Козлов Дмитрий Владимирович

Список преподаваемых дисциплин

Публикации

2023

Гавриленко В.И., Янцер А.А., Дубинов А.А., Козлов Д.В., Румянцев В.В., Михайлов Н.Н., Морозов С.В. Двухчастотное стимулированное излучение в гетероструктуре Hg(Cd)Te/CdHgTe // Физика и техника полупроводников. № 6. Т. 57. 2023. С. 421-425.

Гавриленко В.И., Козлов Д.В., Жолудев М.С., Мажукина К.А., Алешкин В.Я. Температурное гашение терагерцовой фотолюминесценции мелких акцепторов в твердом растворе HgCdTe // Физика и техника полупроводников. № 6. Т. 57. 2023. С. 432-437.

2022

Гавриленко В.И., Румянцев В.В., Разова А.А., Козлов Д.В., Фадеев М.А., Маремьянин К.В., Уточкин В.В., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Морозов С.В. Спектроскопия фотолюминесценции структур с квантовыми ямами на основе HgCdTe в диапазоне длин волн 15−30 мкм // Физика и техника полупроводников. № 5. Т. 56. 2022. С. 472-478.

Gavrilenko V.I., Kozlov D.V., Rumyantsev V.V., Ikonnikov A.V., Utochkin V.V., Razova A.A., Mazhukina K.A., Mikhailov N.N., Dvoretskii S.A., Morozov S.V. Non-Radiative Transitions of Holes on Mercury Vacancies in Narrow-Gap HgCdTe // Photonics. V. 9. 2022. P. 887.

Гавриленко В.И., Козлов Д.В., Румянцев В.В., Алешкин В.Я., Морозов С.В. Влияние оптических фононов на гашение фотолюминесценции вакансий ртути в узкозонных твердых растворах HgСdTe при повышении температуры // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 56. 2022. С. 1060-1065.

2021

Gavrilenko V.I., Kozlov D.V., Uaman Svetikova T.A., Ikonnikov A.V., Rumyantsev V.V., Razova A.A., Zholudev M.S., Mikhailov N.N., Dvoretskii S.A., Morozov S.V. Photothermal Ionization Spectroscopy of Mercury Vacancies in HgCdTe Epitaxial Films // JETP Letters. V. 113. 2021. P. 402-408.

2020

Zholudev M.S., Kozlov D.V., N.S.Kulikov, Razova A.A., Gavrilenko V.I., Morozov S.V. Calculation of Wave Functions of Resonant Acceptor States in Narrow-Gap CdHgTe Compounds // Semiconductors. № 8. V. 54. 2020. P. 827-831.

2019

Kozlov D.V., Rumyantsev V.V., Kadykov A.M., Fadeev M A., Kulikov N.S., Utochkin V.V., Mikhailov N.N., Dvoretskii S.A., Gavrilenko V.I., Khyubers Kh.-V., Teppe F., Morozov S.V. Features of Photoluminescence of Double Acceptors in HgTe/CdHgTe Heterostructures with Quantum Wells in a Terahertz Range // JETP Letters. № 10. V. 109. 2019. P. 657–662.

Kozlov D.V., Rumyantsev V.V., Morozov S.V. Spectra of Double Acceptors in Layers of Barriers and Quantum Wells of HgTe/CdHgTe Heterostructures // Semiconductors. № 9. V. 53. 2019. P. 1198–1202.

2018

Козлов Д.В., Румянцев В.В., Морозов С.В., Гавриленко В.И., Кадыков А.М., Фадеев М.А., Михайлов Н.Н., Жолудев М.С., Варавин В.С, Дворецкий С.А., Теппе Ф. Терагерцовая фотолюминесценция двойных акцепторов в объемных эпитаксиальных слоях HgСdTe и гетерострутрурах HgTe/СdHgTe с квантовыми ямами // Журнал экспериментальной и теоретической физики. № 6. Т. 154. 2018. С. 1226–1231.

Kozlov D.V., Rumyantsev V.V., Morozov S.V., Fadeev M.A., Kadykov A.M., Hübers H.-W., Gavrilenko V.I. Calculation of Multiply Charged States of Impurity-Defect Centers in Epitaxial Hg1 –xCdxTe Layers. Semiconductors // Semiconductors. № 11. V. 52. 2018. P. 1369–1374.

2017

Rumyantsev V.V., Kozlov D.V., Morozov S.V., Fadeev M.A., Kadykov A. M., Teppe F., Varavin V.S., Yakushev M.V., Mikhailov N. N., Dvoretskii S. A., Gavrilenko V.I. Terahertz photoconductivity of double acceptors in narrow gap HgCdTe epitaxial films grown by molecular beam epitaxy on GaAs(013) and Si(013) substrates // Semiconductor Science and Technology. V. 32. 2017. P. 095007.

2016

Kozlov D.V., Rumyantsev V.V., Morozov S.V., Gavrilenko V.I., Kadykov A.M., Fadeev M.A., Varavin V.S., Mikhailov N.N., Dvoretskii S.A., Teppe F. Mercury Vacancies as Divalent Acceptors in HgTe/CdxHg1-xTe Structures with Quantum Wells // Semiconductors. № 12. V. 50. 2016. P. 1690-1696.

2015

Фирсов Д.А., Воробьев Л.Е., Паневин В.Ю., Софронов А.Н., Балагула Р.М., Махов И.С., Козлов Д.В., Васильев А.П. Терагерцовое излучение, связанное с примесными переходами электронов в квантовых ямах при оптической и электрической накачке // Физика и техника полупроводников. № 1. Т. 49. 2015. С. 30-34.

Козлов Д.В., Морозов С.В., Румянцев В.В., Тузов И.В., Кудрявцев К.Е., Гавриленко В.И. Влияние прямого захвата дырок с испусканием оптических фононов на релаксацию примесной фотопроводимости в p -Si : B // Физика и техника полупроводников. № 2. Т. 49. 2015. С. 192-195.

Козлов Д.В., Румянцев В.В., Морозов С.В., Кадыков А.М., Варавин В.С., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Гавриленко В.И., Teppe F. Примесная фотопроводимость узкозонных структур кадмий-ртуть-теллур // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 49. 2015. С. 1654-1659.

Firsov D.A., Vorobyev L.E., Panevin V.Yu., Sofronov A.N., Balagula R.M., Makhov I.S., Kozlov D.V., Vasilyev A.P. Terahertz Radiation Associated with the Impurity Electron Transition in Quantum Wells Upon Optical and Electrical Pumping // Semiconductors. № 1. V. 49. 2015. P. 28-32.

Kozlov D.V., Morozov S.V., Rumyantsev V.V., Tuzov I.V., Kudryavtsev K.E., Gavrilenko V.I. Effect of the Direct Capture of Holes with the Emission of Optical Phonons on ImpurityPhotoconductivity Relaxation in p-Si:B // Semiconductors. № 2. V. 49. 2015. P. 187-190.

2014

Zhukavin R.Kh., Bekin N.A., Lobanov D.N., Drozdov Yu.N., Yunin P.A., Drozdov M.N., Pryakhin D.A., Chkhalo E.D., Kozlov D.V., Novikov A.V., Shastin V.N. Coulomb centers assisted tunneling in a δ-doped triple barrier SiGe heterostructure // Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. V. 57. 2014. P. 42-46.

2013

Морозов С.В., Румянцев В.В., Кудрявцев К.Е., Гавриленко В.И., Козлов Д.В. Кинетика релаксации примесной фотопроводимости в p-Si : B с различным уровнем легирования и степенью компенсации в сильных электрических полях // Физика и техника полупроводников. Т. 47. 2013. С. 1472-1475.

Drachenko O., Kozlov D.V., Ikonnikov A.V., Spirin K.E., Gavrilenko V.I., Schneider H., Helm M., Wosnitza J. Long spin relaxation time of holes in InGaAs/GaAs quantum wells probed by cyclotron resonance spectroscopy // Physical Review B. V. 87. 2013. P. 075315.

2012

Румянцев В.В., Морозов С.В., Кудрявцев К.Е., Гавриленко В.И., Козлов Д.В. Особенности релаксации примесной фотопроводимости в кремнии, легированном бором // Физика и техника полупроводников. Т. 46. 2012. С. 1414-1418.

2011

Kozlov D.V., Drachenko O., Gavrilenko V.I., Schneider H., Helm M., Wosnitza J., Leotin J. Correction to the central-cell potential of Germanium acceptors. // Physical Review B.. V. 84. 2011. P. 245205.