Зайцев Андрей Васильевич

Место работы

Научно-исследовательский физико-технический институт

Отдел твердотельной электроники и оптоэлектроники

Лаборатория электроники твердого тела

инженер

Ученая степень
Без степени
Ученое звание
нет
Общий стаж работы 1 год, 10 мес.

Общие сведения

Научная Работа


Образование, учёные степени и учёные звания

Высшее образование
Бакалавр. Специальность: электроника и наноэлектроника. Квалификация: бакалавр.

Высшее образование
Магистр. Специальность: электроника и наноэлектроника. Квалификация: магистр.

Список преподаваемых дисциплин

Публикации

2019

Публикации в научных журналах

Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Trushin V.N., Zaitsev A.V., Prokhorov D., Filatov D.O., Zdoroveishchev A.V., Vedy M.V., Kudrin A.V., Dorokhin M.V., Buzynin Yu. Ultra-high phosphorus-doped epitaxial Ge layers grown by HWCVD method on Si substrates // Materials Science in Semiconductor Processing. V. 100. 2019. P. 175-178.

2016

Труды (тезисы) конференции

Матвеев С.А., Зайцев А.В., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г. Низкотемпературные слои германия на кремнии, осажденные с использованием метода горячей проволоки // Тезисы докладов 23-й Всероссийской межвузовской научно-технической конференции студентов и аспирантов "Микроэлектроника и информатика - 2016". Зеленоград, Россия, 20-22 апреля 2016 г.. 2016. С. 45.

Зайцев А.В., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г. Влияние температуры роста и отжига на свойства слоев Ge, выращенных методом «горячей проволоки» на Si(100) // XI Всероссийская конференция молодых ученых «Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика». Саратов, 6-8 сентября 2016. 2016. С. 49-50.

Денисов С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г., Филатов Д.О., Ежевский А.А., Деточенко А.П., Павлов Д.А., Трушин В.Н., Зайцев А.В., Нежданов А.В. Эпитаксиальный рост слоев Ge на Si(100) с использованием метода «горячей проволоки» // Тезисы докладов XI Конференции и X Школы молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «Кремний 2016». Новосибирск, Россия, 12-15 сентября 2016. 2016. С. 129.

Зайцев А.В., Денисов С.А., Трушин В.Н., Нежданов А.В., Матвеев С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г. Влияние температурного режима на структуру и морфологию слоев Ge, выращенных методом «горячей проволоки» на Si(100) // Сборник трудов 15-й Международной научной конференции-школы «Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение» (МНКШ-2016). Саранск, Россия, 11-14 октября 2016 г.,. 2016. С. 112.

Денисов С.А., Степихова М.В., Тетельбаум Д.И., Трушин В.Н., Чалков В.Ю., Здоровейщев А.В., Зайцев А.В., Юнин П.А., Красильник З.Ф., Шенгуров В.Г. Светоизлучающие слои германия на кремнии, легированные фосфором в процессе ионной имплантации // Тезисы докладов VI Всероссийской конференции и школы молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации». Нижний Новгород, Россия, 24-27 октября 2016 г.. 2016. С. 87-88.

©  Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского