Павельев Дмитрий Геннадьевич

Место работы

Отдел фундаментальных и прикладных исследований

Научно-исследовательская лаборатория мощных лазерных систем

старший научный сотрудник

Ученая степень
Кандидат технических наук
Ученое звание
нет
Дата начала работы в университете лобачевского: 1993
Общий стаж работы 51 год, 11 мес.

Общие сведения

Научная Работа


Образование, учёные степени и учёные звания

Высшее образование
Специалитет. Специальность: радиофизика и электроника. Квалификация: радиофизик.

Дополнительное образование, повышение квалификации, стажировки

01.10.2019 - 31.10.2019
Повышение квалификации: Электронная информационно-образовательная среда вуза, ННГУ, 72 час., документ № 522409105832, рег № 33-1841 от 05.11.2019

Список преподаваемых дисциплин

Публикации

2019

Труды (тезисы) конференции

Оболенская Е.С., Козлов В.А., Павельев Д.Г., Иванов А.С., Васильев А.П. Сравнение особенностей транспорта электронов и ТГц генерации в диодах на основе 6-, 18-, 30- и 120-периодных GaAs/AlAs сверхрешеток // Труды XXIII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Труды XXIII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». 2019. [принято к печати]

2018

Труды (тезисы) конференции

Оболенская Е.С., Павельев Д.Г., Козлов В.А., Вербус В.А. Резонансные туннельные контакты для гетероструктур AlAs/GaAs с пролетными эффектами // Труды XXII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, 2018, т.2, с.648-649. 2018. С. 648-649.

Оболенская Е.С., Павельев Д.Г., Козлов В.А., Васильев А.П. Терагерцовые приборы на основе апериодических GaAs/AlAs сверхрешеток с малым числом периодов // Труды XXII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, т.2, с.727-728. 2018. С. 727-728.

Оболенская Е.С., Павельев Д.Г., Козлов В.А. Радиационная стойкость диодов на основе 30-периодных GaAs/AlAs сверхрешеток // 23-я Сессия молодых ученых (естественные, математические науки). 23-я Сессия молодых ученых (естественные, математические науки), 2018, т.2 с.37.. 2018. С. 37-37.

Оболенская Е.С., Козлов В.А., Павельев Д.Г. Радиационная стойкость диодов на основе GaAs/AlAs сверхрешеток // VI Всероссийская конференция и школа молодых ученых и специалистов "Физические и физико-химические основы ионной имплантации": Физические и физико-химические основы ионной имплантации: Тезисы докладов VI Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов. РИУ Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Н. Новгород, 2018. – 174 с.. 2018. С. 60-61.

Публикации в научных журналах

Оболенская Е.С., Козлов В.А., Павельев Д.Г., Васильев А.П. Радиационная стойкость терагерцовых диодов на основе GaAs/AlAs-сверхрешеток // Физика и техника полупроводников. № 52. Т. 11. 2018. С. 1337-1345.

Obolenskaya E.S., Obolenskii S.V., Kozlov V.A., Pavelyev D.G., Vasilyev A.P., Ustinov V.M. INCREASE OF SELF-OSCILLATION AND TRANSFORMATION FREQUENCIES IN THZ DIODES // IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology. № 2. V. 8. 2018. P. 231-236.

Obolenskaya E.S., Kozlov V.A., Pavelyev D.G., Vasilyev A.P. Radiation Resistance of Terahertz Diodes Based on GaAs/AlAs Superlattices // Semiconductors. № 11. V. 52. 2018. P. 1448–1456.

2017

Труды (тезисы) конференции

Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Павельев Д.Г., Козлов В.А., Васильев А.П., Устинов В.М. Оптимизация параметров сверхрешетки для диодов терагерцового диапазона частот // Труды XXI Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, т.2, 2017 с.686-687. 2017. С. 686.

Публикации в научных журналах

Obolenskaya E.S., Obolenskii S.V., Pavelyev D.G., Kozlov V.A., Vasilyev A.P., Ustinov V.M. Optimization of the superlattice parameters for THz diodes // Semiconductors. № 11. V. 51. 2017. P. 1439-1443.

2016

Труды (тезисы) конференции

Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Козлов В.А., Тарасова Е.А., Павельев Д.Г., Чурин А.Ю. Исследование транспорта электронов в малопериодных GaAs/AlAs сверхрешетках и диодах Ганна в условиях радиационного воздействия // VI Всероссийская конференция и школа молодых ученых и специалистов "Физические и физико-химические основы ионной имплантации". Физические и физико-химические основы ионной имплантации: Тезисы докладов VI Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов (Нижний Новгород, 24–27 октября 2016 г.). –Н.Новгород, 2016. – 141 с.. 2016. С. 33-35.

Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Козлов В.А., Павельев Д.Г. Моделирование транспорта электронов в терагерцовых диодах на основе сверхрешеток // Труды XX научной конференции по радиофизике, посвященной 110-летию со дня рождения Г.С. Горелика. Труды ХХ научной конференции по радиофизике, посвящённой 110-летию со дня рождения Г.С. Горелика (Нижний Новгород, 12–20 мая 2016 г.) / Под ред. С.В. Оболенского, В.В. Матросова. Нижний Новгород: ННГУ, 2016. – 320 с. 2016. С. 52-54.

Волкова Е.В., Козлов В.А., Кошуринов Ю.И., Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Павельев Д.Г., Пузанов А.С. Терагерцовое детектирование процессов формирования и стабилизации кластера радиационных дефектов при нейтронном воздействии // Тезисы докладов 19-ой Всероссийской научно-технической конференции "Радиационная стойкость электронных систем" "Стойкость-2016". Издательство НИЯУ МИФИ. 2016. С. 67-68.

Публикации в научных журналах

Оболенская Е.С., Павельев Д.Г., Васильев А.П., Козлов В.А., Кошуринов Ю.И., Оболенский С.В., Устинов В.М. Диодные гетероструктуры для приборов терагерцового диапазона частот // Журнал радиоэлектроники. № 1. Т. 1. 2016. С. 1.

Оболенская Е.С., Оболенский С.В., Павельев Д.Г., Васильев А.П., Козлов В.А., Кошуринов Ю.И., Устинов В.М. Моделирование транспорта электронов в малопериодных GaAs/AlAs сверхрешетках для терагерцового диапазона частот // Физика и техника полупроводников. 2016. [принято к печати]

2015

Труды (тезисы) конференции

Bakunov M.I., Skryly A.S., Pavelyev D.G. Terahertz spectroscopy with a single frequency comb // The Second International Symposium on Frontiers in THz Technology, Hamamatsu, Japan, August 30 – September 2, 2015. Osaka University. 2015. P. TuA1.1.

2014

Труды (тезисы) конференции

Vaks V.L., Hayton D.J., Khudchenko A.A., Pavelyev D.G., Hovenier J.N., Baryshev A.V., Gao J.R., Kao T.Y., Hu Q., Reno J.L. Phase-locking of a 4.7 THz quantum cascade lasers based on a harmonic super-lattice mixer // The 25th International Symposium on Space Terahertz Technology. 27 – 30 April 2014, Moscow, Russia, Book of Abstracts,. 2014. P. 26.

2013

Труды (тезисы) конференции

Vaks V.L., Khudchenko A.A., Hayton D.J., Pavelyev D.G., Hovenier J.N., Baryshev A.V., Gao J.R., Kao T.Y., Hu Q., Reno J.L. Phase-locking of a 3.4-THz quantum cascade laser using a harmonic super-lattice mixer // The 24th International Symposium on Space Terahertz Technology (ISSTT 2013). Gronningen, the Netherlands, Book of Abstracts. 2013. P. 30.

Публикации в научных журналах

Vaks V.L., Hayton D.J., Khudchenko A.A., Pavelyev D.G., Hovenier J.N., Baryshev A.V., Gao J.R., Kao T.Y., Hu Q., Reno J.L. Phase locking of a 3.4 THz third-order distributed feedback quantum cascade laser using a room-temperature superlattice harmonic mixer // Appl. Phys. Lett.. V. 103. 2013. P. 051115.

2012

Публикации в научных журналах

Павельев Д.Г., Кошуринов Ю.И., Иванов А.С., Панин А.Н., Вакс В.Л., Гавриленко В.И., Антонов А.В., Устинов В.М., Жуков А.Е. Экспериментальное исследование умножителей частоты на полупроводниковых сверхрешетках в терагерцовом диапазоне частот // Физика и техника полупроводников. № 1. Т. 46. 2012. С. 125-129.

2011

Труды (тезисы) конференции

Пентин И.В., Смирнов А.В., Рябчун С.А., Гольцман Г.Н., Вакс В.Л., Приползин С.И., Павельев Д.Г. Полупроводниковая сверхрешетка – твердотельный гетеродинный источник терагерцового диапазона // Труды XV Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника», 14-18 марта 2011 года. Нижний Новгород, 2011, Труды XV Международного Симпозиума, Том 1. 2011. С. 200-201.

Pentin I.V., Smirnov A.V, Ryabchun S.A., Goltsman G.N., Vaks V.L., Pripolsin S.I., Pavelyev D.G. Heterodyne source of THz range based on semiconductor superlattice multiplier // Proceedings of 36th International Conference on Infrared, Millimeter and Terahertz Waves. IRMMW-THz. Proceedings of 36th International Conference on Infrared, Millimeter and Terahertz Waves. IRMMW-THz 2011, October 2-7, 2011, Hyatt Regency Houston, Houston, Texas, USA, W5.11.1.. 2011. P. 5-11-1.

Контакты

внутр. 42-65

Нижний Новгород, пр-кт. Гагарина 23, корп. 4, комн. 403

©  Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского