Алешкин Владимир Яковлевич

Место работы

Высшая школа общей и прикладной физики

профессор

Ученая степень
Доктор физико-математических наук
Ученое звание
Профессор
Дата начала работы в университете лобачевского: 1990
Общий стаж работы 39 лет, 8 мес.

Общие сведения

Преподавание

Научная Работа


Образование, учёные степени и учёные звания

Высшее образование
Специальность: Физика. Квалификация: физик, преподаватель.

Дополнительное образование, повышение квалификации, стажировки

10.04.2018 - 10.04.2018
Повышение квалификации: Оказание первой помощи, ННГУ, 8 час., документ № сертификат, рег.№1862 от 10.04.2018

16.01.2018 - 01.02.2018
Повышение квалификации: Современные подходы в преподавании естественнонаучных дисциплин (в условиях введения ФГОС), Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им.Н.И.Лобачевского, 72 час., документ № 522405002120; рег. № 33-991 от 01.02.2018

23.03.2017 - 23.05.2017
Повышение квалификации: Электронная информационно-образовательная среда вуза, ННГУ, 72 час., документ № 522404997328, рег. № 33-1244 от 23.05.2017

Список преподаваемых дисциплин

Высшая школа общей и прикладной физики
Введение в специальность
Государственная итоговая аттестация - защита выпускной квалификационной работы
Физика полупроводников

Публикации

2018

Публикации в научных журналах

Baidus N.V., Aleshkin V.Ya., Dubinov A.A., Kudryavtsev K.E., Nekorkin S.M., Novikov A.V., Pavlov D.A., Rykov A.V., Sushkov A.A., Shaleev M., Yunin P.A., Yurasov D, Krasilnik Z.F. MOCVD Growth of InGaAs/GaAs/AlGaAs Laser Structures with Quantum Wells on Ge/Si Substrates // Crystals. № 8. V. 8. 2018. P. 311.

Алешкин В.Я., Байдусь Н.В., Вихрова О.В., Дубинов А.А., Звонков Б.Н., Красильник З.Ф., Кудрявцев К.Е., Некоркин С.М., Новиков А.В., Рыков А.В., Самарцев И.В., Юрасов Д.В. Стимулированное излучение на длине волны 1.3 μm в метаморфной структуре InGaAs/InGaAsP с квантовыми ямами, выращенной на подложке Ge/Si (001) // Письма в Журнал технической физики. № 44. Т. 16. 2018. С. 67-74.

2017

Труды (тезисы) конференции

Алешкин В.Я., Байдусь Н.В., Дубинов А.А., Фефелов А.Г., Красильник З.Ф., Кудрявцев К.Е., Некоркин С.М., Новиков А.В., Павлов Д.А., Самарцев И.В., Скороходов Е.В., Шалеев М.В., Сушков А.А., Яблонский А.Н., Юнин П.А., Юрасов Д.В. Лазерные диоды InGaAs/GaAs/AlGaAs, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии на Ge/Si(001) подложках // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XXI международного симпозиума. Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т. 2. 2017. С. 491-492.

Байдусь Н.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Красильник З.Ф., Некоркин С.М., Новиков А.В., Павлов Д.А., Рыков А.В., Сушков А.А., Шалеев М.В., Юнин П.А., Юрасов Д.В., Яблонский А.Н. Особенности выращивания лазерных структур InGaAs/GaAs/AlGaAs на подложках Ge/Si методом МОС-гидридной эпитаксии // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XXI международного симпозиума. Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т. 2. 2017. С. 523-524.

Сушков А.А., Байдусь Н.В., Алешкин В.Я., Новиков А.В., Юрасов Д.В., Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Павлов Д.А. Эффективное подавление ростовых дефектов и взаимной диффузии атомов Ge, As, Ga на гетерогранице GaAs/Ge // Тезисы докладов 24-й Всероссийской межвузовской научно-технической конференции студентов и аспирантов "Микроэлектроника и информатика - 2017". Зеленоград, Россия, 19 - 20 апреля 2017. 2017. С. 49.

Публикации в научных журналах

Алешкин В.Я., Байдусь Н.В., Дубинов А.А., Красильник З.Ф., Некоркин С.М., Новиков А.В., Рыков А.В., Юрасов Д.В., Яблонский А.Н. Стимулированное излучение лазерных структур InGaAs/GaAs/AlGaAs, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на неотклоненной и отклоненной подложках Ge/Si(001) // Физика и техника полупроводников. № 5. Т. 51. 2017. С. 695-698.

Aleshkin V.Ya., Baidus N.V., Dubinov A.A., Krasilnik Z.F., Nekorkin S.M., Novikov A.V., Rykov A.V., Yurasov D.V., Yablonskiy A.N. On the stimulated emission of InGaAs/GaAs/AlGaAs laser structures grown by MOCVD on exact and inclined Ge/Si(001) substrates // Semiconductors. № 5. V. 51. 2017. P. 663-666.

Алешкин В.Я., Байдусь Н.В., Дубинов А.А., Кудрявцев К.Е., Некоркин С.М., Новиков А.В., Рыков А.В., Самарцев И.В., Фефелов А.Г., Юрасов Д.В., Красильник З.Ф. Технология изготовления лазерных диодов из структур GaAs/InGaAs/AlGaAs, выращенных на Ge/Si подложке // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 51. 2017. С. 1530-1533.

Байдусь Н.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Кудрявцев К.Е., Некоркин С.М., Новиков А.В., Павлов Д.А., Рыков А.В., Сушков А.А., Шалеев М.В., Юнин П.А., Юрасов Д.В., Яблонский А.Н., Красильник З.Ф. Особенности выращивания лазерных структур InGaAs/GaAs/AlGaAs методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках Ge/Si // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 51. 2017. С. 1579-1582.

Aleshkin V.Ya., Baidus N.V., Dubinov A.A., Kudryavtsev K.E., Nekorkin S.M., Novikov A.V., Rykov A.V., Samartsev I.V., Fefelov A.G., Yurasov D.V., Krasilnik Z.F. Technology of the production of laser diodes based on GaAs/InGaAs/AlGaAs structures grown on a Ge/Si substrate // Semiconductors. № 11. V. 51. 2017. P. 1477-1480.

Baidus N.V., Aleshkin V.Ya., Dubinov A.A., Kudryavtsev K.E., Nekorkin S.M., Novikov A.V., Pavlov D.A., Rykov A.V., Sushkov A.A., Shaleev M.V., Yunin P.A., Yurasov D.V., Yablonskiy A.N., Krasilnik Z.F. Peculiarities of Growing InGaAs/GaAs/AlGaAs Laser Structures by MOCVD on Ge/Si Substrates / N.V. Baidus, V.Ya. Aleshkin, A.A. Dubinov, K.E. Kudryavtsev, S.M. Nekorkin, A.V. Novikov, D.A. Pavlov, A.V. Rykov, A.A. Sushkov, M.V. Shaleev, P.A. Yunin, D.V. Yurasov, A.N. Yablonskiy, Z.F. Krasilnik // Semiconductors. № 11. V. 51. 2017. P. 1527-1530.

Алешкин В.Я. Каскадный захват электронов на заряженные диполи в слабо компенсированный полупроводниках // Semiconductors. Т. 51. 2017. С. 1498-1502.

2016

Труды (тезисы) конференции

Байдусь Н.В., Некоркин С.М., Колпаков Д.А., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Ершов А.В., Рыков А.В., Самарцев И.В. Импульсный InGaAs/GaAs/AlGaAs гетеролазер с увеличенной активной областью и узкой диаграммой направленности // Материалы XX Междунар. симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 14–18 марта 2016, Нижний Новгород. Изд-во Нижегород. ун-та им. Н.И. Лобачевского, Т. 2: Секция 3, 840 с. 2016. С. 486–487.

Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Дикарева Н.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А. Перестройка волноводных мод в многоямном гетеролазере // Материалы XX Междунар. симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника», 14–18 марта 2016, Нижний Новгород.. Издательство Нижегород. ун-та им. Н.И. Лобачевского, Т. 2: Секция 3, 406 с. 2016. С. 678–679.

Публикации в научных журналах

Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Кудрявцев К.Е., Юнин П.А., Дроздов М.Н., Вихрова О.В., Некоркин С.М., Звонков Б.Н. Стимулированное излучение из объемного метаморфного слоя GaAsSb на GaAs-подложке // Физика и техника полупроводников. Т. 50. 2016. С. 596-599.

Байдусь Н.В., Некоркин С.М., Колпаков Д.А., Ершов А.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Афоненко А.А. Импульсный многоямный InGaAs/GaAs/AlGaAs гетеролазер с узкой диаграммой направленности // Физика и техника полупроводников. 2016. [принято к печати]

Байдусь Н.В., Некоркин С.М., Колпаков Д.А., Ершов А.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Афоненко А.А. Метод уменьшения ширины диаграммы направленности InGaAs/GaAs/AlGaAs многоямного гетеролазера // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 50. 2016. С. 1509-1512.

Яблонский А.Н., Морозов С.В., Гапонова Д.М., Алешкин В.Я., Шенгуров В.Г., Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Байдусь Н.В., Красильник З.Ф. Cтимулированное излучение в гетероструктурах с двойными квантовыми ямами InGaAs/GaAsSb/GaAs, выращенных на подложках GaAs и Ge/Si(001) // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 50. 2016. С. 1455-1458.

Yablonskii A.N., Morozov S.V., Gaponova D.M., Aleshkin V.Ya., Zvonkov B.N., Shengurov V.G., Vikhrova O.V., Baidusy N.V., Krasilynik Z.F. Stimulated emission in heterostructures with double InGaAs/GaAsSb/GaAs quantum wells, grown on GaAs and Ge/Si(001) substrates // Semiconductors. № 11. V. 50. 2016. P. 1435-1438.

Aleshkin V.Ya., Baidusy N.V., Dubinov A.A., Krasilynik Z.F., Kudryavtsev K.E., Nekorkin S.M., Novikov A.V., Pavlov D.A., Samartsev I.V., Skorokhodov E.V., Shaleev M.V., Sushkov A.A., Yablonskii A.N., Yunin P.A., Yurasov D.V. Monolithically integrated InGaAs/GaAs/AlGaAs quantum well laser grownby MOCVD on exact Ge/Si(001) substrate // Appl. Phys. Lett.. № 061111. V. 109. 2016. P. 1-5.

Aleshkin V.Ya., Dubinov A.A. Effect of the spin–orbit interaction on intersubband electron transition in GaAs/AlGaAs quantum well heterostructures // Physica B: Condensed Matter. V. 503. 2016. P. 32-37.

Dubinov A.A., Bylinkin A., Aleshkin V.Ya., Ryzhii V., Otsuji T., Svintsov D. Ultra-compact injection terahertz laser using the resonant inter-layer radiative transitions in multi-graphene-layer structure // Optics Express. № 26. V. 24. 2016. P. 29603-29612.

Aleshkin V.Ya., L.V.Gavrilenko Dynamics of the cascade capture of electrons by charged donors in GaAs and InP // Journal of Experimental and Theoretical Physics. V. 123. 2016. P. 586-589.

2015

Сборники статей

Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Дикарева Н.В., Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Кудрявцев К.Е., Юнин П.А. Стимулированное излучение в GaAs/InGaAsструктуре с тонкими InGaP слоями, выращенной на Ge/Si подложке // Сборник трудов 10-го Белорусско-Российского Семинара «Полупроводниковые лазеры и системы на их основе», 26–29 мая 2015 г., Минск, Беларусь. Минск: Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, 2015. 2015. [принято к печати]

Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Колпаков Д.А., Дикарева Н.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А. Межзонный каскадный лазер с туннельным p-n-переходом и выходом излучения через подложку // Сборник трудов 10-го Белорусско-Российского Семинара «Полупроводниковые лазеры и системы на их основе», 26–29 мая 2015 г., Минск, Беларусь. Минск: Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, 2015. 2015. [принято к печати]

Труды (тезисы) конференции

Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Дикарева Н.В., Самарцев И.В., Колпаков Д.А., Алешкин В.Я., Дубинов А.А. Оптимизация InGaP/GaAs/InGaAs гетеролазеров с туннельно-связанными волноводами // Труды XIX международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Том 2. 2015.. 2015. [принято к печати]

Колпаков Д.А., Некоркин С.М., Дикарева Н.В., Звонков Б.Н., Алешкин В.Я., Дубинов А.А. Полупроводниковый лазер с туннельным p-n-переходом и выходом излучения через подложку // Труды XIX международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Том 2. 2015.. 2015. [принято к печати]

Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Дикарева Н.В., Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Дубинов А.А., Алешкин В.Я., Кудрявцев К.Е., Красильник З.Ф. Стимулированное излучение в InGaP/GaAs/InGaAs структуре на Ge/Si подложке // XII Российская конференция по физике полупроводников. Ершово, Московская обл., Россия, 21-25 сентября 2015 г.. 2015. С. 376.

Публикации в научных журналах

Дикарева Н.В., Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Алешкин В.Я., Дубинов А.А. Нелинейное смешение гармоник в InGaAs/InGaP/GaAs лазере на Ge подложке // Квантовая электроника. № 3. Т. 45. 2015. С. 204.

Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Дикарева Н.В., Звонков Б.Н., Красильник З.Ф., Некоркин С.М. Излучательные характеристики лазерных диодов на основе А3В5, выращенных на германиевой подложке // Письма в журнал технической физики. № 6. Т. 41. 2015. С. 105.

Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Дикарева Н.В., Звонков Б.Н., Кудрявцев К.Е., Новиков А.В., Некоркин С.М., Юнин П.А., Юрасов Д.В. Волноводный эффект квантовых ям InGaAs в GaAs структуре на Si подложке с Ge буферным слоем // Письма в журнал технической физики. № 13. Т. 41. 2015. С. 72.

Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Звонков Б.Н., Дикарева Н.В., Кудрявцев К.Е., Некоркин С.М. Наблюдение прямозонной фото- и электролюминесценции из GaAs-структуры с Ge квантовыми ямами // ФТП. № 2. Т. 49. 2015. С. 175.

Алешкин В.Я. Каскадный захват электронов на доноры в GaAs квантовых ямах. // Физика и техника полупроводников. № 9. Т. 49. 2015. С. 1233-1237.

Алешкин В.Я., Морозов С.В., Румянцев В.В., Тузов И.В. Наблюдение динамики примесной фотопроводимости в n-GaAs, обусловленной остыванием электронов // Физика и техника полупроводников. № 1. Т. 49. 2015. С. 117-121.

Ryzhii V., Otsuji T., Ryzhii M., Aleshkin V.Ya., Dubinov A.A., Mitin V., Shur M.S. Vertical electron transport in van der Waals heterostructures with graphene layers // Journal of Applied Physics. V. 117. 2015. P. 154504-1-154504-9.

Ryzhii V., Otsuji T., Ryzhii M., Aleshkin V.Ya., Dubinov A.A., Svintsov D., Mitin V., Shur M.S. Graphene vertical cascade interband terahertz and infrared photodetectors // 2D materials. V. 2. 2015. P. 025002-1-025002-10.

Aleshkin V.Ya., Dubinov A.A., Ryzhii M., Ryzhii V., Otsuji T. Electron Capture in van der Waals Graphene-Based Heterostructures with WS2 Barrier Layers // Journal of the Physical Society of Japan. V. 84. 2015. P. 094703-1-094703-7.

Колпаков Д.А., Звонков Б.Н., Некоркин С.М., Дикарева Н.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А. Полупроводниковый лазер с туннельным p-n-переходом и выходом излучения через подложку // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 49. 2015. С. 1489-1491.

Самарцев И.В., Алешкин В.Я., Дикарева Н.В., Дубинов А.А., Звонков Б.Н., Колпаков Д.А., Некоркин С.М. Оптимизация гетеролазеров InGaP/GaAs/InGaAs с туннельно-связанными волноводами // Физика и техника полупроводников. № 12. Т. 49. 2015. С. 1625-1628.

Алешкин В.Я., Дикарева Н.В., Дубинов А.А., Звонков Б.Н., Кудрявцев К.Е., Некоркин С.М., Новиков А.В., Юнин П.А., Юрасов Д.В. Волноводный эффект квантовых ям InGaAs в структуре GaAs на подложке Si с буферным слоем Ge // Письма в ЖТФ. Т. 41. 2015. С. 72-78.

Aleshkin V.Ya., Dikareva N.V., Dubinov A.A., Zvonkov B.N., Kudryavtsev K.E., Nekorkin S.M., Novikov A.V., Yunin P.A., Yurasov D.V. The waveguide effect of InGaAs quantum wells in a GaAs structure on Si substrate with Ge buffer layer // Technical Physics Letters. № 7. V. 47. 2015. P. 648-650.

Aleshkin V.Ya., Dikareva N.V., Dubinov A.A., Zvonkov B.N., Krasilynik Z.F., Nekorkin S.M. Optical characteristics of laser diodes based on A3B5 compounds grown on germanium substrates // Technical Physics Letters. № 3. V. 41. 2015. P. 304-306.

Aleshkin V.Ya., Dikareva N.V., Dubinov A.A., Denisov S.A., Krasilynik Z.F., Kudryavtsev K.E., Matveev S.A., Nekorkin S.M., Shengurov V.G. Stimulated Emission from an InGaAs/GaAs/AlGaAs Heterostructure Grown on a Si Substrate // JETP Letters. № 12. V. 100. 2015. P. 795-797.

Aleshkin V.Ya., Dikareva N.V., Dubinov A.A., Zvonkov B.N., Kudryavtsev K.E., Nekorkin S.M. An observation of direct-gap electroluminescence in GaAs structures with Ge quantum wells // Semiconductors. № 2. V. 49. 2015. P. 170-173.

Dikareva N.V., Nekorkin S.M., Zvonkov B.N., Aleshkin V.Ya., Dubinov A.A. Nonlinear harmonic mixing in an InGaAs/InGaP/GaAs laser on a germanium substrate // Quantum Electronics. № 3. V. 45. 2015. P. 204-206.

Алешкин В.Я. Временная динамика примесной фотопроводимости в квантовых ямах GaAs // Журнал экспериментальной и теоретической физики. № 4(10). Т. 148. 2015. С. 742-748.

2014

Труды (тезисы) конференции

Алешкин В.Я., Дикарева Н.В., Дубинов А.А., Звонков Б.Н., Кудрявцев К.Е., Некоркин С.М. Наблюдение прямозонной фото- и электролюминесценции из GaAs-структуры с Ge квантовыми ямами // Труды XVIII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2014, Том 2, 353 с.. 2014. С. 458.

Некоркин С.М., Колпаков Д.А., Звонков Б.Н., Дикарева Н.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А. Деградация InGaAs/InGaP/GaAs лазеров с увеличенной активной областью и значительным выходом в подложку // 4-й Всероссийский симпозиум с международным участием "Полупроводниковые лазеры: физика и технология" Санкт-Петербург, 10-13 ноября 2014 года. Программы и тезисы докладов.. Типография Политехнического университета, г. С.-Петербург, 78 с., 2014.. 2014. С. С. 53.

Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Колпаков Д.А., Дикарева Н.В., Самарцев И.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А. Оптимизация InGaP/GaAs/InGaAs гетеролазеров с туннельно-связанными волноводами // Труды XIX международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2014. 2014. [принято к печати]

Некоркин С.М., Колпаков Д.А., Звонков Б.Н., Дикарева Н.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А. Полупроводниковый лазер с туннельным p-n-переходом и выходом излучения через подложку // Труды XIX международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, 2014. 2014. [принято к печати]

Публикации в научных журналах

Афоненко А.А., Алешкин В.Я., Дубинов А.А. Эффективность вертикального вывода излучения из волновода полупроводниковых лазеров с дифракционной решеткой // Физика и техника полупроводников. № 1. Т. 48. 2014. С. 94-99.

Алешкин В.Я., Бурдейный Д.И. Временная динамика примесной фотопроводимости в n-GaAs и n-InP // Физика твердого тела. № 5. Т. 56. 2014. С. 883-887.

Aleshkin V.Ya., Dubinov A.A., Kudryavtsev K.E., Rumyantsev V.V., Tonkikh A.A., Zakharov N.D., Zvonkov B.N. 1.3 \mu m Photoluminescence of Ge/GaAs multi-quantum-well structure // Journal of Applied Physics. № 4. V. 115. 2014. P. 043512-1 -043512-4.

Morozov S.V., Kryzhkov D.I., Yablonskii A.N., Aleshkin V.Ya., Krasilynik Z.F., Zvonkov B.N., Vikhrova O.V. Dependence of the ground-state transition energy versus optical pumping in GaAsSb/InGaAs/GaAs heterostructures // Applied Physics Letters. № 2. V. 104. 2014. P. 021108-1 -021108-5.

Dubinov A.A., Aleshkin V.Ya., Ryzhii V., Shur M.S., Otsuji T. Surface-plasmons lasing in double-graphene-layer structures // Journal of Applied Physics. № 4. V. 115. 2014. P. 044511-1-044511-6.

Некоркин С.М., Карзанова М.В., Дикарева Н.В., Звонков Б.Н., Алешкин В.Я. Экспериментальное определение оптимального количества квантовых ям в многоямных гетеролазерах с вытеканием излучения через подложку // ПЖТФ. № 10. Т. 40. 2014. С. 52.

Дикарева Н.В., Некоркин С.М., Карзанова М.В., Звонков Б.Н., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Афоненко А.А. Полупроводниковый лазер с вытеканием излучения через подложку и трапециевидной активной областью // Квантовая электроника. Т. 44. 2014. С. 286.

Алешкин В.Я., Дикарева Н.В., Дубинов А.А., Звонков Б.Н., Кудрявцев К.Е., Некоркин С.М. Наблюдение прямозонной фото- и электролюминесценции из GaAs-структуры с Ge квантовыми ямами // ФТП. 2014. [принято к печати]

Ryzhii V., Otsuji T., Aleshkin V.Ya., Dubinov A.A., Ryzhii M., Mitin V., Shur M.S. Voltage-tunable terahertz and infrared photodetectors based on double-graphene-layer structure // Applied Physics Letters. № 16. V. 104. 2014. P. 163505-1-163505-4.

Otsuji T., Watanabe T., Tombet S.B., Satou A., Dubinov A.A., Aleshkin V.Ya., Mitin V., Ryzhii V. Giant Terahertz Gain by Excitation of Surface Plasmon Polaritons in Optically Pumped Graphene // Proceedings of SPIE. V. 9102. 2014. P. 91020I-1-5.

Nekorkin S.M., Karzanova M. V., Dikareva N.V., Zvonkov B.N., Aleshkin V.Ya. Experimental determination of the optimum number of quantum wells in multiwell heterolasers with radiation leakage into a substrate // Technical Physics Letters. № 5. V. 40. 2014. P. 432-434.

Dikareva N.V., Nekorkin S.M., Zvonkov B.N., Karzanova M.V., Aleshkin V.Ya., Dubinov A.A., Afonenko A.A. Substrate-emitting semiconductor laser with a trapezoidal active region // Quantum Electronics. № 4. V. 44. 2014. P. 286-288.

Zvonkov B.N., Morozov S.V., Kryzhkov D.I., Yablonskii A.N., Aleshkin V.Ya., Vikhrova O.V., Krasilynik Z.F. Long-wavelength shift and enhanced room temperature photoluminescence efficiency in GaAsSb/InGaAs/GaAs-based heterostructures emitting in the spectral range of 1.0–1.2 mkm due to increased charge carrier’s localization // JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. V. 116. 2014. P. 203102.

Маремьянин К.В., Крыжков Д.И., Морозов С.В., Сергеев С.М., Курицын Д.И., Гапонова Д.М., Алешкин В.Я., Ю.Г.Садофьев Исследование квантово-каскадных структур GaAs/AlGaAs оптическими методами на основе горячей люминесценции в ближнем ИК диапазоне. // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 48. 2014. С. 1499-1502.

Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Дикарева Н.В., Денисов С.А., Красильник З.Ф., Матвеев С.А., Некоркин С.М., Шенгуров В.Г. Стимулированное излучение из InGaAs/GaAs/AlGaAs гетероструктуры, выращенной на Si подложке // Письма в "Журнал экспериментальной и теоретической физики". № 12. Т. 100. 2014. С. 900-903.

Aleshkin V.Ya., Dikareva N.V., Dubinov A.A., Denisov S.A., Krasilynik Z.F., Kudryavtsev K.E., Matveev S.A., Nekorkin S.M., Shengurov V.G. Stimulated Emission from an InGaAs/GaAs/AlGaAs Heterostructure Grown on a Si Substrate // JETP LETTERS. № 12. V. 100. 2014. P. 795-797.

2013

Сборники статей

Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Карзанова М.В., Вихрова О.В., Дикарева Н.В., Бирюков А.А., Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Матвеев С.А., Дубинов А.А., Алешкин В.Я., Кудрявцев К.Е. Лазерная структура GaAs/AlGaAs на подложке Ge/Si // Сборник статей 9-го Белорусско-Российского семинара «Полупроводниковые лазеры и системы на их основе». Минск: Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, 2013. 2013. С. 25-28.

Дикарева Н.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Звонков Б.Н., Некоркин С.М., Карзанова М.В., Кудрявцев К.Е., Яблонский А.Н. Волноводный эффект квантовых ям InGaAs и GaAsSb в лазерах на основе GaAs и InP // Сборник статей 9-го Белорусско-Российского семинара «Полупроводниковые лазеры и системы на их основе» 28-31 мая 2013. Минск: Институт физики им. Б.И. Степанова НАН Беларуси, 2013. 2013. С. 33-36.

Труды (тезисы) конференции

Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Карзанова М.В., Вихрова О.В., Дикарева Н.В., Бирюков А.А., Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Матвеев С.А., Дубинов А.А., Алешкин В.Я., Кудрявцев К.Е. Лазерная структура GaAs/AlGaAs на подложке Ge/Si // Сборник статей 9-го Белорусско-Российского семинара «Полупроводниковые лазеры и системы на их основе» 28-31 мая 2013. 4 стр.. 2013. С. 25-28.

Некоркин С.М., Дикарева Н.В., Карзанова М.В., Бирюков А.А., Алешкин В.Я., Дубинов А.А. Генерация ТЕ и ТМ мод в гетеролазере с активной областью AlInGaAs/GaAsP // Труды XVII международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Т2, 2 стр.. 2013. С. 429-430.

Алешкин В.Я., Афоненко А.А., Дикарева Н.В., Дубинов А.А., Кудрявцев К.Е., Морозов С.В., Некоркин С.М. Волноводный эффект квантовых ям GaAsSb в лазерной гетероструктуре на GaAs // Труды XVII международного симпозиума "Нанофизика и наноэлектроника". Т. 2, 2стр.. 2013. С. 443-444.

Публикации в научных журналах

Morozov S.V., Aleshkin V.Ya., Kryzhkov D.I., Zvonkov B.N., Vikhrova O.V. Spectral-kinetic properties of heterostructures with GaAsSb/InGaAs/GaAs-based quantum well emitting in range 1.0-1.2 mkm // Semiconductors. № 11. V. 47. 2013. P. 1504-1507.

Алешкин В.Я., Дикарева Н.В., Дубинов А.А., Звонков Б.Н., Карзанова М.В., Кудрявцев К.Е., Некоркин С.М., Яблонский А.Н. Волноводн­ый эффект квантовых ям в полупровод­никовых лазерах // Квантовая электроника. № 5. Т. 43. 2013. С. 401-406.

Алешкин В.Я., Бурдейный Д.И. Резонансное кулоновское рассеяние на мелких донорах в квантовых ямах AlGaAs/n-GaAs/AlGaAs. // Физика и техника полупроводников. № 4. Т. 47. 2013. С. 466-472.

Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Дроздов М.Н., Звонков Б.Н., Кудрявцев К.Е., Тонких А.А., Яблонский А.Н., Werner P. Структурные и оптические свойства гетероструктур на основе GaAs с квантовыми ямами Ge и Ge/InGaAs. // Физика и техника полупроводников. № 5. Т. 47. 2013. С. 621-625.

Алешкин В.Я., Афоненко А.А., Дикарева Н.В., Дубинов А.А., Кудрявцев К.Е., Морозов С.В., Некоркин С.М. Волноводный эффект квантовых ям GaAsSb в лазерной структуре на основе GaAs // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 47. 2013. С. 1486-1488.

Алешкин В.Я., Морозов С.В., Крыжков Д.И., Звонков Б.Н., Вихрова О.В. Спектрокинетические свойства гетероструктур с квантовыми ямами на основе GaAsSb/InGaAs/GaAs, излучающих в области 1.0-1.2 мкм.ФТП т.47 в.11. cc.1517-1520 (2013) // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 47. 2013. С. 1517-1520.

Aleshkin V.Ya., Dubinov A.A., Ryzhii V., Ryzhii M., Otsuji T. V.Ryzhii, A.A.Dubinov, V.Ya.Aleshkin, M.Ryzhii, T.Otsuji. Injection terahertz laser using the resonant inter-layer radiative transitions in double-graphene-layer structure. // Applied Physics Letters. V. 103. 2013. P. 163507-1-163507-4.

Алешкин В.Я., Гавриленко Л.В., Гапонова Д.М., Кадыков А.М., Лысенко В.Г., Красильник З.Ф. Нерезонансный излучательный перенос экситонных возбуждений за счет ближнего поля между квантовыми ямами // Журнал экспериментальной и теоретической физики. № 5(11). Т. 144. 2013. С. 1080-1085.

Алешкин В.Я., Ушаков Д.В., Афоненко А.А. Эффективность генерации квантоворазмерных лазеров InGaAs/GaAs при неоднородном возбуждении квантовых ям. // Квантовая электроника. № 11. Т. 43. 2013. С. 999-1002.

Aleshkin V.Ya., Zholudev M.S., Teppe F., Orlita M., Ikonnikov A.V., Gavrilenko V.I., Knap W., Mikhailov N.N., Dvoretskii S.A. Cyclotron resonance in HgCdTe-based heterostructures in strong magnetic fields. // Journal of physics: Conference series. V. 461. 2013. P. 012038.

Aleshkin V.Ya., Mitin V., Ryzhii V., Otsuji T., Watanabe T., Fukushima T., Yabe Y., Tombet B. S.A., Satou A., Dubinov A.A. The gain enhancement effect of surface plasmon polaritons on terahertz stimulated emission in optically pumped monolayer graphene. // New Journal of Physics. V. 15. 2013. P. 075003.

Aleshkin V.Ya., Ryzhii V., Dubinov A.A., Otsuji T., Shur M., Ryzhii M. Double-graphine-layer terahertz laser: concept, characteristics, and comparision. // Optics Express. № 25. V. 21. 2013. P. 31567-31577.

2012

Труды (тезисы) конференции

Алешкин В.Я., Бурдейный Д.И. Резонансное кулоновское рассеяние на мелких донорах в квантовых ямах AlGaAs/n-GaAs/AlGaAs // «Нанофизика и наноэлектроника».Труды XVI международного симпозиума. 12-16 марта 2012 г. Нижний Новгород. ННГУ, Т1, 2. 2012. С. 206-207.

Алешкин В.Я., Антонов А.В., Бурдейный Д.И. Спектральные особенности примесной фотопроводимости n-GaAs при энергиях кратных энергии оптического фонона // «Нанофизика и наноэлектроника». Труды XVI международного симпозиума. 12-16 марта 2012 г. Нижний Новгород. ННГУ, Т1, 2. 2012. С. 187-188.

Алешкин В.Я., Гавриленко Л.В., Гапонова Д.М., Красильник З.Ф., Крыжков Д.И., Курицын Д.И., Сергеев С.М., Лысенко В.Г. Ближнепольный механизм передачи энергии между квантовыми ямами. // «Нанофизика и наноэлектроника». Труды XVI международного симпозиума. 12-16 марта 2012 г. Нижний Новгород. ННГУ, т.1, 2. 2012. С. 181-182.

Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Звонков Б.Н., Кудрявцев К.Е., Яблонский А.Н. Волноводный эффект квантовых ям InGaAs в полупроводниковых лазерах на основе GaAs и InP. // «Нанофизика и наноэлектроника».Труды XVI международного симпозиума. 12-16 марта 2012 г. Нижний Новгород. ННГУ, Т1, 2. 2012. С. 241-242.

Звонков Б.Н., Некоркин С.М., Колесников М.Н., Алешкин В.Я., Дубинов А.А. Нелинейное взаимодействие мод в «двухчиповом» полупроводниковом лазере с выходом излучения через подложку // «Нанофизика и наноэлектроника».Труды XVI международного симпозиума. 12-16 марта 2012 г. Нижний Новгород. ННГУ, Т1, 2. 2012. С. 269-270.

Алешкин В.Я., Гавриленко Л.В., Гапонова Д.М., Красильник З.Ф., Крыжков Д.И., Курицын Д.И., Сергеев С.М. Экспериментальное исследование ближнепольного переноса энергии в гетероструктурах GaAs/AlGaAs с туннельно-непрозрачными барьерами. // Труды XVI международного симпозиума. 12-16 марта 2012 г. Нижний Новгород. Т.1, с. 299-300. ННГУ, Т1,2. 2012. С. 299-300.

Морозов С.М., Крыжков Д.И., Алешкин В.Я., Гавриленко В.И., Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Садофьев Ю.Г. Исследование спектров и кинетики ФЛ гетероструктур с КЯ GaAsSb/GaAs и InGaAs/GaAsSb/GaAs в области 1-1.3 мкм // «Нанофизика и наноэлектроника».Труды XVI международного симпозиума. 12-16 марта 2012 г. Нижний Новгород.. ННГУ, т1, 2. 2012. С. 316-317. [принято к печати]

Морозов С.В., Жолудев М.С., Антонов А.В., Румянцев В.В., Дубинов А.А., Гавриленко В.И., Алешкин В.Я., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Drachenko O., Schneider H., Helm M. Исследования времен жизни и релаксации фотопроводимости в гетероструктурах с квантовыми ямами Hg1-yCdyTe/Cd1-xHgxTe // «Нанофизика и наноэлектроника».Труды XVI международного симпозиума. 12-16 марта 2012 г. Нижний Новгород. ННГУ, т1, 2. 2012. С. 318-319.

©  Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского