Алябина Наталья Алексеевна

Место работы

Научно-исследовательский физико-технический институт

Отдел главного инженера

Сектор главного технолога

ведущий инженер

Научно-исследовательский физико-технический институт

Отдел твердотельной электроники и оптоэлектроники

Лаборатория физики и технологии тонких пленок

инженер

Ученая степень
нет
Ученое звание
нет
Общий стаж работы 49 лет, 11 мес.

Общие сведения

Научная Работа


Образование, учёные степени и учёные звания

Высшее образование
Специальность: полупроводники и диэлектрики. Квалификация: инженер электронной техники.

Список преподаваемых дисциплин

Публикации

2023

Публикации в научных журналах

Титова А.М., Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Зайцев А.В., Алябина Н.А., Кудрин А.В., Здоровейщев А.В. Гетероэпитаксиальные слои Ge/Si(001), легированные в процессе HW CVD испарением примеси из сублимирующего Ge-источника // Semiconductors. Т. 57. 2023. С. 719-724.

2022

Публикации в научных журналах

Filatov D.O., Titova A.M., Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Vedy M.V., Zaitsev A.V., Sushkov A.A., Alyabina N.A. Epitaxial n+-Ge/p+-Si(001) heterostructures with ultra sharp doping profiles for light emitting diode applications // Materials Science and Engineering: B. № 11. V. 289. 2022. P. 116219.

2021

Труды (тезисы) конференции

Титова А.М., Шенгуров В.Г., Алябина Н.А., Кудрин А.В., Чалков В.Ю., Трушин В.Н., Нежданов А.В., Денисов С.А. ЛЕГИРОВАННЫЕ В ПРОЦЕССЕ РОСТА АТОМАМИ ГАЛЛИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ GE1-XSNX:GA/SI(100): СТРУКТУРНЫЕ СВОЙСТВА И ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ // XXVI НИЖЕГОРОДСКАЯ СЕССИЯ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ (ТЕХНИЧЕСКИЕ, ЕСТЕСТВЕННЫЕ НАУКИ) Материалы конференции. Нижний Новгород, 2021. XXVI НИЖЕГОРОДСКАЯ СЕССИЯ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ (ТЕХНИЧЕСКИЕ, ЕСТЕСТВЕННЫЕ НАУКИ) Материалы конференции. Нижний Новгород, 2021 Издательство: Издательство "Перо", с 261. 2021. С. 247-249.

2020

Публикации в научных журналах

Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Filatov D.O., Kudrin A.V., Sychov S.M., Trushin V.N., Zaitsev A.V., Titova A.M., Alyabina N.A. Gallium-doped germanium epitaxial layers grown on silicon substrates by hot wire chemical vapor deposition // Materials Science & Engineering B: Solid-State Materials for Advanced Technology. № 259. 2020. P. 114579.

2019

Труды (тезисы) конференции

Филатов Д.О., Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Алябина Н.А., Зайцев А.В., Дроздов М.Н. Эпитаксиальные структуры n++-Ge/p++-Si(001) для туннельного p-n-перехода // Труды XXIII Международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника" (Нижний Новгород, 11-14 марта 2019). Нижний Новгород: ИФМ РАН, 2019. Т.2. 416 с.. 2019. С. 3Вт 60.

Публикации в научных журналах

Filatov D.O., Shengurov V.G., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Alyabina N.A., Zaitsev A.V. Tunnel Diodes Based on n+-Ge/p+-Si(001) Epitaxial Structures Grown by the Hot-Wire Chemical Vapor Deposition // Semiconductors. № 9. V. 53. 2019. P. 1238–1241..

2016

Публикации в научных журналах

Казанцева И.А., Филатов Д.О., Шенгуров В.Г., Чалков В.Ю., Денисов С.А., Алябина Н.А. Телеграфный шум в туннельных Si p-n-переходах с наноостровками GeSi // Письма в ЖТФ. № 8. Т. 42. 2016. С. 94-101.

Filatov D.O., Kazantseva I.A., Shengurov V.G., Chalkov V.Yu., Denisov S.A., Alyabina N.A. A Random Telegraph Signal in Tunneling Silicon p–n Junctions with GeSi Nanoislands // Technical Physics Letters. № 4. V. 42. 2016. P. 435-437.

2015

Публикации в научных журналах

Филатов Д.О., Горшков А.П., Волкова Н.С., Гусейнов Д.В., Алябина Н.А., Иванова М.М., Чалков В.Ю., Денисов С.А., Шенгуров В.Г. Фотодиоды на базе массивов самоформирующихся наноостровков GeSi/Si(001), выращенных методом комбинированной сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии Si и газофазной эпитаксии Ge // ФТП. № 3. Т. 49. 2015. С. 399-405.

Filatov D.O., Gorshkov A.P., Volkova N.S., Guseinov D.V., Alyabina N.A., Ivanova M.M., Chalkov V.Yu., Denisov S.A., Shengurov V.G. Photodiodes Based on Self-Assembled GeSi/Si(001) Nanoisland Arrays Grown by the Combined Sublimation Molecular-Beam Epitaxy of Silicon and Vapor-Phase Epitaxy of Germanium // Semiconductors. № 3. V. 49. 2015. P. 387-393.

Шенгуров В.Г., Чалков В.Ю., Денисов С.А., Алябина Н.А., Гусейнов Д.В., Трушин В.Н., Горшков А.П., Волкова Н.С., Иванова М.М., Круглов А.В., Филатов Д.О. Фотодетекторы на базе гетероструктур Ge/Si(001), выращенных методом горячей проволоки // Физика и техника полупроводников. № 10. Т. 49. 2015. С. 1411-1414.

Shengurov V.G., Chalkov V.Yu., Denisov S.A., Alyabina N.A., Guseinov D.V., Trushin V.N., Gorshkov A.P., Volkova N.S., Ivanova M.M., Kruglov A.V., Filatov D.O. Photodetectors on the Basis of Ge/Si(001) Heterostructures Grown by the HotWire CVD Technique // Semiconductors. № 10. V. 49. 2015. P. 1365-1368.

2014

Труды (тезисы) конференции

Гусейнов Д.В., Горшков А.П., Денисов С.А., Иванова М.М., Волкова Н.С., Матвеев С.А., Чалков В.Ю., Алябина Н.А., Трушин В.Н., Бобров А.И., Павлов Д.А., Филатов Д.О., Шенгуров В.Г. Фотодетекторы на базе гетероэпитаксиальных слоёв Ge/Si(001), выращенных методом горячей проволоки // Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г. Издательство ННГУ им.Н.И.Лобачевского, Том 2, 353 с. 2014. С. 684-685.

Guseinov D.V., Denisov S.A., Shengurov V.G., Shengurov D.V., Alyabina N.A., Ivanova M.M., Stepikhova M.V., Gorshkov A.P., Volkova N.S., Mikhailov A.N., Filatov D.O., Chalkov V.Yu. Silicon-based nano-optoelectronic components for optical interconnections // E-MRS 2014 Fall Meeting, Symposium Q : Terahertz and infrared optoelectronics: from materials to devices, September 15-19, 2014, Warsaw, Poland. Warsaw University of Technology (Poland). 2014. P. Q7.

Публикации в научных журналах

Филатов Д.О., Горшков А.П., Волкова Н.С., Гусейнов Д.В., Алябина Н.А., Иванова М.М., Чалков В.Ю., Денисов С.А., Шенгуров В.Г. Фотодиоды на базе массивов самоформирующихся наноостровков GeSi/Si(001), выращенных методом комбинированной сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии Si и газофазной эпитаксии Ge // Физика и техника полупроводников. Т. 49. 2014. [принято к печати]

2011

Публикации в научных журналах

Кузнецов В.П., Степихова М.В., Шмагин В.Б., Марычев М.О., Алябина Н.А., Кузнецов М.В., Андреев Б.А., Корнаухов А.В., Горшков О.Н., Красильник З.Ф. Электролюминесценция на длине волны 1.54 мкм от структуры Si : Er/Si, состоящей из ряда p-n-переходов // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 45. 2011. С. 1486-1488. [принято к печати]

Алябина Наталья Алексеевна

©  Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского