Гавриленко Владимир Изяславович

Место работы

Высшая школа общей и прикладной физики

профессор

Ученая степень
Доктор физико-математических наук
Ученое звание
Профессор
Дата начала работы в Университете Лобачевского: 1990
Общий стаж работы 43 года, 6 мес.

Общие сведения

Преподавание

Научная Работа


Образование, учёные степени и учёные звания

Высшее образование
специалист. Специальность: Автоматика и электроника. Квалификация: инженер-физик.

Дополнительное образование, повышение квалификации, стажировки

13.02.2018 - 13.02.2018
Повышение квалификации: Оказание первой помощи, Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им.Н.И.Лобачевского, 8 час., документ № рег.№ 1367 от 13.02.2018

13.03.2017 - 13.05.2017
Повышение квалификации: Электронная информационно-образовательная среда вуза, ННГУ, 72 час., документ № 33-764 от 13.05.2017

Награды

Госпремия

Заслуженный профессор Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского (приказ № 49-од от 25.02.2016)

Список преподаваемых дисциплин

Высшая школа общей и прикладной физики
Государственная итоговая аттестация
Государственная итоговая аттестация - защита выпускной квалификационной работы (магистерской диссертации)
Специальный физический практикум
Физика полупроводников
Экспериментальные методы физики твердого тела

Публикации

2021

Публикации в научных журналах

Gavrilenko V.I., Rumyantsev V.V., Razova A.A., Morozov S.V., Fadeev M.A., Utochkin V.V., Mikhailov N.N., Dvoretskii S.A. Urbach tail and nonuniformity probe of HgCdTe thin films and quantum well heterostructures grown by molecular beam epitaxy // Optical Engineering. № 60. 2021. P. 082007.

2020

Публикации в научных журналах

Alymov G.V., Rumyantsev V.V., Morozov S.V., Aleshkin V.Ya., Gavrilenko V.I., Svintsov D.A. Fundamental Limits to Far-Infrared Lasing in Auger-Suppressed HgCdTe Quantum Wells // ACS Photonics. V. 7. 2020. P. 98-104.

Cirlin G. E., Reznik R. R., Zhukov A. E., Khabibullin R.A., Maremyyanin K.V., Gavrilenko V.I., Morozov S.V. Specific Growth Features of Nanostructures for Terahertz Quantum Cascade Lasers and Their Physical Properties // Semiconductors. № 9. V. 54. 2020. P. 1092-1095.

Ponomarev D.S., D V Lavrukhin, A E Yachmenev, R A Khabibullin, I E Semenikhin, V V Vyurkov, Maremyyanin K.V., Gavrilenko V.I., M Ryzhii, M Shur, T Otsuji, V Ryzhii Sub-terahertz FET detector with self-assembled Sn-nanothreads // Journal of Physics D: Applied Physics. № 07. V. 53. 2020. P. 075102.

Rumyantsev V.V., Maremyyanin K.V., Razova A.A., S.M.Sergeev, N.N.Mikhailov, S.A.Dvoretskii, Gavrilenko V.I., Morozov S.V. Investigation of the Photosensitivity of Narrow-Gap and Gapless HgCdTe Solid Solutions in the Terahertz and Sub-Terahertz Range // Semiconductors. № 9. V. 54. 2020. P. 1096-1102.

V.V.Utochkin, M.A.Fadeev, S.S.Krishtopenko, Rumyantsev V.V., Aleshkin V.Ya., Dubinov A.A., Morozov S.V., B.R.Semyagin, M.A.Putyato, E.A.Emelyanov, V.V.Preobrazhenskii, Gavrilenko V.I. Photoluminescence Spectra of InAs/GaInSb/InAs Quantum Wells in the Mid-Infrared Region // Semiconductors. № 9. V. 54. 2020. P. 1119-1122.

Zholudev M.S., Kozlov D.V., N.S.Kulikov, Razova A.A., Gavrilenko V.I., Morozov S.V. Calculation of Wave Functions of Resonant Acceptor States in Narrow-Gap CdHgTe Compounds // Semiconductors. № 8. V. 54. 2020. P. 827-831.

2019

Публикации в научных журналах

Gavrilenko V.I., Aleshkin V.Ya., Bovkun L.S., Ikonnikov A.V., Spirin K. E., Mikhailov N.N., Dvoretskii S.A., Teppe F., Piot B.A., Potemski M., Orlita M. Landau level spectroscopy of valence bands in HgTe quantum wells: Effects of symmetry lowering // Journal of Physics: Condensed Matter. № 14. V. 31. 2019. P. 145501.

Zholudev M.S., Kadykov A.M., Fadeev M.A., Marcinkiewicz M., Ruffenach S., Consejo C., Knap W., Torres J., Morozov S.V., Gavrilenko V.I., Mikhailov N.N., Dvoretskii S.A., Teppe F. Experimental Observation of Temperature-Driven Topological Phase Transition in HgTe/CdHgTe Quantum Wells // Condensed Matter. № ISSN 2410-3896. V. 4. 2019. P. 27.

Kozlov D.V., Rumyantsev V.V., Kadykov A.M., Fadeev M A., Kulikov N.S., Utochkin V.V., Mikhailov N.N., Dvoretskii S.A., Gavrilenko V.I., Khyubers Kh.-V., Teppe F., Morozov S.V. Features of Photoluminescence of Double Acceptors in HgTe/CdHgTe Heterostructures with Quantum Wells in a Terahertz Range // JETP Letters. № 10. V. 109. 2019. P. 657–662.

Rumyantsev V.V., Fadeev M.A., Aleshkin V.Ya., Kulikov N.S., Utochkin V.V., Mikhailov N.N., Dvoretskii S.A., Pavlov S., Hubers H.W., Gavrilenko V.I., Sirtori C., Krasilynik Z.F., Morozov S.V. Carrier Recombination, Long-Wavelength Photoluminescence, and Stimulated Emission in HgCdTe Quantum Well Heterostructures // Physica Status Solidi (B): Basic Research. V. 256. 2019. P. 1800546.

Gavrilenko V.I., Aleshkin V.Ya., Bovkun L.S., Ikonnikov A.V., Orlita M., Potemski M., Piot B.A., Dvoretskii S.A., Mikhailov N.N. Magnetoabsorption in HgCdTe/CdHgTe Quantum Wells in Tilted Magnetic Fields // JETP Letters. № 3. V. 109. 2019. P. 191–197.

2018

Публикации в научных журналах

Perov A.A., Gavrilenko V.I., Protogenov A.P., Turkevich R.V., Chulkov E.V. Chain of Dirac spectrum loops of nodes in crossed magnetic and electric fields // Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics. V. 97. 2018. P. 115204.

Козлов Д.В., Румянцев В.В., Морозов С.В., Гавриленко В.И., Кадыков А.М., Фадеев М.А., Михайлов Н.Н., Жолудев М.С., Варавин В.С, Дворецкий С.А., Теппе Ф. Терагерцовая фотолюминесценция двойных акцепторов в объемных эпитаксиальных слоях HgСdTe и гетерострутрурах HgTe/СdHgTe с квантовыми ямами // Журнал экспериментальной и теоретической физики. № 6. Т. 154. 2018. С. 1226–1231.

Kozlov D.V., Rumyantsev V.V., Morozov S.V., Fadeev M.A., Kadykov A.M., Hübers H.-W., Gavrilenko V.I. Calculation of Multiply Charged States of Impurity-Defect Centers in Epitaxial Hg1 –xCdxTe Layers. Semiconductors // Semiconductors. № 11. V. 52. 2018. P. 1369–1374.

Fadeev M.A., Rumyantsev V.V., Kadykov A.M., Dubinov A.A., Antonov A.V., Kudryavtsev K.E., Dvoretskii S.A., Mikhailov N.N., Gavrilenko V.I., Morozov S.V. Stimulated emission in the 2.8 - 3.5 um wavelength range from Peltier cooled HgTe/CdHgTe quantum well heterostructures // Optics Express. V. 26. 2018. P. 12755-12760.

Aleshkin V.Ya., Dubinov A.A., Rumyantsev V.V., Fadeev M.A., Domnina O.L., Mikhailov N.N., Dvoretskii S.A., Teppe F., Gavrilenko V.I., Morozov S.V. Radiative recombination in narrow gap HgTe/CdHgTe quantum well heterostructures for laser applications // Journal of Physics Condensed Matter. V. 30. 2018. P. 495301.

Бовкун Л.С., Маремьянин К.В., Иконников А.В., Спирин К.Е., Алешкин В.Я., Potemski M., Piot B., Orlita M., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Гавриленко В.И. Магнитооптика квантовых ям на основе HgTe/CdTe с гигантским расщеплением Рашбы в магнитных полях до 34 Тл // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 52. 2018. С. 1274-1279.

2017

Публикации в научных журналах

Криштопенко С.С., Иконников А.В., Маремьянин К.В., Бовкун Л.С., Спирин К.Е., Кадыков А.М., Marcinkiewicz M., Ruffenach S., Consejo C., Teppe F., Knap W., Семягин Б.Р., Путято М.А., Емельянов Е.А., Преображенский В.В., Гавриленко В.И. Циклотронный резонанс дираковских фермионов в квантовых ямах InAs/GaSb/InAs // Физика и техника полупроводников. № 1. Т. 51. 2017. С. 40-44.

S. Ruffenach, A. Kadykov, Rumyantsev V.V., J. Torres, D. Coquillat, D. But, S. S. Krishtopenko, C. Consejo, W. Knap, S. Winnerl, M. Helm, M. A. Fadeev, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, Gavrilenko V.I., Morozov S.V., F. Teppe HgCdTe-based heterostructures for terahertz photonics // APL Materials. № 5. 2017. P. 035503.

Marcinkiewicz M., Ruffenach S., Krishtopenko S. S., Kadykov A. M., Consejo C., But D. B., Desrat W., Knap W., Torres J., Ikonnikov A. V., Spirin K. E., Morozov S.V., Gavrilenko V.I., Mikhailov N. N., Dvoretskii S. A., Teppe F. Temperature-driven single-valley Dirac fermions in HgTe quantum wells. // PHYSICAL REVIEW B. V. 96. 2017. P. 035405.

Rumyantsev V.V., Kozlov D.V., Morozov S.V., Fadeev M.A., Kadykov A. M., Teppe F., Varavin V.S., Yakushev M.V., Mikhailov N. N., Dvoretskii S. A., Gavrilenko V.I. Terahertz photoconductivity of double acceptors in narrow gap HgCdTe epitaxial films grown by molecular beam epitaxy on GaAs(013) and Si(013) substrates // Semiconductor Science and Technology. V. 32. 2017. P. 095007.

Morozov S.V., Rumyantsev V.V., Fadeev M.A., Zholudev M.S., Kudryavtsev K.E., Antonov A.V., Kadykov A. M., Dubinov A.A., Mikhailov N. N., Dvoretskii S. A., Gavrilenko V.I. Stimulated emission from HgCdTe quantum well heterostructures at wavelengths up to 19.5 µm // Applied Physics Letters. V. 111. 2017. P. 192101.

Ruffenach S., Krishtopenko S. S., Bovkun L.S., Ikonnikov A. V., Marcinkiewicz M., Consejo C., Potemski M., Piot B., Orlita M., Semyagin B.R., Putyato M.A., Emel’yanov E.A., Preobrazhenskii V.V., Knap W., Gonzalez-Posada F., Boissier G., Tournié E., Teppe F., Gavrilenko V.I. Magnetoabsorption of Dirac Fermions in InAs/GaSb/InAs “Three-Layer” Gapless Quantum Wells. // JETP Letters. № 11. V. 106. 2017. P. 727–732.

Иконников А.В., Маремьянин К.В., Морозов С.В., Гавриленко В.И., Павлов А.Ю., Щаврук Н.В., Хабибуллин Р.А., Резник Р.Р., Цырлин Г.Э., Зубов Ф.И., Жуков А.Е., Алфёров Ж.И. Генерация терагерцового излучения в многослойных квантово-каскадных гетероструктурах // Письма в Журнал технической физики. № 7. Т. 43. 2017. С. 86-94.

2016

Публикации в научных журналах

Morozov S.V., Rumyantsev V.V., Kadykov A. M., Dubinov A.A., Kudryavtsev K.E., Antonov A.V., Mikhailov N. N., Dvoretskii S. A., Gavrilenko V.I. Long wavelength stimulated emission up to 9.5 m from HgCdTe quantum well heterostructures // Applied Physics Letters. V. 108. 2016. P. 092104-1-092104-5.

Kozlov D.V., Rumyantsev V.V., Morozov S.V., Gavrilenko V.I., Kadykov A.M., Fadeev M.A., Varavin V.S., Mikhailov N.N., Dvoretskii S.A., Teppe F. Mercury Vacancies as Divalent Acceptors in HgTe/CdxHg1-xTe Structures with Quantum Wells // Semiconductors. № 12. V. 50. 2016. P. 1690-1696.

Маремьянин К.В., Румянцев В.В., Иконников А.В., Бовкун Л.С., Чижевский Е.Г., Засавицкий И.И., Гавриленко В.И. Терагерцовые инжекционные лазеры на основе твердого раствора PbSnSe с длиной волны излучения до 46.5 мкм // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 50. 2016. С. 1697-1700.

2015

Публикации в научных журналах

Morozov S.V., Rumyantsev V.V., Dubinov A.A., Antonov A.V., Kadykov A.M., Kudryavtsev K.E., Kuritsyn D.I., Mikhailov N.N., Dvoretskii S.A., Gavrilenko V.I. Long wavelength superluminescence from narrow gap HgCdTe epilayer at 100 K // Applied Physics Letters. V. 107. 2015. P. 042105-1-042105-4.

Козлов Д.В., Морозов С.В., Румянцев В.В., Тузов И.В., Кудрявцев К.Е., Гавриленко В.И. Влияние прямого захвата дырок с испусканием оптических фононов на релаксацию примесной фотопроводимости в p -Si : B // Физика и техника полупроводников. № 2. Т. 49. 2015. С. 192-195.

Козлов Д.В., Румянцев В.В., Морозов С.В., Кадыков А.М., Варавин В.С., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Гавриленко В.И., Teppe F. Примесная фотопроводимость узкозонных структур кадмий-ртуть-теллур // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 49. 2015. С. 1654-1659.

Zholudev M.S., Teppe F., Morozov S.V., Orlita M., Consejo C., Ruffenach S., Knap W., Gavrilenko V.I., Dvoretskii S.A., Mikhailov N.N. Anticrossing of Landau Levels in HgTe/CdHgTe (013) Quantum Wells with an Inverted Band Structure // JETP Letters. № 12. V. 100. 2015. P. 790-794.

Kozlov D.V., Morozov S.V., Rumyantsev V.V., Tuzov I.V., Kudryavtsev K.E., Gavrilenko V.I. Effect of the Direct Capture of Holes with the Emission of Optical Phonons on ImpurityPhotoconductivity Relaxation in p-Si:B // Semiconductors. № 2. V. 49. 2015. P. 187-190.

Morozov S.V., Gavrilenko V.I., Kadykov A.M., Krishtopenko S.S., Teppe F., Consejo C., Viti L., Vitiello M.S., Ruffenach S., Marcinkiewicz M., Desrat W., Dyakonova N., Knap W., Mikhailov N.N., Dvoretsky S.A. Terahertz detection of magnetic field-driven topological phase transition in HgTe-based transistors // APPLIED PHYSICS LETTERS. V. 107. 2015. P. 152101.

Маремьянин К.В., Иконников А.В., Антонов А.В., Румянцев В.В., Морозов С.В., Бовкун Л.С., Умбеталиева К.Р., Чижевский Е.Г., Засавицкий И.И., Гавриленко В.И. Длинноволновые инжекционные лазеры на основе твердого раствора Pb1-xSnxSe и их использование для спектроскопии твердого тела // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 49. 2015. С. 1672-1675.

Криштопенко С.С., Маремьянин К.В., Калинин К.П., Спирин К.Е., Гавриленко В.И., Байдусь Н.В., Звонков Б.Н. Обменное усиление g-фактора электронов в напряженных гетероструктурах InGaAs/InP // Физика и техника полупроводников. № 2. Т. 49. 2015. С. 196-203.

2014

Публикации в научных журналах

Morozov S.V., Rumyantsev V.V., Antonov A.V., Maremyyanin K.V., Kudryavtsev K.E., Krasilynikova L.V., Mikhailov N.N., Dvoretskii S.A., Gavrilenko V.I. Efficient long wavelength interband photoluminescence from HgCdTe epitaxial films at wavelengths up to 26μm // Applied Physics Letters. V. 104. 2014. P. 072102.

Morozov S.V., Rumyantsev V.V., Antonov A.V., Kadykov A.M., Maremyyanin K.V., Kudryavtsev K.E., Mikhailov N.N., Dvoretskii S.A., Gavrilenko V.I. Time resolved photoluminescence spectroscopy of narrow gap Hg1-xCdxTe/CdyHg1-yTe quantum well heterostructures // Applied Physics Letters. V. 105. 2014. P. 022102.

Popov V.V., Yermolaev D.M., Maremyanin K.V., Zemlyakov V.E., Maleev N.A., Gavrilenko V.I., Bespalov V.A., Yegorkin V.I., Ustinov V.M., Shapoval S.Yu. Detection of terahertz radiation by tightly concatenated InGaAs field-effect transistors integrated on a single chip // Applied Physics Letters. V. 104. 2014. P. 163508.

2013

Труды (тезисы) конференции

Gavrilenko V.I., Morozov S.V., Rumyantsev V.V., Zholudev M.S., Antonov A.V., Dubinov A.A., Maremyyanin K.V., Kudryavtsev K.E., Krasilynikova L.V., Aleshkin V.Ya., Mikhailov N.N., Dvoretskii S.A. THz Response of HgTe/CdTe Quantum Wells and Narrow-Gap HgCdTe Films: from Fundamentals to Applications // Abstract the International Conference on Coherent and Nonlinear Optics (ICONO) and The Lasers, Applications, and Technologies (LAT) ICONO/LAT, Moscow, 18-22 June, 2013. Moscow. 2013. P. JDB2.

Гавриленко В.И., Румянцев В.В., Жолудев М.С., Антонов А.В., Кудрявцев К.Е., Красильникова Л.В., Иконников А.В., Дубинов А.А., Морозов С.В., Алешкин В.Я., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А. Генерация и детектирование ТГц-излучения в узкозонных гетероструктурах с квантовыми ямами на основе HgTe/CdTe и эпитаксиальных слоях CdHgTe // Тезисы докладов IX Всероссийского семинара по радиофизике миллиметровых и субмиллиметровых волн, 26 февраля – 1 марта, 2013. ИПФ РАН, Нижний Новгород. 2013. С. 23-24.

Морозов С.В., Антонов А.В., Румянцев В.В., Маремьянин К.В., Красильникова Л.В., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Гавриленко В.И. Длинноволновая фотолюминесценция в узкозонных объемных структурах HgCdTe и квантовых ямах Hg1-xCdxTe/Cd1-yHgyTe // Тезисы докладов XI Российской конференции по физике полупроводников, Санкт-Петербург, 16 – 20 сентября, 2013 г.. ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург. 2013. С. 237.

Морозов С.В., Антонов А.В., Маремьянин К.В., Румянцев В.В., Красильникова Л.В., Сергеев С.С., Курицын Д.И., Михайлов Н.Н., Гавриленко В.И. Исследования спектров и кинетики фотопроводимости и спектров ФЛ в эпитаксиальных пленках Hg1-xCdxTe и Hg1-xCdxTe/CdyHg1-yTe структурах с квантовыми ямами в ТГц диапазоне // Труды XVII Симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Нижний Новгород, 11-15 марта, 2013. Т.2, 2 стр.. 2013. С. 529-530.

Gavrilenko V.I., Morozov S.V., Rumyantsev V.V., Zholudev M.S., Antonov A.V., Dubinov A.A., Maremyyanin K.V., Kudryavtsev K.E., Krasilynikova L.V., Aleshkin V.Ya., Mikhailov N.N., Dvoretskii S.A. Optical study of HgCdTe based narrow-gap heterostructures // Proc. 21st Int. Symp. “Nanostructures: Physics and Technology. June 24-28, 2013. St. Petersburg. 2013. P. 252-253.

Morozov S.V., Gavrilenko V.I., Rumyantsev V.V., Antonov A.V., Maremyyanin K.V., Krasilynikova L.V., Aleshkin V.Ya., Mikhailov N.N., Dvoretskii S.A. THz Emission of Narrow- Gap HgCdTe Films and HgTe/CdTe Quantum Wells Structure // Extended Abstracts of 38th International Conference on Infrared, Millimeter and Terahertz Waves (IRMMW-THz 2013), September 1– 6, 2013. Mainz on the Rhine, Germany. 2013. P. Mo6-5.

Публикации в научных журналах

Aleshkin V.Ya., Zholudev M.S., Teppe F., Orlita M., Ikonnikov A.V., Gavrilenko V.I., Knap W., Mikhailov N.N., Dvoretskii S.A. Cyclotron resonance in HgCdTe-based heterostructures in strong magnetic fields. // Journal of physics: Conference series. V. 461. 2013. P. 012038.

Морозов С.В., Румянцев В.В., Кудрявцев К.Е., Гавриленко В.И., Козлов Д.В. Кинетика релаксации примесной фотопроводимости в p-Si : B с различным уровнем легирования и степенью компенсации в сильных электрических полях // Физика и техника полупроводников. Т. 47. 2013. С. 1472-1475.

Румянцев В.В., Иконников А.В., Антонов А.В., Морозов С.В., Жолудев М.С., Спирин К.Е., Гавриленко В.И., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н. Особенности спектров и кинетики релаксации длинноволновой фотопроводимости в узкозонных эпитаксиальных пленках и гетероструктурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe // Физика и техника полупроводников. Т. 47. 2013. С. 1446-1450.

Rumyantsev V.V., Morozov S.V., Antonov A.V., Zholudev M.S., Kudryavtsev K.E., Gavrilenko V.I., Dvoretskii S.A., Mikhailov N.N. Spectra and kinetics of THz photoconductivity in narrow-gap Hg1-xCdxTe (x0.2) epitaxial films // Semiconductor Science and Technology. V. 28. 2013. P. 125007.

Drachenko O., Kozlov D.V., Ikonnikov A.V., Spirin K.E., Gavrilenko V.I., Schneider H., Helm M., Wosnitza J. Long spin relaxation time of holes in InGaAs/GaAs quantum wells probed by cyclotron resonance spectroscopy // Physical Review B. V. 87. 2013. P. 075315.

Morozov S.V., Kryzhkov D.I., Yablonskii A.N., Antonov A.V., Kuritsyn D.I., Gaponova D.M., Sadofyev Yu.G., Samal N., Gavrilenko V.I., Krasilynik Z.F. Type II–type I conversion of GaAs/GaAsSb heterostructure energy spectrum under optical pumping // Journal of Applied Physics. V. 113. 2013. P. 163107.

Rumyantsev V.V., Ikonnikov A.V., Antonov A.V., Morozov S.V., Zholudev M.S., Spirin K.E., Gavrilenko V.I., Dvoretskii S.A., Mikhailov N.N. Specific Features of the Spectra and Relaxation Kinetics of Long-Wavelength Photoconductivity in Narrow-Gap HgCdTe Epitaxial Films and Heterostructures with Quantum Wells // Semiconductors. № 11. V. 47. 2013. P. 1438-1441.

Ikonnikov A.V., Zholudev M.S., Gavrilenko V.I., Mikhailov N.N., Dvoretskii S.A. Magnetoabsorption in narrow-gap HgCdTe epitaxial layers in the terahertz range // Semiconductors. № 12. V. 47. 2013. P. 1545-1550.

2012

Труды (тезисы) конференции

Морозов С.М., Крыжков Д.И., Алешкин В.Я., Гавриленко В.И., Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Садофьев Ю.Г. Исследование спектров и кинетики ФЛ гетероструктур с КЯ GaAsSb/GaAs и InGaAs/GaAsSb/GaAs в области 1-1.3 мкм // «Нанофизика и наноэлектроника».Труды XVI международного симпозиума. 12-16 марта 2012 г. Нижний Новгород.. ННГУ, т1, 2. 2012. С. 316-317. [принято к печати]

Морозов С.В., Жолудев М.С., Антонов А.В., Румянцев В.В., Дубинов А.А., Гавриленко В.И., Алешкин В.Я., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Drachenko O., Schneider H., Helm M. Исследования времен жизни и релаксации фотопроводимости в гетероструктурах с квантовыми ямами Hg1-yCdyTe/Cd1-xHgxTe // «Нанофизика и наноэлектроника».Труды XVI международного симпозиума. 12-16 марта 2012 г. Нижний Новгород. ННГУ, т1, 2. 2012. С. 318-319.

Публикации в научных журналах

Павельев Д.Г., Кошуринов Ю.И., Иванов А.С., Панин А.Н., Вакс В.Л., Гавриленко В.И., Антонов А.В., Устинов В.М., Жуков А.Е. Экспериментальное исследование умножителей частоты на полупроводниковых сверхрешетках в терагерцовом диапазоне частот // Физика и техника полупроводников. № 1. Т. 46. 2012. С. 125-129.

Krishtopenko S.S., Gavrilenko V.I., Goiran M. Exchange interaction effect on quasiparticle Landau levels in narrow-gap quantum well heterostructures // J. Phys.: Condens. Matter. V. 24. 2012. P. 135601.

Иконников А.В., Жолудев М.С., Маремьянин К.В., Спирин К.Е., Ластовкин А.А., Гавриленко В.И., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н. Циклотронный резонанс в узкозонных гетероструктурах на основе HgTe/CdTe(013) в квантующих магнитных полях // Письма ЖЭТФ. № 8. Т. 95. 2012. С. 452-456.

Krishtopenko S.S., Ikonnikov A.V., Maremyanin K.V., Spirin K.E., Gavrilenko V.I., Sadofyev Yu.G., Goiran M., Sadowsky M., Vasilyev Yu.B. Cyclotron resonance study in InAs/AlSb quantum well heterostructures with two occupied electric subbands // J. Appl. Phys.. V. 111. 2012. P. 093711.

Krishtopenko S.S., Gavrilenko V.I., Goiran M. Exchange enhancement of g-factor in narrow-gap InAs/AlSb quantum well heterostructures // Solid State Phenomena. V. 190. 2012. P. 554-557.

Gavrilenko V.I., Krishtopenko S.S., Goiran M. Exchange interaction effects in electron spin resonance: Larmor theorem violation in narrow-gap quantum well heterostructures // J. Phys.: Condens. Matter. V. 24. 2012. P. 252201.

Криштопенко С.С., Калинин К.П., Гавриленко В.И., Садофьев Ю.Г., Goiran M. Спиновое расщепление Рашбы и обменное усиление g-фактора в гетероструктурах InAs/AlSb с двумерным электронным газом // Физика и техника полупроводников. № 9. Т. 46. 2012. С. 1186-1193.

Морозов С.В., Крыжков Д.И., Гавриленко В.И., Яблонский А.Н., Курицын Д.И., Гапонова Д.М., Садофьев Ю.Г., Звонков Б.Н., Вихрова О.В. Определение оптическими методами типа гетероперехода в структурах с квантовыми ямами GaAsSb/GaAs с различной молярной долей сурьмы // ФТП. № 11. Т. 46. 2012. С. 1402-1407.

Крыжков Д.И., Морозов С.В., Гапонова Д.М., Сергеев С.М., Курицын Д.И., Гавриленко В.И., Садофьев Ю.Г. Диагностика квантовых каскадных структур оптическими методами в ближнем ИК диапазоне // ФТП. № 11. Т. 46. 2012. С. 1440-1443.

Морозов С.В., Антонов А.В., Жолудев М.С., Румянцев В.В., Гавриленко В.И., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Drachenko O., Winnerl S., Schneider H., Helm M. Исследования времен жизни и релаксации фотопроводимости в гетероструктурах с квантовыми ямами HgxCd1-xTe/CdyHg1-yTe // Физика и техника полупроводников. Т. 46. 2012. С. 1388-1392.

Румянцев В.В., Морозов С.В., Кудрявцев К.Е., Гавриленко В.И., Козлов Д.В. Особенности релаксации примесной фотопроводимости в кремнии, легированном бором // Физика и техника полупроводников. Т. 46. 2012. С. 1414-1418.

2011

Труды (тезисы) конференции

Морозов С.В., Спиваков А.Г., Крыжков Д.И., Гавриленко В.И., Яблонский А.Н., Курицын Д.И., Гавриленко Л.В., Гапонова Д.М., Yu.G.Sadofyev, N.Samal. Исследование спектров и кинетики фотолюминесценции гетероструктур с квантовыми ямами GaAsSb/GaAs в области длин волн 1.2-1.3 мкм // Труды XV междунарондного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». ИФМ РАН, г., Нижний Новгород, Россия, т.1. 2011. С. 210-211.

Крыжков Д.И., Морозов С.В., Гапонова Д.М., Сергеев С.М., Гавриленко В.И., Курицын Д.И., Садофьев Ю.Г., N.Samal. Диагностика квантовых каскадных структур оптическими методами в ближнем ИК-диапазоне // Труды XV международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». ИФМ РАН, г., Нижний Новгород, Россия, т.2. 2011. С. 525-526.

Морозов С.В., Спиваков А.Г., Крыжков Д.И., Яблонский А.Н., Курицын Д.И., Гавриленко Л.В., Гапонова Д.М., Гавриленко В.И., Yu.G.Sadofyev, Звонков Б.Н. Исследование спектров и кинетики ФЛ гетероструктур с КЯ GaAsSb/GaAs и InGaAs/GaAsSb/GaAs в области 1-1.3 мкм // Тезисы Х Российской конференции по физике полупроводников. ИФМ РАН, Нижний Новгород, 19-23 сентября. 2011. С. 65.

Публикации в научных журналах

Гавриленко В.И., Криштопенко С.С., Goiran M. Электрон-электронное и спин-орбитальное взаимодействие в гетероструктурах InAs/AlSb с двумерным электронным газом // Физика и техника полупроводников. № 1. Т. 45. 2011. С. 111-119.

Popov V.V., Ermolaev D.M., Maremyanin K.V., Maleev N.A., Zemlyakov V.E., Gavrilenko V.I., Shapoval S.Yu. High-responsivity terahertz detection by on-chip InGaAs/GaAs field-effect-transistor array // Appl. Phys. Lett.. V. 98. 2011. P. 153504.

Morozov S.V., Gavrilenko L.V., Erofeeva I.V., Antonov A.V., Maremyanin K.V., Yablonskiy A.N., Kuritsin D.I., Orlova E.E., Gavrilenko V.I. Relaxation of the impurity photoconductivity in p-Ge/Ge1 // Semicond. Sci. Technol.. V. 26. 2011. P. 085009.

Krishtopenko S.S., Gavrilenko V.I., Goiran M. Theory of g-factor enhancement in narrow-gap quantum well heterostructures // J. Phys.: Condens. Matter. V. 23. 2011. P. 38560.

Ластовкин А.А., Иконников А.В., Гавриленко В.И., Антонов А.В., Садофьев Ю.Г. Исследование перестройки частоты импульсных квантовых каскадных лазеров терагерцового диапазона // Известия ВУЗов. Радиофизика. № 8-9. Т. LIV. 2011. С. 676-683.

Ikonnikov A.V., Zholudev M.S., Spirin K.E., Lastovkin A.A., Maremyanin K.V., Aleshkin V.Ya., Gavrilenko V.I., Drachenko O., Helm M., Wosnitza J., Goiran M., Mikhailov N.N., Dvoretskii S.A., Teppe F., Diakonova N., Consejo C., Chenaud B., Knap W. Cyclotron resonance and interband optical transitions in HgTe/CdTe(013) quantum well heterostructures // Semicond. Sci. Technol.. V. 26. 2011. P. 125011.

Иконников А.В., Антонов А.В., Ластовкин А.А., Гавриленко В.И., Садофьев Ю.Г., Samal N. Исследование спектров излучения импульсных квантовых каскадных лазеров терагерцового диапазона с высоким спектральным разрешением // Радиофизика. Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. Т. 3(1). 2011. С. 91-96.

Drachenko O., Schneider H., Helm M., Kozlov D., Gavrilenko V., Wosnitza J., Leotin J. Modification to the central-cell correction of germanium acceptors // Phys. Rev. B. V. 84. 2011. P. 245207.

Kozlov D.V., Drachenko O., Gavrilenko V.I., Schneider H., Helm M., Wosnitza J., Leotin J. Correction to the central-cell potential of Germanium acceptors. // Physical Review B.. V. 84. 2011. P. 245205.

©  Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского