Бурдов Владимир Анатольевич

Место работы

Физический факультет

Кафедра теоретической физики

заведующий кафедрой

Отдел фундаментальных и прикладных исследований

Научно-исследовательская лаборатория мощных волоконных лазеров и лазерных систем ближнего и среднего ИК диапазонов

ведущий научный сотрудник

Ученая степень
Доктор физико-математических наук
Ученое звание
Доцент
Дата начала работы в университете лобачевского: 1985
Общий стаж работы 33 года, 10 мес

Общие сведения

Преподавание

Научная Работа


Образование, учёные степени и учёные звания

Высшее образование
Специалитет. Специальность: Физика. Квалификация: физик.

Дополнительное образование, повышение квалификации, стажировки

17.01.2018 - 17.01.2018
Повышение квалификации: Оказание первой помощи, ННГУ, 8 час., документ № сертификат рнг.№ 869 от 17.01.2018

06.02.2017 - 06.04.2017
Повышение квалификации: Электронная образовательная среда вуза, ННГУ, 72 час., документ № 522404110740, Рег. № 33-158 от 10.04.2017

10.05.2016 - 31.05.2016
Повышение квалификации: Использование инновационных методов и современной аппаратуры в естественнонаучных исследованиях, ННГУ, 72 час., документ № 522403227273, Рег. № 33-512 от 31.05.2016

Список преподаваемых дисциплин

Физический факультет
Актуальные проблемы теории оптических явлений в полупроводниках и полупроводниковых структурах
Квантовая теория твердых тел
Статистическая физика и термодинамика
Теория оптических явлений в полупроводниках и полупроводниковых структурах
Теория полупроводников
Теория функций комплексного переменного
ТФКП
Физика
Физика и астрономия
Физика конденсированного состояния вещества

Публикации

2019

Публикации в научных журналах

Azarova E.S., Maksimova G.M., Burdov V.A. Massive Dirac fermions in one-dimensional inhomogeneous nanorings // Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures. V. 106. 2019. P. 140-149.

Дербенева Н.В., Конаков А.А., Бурдов В.А. Влияние галогеновой пассивации поверхности на излучательные и безызлучательные переходы в кремниевых нанокристаллах // JETP. № 1. Т. 156. 2019. [принято к печати]

2018

Публикации в научных журналах

Derbeneva N.V., Burdov V.A. Effect of Doping with Shallow Donors on Radiative and Nonradiative Relaxation in Silicon Nanocrystals: Ab Initio Study // Journal of Physical Chemistry C. № 1. V. 122. 2018. P. 850-858.

Derbeneva N.V., Burdov V.A. Radiative decay rates in Si crystallites with a donor ion // Journal of Applied Physics. V. 123. 2018. P. 161598.

2017

Публикации в научных журналах

Derbeneva N.V., Konakov A.A., Shvetsov A.E., Burdov V.A. Electronic Structure and Absorption Spectra of Silicon Nanocrystals with a Halogen (Br, Cl) Coating // JETP Letters. № 4. V. 106. 2017. P. 247.

2016

Публикации в научных журналах

Derbeneva N.V., Konakov A.A., Burdov V.A. Resonant tunneling of carriers in silicon nanocrystals // Journal of Applied Physics. № 13. V. 120. 2016. P. 134302-1–134302-5.

2015

Публикации в научных журналах

Burdov V.A., Belyakov V.A. Relaxation and energy transfer in ensembles of Si nanocrystals // Quantum Matter. № 2. V. 4. 2015. P. 85-93.

2014

Труды (тезисы) конференции

Гусейнов Д.В., Ежевский А.А., Попков С.А., Сухоруков А.В., Конаков А.А., Бурдов В.А., Abrosimov N.V., Riemann H. Сильные эффекты примесного рассеяния в спиновой релаксации электронов проводимости в кремнии // Труды XVIII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 10-14 марта 2014. Издательство ННГУ им.Н.И.Лобачевского, Том 2, 353с.. 2014.. 2014. С. 444-445.

Курова Н.В., Бурдов В.А. Электронная структура и Оже-рекомбинация в нанокристаллах кремния, легированных донорами // XIII Международная научная конференция-школа «Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение», 7-10 октября 2014 г., Саранск. Сборник трудов. Издание Мордовского университета, 1. 2014. С. 164.

Курова Н.В., Конаков А.А., Бурдов В.А. Электронная структура и релаксационные процессы в легированном нанокристаллическом кремнии: расчеты из первых принципов // V Всероссийская конференция и школа молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации», 27-31 октября 2014 г., Нижний Новгород. Тезисы докладов. Издательство Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, 2. 2014. С. 30-32.

Публикации в научных журналах

Belyakov V.A., Sidorenko K.V., Konakov A.A., Ershov A.V., Chugrov I.A., Grachev D.A., Pavlov D.A., Bobrov A.I., Burdov V.A. Quenching the photoluminescence from Si nanocrystals of smaller sizes in dense ensembles due to migration processes // Journal of Luminescence. № 1. V. 155. 2014. P. 1-6.

Nagornykh S.N., Pavlenkov V.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Burdov V.A., Krasilnikova L.V., Kryzhkov D.I., Tetelbaum D.I. On the temperature dependence of photoluminescence of silicon quantum dots // Russian Microelectronics. № 8. V. 43. 2014. P. 575-580.

Belyakov V.A., Konakov A.A., Burdov V.A. Electronic states and optical gap of phosphorus-doped nanocrystals embedded in a silica host matrix // Solid State Phenomena. V. 205. 2014. P. 486-491.

2013

Труды (тезисы) конференции

Беляков В.А., Бурдов В.А., Сидоренко К.В., Конаков А.А., Чугров И.А., Грачев Д.А. Управляемый перенос энергии и заряда в массиве кремниевых нанокристаллов // «Нанофизика и наноэлектроника». Труды XVII Международного симпозиума, 11-15 марта 2013 г., Нижний Новгород. Отпечатано в типографии ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Т. 2. 2013. С. 370-371.

Беляков В.А., Сидоренко К.В., Конаков А.А., Бурдов В.А., Ершов А.В., Чугров И.А., Грачев Д.А., Павлов Д.А., Бобров А.И. Фотолюминесценция и миграционные эффекты в плотных массивах нанокристаллов кремния, сформированных в многослойных нанопериодических структурах SiOx/SiO2 // «Нанофизика и наноэлектроника». Труды XVII Международного симпозиума, 11-15 марта 2013 г., Нижний Новгород. Отпечатано в типографии ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Т. 2. 2013. С. 380-381.

Конаков А.А., Курова Н.В., Бурдов В.А. Спиновая структура зоны проводимости кремниевых нанокристаллов // «Нанофизика и наноэлектроника». Труды XVII Международного симпозиума, 11-15 марта 2013 г., Нижний Новгород. Отпечатано в типографии ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Т. 2. 2013. С. 468.

Максимова Г.М., Азарова Е.С., Тележников А.В., Бурдов В.А. Сверхрешетка на основе графена с периодически модулированной дираковской щелью // Труды XVII международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Институт физики микроструктур РАН, т.2, 2 стр. 2013. С. 604-605.

Максимова Г.М., Бурдов В.А., Тележников А.В., Азарова Е.С. Графеновая сверхрешетка с периодически модулированной щелью // Труды IV международного междисциплинарного симпозиума "Среды со структурным и магнитным упорядочением" (Multiferroics-4). Северо-Кавказский научный центр высшей школы ФГОУ ВПАО "Южный федеральный университет", 4 стр.. 2013. С. 92-95.

Курова Н.В., Бурдов В.А. Электронная структура и скорости Оже-рекомбинации в нанокристаллах кремния с мелкими донорами (P, Li): расчеты из первых принципов // Труды XVII международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" 11-15 марта 2013 г. Издательство ННГУ, Т. 1. 2013. С. 504.

Kurova N.V., Burdov V.A. Ab-initio calculations of the Auger recombination rate in silicon nanocrystalls doped with shallow impurities: P, Li // 27 Interantional Conference on Defects of Semiconductors. Bologna, Italy, July 21-26, 2013. Book of Abstracts. 2013. P. 341.

Курова Н.В., Конаков А.А., Бурдов В.А. Особенности безызлучательной Оже-рекомбинации в нанокристаллах кремния с мелкими донорами // Форум молодых ученых: Тезисы докладов. Издательство ННГУ, Т.1. 2013. С. 177-178.

Бурдов В.А., Курова Н.В. Электронная структура и Оже-переходы в нанокристаллах кремния, сильно легированных фосфором // Тезисы докладов XI Российской конференции по физике полупроводников ( XI РКФП). Санкт-Петербург, Физико-технический институт им А.Ф. Иоффе. 2013. С. 290.

Конаков А.А., Курова Н.В., Бурдов В.А. Электронные и спиновые состояния в кремниевых нанокристаллах с мелкими донорами // Тезисы докладов XI Российской конференции по физике полупроводников ( XI РКФП). Санкт-Петербург, Физико-технический институт им А.Ф. Иоффе. 2013. С. 318.

Konakov A.A., Belyakov V.A., Kurova N.V., Burdov V.A. Optical gap, electronic and spin structure of phosphorus-doped silicon nanocrystals // GADEST 2013. Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology. Oxford, UK, 22nd to 27th of September 2013. Program and abstracts. Oxford. 2013. P. 166.

Курова Н.В., Бурдов В.А. Особенности безызлучательной Оже-рекомбинации в нанокристаллах кремния, легированных мелкими донорами (LI, P) // Физика полупроводников и наноструктур, полупроводниковая опто- и наноэлектроника. Тезисы докладов 15-ой всероссийской молодежной конференции. Санкт-Петербург, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе. 2013. С. 51.

Публикации в научных журналах

Конаков А.А., Курова Н.В., Бурдов В.А. Влияние спин-орбитального взаимодействия на структуру основного состояния электронов в кремниевых нанокристаллах // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 47. 2013. С. 1521-1525.

Нагорных С.Н., Павленков В.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Бурдов В.А., Красильникова Л.В., Крыжков Д.И., Тетельбаум Д.И. О температурной зависимости фотолюминесценции квантовых точек кремния // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. № 2. 2013. С. 68-73.

Belyakov V.A., Burdov V.A. Intensification of Forster transitions between Si crystallites due to their doping with phosphorus // Physical Review B. V. 88. 2013. P. 045439.

Belyakov V.A., Sidorenko K.V., Konakov A.A., Kurova N.V., Burdov V.A. Photoluminescence in Dense Arrays of Silicon Nanocrystals: the Role of the Concentration and Average Size // Semiconductors. V. 47. 2013. P. 178.

Konakov A.A., Burdov V.A., Ezhevskii A.A., Sukhorukov A.V., Guseinov D.V., Popkov S.A. Temperature Renormalization of the Conduction Electron g-Factor in Silicon // Semiconductors. V. 47. 2013. P. 169.

Kurova N.V., Burdov V.A. Ab initio calculations of the electronic structure of silicon nanocrystals doped with shallow donors (Li, P) // Semiconductors. V. 47. 2013. P. 1578.

Konakov A.A., Kurova N.V., Burdov V.A. Effect of spin-orbit coupling on the structure of the electron ground state in silicon nanocrystals // Semiconductors. V. 47. 2013. P. 1508.

2012

Труды (тезисы) конференции

Тележников А.В., Максимова Г.М., Бурдов В.А., Азарова Е.С. Электронная структура графенной сверхрешетки с периодически модулированной дираковской щелью // Труды конференции «Микро-, нанотехнологии и их применение», Черноголовка, 19-22 ноября 2012г., с.66. ИПТМ,г.Черноголовка. 2012. С. 66.

Беляков В.А., Бурдов В.А., Сидоренко К.В., Конаков А.А., Курова Н.В. Влияние плотности и размера кремниевых нанокристаллов в массиве на интенсивность фотолюминесценции // Труды XVI международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Отпечатано в типографии ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Т. 1. 2012. С. 200.

Публикации в научных журналах

Михайлов А.Н., Костюк А.Б., Королев Д.С., Жаворонков И.Ю., Чугров И.А., Белов А.И., Бурдов В.А., Ершов А.В., Тетельбаум Д.И. Формирование методом ионной имплантации наночастиц золота в однослойных и многослойных массивах светоизлучающих нанокристаллов кремния // Известия РАН. Серия физическая. № 2. Т. 76. 2012. С. 244-248.

Нагорных С.Н., Павленков В.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Бурдов В.А., Красильникова Л.В., Крыжков Д.И., Тетельбаум Д.И. О температурной зависимости фотолюминесценции квантовых точек кремния // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. № 2. 2012. С. 68-73.

Бурдов В.А., Беляков В.А., Сидоренко К.В., Конаков А.А. Влияние диэлектрической матрицы на фотолюминесценцию и энергообмен в ансамблях кремниевых нанокристаллов // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. № 6. 2012. С. 74-79.

Конаков А.А., Беляков В.А., Бурдов В.А. Оптическая щель нанокристаллов кремния, легированных фосфором // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования.. № 9. 2012. С. 72-74.

Конаков А.А., Бурдов В.А., Ежевский А.А., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., Попков С.А. Температурная перенормировка g-фактора электронов проводимости в кремнии // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 46. 2012. С. 1604-1608.

Беляков В.А., Сидоренко К.В., Конаков А.А., Курова Н.В., Бурдов В.А. Фотолюминесценция в плотных массивах нанокристаллов кремния: роль концентрации и среднего размера // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 46. 2012. С. 1613-1618.

Maksimova G.M., Azarova E.S., Telezhnikov A.V., Burdov V.A. Graphene superlattice with periodically modulated Dirac gap // Physical Review B. V. 86. 2012. P. 205422.

2011

Труды (тезисы) конференции

Беляков В.А., Бурдов В.А., Сидоренко К.В. Влияние диэлектрического окружения на экситонную динамику в ансамблях кремниевых нанокристаллов. // Труды ХV Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника»(Н. Новгород 14-18 марта 2011г.) ИФМ РАН, Нижний Новгород 2011. Т.2.. 2011. С. 457.

Михайлов А.Н., Костюк А.Б., Королев Д.С., Жаворонков И.Ю., Чугров И.А., Белов А.И., Шенина М.Е., Касаткин А.П., Бурдов В.А., Ершов А.В., Дудин Ю.А., Тетельбаум Д.И. Формирование методом ионной имплантации наночастиц золота в однослойных и многослойных массивах светоизлучающих нанокристаллов кремния // Труды XV Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», Н. Новгород, 14–18 марта, 2011. Т.2. 2011. С. 438-439.

Нагорных С.Н., Павленков В.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Красильникова Л.В., Бурдов В.А., Тетельбаум Д.И. Модель температурной зависимости фотолюминесценции нанокристаллов кремния в матрице диоксида кремния // Труды XV Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», Н. Новгород, 14–18 марта, 2011. Т.2. 2011. С. 510-511.

Nagornykh S.N., Pavlenkov V.I., Tetelybaum D.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Burdov V.A., Krasilynikova L.V. Temperature dependence of photoluminescence of Si nanocrystals in silicon dioxide matrix // Abstracts of E-MRS Spring 2011 & Bilateral Energy Conference, Nice, France, 10-12 May, 2011. 1 p. 2011. P. -42.

Нагорных С.Н., Павленков В.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Красильникова Л.В., Бурдов В.А., Тетельбаум Д.И. О температурной зависимости фотолюминесценции системы квантовых точек кремния в матрице SiO2 // Тезисы докладов VIII Международной конференции и VII Школы ученых и молодых специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, наноразмерных структур и приборов на его основе («Кремний 2011»), Москва, 5-8 июля, 2011. 1 стр. 2011. С. 172.

Беляков В.А., Конаков А.А., Бурдов В.А. Экситонный перенос в массивах нанокристаллов кремния с мелкими примесями // «Нанофизика и наноэлектроника». Труды XV международного симпозиума (в двух томах). Издательство Института прикладной физики РАН, Т. 2, 345 С. 2011. С. 462.

Беляков В.А., Бурдов В.А., Конаков А.А., Курова Н.В., Сидоренко К.В. Моделирование процессов экситонного переноса и люминесценции в ансамблях кремниевых нанокристаллов, сформированных в оксидной матрице // X Российская конференция по физике полупроводников. Тезисы конференции. Издательство ННГУ, 294 С. 2011. С. 111.

Конаков А.А., Бурдов В.А., Ежевский А.А., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., Попков С.А. Температурная зависимость g-фактора электронов проводимости в кремнии: теория и эксперимент // Вторая школа молодых ученых по физике наноструктурированных и кристаллических материалов. Конспекты лекций и тезисы докладов. Издательство ННГУ, 131 С. 2011. С. 106-107.

Konakov A.A., Burdov V.A., Ezhevskii A.A., Soukhorukov A.V., Guseinov D.V., Popkov S.A. Temperature dependence of the conduction electron g-factor in silicon // XIV International Youth Scientific School «Actual problems of magnetic resonance and its application». Program. Lecture Notes. Proceedings. Издательство Казанского университета, 138 С. 2011. P. 120-123.

Конаков А.А., Бурдов В.А., Ежевский А.А., Сухоруков А.В., Гусейнов Д.В., Попков С.А. Влияние электрон-фононного взаимодействия на g-фактор электронов проводимости в кремнии // ХХХ научные чтения имени академика Николая Васильевича Белова. Тезисы докладов конференции 20-21 декабря 2011 г. Издательство ННГУ, 189 С. 2011. С. 123-124.

Konakov A.A., Burdov V.A., Ezhevskii A.A., Soukhorukov A.V., Guseinov D.V., Popkov S.A. Electron g-factor in silicon: temperature dependence // International Conference «Resonances in condensed matter» devoted to the centenary of Professor S. A. Altshuler. Book of Abstracts. Издательство Казанского университета, 137 С. 2011. P. 93.

Курова Н.В., Бурдов В.А. Влияние фосфора на Оже-рекомбинацию в нанокристаллах кремния // Труды XV международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Издательство ННГУ, Т. 2. 2011. С. 461.

Курова Н.В., Бурдов В.А. Скорость Оже-рекомбинации в кремниевых нанокристаллах в зависимости от их размера // Вторая школа молодых ученых по физике нанструктурированных и кристаллических материалов: конспекты лекций и тезисы докладов. Издательство ННГУ. 2011. С. 110.

Публикации в научных журналах

Конаков А.А., Беляков В.А., Бурдов В.А. Оптическая щель кремниевых нанокристаллов, легированных фосфором // Труды МФТИ. Труды Московского физико-технического института (государственного университета). № 2. Т. 3. 2011. С. 21-24.

Konakov A.A., Ezhevskii A.A., Soukhorukov A.V., Guseinov D.V., Popkov S.A., Burdov V.A. Lande factor of the conduction electrons in silicon: temperature dependence // Journal of Physics: Conference Series. № 1. V. 324. 2011. P. 012027.

Беляков В.А., Конаков А.А., Курова Н.В., Сидоренко К.В., Бурдов В.А. Влияние оборванных связей на поверхности нанокристаллов кремния, легированных мелкими донорами, на излучательные межзонные переходы // Известия РАН. Серия физическая. № 8. Т. 75. 2011. С. 1130-1132.

Konakov A.A., Ezhevskii A.A., Soukhorukov A.V., Guseinov D.V., Popkov S.A., Burdov V.A. Temperature dependence of the conduction electron g-factor in silicon: theory and experiment // Magnetic Resonance in Solids. Electronic Journal. № 2. V. 13. 2011. P. 14-20.

Belyakov V.A., Burdov V.A. Radiative Recombinantion and Migration Effects in Ensembles of Si Nanocrystals: Towards Controllable Nonradiative Energy Transfer // Journal of computational and theoretical nanoscience. № 3. V. 8. 2011. P. 365-374.

Бурдов Владимир Анатольевич
Контакты

462-33-04

Нижний Новгород, пр-кт. Гагарина 23, корп. 3, комн. 543

©  Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского