Козлов Дмитрий Владимирович

Место работы

Радиофизический факультет

Межфакультетская базовая кафедра "Физика наноструктур и наноэлектроника"

доцент

Ученая степень
Кандидат физико-математических наук
Ученое звание
нет
Общий стаж работы 22 года, 11 мес

Общие сведения

Научная Работа


Образование, учёные степени и учёные звания

Высшее образование
Магистр. Специальность: физика. Квалификация: магистр физики.

Дополнительное образование, повышение квалификации, стажировки

02.04.2018 - 27.04.2018
Повышение квалификации: Электронная информационно-образовательная среда вуза, ННГУ, 72 час., документ № удостоверение 522405003111; рег.№33-1952 от 27.04.2018

Список преподаваемых дисциплин

Публикации

2015

Публикации в научных журналах

Фирсов Д.А., Воробьев Л.Е., Паневин В.Ю., Софронов А.Н., Балагула Р.М., Махов И.С., Козлов Д.В., Васильев А.П. Терагерцовое излучение, связанное с примесными переходами электронов в квантовых ямах при оптической и электрической накачке // Физика и техника полупроводников. № 1. Т. 49. 2015. С. 30-34.

Козлов Д.В., Морозов С.В., Румянцев В.В., Тузов И.В., Кудрявцев К.Е., Гавриленко В.И. Влияние прямого захвата дырок с испусканием оптических фононов на релаксацию примесной фотопроводимости в p -Si : B // Физика и техника полупроводников. № 2. Т. 49. 2015. С. 192-195.

Козлов Д.В., Румянцев В.В., Морозов С.В., Кадыков А.М., Варавин В.С., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А., Гавриленко В.И., Teppe F. Примесная фотопроводимость узкозонных структур кадмий-ртуть-теллур // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 49. 2015. С. 1654-1659.

Firsov D.A., Vorobyev L.E., Panevin V.Yu., Sofronov A.N., Balagula R.M., Makhov I.S., Kozlov D.V., Vasilyev A.P. Terahertz Radiation Associated with the Impurity Electron Transition in Quantum Wells Upon Optical and Electrical Pumping // Semiconductors. № 1. V. 49. 2015. P. 28-32.

Kozlov D.V., Morozov S.V., Rumyantsev V.V., Tuzov I.V., Kudryavtsev K.E., Gavrilenko V.I. Effect of the Direct Capture of Holes with the Emission of Optical Phonons on ImpurityPhotoconductivity Relaxation in p-Si:B // Semiconductors. № 2. V. 49. 2015. P. 187-190.

2014

Публикации в научных журналах

Zhukavin R.Kh., Bekin N.A., Lobanov D.N., Drozdov Yu.N., Yunin P.A., Drozdov M.N., Pryakhin D.A., Chkhalo E.D., Kozlov D.V., Novikov A.V., Shastin V.N. Coulomb centers assisted tunneling in a δ-doped triple barrier SiGe heterostructure // Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. V. 57. 2014. P. 42-46.

2013

Публикации в научных журналах

Морозов С.В., Румянцев В.В., Кудрявцев К.Е., Гавриленко В.И., Козлов Д.В. Кинетика релаксации примесной фотопроводимости в p-Si : B с различным уровнем легирования и степенью компенсации в сильных электрических полях // Физика и техника полупроводников. Т. 47. 2013. С. 1472-1475.

Drachenko O., Kozlov D.V., Ikonnikov A.V., Spirin K.E., Gavrilenko V.I., Schneider H., Helm M., Wosnitza J. Long spin relaxation time of holes in InGaAs/GaAs quantum wells probed by cyclotron resonance spectroscopy // Physical Review B. V. 87. 2013. P. 075315.

2012

Публикации в научных журналах

Румянцев В.В., Морозов С.В., Кудрявцев К.Е., Гавриленко В.И., Козлов Д.В. Особенности релаксации примесной фотопроводимости в кремнии, легированном бором // Физика и техника полупроводников. Т. 46. 2012. С. 1414-1418.

2011

Публикации в научных журналах

Kozlov D.V., Drachenko O., Gavrilenko V.I., Schneider H., Helm M., Wosnitza J., Leotin J. Correction to the central-cell potential of Germanium acceptors. // Physical Review B.. V. 84. 2011. P. 245205.

©  Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского