Алябина Наталья Алексеевна
Научно-исследовательский физико-технический институт
Отдел твердотельной электроники и оптоэлектроники
Лаборатория спиновой и оптической электроники
ведущий инженер
Общие сведения
Научная Работа
Образование, учёные степени и учёные звания
Высшее образование
Специальность: полупроводники и диэлектрики. Квалификация: инженер электронной техники.
Список преподаваемых дисциплин
Публикации
2021
Труды (тезисы) конференцииТитова А.М., Шенгуров В.Г., Алябина Н.А., Кудрин А.В., Чалков В.Ю., Трушин В.Н., Нежданов А.В., Денисов С.А. ЛЕГИРОВАННЫЕ В ПРОЦЕССЕ РОСТА АТОМАМИ ГАЛЛИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ GE1-XSNX:GA/SI(100): СТРУКТУРНЫЕ СВОЙСТВА И ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ // XXVI НИЖЕГОРОДСКАЯ СЕССИЯ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ (ТЕХНИЧЕСКИЕ, ЕСТЕСТВЕННЫЕ НАУКИ) Материалы конференции. Нижний Новгород, 2021. XXVI НИЖЕГОРОДСКАЯ СЕССИЯ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ (ТЕХНИЧЕСКИЕ, ЕСТЕСТВЕННЫЕ НАУКИ) Материалы конференции. Нижний Новгород, 2021 Издательство: Издательство "Перо", с 261. 2021. С. 247-249.
2016
Публикации в научных журналахКазанцева И.А., Филатов Д.О., Шенгуров В.Г., Чалков В.Ю., Денисов С.А., Алябина Н.А. Телеграфный шум в туннельных Si p-n-переходах с наноостровками GeSi // Письма в ЖТФ. № 8. Т. 42. 2016. С. 94-101.
Filatov D.O., Kazantseva I.A., Shengurov V.G., Chalkov V.Yu., Denisov S.A., Alyabina N.A. A Random Telegraph Signal in Tunneling Silicon p–n Junctions with GeSi Nanoislands // Technical Physics Letters. № 4. V. 42. 2016. P. 435-437.
2015
Публикации в научных журналахФилатов Д.О., Горшков А.П., Волкова Н.С., Гусейнов Д.В., Алябина Н.А., Иванова М.М., Чалков В.Ю., Денисов С.А., Шенгуров В.Г. Фотодиоды на базе массивов самоформирующихся наноостровков GeSi/Si(001), выращенных методом комбинированной сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии Si и газофазной эпитаксии Ge // ФТП. № 3. Т. 49. 2015. С. 399-405.
Filatov D.O., Gorshkov A.P., Volkova N.S., Guseinov D.V., Alyabina N.A., Ivanova M.M., Chalkov V.Yu., Denisov S.A., Shengurov V.G. Photodiodes Based on Self-Assembled GeSi/Si(001) Nanoisland Arrays Grown by the Combined Sublimation Molecular-Beam Epitaxy of Silicon and Vapor-Phase Epitaxy of Germanium // Semiconductors. № 3. V. 49. 2015. P. 387-393.
Шенгуров В.Г., Чалков В.Ю., Денисов С.А., Алябина Н.А., Гусейнов Д.В., Трушин В.Н., Горшков А.П., Волкова Н.С., Иванова М.М., Круглов А.В., Филатов Д.О. Фотодетекторы на базе гетероструктур Ge/Si(001), выращенных методом горячей проволоки // Физика и техника полупроводников. № 10. Т. 49. 2015. С. 1411-1414.
Shengurov V.G., Chalkov V.Yu., Denisov S.A., Alyabina N.A., Guseinov D.V., Trushin V.N., Gorshkov A.P., Volkova N.S., Ivanova M.M., Kruglov A.V., Filatov D.O. Photodetectors on the Basis of Ge/Si(001) Heterostructures Grown by the HotWire CVD Technique // Semiconductors. № 10. V. 49. 2015. P. 1365-1368.
2014
Труды (тезисы) конференцииГусейнов Д.В., Горшков А.П., Денисов С.А., Иванова М.М., Волкова Н.С., Матвеев С.А., Чалков В.Ю., Алябина Н.А., Трушин В.Н., Бобров А.И., Павлов Д.А., Филатов Д.О., Шенгуров В.Г. Фотодетекторы на базе гетероэпитаксиальных слоёв Ge/Si(001), выращенных методом горячей проволоки // Труды XVIII международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, 10-14 марта 2014 г. Издательство ННГУ им.Н.И.Лобачевского, Том 2, 353 с. 2014. С. 684-685.
Guseinov D.V., Denisov S.A., Shengurov V.G., Shengurov D.V., Alyabina N.A., Ivanova M.M., Stepikhova M.V., Gorshkov A.P., Volkova N.S., Mikhailov A.N., Filatov D.O., Chalkov V.Yu. Silicon-based nano-optoelectronic components for optical interconnections // E-MRS 2014 Fall Meeting, Symposium Q : Terahertz and infrared optoelectronics: from materials to devices, September 15-19, 2014, Warsaw, Poland. Warsaw University of Technology (Poland). 2014. P. Q7.
Публикации в научных журналахФилатов Д.О., Горшков А.П., Волкова Н.С., Гусейнов Д.В., Алябина Н.А., Иванова М.М., Чалков В.Ю., Денисов С.А., Шенгуров В.Г. Фотодиоды на базе массивов самоформирующихся наноостровков GeSi/Si(001), выращенных методом комбинированной сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии Si и газофазной эпитаксии Ge // Физика и техника полупроводников. Т. 49. 2014. [принято к печати]
2011
Публикации в научных журналахКузнецов В.П., Степихова М.В., Шмагин В.Б., Марычев М.О., Алябина Н.А., Кузнецов М.В., Андреев Б.А., Корнаухов А.В., Горшков О.Н., Красильник З.Ф. Электролюминесценция на длине волны 1.54 мкм от структуры Si : Er/Si, состоящей из ряда p-n-переходов // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 45. 2011. С. 1486-1488. [принято к печати]
