Бузынин Юрий Николаевич
Научно-исследовательский физико-технический институт
Отдел твердотельной электроники и оптоэлектроники
Лаборатория спиновой и оптической электроники
научный сотрудник
Общие сведения
Научная Работа
Образование, учёные степени и учёные звания
Высшее образование
Специальность: полупроводники и диэлектрики. Квалификация: инженер электронной техники.
Список преподаваемых дисциплин
Публикации
2017
Труды (тезисы) конференцииШенгуров В.Г., Бузынин Ю.Н., Бузынин А.Н., Байдусь Н.В., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Сушков А.А., Павлов Д.А., Дроздов М.Н., Нежданов А.В., Юнин П.А., Трушин В.Н. Эпитаксиальные подложки GaAs/Ge/Si // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XXI международного симпозиума. Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т. 2. 2017. С. 770-771.
Публикации в научных журналахBuzynin Yu.N., Shengurov V.G., Zvonkov B.N., Buzynin A.N., Denisov S.A., Baidusy N.V., Drozdov M.N., Pavlov D.A., Yunin P.A. GaAs/Ge/Si epitaxial substrates: development and characteristics // AIP Advances. V. 7. 2017. P. 015304.
2015
Труды (тезисы) конференцииДенисов С.А., Нежданов А.В., Трушин В.Н., Машин А.И., Чалков В.Ю., Бузынин Ю.Н., Шенгуров В.Г. Низкотемпературный рост эпитаксиальных слоев германия на Si(100) методом газофазного осаждения, усиленного разложением моногермана на горячей проволоке // XV Всероссийская конференция и VIII Школа молодых ученых «Высокочистые вещества и материалы. Получение, анализ, применение». Нижний Новгород, Россия, 26-29 мая 2015 г.. 2015. С. 110.
Денисов С.А., Нежданов А.В., Чалков В.Ю., Трушин В.Н., Филатов Д.О., Бузынин Ю.Н., Шенгуров В.Г. Гетероэпитаксиальный рост Ge на Si(100) методом горячей проволоки // XII Российская конференция по физике полупроводников. Ершово, Московская обл., Россия, 21-25 сентября 2015 г.. 2015. С. 154.
Публикации в научных журналахШенгуров В.Г., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Бузынин Ю.Н., Дроздов М.Н., Бузынин А.Н., Юнин П.А. Тонкие монокристаллические слои Ge на 2-х дюймовых подложках Si // Письма в журнал технической физики. № 1. Т. 41. 2015. С. 71-78.
Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Buzynin Yu.N., Drozdov M.N., Buzynin A.N., Yunin P.A. Thin Single-Crystal Ge Layers on 2′′ Si Substrates // Technical Physics Letters. № 1. V. 41. 2015. P. 36-39.
2014
Публикации в научных журналахШенгуров В.Г., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Бузынин Ю.Н., Дроздов М.Н., Бузынин А.Н., Юнин П.А. Тонкие монокристаллические слои Ge на 2-х дюймовых подложках Si // Письма в журнал технической физики. № 1. Т. 41. 2014. С. 71-78. [принято к печати]
