin D. A., Filatov D.O., Gorshkov O.N., Gorshkov A.P., Antonov I.N., Shenina M.E., Zubkov S.Yu., Sinutkin D.S. Plasmon resonance induced photoconductivity of ZrO2(Y) films with embedded Au nanoparticles // Journal of Physics: Conference Series. № 816. V. 1. 2017. P. 012010.

Gorshkov O.N., Antonov I.N., Filatov D.O., Shenina M.E., Kasatkin A.P., Bobrov A.I., Koryazhkina M.N., Kudryashov M.A., Korotaeva I. S. Fabrication of metal nanoparticle arrays in the ZrO2(Y), HfO2(Y), and GeOx films by magnetron sputtering // Advances in Materials Science and Engineering. V. 2017. 2017. P. 1759469.

Зубков С.Ю., Антонов И.Н., Горшков О.Н., Касаткин А.П., Крюков Р.Н., Николичев Д.Е., Павлов Д.А., Шенина М.Е. Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия пленок стабилизированного диоксида циркония со встроенными наночастицами Au, сформированными в процессе облучения ионами золота // Физика твердого тела. № 3. Т. 18. 2017. С. 591-595.

Tikhov S.V., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Korolev D.S., Antonov I.N., Karzanov V.V., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I., P. Karakolis, P. Dimitrakis Role of highly doped Si substrate in bipolar resistive switching of silicon nitride MIS-capacitors // Microelectronic Engineering. № 187. V. 188. 2017. P. 134-138.

Danilov Yu.A., Lesnikov V.P., Dorokhin M.V., Vikhrova O.V., Pavlov D.A., Usov Yu.V., Antonov I.N., Kryukov R.N., Alaferdov A.V., Sobolev N.A. High-temperature intrinsic ferromagnetism in the (In,Fe)Sb semiconductor // Journal of Applied Physics. V. 122. 2017. P. 183901.

Kudrin A.V., Danilov Yu.A., Lesnikov V.P., Dorokhin M.V., Vikhrova O.V., Pavlov D.A., Usov Yu.V., Antonov I.N., Kryukov R.N., Alaferdov A.V., Sobolev N.A. High-temperature intrinsic ferromagnetism in the (In,Fe)Sb semiconductor // Journal of Applied Physics. V. 122. 2017. P. 183901.

2016

Коряжкина М.Н., Тихов С.В., Горшков О.Н., Касаткин А.П., Антонов И.Н. Электрические и фотоэлектрические свойства структур металл-диэлектрик-полупроводник на основе Si с наночастицами Au на границе раздела диэлектрик/полупроводник // Материалы XX Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (Н. Новгород, 14-18 марта 2016). Н. Новгород: изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Т. 2, 406 с.. 2016. С. 626-627.

Горшков О.Н., Антонов И.Н., Шенина М.Е., Касаткин А.П., Бобров А.И., Коряжкина М.Н., Нежданов А.В., Кудряшов М.А. Формирование методами магнетронного осаждения металлических наночастиц в матрицах ZrO2(Y), HfO2(Y) и GeOx для мемристорных структур // Материалы XX Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (Н. Новгород, 14-18 марта 2016). Н. Новгород: изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Т. 2, 406 с. 2016. С. 543-544.

Gorshkov O.N., Mikhailov A.N., Belov A.I., Koryazhkina M.N., Malekhonova N.V., Antonov I.N., Shenina M.E. Resistive Switching in the Au/Zr/ZrO2–Y2O3/TiN Nanostacks // “Saint Petersburg OPEN 2016” 3rd International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures. St Petersburg, Russia, March 28 – 30, 2016. BOOK of ABSTRACTS. Academic University Publishing St. Petersburg, 2016, 600 p.. 2016. P. 332-333.

Mikhaylov A.N., Gorshkov O.N., Kasatkin A.P., Tikhov S.V., Belov A.I., Shenina M.E., Koryazhkina M.N., Guseinov D.V., Okulich V.I., Korolev D.S., Antonov I.N., Antonov D.A., Bobrov A.I., Pavlov D.A., Tetelbaum D.I., Gryaznov E.G., Yatmanov A.P. Bipolar resistive switching in capacitor-like structures based on ionic and covalent oxide dielectrics // Abstracts 20th International Symposium On Non-Oxide and New Optical Glasses. Nizhny Novgorod, Russia, August 21-26, 2016. 2016. P. 103-104.

Тихов С.В., Горшков О.Н., Коряжкина М.Н., Касаткин А.П., Антонов И.Н., Вихрова О.В., Морозов А.И. Электрофизические свойства структур металл-диэлектрик-полупроводник на основе n-GaAs с квантовыми точками InAs, Выращенными на поверхности слоя n-GaAs // Материалы XX Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (Н. Новгород, 14-18 марта 2016). Н. Новгород: изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Т. 2, 406 с.. 2016. С. 750-751.

Тихов С.В., Горшков О.Н., Коряжкина М.Н., Антонов И.Н., Касаткин А.П. Особенности явления неравновесного обеднения, сопровождаемого процессами захвата неосновных носителей поверхностными состояниями, в структурах металл−диэлектрик−полупроводник // Письма в Журнал технической физики. № 3. Т. 42. 2016. С. 52-60.

Тихов С.В., Горшков О.Н., Антонов И.Н., Касаткин А.П., Королев Д.С., Белов А.И., Тетельбаум Д.И. Изменение иммитанса при электроформовке и резистивном переключении в мемристивных структурах металл-диэлектрик –металл на основе SiOx // Жтф. Т. 5. 2016. С. 107-114.

Тихов С.В., Горшков О.Н., Коряжкина М.Н., Антонов И.Н., Касаткин А.П. Стимулированное светом резистивное переключение в структурах металл--диэлектрик--полупроводник на основе кремния // Письма в Журнал технической физики. № 10. Т. 42. 2016. С. 78-84.

Трушин В.Н., Чупрунов Е.В., Маркелов А.С., Грибко В.В., Котомина В.Е., Антонов И.Н., Веселова Л.П. ФОРМИРОВАНИЕ МАССИВОВ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ОСТРОВКОВ SI С МАЛОЙ УГЛОВОЙ ДИСПЕРСИЕЙ // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтронные исслед.. 2016. [принято к печати]

Горшков О.Н., Антонов И.Н., Филатов Д.О., Шенина М.Е., Касаткин А.П., Бобров А.И., Павлов Д.А. Формирование плотных массивов наночастиц золота в тонких пленках стабилизированного диоксида циркония методом магнетронного распыления // Письма в ЖТФ. № 1. Т. 42. 2016. С. 72-79.

Gorshkov O.N., Antonov I.N., Filatov D.O., Shenina M.E., Kasatkin A.P., Pavlov D.A., Bobrov A.I. Forming Dense Arrays of Gold Nanoparticles in Thin Films of Yttria Stabilized Zirconia by Magnetron Sputtering // Technical Physics Letters. № 1. V. 42. 2016. P. 36-39.

Белов А.И., Михайлов А.Н., Королев Д.С., Сергеев В.А., Антонов И.Н., Горшков О.Н., Тетельбаум Д.И. Резистивное переключение в мемристивных структурах Au/SiOx/TiN/Ti с различными геометрическими параметрами и стехиометрией диэлектрической пленки // Письма в журнал технической физики. № 10. Т. 42. 2016. С. 17-24.

Belov A.I., Mikhaylov A.N., Korolev D.S., Guseinov D.V., Gryaznov E.G., Okulich E.V., Sergeev V.A., Antonov I.N., Kasatkin A.P., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I., Kozlovski V.V. Medium-energy ion-beam simulation of the effect of ionizing radiation and displacement damage on SiO2-based memristive nanostructures // Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B. V. 379. 2016. P. 13-17.

Тихов С.В., Горшков О.Н., Антонов И.Н., Касаткин А.П., Королев Д.С., Белов А.И., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. Изменение иммитанса при электроформовке и резистивном переключении в мемристивных структурах «металл-диэлектрик-металл» на основе SiOx // Журнал технической физики. № 5. Т. 86. 2016. С. 107-111.

Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Sergeev V.A., Antonov I.N., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I. Adaptive behaviour of silicon oxide memristive nanostructures // Journal of Physics: Conference Series. V. 741. 2016. P. 012161.

Gorshkov O.N., Mikhaylov A.N., Kasatkin A.P., Tikhov S.V., Filatov D.O., Pavlov D.A., Belov A.I., Koryazhkina M.N., Bobrov A.I., Malekhonova N.V., Gryaznov E.G., Antonov I.N., Shenina M.E. Resistive switching in the Au/Zr/ZrO2–Y2O3/TiN/Ti memristive devices deposited by magnetron sputtering // Journal of Physics: Conference Series. № 1. V. 741. 2016. P. 012174.

Коряжкина М.Н., Тихов С.В., Горшков О.Н., Касаткин А.П., Антонов И.Н. Электрические и фотоэлектрические свойства структур металл-диэлектрик-полупроводник на основе Si с наночастицами Au на границе раздела диэлектрик/полупроводник // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 50. 2016. С. 1639-1643.

Тихов С.В., Горшков О.Н., Коряжкина М.Н., Касаткин А.П., Антонов И.Н., Вихрова О.В., Морозов А.И. Электрофизические свойства структур металл--диэлектрик--полупроводник на основе n-GaAs с квантовыми точками InAs, выращенными на поверхности слоя n-GaAs // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 50. 2016. С. 1615-1619.

Зеленцов С.В., Лысич Д.В., Котомина В.Е., Антонов И.Н. Формирование рельефных рисунков из серебра и селенида цинка методом “взрывной” фотолитографии // Russian Microelectronics. № 3. Т. 45. 2016. С. 203-207.

Tikhov S.V., Gorshkov O.N., Koryazhkina M.N., Antonov I.N., Kasatkin A.P. Specific features of nonequilibrium depletion accompanied by the trapping of minority carriers by surface states in metal–insulator–semiconductor structures // Technical Physics Letters. № 2. V. 42. 2016. P. 138-142.

Tikhov S.V., Gorshkov O.N., Koryazhkina M.N., Antonov I.N., Kasatkin A.P. Light-induced resistive switching in silicon-based metal–insulator–semiconductor structures // Technical Physics Letters. № 5. V. 42. 2016. P. 536-538.

Tikhov S.V., Gorshkov O.N., Koryazhkina M.N., Kasatkin A.P., Antonov I.N., Vikhrova O.V., Morozov A.I. Physical properties of metal–insulator–semiconductor structures based on n-GaAs with InAs quantum dots deposited onto the surface of an n-GaAs layer // Semiconductors. № 12. V. 50. 2016. P. 1589–1594.

Koryazhkina M.N., Tikhov S.V., Gorshkov O.N., Kasatkin A.P., Antonov I.N. Electrical and photoelectric properties of Si-based metal–insulator–semiconductor structures with Au nanoparticles at the insulator–semiconductor interface // Semiconductors. № 12. V. 50. 2016. P. 1614-1618.

2015

Маркелов А.С., Трушин В.Н., Котомина В.Е., Антонов И.Н., Веселова Л.П., Грибко В.В., Чупрунов Е.В. Формирование массивов монокристаллических островков Si для решения задач управления параметрами рентгеновских пучков // Труды XIX Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». 10-14 марта 2015 г., Нижний Новгород, Том 1, Издательство ННГУ. 2015. С. 382-383.

Коряжкина М.Н., Тихов С.В., Горшков О.Н., Антонов И.Н., Касаткин А.П. Электрофизические процессы в структурах металл-диэлектрик-полупроводник, проявляющих эффекты резистивного переключения и памяти // Труды XIX Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (Н. Новгород, 10-14 марта 2015). Н. Новгород: изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Т. 2, 359 с.. 2015. С. 543-544.

Тихов С.В., Горшков О.Н., Касаткин А.П., Антонов И.Н., Коряжкина М.Н. Особенности поведения МДП-структур на основе эпитаксиальных слоев c пассивированной нанослоем InP поверхностью GaAs // Труды XIX Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (Н. Новгород, 10-14 марта 2015). Н. Новгород: изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Т. 2, 359 с.. 2015. С. 665-666.

Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Sergeev V.A., Efimovykh D.V., Antonov I.N., Okulich E.V., Gorshkov O.N., Kasatkin A.P., Tetelbaum D.I. Influence of ion irradiation on the resistive switching parameters of SiOx-based thin-film structures // 2nd International school and conference “Saint Petersburg OPEN 2015”. Book of abstracts. St. Petersburg, Russia, April 6-8, 2015. 2015. P. 271-272.

Rosario C.M.M., Sobolev N.A., Kobeleva S.P., Gorshkov O.N., Kasatkin A.P., Antonov I.N., Korolev D.S., Mikhailov A.N. Resistive switching and impedance spectroscopy in zirconium oxide-based mim structures // Proceedings of the International conference “Nanomeeting-2015”. Belarus, Minsk, 26-29 May, 2015. 2015. P. 544-547.

Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Antonov I.N., Gorshkov O.N., Kasatkin A.P., Tetelbaum D.I. Effect of ion irradiation on resistive switching in silicon-oxide-based MIM structures // Proceedings of the International conference “Nanomeeting-2015”. Belarus, Minsk, 26-29 May, 2015. 2015. P. 88-90.

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Сергеев В.А., Антонов И.Н., Горшков О.Н., Касаткин А.П., Тетельбаум Д.И. Влияние ионного облучения на параметры резистивного переключения в МДМ-структурах на основе оксида кремния // XXII Международная конференция «Взаимодействие ионов с поверхностью (ВИП 2015)». Труды. Москва, 20-24 августа, 2015. – Т.3. 2015. С. 101-104.

Грибко В.В., Маркелов А.С., Трушин В.Н., Котомина В.Е., Антонов И.Н., Веселова Л.П., Чупрунов Е.В. Формирование массива монокристаллических островков с малой угловой дисперсией // Материалы нано-,микро-,оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение: прог. и материалы 14-й Междунар. науч. конф.-шк.. Саранск: Изд-во Мордов. ун-та, 2015. - 232 с.. 2015. С. 113, 135.

Гусейнов Д.В., Денисов С.А., Нежданов А.В., Антонов И.Н., Тетельбаум Д.И., Юнин П.А., Трушин В.Н., Филатов Д.О., Степихова М.В., Красильник З.Ф., Шенгуров В.Г. Имплантируемые ионами P+ слои германия на Si(100) для светоизлучающих приборов // XXII международная конференция «Взаимодействие ионов с поверхностью (ВИП-2015)». Москва, Россия, 20-24 августа 2015, Т.2. 2015. С. 120-123.

Горшков О.Н., Тихов С.В., Коряжкина М.Н., Антонов И.Н., Касаткин А.П. Формирование тонких плёнок GeOx методом магнетронного распыления для применения их в качестве диэлектрика в мемристорных структурах // Тезисы докладов XV конференции и VIII школы молодых ученых "Высокочистые вещества и материалы. Получение, анализ, применение" (Н. Новгород, 26-29 мая 2015). Н. Новгород: Печатная мастерская РАДОНЕЖ, 216 с.. 2015. С. 173.

Mikhaylov A.N., Belov A.I., Guseinov D.V., Korolev D.S., Antonov I.N., Efimovykh D.V., Tikhov S.V., Kasatkin A.P., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I., Gryaznov E.G., Yatmanov A.P. Bipolar resistive switching and charge transport in silicon oxide memristor // Materials Science and Engineering B. V. 195. 2015. P. 48-54.

Горшков О.Н., Шенина М.Е., Касаткин А.П., Павлов Д.А., Антонов И.Н., Бобров А.И., Филатов Д.О. Формирование нанокристаллов Au4Zr в стабилизированном диоксиде циркония в процессе имплантации ионов золота // Письма в ЖТФ. № 41. Т. 11. 2015. С. 62-70.

Gorshkov O.N., Shenina M.E., Kasatkin A.P., Pavlov D.A., Antonov I.N., Bobrov A.I., Filatov D.O. Formation of Au4Zr Nanocrystals in Yttria Stabilized Zirconia in the Course of Implantation of Gold Ions // Technical Physics Letters. № 6. V. 41. 2015. P. 543-546.

Mikhaylov A.N., Belov A.I., Guseinov D.V., Korolev D.S., Antonov I.N., Efimovykh D.V., Tikhov S.V., Kasatkin A.P., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I., Bobrov A.I., Malekhonova N.V., Pavlov D.A., Gryaznov E.G., Yatmanov A.P. Bipolar resistive switching and charge transport in silicon oxide memristor // Materials Science and Engineering B. № 4. V. 194. 2015. P. 48-54.

Белов А.И., Михайлов А.Н., Королев Д.С., Сергеев В.А., Окулич Е.В., Антонов И.Н., Касаткин А.П., Грязнов Е.Г., Ятманов А.П., Горшков О.Н., Тетельбаум Д.И. Влияние облучения ионами H+ и Ne+ на резистивное переключение в мемристивных структурах «металл-диэлектрик-металл» на основе SiOx // Письма в журнал технической физики. № 19. Т. 41. 2015. С. 81-89.

Korolev D.S., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Sergeev V.A., Antonov I.N., Kasatkin A.P., Gorshkov O.N., Tetelbaum D.I. Influence of ion irradiation on the resistive switching parameters of SiOx-based thin-film structures // Journal of Physics: Conference Series. V. 643. 2015. P. 012094.

2014

Горшков О.Н., Антонов И.Н., Белов А.И., Касаткин А.П., Коряжкина М.Н., Михайлов А.Н., Тихов С.В. Свойства структур Au/Zr/GeOx/ZrO2(Y)/TiN, проявляющих эффекты резистивного переключения и памяти // Труды ХVIII Международного симпозиума "Нанофизика и Наноэлектроника" (Н. Новгород, 10 -14 марта 2014). Н. Новгород, изд. ННГУ, Т. 2, 353 с.. 2014. С. 434-435.

Тихов С.В., Михайлов А.Н., Белов А.И., Гусейнов Д.В., Королев Д.С., Антонов И.Н., Касаткин А.П., Горшков О.Н., Тетельбаум Д.И. Электрофизические свойства структур металл-диэлектрик-полупроводник на основе оксида кремния, проявляющий эффект резистивного переключения // Труды ХY111 Международного симпозиума по Нанофизике и Наноэлектронике 10 -14 марта 2014. Нижний Новгород, том 2, 557-558. 2014. С. 557-558.

Коряжкина М.Н., Тихов С.В., Горшков О.Н., Павлов Д.А., Антонов И.Н., Бобров А.И., Касаткин А.П., Шенина М.Е. Нелинейный характеристики конденсаторов на основе стабилизированного диоксида циркония с встроенными наночастицами золота // Третья школа молодых ученых по физике наноструктурированных и кристаллических материалов (Н. Новгород, 15-17 мая 2014). Конспекты лекций и тезисы докладов. Нижний Новгород: ННГУ им. Н.И. Лобачевского. - 175 с. 2014. С. 135-136.

Гусейнов Д.В., Королев Д.С., Денисов С.А., Филатов Д.О., Антонов И.Н., Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Трушин В.Н., Степихова М.В., Шенгуров В.Г. Влияние режимов имплантации ионов P+ в слои Ge на Si(100) и последующего отжига на их фотолюминесценцию // Тезисы докладов V-ой Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов «Физические и физико–химические основы ионной имплантации», Нижний Новгород, Россия, 27- 31 октября 2014. ННГУ им. Н.И.Лобачевского, 2014, 142 с. 2014. С. 68-69.

Королев Д.С., Михайлов А.Н., Белов А.И., Антонов И.Н., Ефимовых Д.В., Тихов С.В., Горшков О.Н., Тетельбаум Д.И. Резистивное переключение в структурах «металл-диэлектрик-металл» на основе оксида кремния // Материалы ІV Международной научной конференции "Наноструктурные материалы-2014: Беларусь-Россия-Украина". Минск, 7-10 октября,. 2014. С. 355.

Гусейнов Д.В., Денисов С.А., Нежданов А.В., Антонов И.Н., Чалков В.Ю., Трушин В.Н., Филатов Д.О., Степихова М.В., Шенгуров В.Г. Формирование и исследование растянутых слоев n+ - Ge на Si // Тезисы докладов XXXIII научных чтений им. академика Н.В. Белова, Нижний Новгород, Россия, 16 - 17 декабря 2014. ННГУ им.Н.И.Лобачевского, 2014. - 144 с.. 2014. С. 83-85.

Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Ефимовых Д.В., Антонов И.Н., Тихов С.В., Касаткин А.П., Горшков О.Н., Тетельбаум Д.И., Грязнов Е.Г. Влияние ионного облучения на параметры резистивного переключения в структурах «металл – оксид кремния – металл» // V Всероссийская конференция и школа молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Тезисы докладов. Нижний Новгород, 27-31 октября, 2014.. 2014. С. 36.

Грибко В.В., Трушин В.Н., Маркелов А.С., Котомина В.Е., Чупрунов Е.В., Антонов И.Н. Формирование массивов монокристаллических островков для решения задач управления пространственной структурой рентгеновских пучков // XXXIII НАУЧНЫЕ ЧТЕНИЯ имени академика Н.В. Белова: Тезисы докладов конференции.. Нижний Нновгород: ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2014.- 144 с.. 2014. С. 79.

Горшков О.Н., Шенина М.Е., Антонов И.Н., Касаткин А.П., Павлов Д.А., Бобров А.И., Трушин В.Н., Маркелов А.С. Формирование металлических наночастиц различного состава в стабилизированном диоксиде циркония, облученного ионами Au // Тезисы докладов V Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов "Физические и физико-химические основы ионной имплантации" 27-31 октября 2014 года, Н.Новгород. Н.Новгород: ННГУ, 2014 - 142 с.. 2014. С. 63.

Коряжкина М.Н., Горшков О.Н., Антонов И.Н., Бобров А.И., Касаткин А.П., Павлов Д.А., Тихов С.В., Шенина М.Е. Формирование наночастиц золота в плёнках стабилизированного диоксида циркония // Тезисы докладов V Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов "Физические и физико-химические основы ионной имплантации" (Н. Новгород, 27-31 октября 2014 года). Н.Новгород: ННГУ, 2014 - 142 с.. 2014. С. 121-122.

Filatov D.O., Antonov D.A., Gorshkov O.N., Kasatkin A.P., Pavlov D.A., Trushin V.N., Antonov I.N., Shenina M.E. Atomic force microscopy. Principles, modes of operation and limitations. New York: NOVA Science Publishers Inc. , p.372. 2014.

Тихов С.В., Горшков О.Н., Павлов Д.А., Антонов И.Н., Бобров А.И., Касаткин А.П., Коряжкина М.Н., Шенина М.Е. Конденсаторы с нелинейными характеристиками на основе стабилизированного диоксида циркония с встроенными наночастицами золота // Письма в Журнал технической физики. № 9. Т. 40. 2014. С. 9-16.

Tikhov S.V., Gorshkov O.N., Pavlov D.A., Antonov I.N., Bobrov A.I., Kasatkin A.P., Koryazhkina M.N., Shenina M.E. Capacitors with Nonlinear Characteristics Based on Stabilized Zirconia with Built_in Gold Nanoparticles // Technical Physics Letters. № 5. V. 40. 2014. P. 369-371.

Gorshkov O.N., Antonov I.N., Belov A.I., Kasatkin A.P., Mikhailov A.N. Resistive Switching in Metal–Insulator–Metal Structures Based on Germanium Oxide and Stabilized Zirconia. // Technical Physics Letters. № 2. V. 40. 2014. P. 101-103.

Горшков О.Н., Антонов И.Н., Белов А.И., Касаткин А.П., Михайлов А.Н. Резистивное переключение в структурах”металл−диэлектрик−металл“ на основе оксида германия и стабилизированного диоксида циркония. // Письма в журнал технической физики. № 3. Т. 40. 2014. С. 12-19.

Filatov D.O., Guseinov D.V., Antonov I.N., Kasatkin A.P., Gorshkov O.N. Imaging and spectroscopy of Au nanoclusters in yttria-stabilized zirconia films using ballistic electron/hole emission microscopy // RSC Advances. № 4. V. 100. 2014. P. 57337.

Тихов С.В., Горшков О.Н., Антонов И.Н., Касаткин А.П., Коряжкина М.Н. Процесс формовки в элементах резистивной памяти на основе структур металл-диэлектрик-полупроводник. // Письма в Журнал технической физики. № 19. Т. 40. 2014. С. 18-26.

Tikhov S.V., Gorshkov O.N., Antonov I.N., Kasatkin A.P. The forming process in resistive-memory elements based on metal-insulator-semiconductor structures // Technical Physics Lttters. № 10. V. 40. 2014. P. 837-840.

Коряжкина М.Н., Горшков О.Н., Павлов Д.А., Антонов И.Н., Касаткин А.П., Малехонова Н.В., Шенина М.Е. Влияние ионного распыления на формирование наночастиц золота методом ионной имплантации в плёнках стабилизированного диоксида циркония // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. № 1(2). 2014. С. 80-83.

Tikhov S.V., Kasatkin A.P., Koryazhkina M.N., Gorshkov O.N., Antonov I.N. The forming process in resistive-memory elements based on metal-insulator-semiconductor structures // Technical Physics Letters. № 10. V. 40. 2014. P. 837-840.

2013

Горшков О.Н., Антонов И.Н., Белов А.И., Касаткин А.П., Шарапов А.Н. Резистивное переключение в МДМ-структурах на основе наноразмерных плёнок диоксида циркония и стабилизированного диоксида циркония // Труды научно-технической конференции "Пассивные электронные компоненты - 2013". Н. Новгород "КБ "ИКАР", 322. 2013. С. 309-313.

Горшков О.Н., Антонов И.Н., Белов А.И., Касаткин А.П., Тихов С.В., Шенина М.Е., Коряжкина М.Н. Влияние диффузии ионов кислорода в наноразмерных плёнках стабилизированного диоксида циркония на резистивное переключение МДМ – структур на основе этих плёнок // Пассивные электронные компоненты - 2013: труды научно-технической конференции. Н.Новгород: КБ «ИКАР», 2013. – 322С.. 2013. С. 303-308.

Горшков О.Н., Антонов Д.А., Антонов И.Н., Касаткин А.П., Филатов Д.О., Шарапов А.Н., Шенина М.Е. Локальная электрополевая модификация свойств наноразмерных слоёв на основе стабилизированного диоксида циркония // Пассивные электронные компоненты - 2013: труды научно-технической конференции. Н.Новгород: КБ "ИКАР", 2013. - 322С. 2013. С. 314-316.

Горшков О.Н., Касаткин А.П., Антонов Д.А., Антонов И.Н., Белов А.И. Резистивное переключение в МДМ-структурах на основе плёнок GeO2 и ZrO2 // Труды XVII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника» (11-15 марта 2013 г.). Институт физики микроструктур РАН, Т. 2. 2 С.. 2013. С. 412-413.

Антонов И.Н., Горшков О.Н., Павлов Д.А., Шенина М.Е., Бобров А.И., Касаткин А.П., Коряжкина М.Н. Исследование тонких плёнок стабилизированного диоксида циркония с нанокристаллами золота, сформированными методом отжига островковых металлических плёнок // Форум молодых учёных. Тезисы докладов. Изд-во ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Т. 1, 317 с.. 2013. С. 91-93.

Шенина М.Е., Горшков О.Н., Коряжкина М.Н., Антонов И.Н., Белов А.И., Касаткин А.П., Тихов С.В. Особенности формирования элементов резистивной памяти на основе оксидов с наночастицами металлов // Труды VIII отраслевой научно-технической конференции молодых специалистов Госкорпорации "Росатом" "Высокие технологии атомной отрасли. Молодежь в инновационном процессе" в рамках 18-го Международного научно-промышленного Форума "Будущее России". ФГУП «ФНПЦ НИИИС им.Ю.Е. Седакова». 2013. [принято к печати]

Горшков О.Н., Тихов С.В., Антонов И.Н., Касаткин А.П., Коряжкина М.Н. Особенности пиннинга уровня ферми на границе раздела Al0.3Ga0.7As с анодным оксидом и стабилизированным диоксидом циркония // Письма в Журнал технической физики. № 23. Т. 39. 2013. С. 72-79.

Горшков О.Н., Антонов И.Н., Белов А.И., Касаткин А.П., Тихов С.В., Шенина М.Е., Коряжкина М.Н. Изучение диффузии ионов кислорода в МДМ-структурах на основе стабилизированного диоксида циркония, проявляющих резистивное переключение // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. № 5. Т. 1. 2013. С. 51-54.

Горшков О.Н., Антонов И.Н., Шенина М.Е., Касаткин А.П. Дырочные поляроны в тонких аморфных плёнках GeO2 // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. 2013. [принято к печати]

Демидов Е.С., Карзанова М.В., Чигиринский Ю.И., Шушунов А.Н., Антонов И.Н., Сидоренко К.В. Влияние предварительного окислительного отжига на свойства пористого кремния, пропитанного вольфрам-теллуритным стеклом, легированным Er и Yb // Физика твердого тела. № 2. Т. 55. 2013. С. 265-269.

Tikhov S.V., Gorshkov O.N., Antonov I.N., Kasatkin A.P., Koryazhkina M.N. Features of Fermi-level pinning at the interface of Al0.3Ga0.7As with anodic oxide and stabilized zirconia // Technical Physics Letters. № 12. V. 39. 2013. P. 1064-1067.

2012

Горшков О.Н., Павлов Д.А., Антонов И.Н., Шенина М.Е., Дудин А.Ю., Бобров А.И., Касаткин А.П., Сидоренко К.В. Исследование процесса формирования наноразмерных частиц золота в тонких плёнках диоксида германия методом ионной имплантации. // Тезисы IV Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Новосибирск.123с.. 2012. С. 103.

Горшков О.Н., Павлов Д.А., Антонов И.Н., Шенина М.Е., Дудин А.Ю., Бобров А.И., Касаткин А.П. Особенности формирования металлических наночастиц в матрице ZrO2(Y) методом ионной имплантации // Тезисы IV Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Новосибирск. 123 с.. 2012. С. 65.

Горшков О.Н., Павлов Д.А., Трушин В.Н., Антонов И.Н., Шенина М.Е., Бобров А.И., Маркелов А.С., Дудин А.Ю., Касаткин А.П. Особенности формирования нанокристаллов золота в стабилизированном диоксиде циркония методом ионной имплантации. // Письма в журнал технической физики. № 4. Т. 38. 2012. С. 60-65.

Антонов И.Н., Горшков О.Н., Шушунов А.Н., Касаткин А.П., Дудин А.Ю., Шенина М.Е. Влияние ионной имплантации фосфора на оптические свойства тонких пленок диоксида германия, легированных ионами Er3+ и Yb3+ // Письма в журнал технической физики. № 38. Т. 5. 2012. С. 71-77.

Gorshkov O.N., Pavlov D.A., Trushin V.N., Antonov I.N., Shenina M.E., Bobrov A.I., Markelov A.S., Dudin A.Yu., Kasatkin A.P. Peculiarities in the Formation of Gold Nanoparticles by Ion Implantation in Stabilized Zirconia // Technical Physics Letters. № 2. V. 38. 2012. P. 185-187.

Antonov I.N., Gorshkov O.N., Shushunov A.N., Kasatkin A.P., Dudin A.Yu., Shenina M.E. Effect of phosphorus ion implantation on the optical properties of thin films of germanium dioxide doped with Er3+ and Yb3+ ions. // Technical Physics Letters. № 3. V. 38. 2012. P. 235-237.

2011

Горшков О.Н., Антонов И.Н., Шенина М.Е., Дудин А.Ю., Касаткин А.П. Формирование методами ионной имплантации наноразмерных частиц золота в матрицах ZrO2(Y) и GeO2 // Труды ХV Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», Н. Новгород 14-18 марта. ИФМ РАН, Нижний Новгород, Т.2. 2011. С. 552-553.

Горшков О.Н., Павлов Д.А., Трушин В.Н., Антонов И.Н., Шенина М.Е., Бобров А.И., Маркелов А.С., Дудин А.Ю., Касаткин А.П. Исследование формирования нанокристаллов золота в диоксиде германия и стабилизированном диоксиде циркония оптическими и рентгенодифракционными методами и методом просвечивающей электронной микроскопии // Тезисы докладов XIV Всероссийской конференции и VI Школы молодых ученых «Высокочистые вещества и материалы. Получение, анализ, применение»,Н. Новгород, 30 мая – 2 июня. Нижний Новгород. 2011. С. 66.

Антонов И.Н., Горшков О.Н., Шушунов А.Н., Касаткин А.П., Дудин А.Ю., Шенина М.Е. Влияние ионной имплантации фосфора на оптические свойства тонких пленок германия, легированных ионами Er3+ и Yb3+ // ХХХ НАУЧНЫЕ ЧТЕНИЯ им. академика Н.В.Белова. Тезисы докладов конференции. 20-21 декабря. Н.Новгород, ННГУ. 2011. С. 64-65.

Сидоренко К.В., Горшков О.Н., Антонов И.Н., Шенина М.Е., Касаткин А.П. Исследование облученных ионами слоев GeO2 и ZrO2(Y) методами спектроскопической эллипсометрии // Тезисы докладов XIV Всероссийской конференции и VI Школы молодых ученых «Высокочистые вещества и материалы. Получение, анализ, применение». Н. Новгород, 30 мая – 2 июня. Нижний Новгород. 2011. С. 80.

Горшков О.Н., Шенина М.Е., Антонов И.Н., Дудин А.Ю., Касаткин А.П., Котомина В.Е., Шушунов А.Н. Легированные ионами Er3+ и Yb3+ тонкие пленки и волноводы на основе стабилизированного диоксида циркония // ХХХ НАУЧНЫЕ ЧТЕНИЯ им. академика Н.В.Белова. Тезисы докладов конференции. 20-21 декабря. Н.Новгород, ННГУ. 2011. С. 94-95.

Карзанов В.В., Антонов И.Н., Добычин Н.А., Круглова М.В., Семенова Е.В. Люминесцентные свойства нитрида кремния, подвергнутого ионной имплантации // Кремний-2011. Тезисы докладов VIII Международной конференции "Кремний-2011", Москва, 5-8 июля 2011 г. М.: издательский дом МИСиС, 270 с.. 2011. С. 76.

Патенты, авторские свидетельства

2021

Якимов А.В., Горшков О.Н., Филатов Д.О., Антонов Д.А., Антонов И.Н., Клюев А.В., Спаньоло Б. Способ оценки энергий активации диффузии ионов кислорода в филаменте мемристора (METHOD FOR EVALUATING THE ACTIVATION ENERGIES OF OXYGEN ION DIFFUSION IN A MEMRISTOR FILAMENT) (Патент).

2019

Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Зубков С.Ю., Антонов И.Н., Сушков А.А., Шарапов А.Н., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И., Горшков О.Н., Филатов Д.О., Коряжкина М.Н. Оксидный мемристор с концентраторами электрического поля (Патент).

Тихов С.В., Антонов И.Н., Белов А.И., Горшков О.Н., Михайлов А.Н., Шенина М.Е., Шарапов А.Н. Способ управления мемристивной конденсаторной структуры металл-диэлектрик-полупроводник (Патент).

Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Зубков С.Ю., Антонов И.Н., Сушков А.А., Шарапов А.Н., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И., Горшков О.Н. Способ изготовления мемристора с наноконцентраторами электрического поля (Патент).

2018

Грязнов Е.Г., Антонов И.Н., Котина А.Ю., Котомина В.Е., Михайлов А.Н., Шарапов А.Н., Горшков О.Н. Топология тестового кристалла с матрицей мемристивных микроустройств (Авторское свидетельство).

Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Зубков С.Ю., Антонов И.Н., Сушков А.А., Шарапов А.Н., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И., Горшков О.Н., Филатов Д.О., Коряжкина М.Н. Оксидный мемристор с концентраторами электрического поля (Патент).

2017

Грязнов Е.Г., Антонов И.Н., Белов А.И., Котина А.Ю., Котомина В.Е., Макарычев Ю.К., Михайлов А.Н., Филатов Д.О., Шарапов А.Н., Горшков О.Н. Топология тестового кристалла с элементами энергонезависимой многократно программируемой резистивной памяти (Авторское свидетельство).

Зеленцов С.В., Котомина В.Е., Горшков О.Н., Ламбакшев А.Ф., Антонов И.Н. Способ взрывной фотолитографии (Патент).

Зеленцов С.В., Котомина В.Е., Горшков О.Н., Антонов И.Н. Способ изготовления резистной маски с расширенным диапазоном разрешения изображения (Патент).

2016

Грязнов Е.Г., Антонов И.Н., Белов А.И., Котина А.Ю., Котомина В.Е., Макарычев Ю.К., Михайлов А.Н., Филатов Д.О., Шарапов А.Н., Горшков О.Н. "Топология тестового кристалла с элементами энергонезависимой многократно программируемой резистивной памяти", заявка №2016630152 от 30.11.2016 (Авторское свидетельство).

Тихов С.В., Горшков О.Н., Антонов И.Н., Касаткин А.П., Коряжкина М.Н., Шарапов А.Н. Способ определения электрофизических параметров конденсаторной структуры мемристора, характеризующих процесс формовки (Патент).

2014

Горшков О.Н., Касаткин А.П., Михайлов А.Н., Антонов И.Н., Белов А.И., Шенина М.Е., Шарапов А.Н. Полезная модель "Элемент резистивной энергонезависимой памяти" (Патент).