Гапонова Дария Михайловна

Место работы

Радиофизический факультет

Межфакультетская базовая кафедра "Физика наноструктур и наноэлектроника"

доцент

Ученая степень
Кандидат физико-математических наук
Ученое звание
нет
Общий стаж работы 27 лет, 11 мес.
Педагогический стаж 5 лет, 6 мес.

Общие сведения

Научная Работа


Образование, учёные степени и учёные звания

Высшее образование
Специальность: Физика. Квалификация: физик.

Список преподаваемых дисциплин

Публикации

2016

Публикации в научных журналах

Яблонский А.Н., Морозов С.В., Гапонова Д.М., Алешкин В.Я., Шенгуров В.Г., Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Байдусь Н.В., Красильник З.Ф. Cтимулированное излучение в гетероструктурах с двойными квантовыми ямами InGaAs/GaAsSb/GaAs, выращенных на подложках GaAs и Ge/Si(001) // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 50. 2016. С. 1455-1458.

Yablonskii A.N., Morozov S.V., Gaponova D.M., Aleshkin V.Ya., Zvonkov B.N., Shengurov V.G., Vikhrova O.V., Baidusy N.V., Krasilynik Z.F. Stimulated emission in heterostructures with double InGaAs/GaAsSb/GaAs quantum wells, grown on GaAs and Ge/Si(001) substrates // Semiconductors. № 11. V. 50. 2016. P. 1435-1438.

2014

Публикации в научных журналах

Курицын Д.И., Сергеев С.М., Гапонова Д.М., Гавриленко Л.В., Красильник З.Ф., Крыжков Д.И. Многофункциональная установка для измерения резонансных оптических откликов полупроводниковых структур в видимом и ближнем ИК диапазонах с субпикосекундным временным разрешением // ЖТФ. № 3. 2014. [принято к печати]

Маремьянин К.В., Крыжков Д.И., Морозов С.В., Сергеев С.М., Курицын Д.И., Гапонова Д.М., Алешкин В.Я., Садофьев Ю.Г. Исследование квантово-каскадных структур GaAs/AlGaAs оптическими методами на основе горячей люминесценции в ближнем ИК диапазоне. // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 48. 2014. С. 1499-1502.

2013

Труды (тезисы) конференции

Алешкин В.Я., Гавриленко Л.В., Гапонова Д.М., Красильник З.Ф., Крыжков Д.И., Курицын Д.И., Сергеев С.М., Лысенко В.Г. Ближнепольный излучательный перенос экситонных возбуждений между туннельно-несвязанными квантовыми ямами. // Труды XVII междунарондного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». ИФМ РАН, г., Нижний Новгород, Россия, т.2. 2013. С. 403-404.

Алешкин В.Я., Гавриленко Л.В., Гапонова Д.М., Красильник З.Ф., Крыжков Д.И., Курицын Д.И., Сергеев С.М., Лысенко В.Г. Когерентный оптический отклик квантово-каскадной структуры // Труды XVII междунарондного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». ИФМ РАН, Нижний Новгород, Россия, т.2, с.502-503. 2013. С. 502-503.

Алешкин В.Я., Гавриленко Л.В., Гапонова Д.М., Красильник З.Ф., Крыжков Д.И., Курицын Д.И., Сергеев С.М., Лысенко В.Г. Динамика экситонных состояний в условиях ближнепольного излучательного переноса энергии в AlGaAs/GaAs гетероструктурах с квантовыми ямами // Труды XI Российской конференции по физике полупроводников. ФТИ им.Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия,. 2013. С. 230.

Алешкин В.Я., Гавриленко Л.В., Гапонова Д.М., Красильник З.Ф., Кадыков А.М., Лысенко В.Г. Нерезонансный ближнепольный излучательный перенос экситонных возбуждений между туннельно-несвязанными квантовыми ямами. // Труды XI Российской конференции по физике полупроводников. ФТИ им.Иоффе, Санкт-Петербург, Россия. 2013. С. 219.

Aleshkin V.Ya., Gavrilenko L.V., Gaponova D.M., Krasilynik Z.F., Kryzhkov D.I., Kadykov A.M., Lyssenko V.G. Nonresonant near-field radiative transfer of excitonic excitations in tunnel-uncoupled quantum wells // Abstracts of the 21 International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology". Saint Petersburg, Russia, June 24-28. 2013. P. 103.

Aleshkin V.Ya., Gavrilenko L.V., Gaponova D.M., Krasilynik Z.F., Kadykov A.M., Lyssenko V.G. The calculation of near-field radiative energy transfer in tunnel-uncoupled quantum wells // Abstracts of 21 International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology". Saint Petersburg, Russia, June 24-28. 2013. P. 107.

Публикации в научных журналах

Алешкин В.Я., Гавриленко Л.В., Гапонова Д.М., Кадыков А.М., Лысенко В.Г., Красильник З.Ф. Нерезонансный излучательный перенос экситонных возбуждений за счет ближнего поля между квантовыми ямами // Журнал экспериментальной и теоретической физики. № 5(11). Т. 144. 2013. С. 1080-1085.

Morozov S.V., Kryzhkov D.I., Yablonskii A.N., Antonov A.V., Kuritsyn D.I., Gaponova D.M., Sadofyev Yu.G., Samal N., Gavrilenko V.I., Krasilynik Z.F. Type II–type I conversion of GaAs/GaAsSb heterostructure energy spectrum under optical pumping // Journal of Applied Physics. V. 113. 2013. P. 163107.

2012

Труды (тезисы) конференции

Алешкин В.Я., Гавриленко Л.В., Гапонова Д.М., Красильник З.Ф., Крыжков Д.И., Курицын Д.И., Сергеев С.М., Лысенко В.Г. Ближнепольный механизм передачи энергии между квантовыми ямами // Труды XVI международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». ИФМ РАН, Нижний Новгород, Россия, т.1. 2012. С. 180-181.

Алешкин В.Я., Гавриленко Л.В., Гапонова Д.М., Красильник З.Ф., Крыжков Д.И., Курицын Д.И., Сергеев С.М., Лысенко В.Г. Экспериментальное исследование ближнепольного переноса энергии в гетероструктурах GaAs/AlGaAs с туннельно-непрозрачными барьерами // Труды XVI междунарондного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». ИФМ РАН, Нижний Новгород, Россия, т.1. 2012. С. 299-300.

Публикации в научных журналах

Морозов С.В., Крыжков Д.И., Гавриленко В.И., Яблонский А.Н., Курицын Д.И., Гапонова Д.М., Садофьев Ю.Г., Звонков Б.Н., Вихрова О.В. Определение оптическими методами типа гетероперехода в структурах с квантовыми ямами GaAsSb/GaAs с различной молярной долей сурьмы // ФТП. № 11. Т. 46. 2012. С. 1402-1407.

Крыжков Д.И., Морозов С.В., Гапонова Д.М., Сергеев С.М., Курицын Д.И., Гавриленко В.И., Садофьев Ю.Г. Диагностика квантовых каскадных структур оптическими методами в ближнем ИК диапазоне // ФТП. № 11. Т. 46. 2012. С. 1440-1443.

2011

Труды (тезисы) конференции

Алешкин В.Я., Гавриленко Л.В., Гапонова Д.М., Красильник З.Ф., Крыжков Д.И., Курицын Д.И., Сергеев С.М., Лысенко В.Г., Claus B. Sørensen Влияние поперечного электрического поля на экситонную и трионную фотолюминесценцию в гетероструктурах GaAs/AlGaAs с квантовыми ямами. // Труды XV междунарондного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». ИФМ РАН, г., Нижний Новгород, Россия, т.1. 2011. С. 208-209.

Морозов С.В., Спиваков А.Г., Крыжков Д.И., Гавриленко В.И., Яблонский А.Н., Курицын Д.И., Гавриленко Л.В., Гапонова Д.М., Yu.G.Sadofyev, N.Samal. Исследование спектров и кинетики фотолюминесценции гетероструктур с квантовыми ямами GaAsSb/GaAs в области длин волн 1.2-1.3 мкм // Труды XV междунарондного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». ИФМ РАН, г., Нижний Новгород, Россия, т.1. 2011. С. 210-211.

Гапонова Д.М., Алешкин В.Я., Гавриленко Л.В., Красильник З.Ф., Крыжков Д.И., Курицын Д.И., Сергеев С.М., Лысенко В.Г., Claus B. Sørensen Процессы остывания и высвечивания экситонов в двойных квантовых ямах в электрическом поле // Труды XV междунарондного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». ИФМ РАН, Нижний Новгород, Россия, т.2. 2011. С. 463-464.

Алешкин В.Я., Гавриленко Л.В., Гапонова Д.М., Красильник З.Ф., Крыжков Д.И., Курицын Д.И., Сергеев С.М., Лысенко В.Г., Claus B. Sørensen Влияние квантово-размерного эффекта Штарка на экситонную фотолюминесценцию в одиночных и двойных туннельно-связанных квантовых ямах // Труды XV междунарондного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». ИФМ РАН г., Нижний Новгород, Россия, т.2, с.496-497.. 2011. С. 496-497.

Крыжков Д.И., Морозов С.В., Гапонова Д.М., Сергеев С.М., Гавриленко В.И., Курицын Д.И., Садофьев Ю.Г., N.Samal. Диагностика квантовых каскадных структур оптическими методами в ближнем ИК-диапазоне // Труды XV международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». ИФМ РАН, г., Нижний Новгород, Россия, т.2. 2011. С. 525-526.

Алешкин В.Я., Гавриленко Л.В., Гапонова Д.М., Красильник З.Ф., Крыжков Д.И., Курицын Д.И., Сергеев С.М., Лысенко В.Г., Claus B. Sørensen Время формирования, остывания и излучательной рекомбинации экситонов в двойных квантовых ямах // Тезисы Х Российской конференции по физике полупроводников. ИФМ РАН, Нижний Новгород, 19-23 сентября. 2011. С. 52.

Алешкин В.Я., Гавриленко Л.В., Гапонова Д.М., Красильник З.Ф., Крыжков Д.И., Курицын Д.И., Сергеев С.М., Лысенко В.Г., Claus B. Sørensen Зависимость времени потери когерентности от температуры в гетероструктурах GaAs/AlGaAs // Тезисы Х Российской конференции по физике полупроводников. ИФМ РАН, Нижний Новгород. 2011. С. 60.

Морозов С.В., Спиваков А.Г., Крыжков Д.И., Яблонский А.Н., Курицын Д.И., Гавриленко Л.В., Гапонова Д.М., Гавриленко В.И., Yu.G.Sadofyev, Звонков Б.Н. Исследование спектров и кинетики ФЛ гетероструктур с КЯ GaAsSb/GaAs и InGaAs/GaAsSb/GaAs в области 1-1.3 мкм // Тезисы Х Российской конференции по физике полупроводников. ИФМ РАН, Нижний Новгород, 19-23 сентября. 2011. С. 65.

Алешкин В.Я., Гавриленко Л.В., Гапонова Д.М., Красильник З.Ф., Крыжков Д.И., Курицын Д.И., Сергеев С.М., Лысенко В.Г., Claus B. Sørensen Влияние туннельной прозрачности барьера на кинетику экситонной фотолюминесценции в двойных квантовых ямах // Тезисы Х Российской конференции по физике полупроводников. ИФМ РАН, Нижний Новгород, 19-23 сентября. 2011. С. 78.

Публикации в научных журналах

Алешкин В.Я., Гавриленко Л.В., Гапонова Д.М., Красильник З.Ф., Крыжков Д.И., Курицын Д.И., Сергеев С.М., Лысенко В.Г., Claus B. Sørensen Оптическое детектирование электрического поля в n-i-n GaAs/AlGaAs-гетероструктуре с двойными квантовыми ямами // Письма в ЖЭТФ. № 7. Т. 93. 2011. С. 437-441.

Алешкин В.Я., Гавриленко Л.В., Гапонова Д.М., Красильник З.Ф., Крыжков Д.И., Курицын Д.И., Сергеев С.М., Лысенко В.Г. Ближнепольный механизм возбуждения фотолюминесценции в гетероструктуре с квантовыми ямами // Письма в ЖЭТФ. № 11. Т. 94. 2011. С. 890-894.

©  Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского