Дербенева Наталья Викторовна

Место работы

Физический факультет

Кафедра теоретической физики

ассистент

Отдел фундаментальных и прикладных исследований

Научно-исследовательская лаборатория мощных волоконных лазеров и лазерных систем ближнего и среднего ИК диапазонов

младший научный сотрудник

Ученая степень
Кандидат физико-математических наук
Ученое звание
нет
Дата начала работы в университете лобачевского: 2009
Общий стаж работы 8 лет, 7 мес.

Общие сведения

Преподавание

Научная Работа


Образование, учёные степени и учёные звания

Высшее образование
Магистр. Специальность: физика. Квалификация: магистр физики.

Высшее образование
Бакалавр. Специальность: физика. Квалификация: бакалавр физики.

Дополнительное образование, повышение квалификации, стажировки

13.03.2017 - 13.05.2017
Повышение квалификации: Электронная информационно-образовательная среда вуза, ННГУ, 72 час., документ № 522404111561 рег номер 33-795 от 13.05.2017

09.01.2017 - 26.01.2017
Повышение квалификации: Использование инновационных методов и современной аппаратуры в естественнонаучных исследованиях, ННГУ, документ № 522404110521 рег номер 33-06 от 26.01.2017

10.05.2016 - 31.05.2016
Повышение квалификации: Использование инновационных методов и современной аппаратуры в естественнонаучных исследованиях, ННГУ, 72 час., документ № 522403227275 рег номер 33-514 от 31.05.2016

Список преподаваемых дисциплин


Квантовая механика
Методы математической физики
Теоретическая механика

Публикации

2019

Публикации в научных журналах

Дербенева Н.В., Конаков А.А., Бурдов В.А. Влияние галогеновой пассивации поверхности на излучательные и безызлучательные переходы в кремниевых нанокристаллах // JETP. № 1. Т. 156. 2019. [принято к печати]

2018

Труды (тезисы) конференции

Konakov A.A., Derbeneva N.V., Shvetsov A.E., Burdov V.A. Radiative and non-radiative recombination in silicon nanocrystals capped with halogen atoms // ICPS 2018 abstracts (29th July – 3rd August 2018, Montpellier, France). 255 страниц. 2018. P. 128.

Дербенева Н.В., Конаков А.А., Бурдов В.А. Межзонные излучательные переходы и оже-рекомбинация в нанокристаллах кремния с мелкими донорами и с галогеновым покрытием // Тезисы докладов 38 Совещания по физике низких температур (НТ-38) (17-22 сентября 2018 г., г. Москва – г. Ростов-на-Дону – пос. Шепси). Ростов-на-Дону: Издательство «Фонд науки и образования». 2018. С. 100-101.

Публикации в научных журналах

Derbeneva N.V., Burdov V.A. Effect of Doping with Shallow Donors on Radiative and Nonradiative Relaxation in Silicon Nanocrystals: Ab Initio Study // Journal of Physical Chemistry C. № 1. V. 122. 2018. P. 850-858.

Derbeneva N.V., Burdov V.A. Radiative decay rates in Si crystallites with a donor ion // Journal of Applied Physics. V. 123. 2018. P. 161598.

2017

Публикации в научных журналах

Derbenyova N.V., Konakov A.A., Burdov V.A. Resonant tunneling of carriers in silicon nanocrystals // Journal of Applied Physics. № 13. V. 120. 2017. P. 134302.

Derbeneva N.V., Konakov A.A., Shvetsov A.E., Burdov V.A. Electronic Structure and Absorption Spectra of Silicon Nanocrystals with a Halogen (Br, Cl) Coating // JETP Letters. № 4. V. 106. 2017. P. 247.

2016

Сборники статей

Сатанин А.М., Горшков О.Н., Дербенева Н.В., Мухаматчин К.Р. Численное моделирование электронных состояний в диоксиде циркония с кислородными вакансиями и примесями иттрия // Вычислительные технологии в естественных науках. М.: Том 1, 12 стр.. 2016. С. 201.

Труды (тезисы) конференции

Derbeneva N.V., Shvetsov A.E., Konakov A.A., Poddubnyi A.N. Electronic structure and optical properties of silicon nanocrystals capped with halogen atoms: density functional calculations // 33d International Conference on the Physics of Semiconductors, 31 of July – 5 of August 2016, Book of Abstracts.. Beijing, China, 1. 2016. P. 330.

Дербенева Н.В., Швецов А.Е., Конаков А.А. Электронная структура галоген-пассивированных нанокристаллов кремния // XV Школа-конференция "Проблемы физики твердого тела и высоких давлений", 16- 25 сентября 2016 г., г. Сочи. Тезисы докладов. Г. Москва: ФИАН, 2. 2016. С. 109-110.

Публикации в научных журналах

Derbeneva N.V., Konakov A.A., Burdov V.A. Resonant tunneling of carriers in silicon nanocrystals // Journal of Applied Physics. № 13. V. 120. 2016. P. 134302-1–134302-5.

2015

Труды (тезисы) конференции

Курова Н.В., Швецов А.Е., Конаков А.А., Поддубный А.Н. Электронная структура нанокристаллов кремния, покрытых атомами галогенов // Нанофизика и наноэлектроника. Труды XIX Международного симпозиума (Нижний Новгород, 10–14 марта 2015 г.). В 2 т.. Нижний Новгород: Изд-во Нижегородского госуниверситета, Т2, 2. 2015. С. 537-538.

Курова Н.В., Швецов А.Е., Конаков А.А., Поддубный А.Н. Электронная структура кремниевых нанокристаллов, пассивированных атомами галогенов // XX Нижегородская сессия молодых ученых. Естественные, математические науки. 19-22 мая 2015 г. Издательство "Алиот-НН", 199 с.. 2015. [принято к печати]

Дербенева Н.В., Конаков А.А., Поддубный А.Н, Швецов А.Е. Электронная структура кремниевых нанокристаллов, пассивированных атомами галогенов // XX Нижегородская сессия молодых ученых. Естественные, математические науки. 19-22 мая 2015 г.. 1. 2015. С. 104.

Дербенева Н.В. Влияние фосфора на Оже-рекомбинацию в нанокристаллах кремния // Вычислительные технологии в естественных науках. Методы суперкомпьютерного моделирования. Сборник трудов. Таруса, 17-19 ноября 2015 г.. Москва, 7. 2015. С. 107-113.

2014

Труды (тезисы) конференции

Сухоруков А.В., Ежевский А.А., Конаков А.А., Попков С.А., Гусейнов Д.В., Курова Н.В., Кузнецов О.А., Шенгуров В.Г., Денисов С.А. Спиновый резонанс электронов проводимости в эпитаксиальных слоях твердого раствора кремний-германия // Труды XVIII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 10-14 марта 2014. Издательство ННГУ им.Н.И.Лобачевского, Том 2, 353с.. 2014. С. 634-635.

Курова Н.В., Бурдов В.А. Электронная структура и Оже-рекомбинация в нанокристаллах кремния, легированных донорами // XIII Международная научная конференция-школа «Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение», 7-10 октября 2014 г., Саранск. Сборник трудов. Издание Мордовского университета, 1. 2014. С. 164.

Курова Н.В., Конаков А.А., Бурдов В.А. Электронная структура и релаксационные процессы в легированном нанокристаллическом кремнии: расчеты из первых принципов // V Всероссийская конференция и школа молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации», 27-31 октября 2014 г., Нижний Новгород. Тезисы докладов. Издательство Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, 2. 2014. С. 30-32.

2013

Труды (тезисы) конференции

Конаков А.А., Курова Н.В., Бурдов В.А. Спиновая структура зоны проводимости кремниевых нанокристаллов // «Нанофизика и наноэлектроника». Труды XVII Международного симпозиума, 11-15 марта 2013 г., Нижний Новгород. Отпечатано в типографии ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Т. 2. 2013. С. 468.

Konakov A.A., Belyakov V.A., Kurova N.V., Burdov V.A. Influence of the spin-orbit coupling on the electronic structure of silicon nanocrystals doped with shallow donors // 27 International Conference on Defects in Semiconductors. Bologna, Italy, July 21-26, 2013. Book of Abstrats. 2013. P. 341.

Курова Н.В., Конаков А.А., Бурдов В.А. Особенности безызлучательной Оже-рекомбинации в нанокристаллах кремния с мелкими донорами // Форум молодых ученых: Тезисы докладов. Издательство ННГУ, Т.1. 2013. С. 177-178.

Курова Н.В., Бурдов В.А. Электронная структура и скорости Оже-рекомбинации в нанокристаллах кремния с мелкими донорами (P, Li): расчеты из первых принципов // Труды XVII международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" 11-15 марта 2013 г. Издательство ННГУ, Т. 1. 2013. С. 504.

Kurova N.V., Burdov V.A. Ab-initio calculations of the Auger recombination rate in silicon nanocrystalls doped with shallow impurities: P, Li // 27 Interantional Conference on Defects of Semiconductors. Bologna, Italy, July 21-26, 2013. Book of Abstracts. 2013. P. 341.

Бурдов В.А., Курова Н.В. Электронная структура и Оже-переходы в нанокристаллах кремния, сильно легированных фосфором // Тезисы докладов XI Российской конференции по физике полупроводников ( XI РКФП). Санкт-Петербург, Физико-технический институт им А.Ф. Иоффе. 2013. С. 290.

Конаков А.А., Курова Н.В., Бурдов В.А. Электронные и спиновые состояния в кремниевых нанокристаллах с мелкими донорами // Тезисы докладов XI Российской конференции по физике полупроводников ( XI РКФП). Санкт-Петербург, Физико-технический институт им А.Ф. Иоффе. 2013. С. 318.

Konakov A.A., Belyakov V.A., Kurova N.V., Burdov V.A. Optical gap, electronic and spin structure of phosphorus-doped silicon nanocrystals // GADEST 2013. Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology. Oxford, UK, 22nd to 27th of September 2013. Program and abstracts. Oxford. 2013. P. 166.

Курова Н.В., Бурдов В.А. Особенности безызлучательной Оже-рекомбинации в нанокристаллах кремния, легированных мелкими донорами (LI, P) // Физика полупроводников и наноструктур, полупроводниковая опто- и наноэлектроника. Тезисы докладов 15-ой всероссийской молодежной конференции. Санкт-Петербург, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе. 2013. С. 51.

Публикации в научных журналах

Конаков А.А., Курова Н.В., Бурдов В.А. Влияние спин-орбитального взаимодействия на структуру основного состояния электронов в кремниевых нанокристаллах // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 47. 2013. С. 1521-1525.

Belyakov V.A., Sidorenko K.V., Konakov A.A., Kurova N.V., Burdov V.A. Photoluminescence in Dense Arrays of Silicon Nanocrystals: the Role of the Concentration and Average Size // Semiconductors. V. 47. 2013. P. 178.

Kurova N.V., Burdov V.A. Ab initio calculations of the electronic structure of silicon nanocrystals doped with shallow donors (Li, P) // Semiconductors. V. 47. 2013. P. 1578.

Курова Н.В. Расчеты электронной структуры кремниевых кристаллитов: вклад обменно-корреляционного взаимодействия в ширину оптической щели // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. № 3. 2013. С. 56-60.

2012

Труды (тезисы) конференции

Беляков В.А., Бурдов В.А., Сидоренко К.В., Конаков А.А., Курова Н.В. Влияние плотности и размера кремниевых нанокристаллов в массиве на интенсивность фотолюминесценции // Труды XVI международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Отпечатано в типографии ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Т. 1. 2012. С. 200.

Публикации в научных журналах

Беляков В.А., Сидоренко К.В., Конаков А.А., Курова Н.В., Бурдов В.А. Фотолюминесценция в плотных массивах нанокристаллов кремния: роль концентрации и среднего размера // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 46. 2012. С. 1613-1618.

2011

Труды (тезисы) конференции

Беляков В.А., Бурдов В.А., Конаков А.А., Курова Н.В., Сидоренко К.В. Моделирование процессов экситонного переноса и люминесценции в ансамблях кремниевых нанокристаллов, сформированных в оксидной матрице // X Российская конференция по физике полупроводников. Тезисы конференции. Издательство ННГУ, 294 С. 2011. С. 111.

Курова Н.В., Бурдов В.А. Влияние фосфора на Оже-рекомбинацию в нанокристаллах кремния // Труды XV международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Издательство ННГУ, Т. 2. 2011. С. 461.

Курова Н.В., Бурдов В.А. Скорость Оже-рекомбинации в кремниевых нанокристаллах в зависимости от их размера // Вторая школа молодых ученых по физике нанструктурированных и кристаллических материалов: конспекты лекций и тезисы докладов. Издательство ННГУ. 2011. С. 110.

Публикации в научных журналах

Беляков В.А., Конаков А.А., Курова Н.В., Сидоренко К.В., Бурдов В.А. Влияние оборванных связей на поверхности нанокристаллов кремния, легированных мелкими донорами, на излучательные межзонные переходы // Известия РАН. Серия физическая. № 8. Т. 75. 2011. С. 1130-1132.

©  Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского